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文档简介
1、1磁介质磁介质 (研究方法与电介质类比)研究方法与电介质类比) 磁场磁场 磁介质磁介质 磁化磁化 后果影响外场后果影响外场000BMIn场对介质的作用和介质的磁化互相影响、互相场对介质的作用和介质的磁化互相影响、互相 制约制约 n研究方法研究方法 n磁荷观点磁荷观点 n分子环流分子环流 以此观点讨论以此观点讨论n物质的磁性起源于原子的磁性物质的磁性起源于原子的磁性n原子磁性原子磁性 量子力学量子力学n严格的磁学理论必须建立在量子力学基础上严格的磁学理论必须建立在量子力学基础上 2磁性、磁介质、磁化磁性、磁介质、磁化 磁性:磁性: 物质的基本属性之一,即物质的磁学特性物质的基本属性之一,即物质的
2、磁学特性 吸铁石吸铁石天然磁体天然磁体 具有强磁性具有强磁性 多数物质一般情况下没有明显的磁性多数物质一般情况下没有明显的磁性磁介质(磁介质(magnetic medium):): 对磁场有一定响应对磁场有一定响应, ,并能反过来影响磁场的物质并能反过来影响磁场的物质 一般物质在较强磁场的作用下都显示出一定程度的磁性,即都能对磁场的一般物质在较强磁场的作用下都显示出一定程度的磁性,即都能对磁场的作用有所响应,所以都是磁介质作用有所响应,所以都是磁介质 磁化(磁化(magnetization) 在外磁场的作用下,原来没有磁性的物质,变得具有磁性,简称磁化。磁在外磁场的作用下,原来没有磁性的物质,
3、变得具有磁性,简称磁化。磁介质被磁化后,会产生附加磁场,从而改变原来空间磁场的分布介质被磁化后,会产生附加磁场,从而改变原来空间磁场的分布 3“分子电流分子电流”模型模型问题的提出问题的提出 为什么物质对磁场有响应为什么物质对磁场有响应? ? 为什么不同类型的物质对磁场有不同的响应为什么不同类型的物质对磁场有不同的响应, ,即具有不同的磁性?即具有不同的磁性? 与物质内部的电磁结构有着密切的联系与物质内部的电磁结构有着密切的联系分子电流分子电流 安培的大胆假设安培的大胆假设 磁介质的磁介质的“分子分子”相当于一个环形电流,是电荷的某种运动形成的,它相当于一个环形电流,是电荷的某种运动形成的,它
4、没有像导体中电流所受的阻力,分子的环形电流具有磁矩没有像导体中电流所受的阻力,分子的环形电流具有磁矩分子磁矩,分子磁矩,在外磁场的作用下可以自由地改变方向在外磁场的作用下可以自由地改变方向 4假设的重要性假设的重要性 把种种磁相互作用归结为电流把种种磁相互作用归结为电流电流相互作用,建立了安培定律电流相互作用,建立了安培定律磁作磁作用理论用理论 以以“分子电流分子电流”模型取代模型取代磁荷模型磁荷模型,从根本上揭示了物质极化与磁化的内在,从根本上揭示了物质极化与磁化的内在联系联系其实其实在安培时代,对于物质的分子、原子结构的认识还很肤浅,电子尚未发在安培时代,对于物质的分子、原子结构的认识还很
5、肤浅,电子尚未发现,所谓现,所谓“分子分子”泛指介质的微观基本单元泛指介质的微观基本单元 5“磁荷磁荷”模型要点模型要点 磁荷有正、负,同号相斥,异号相吸磁荷有正、负,同号相斥,异号相吸磁荷遵循磁的库仑定律(类似于电库仑定律)磁荷遵循磁的库仑定律(类似于电库仑定律) 定义磁场强度定义磁场强度 H H为单位点磁荷所受的磁场力为单位点磁荷所受的磁场力 把磁介质分子看作磁偶极子把磁介质分子看作磁偶极子 认为磁化是大量分子磁偶极子规则取向使正、负磁荷聚集两端的过程,磁体认为磁化是大量分子磁偶极子规则取向使正、负磁荷聚集两端的过程,磁体间的作用源于其中的磁荷间的作用源于其中的磁荷 但没有单独的磁极存在但
6、没有单独的磁极存在?6现代的观点现代的观点 分子磁矩分子磁矩 m分子分子= ml+ ms (矢量和矢量和) 轨道磁矩轨道磁矩ml :由原子内各电子绕原子核的轨道运动决定:由原子内各电子绕原子核的轨道运动决定 自旋磁矩自旋磁矩ms :由核外各电子的自旋的运动决定:由核外各电子的自旋的运动决定所谓磁化:所谓磁化: 就是在外磁场作用下大量分子电流混乱分布(无序)就是在外磁场作用下大量分子电流混乱分布(无序) 整齐排列(有整齐排列(有序)序) 每一个分子电流提供一个分子磁矩每一个分子电流提供一个分子磁矩m分子分子 磁化了的介质内分子磁矩矢量和磁化了的介质内分子磁矩矢量和 m分子分子 0 分子磁矩的整齐
7、排列贡献宏观上的磁化电流分子磁矩的整齐排列贡献宏观上的磁化电流I I (虽然不同的磁介质的磁(虽然不同的磁介质的磁化机制不同)化机制不同)7磁化的描绘磁化的描绘 磁化强度矢量磁化强度矢量 M 为了描述磁介质的磁化状态(磁化方向和强度),引入磁化强度矢量为了描述磁介质的磁化状态(磁化方向和强度),引入磁化强度矢量M的概念的概念 磁化后在介质内部任取一宏观体元,体元内的分子磁矩的矢量和磁化后在介质内部任取一宏观体元,体元内的分子磁矩的矢量和 m分子分子 0 磁化程度越高,矢量和的值也越大磁化程度越高,矢量和的值也越大 M:单位体积内分子磁矩的矢量和单位体积内分子磁矩的矢量和 Vm分分子子M8磁化电
8、流磁化电流 介质对磁场作用的响应介质对磁场作用的响应产生磁化电流产生磁化电流磁化电流不能传导,束缚在介质内部,也叫束缚电磁化电流不能传导,束缚在介质内部,也叫束缚电流。流。它也能产生磁场,满足毕奥它也能产生磁场,满足毕奥- -萨伐尔定律,可以产萨伐尔定律,可以产生附加场生附加场B附加场反过来要影响原来空间的磁场分布。附加场反过来要影响原来空间的磁场分布。各向同性的磁介质只有介质表面处,分子电流未被各向同性的磁介质只有介质表面处,分子电流未被抵销,形成磁化电流抵销,形成磁化电流9磁化电流与传导电流磁化电流与传导电流传导电流传导电流 载流子的定向流动,是电荷迁移的结果,产生焦耳热,产生磁场,遵从载
9、流子的定向流动,是电荷迁移的结果,产生焦耳热,产生磁场,遵从电流产生磁场规律电流产生磁场规律 磁化电流磁化电流 磁介质受到磁场作用后被磁化的后果,是大量分子电流叠加形成的在宏磁介质受到磁场作用后被磁化的后果,是大量分子电流叠加形成的在宏观范围内流动的电流,是大量分子电流统计平均的宏观效果观范围内流动的电流,是大量分子电流统计平均的宏观效果 相同之处:同样可以产生磁场,遵从电流产生磁场规律相同之处:同样可以产生磁场,遵从电流产生磁场规律 不同之处:电子都被限制在分子范围内运动,与因电荷的宏观迁移引起的传不同之处:电子都被限制在分子范围内运动,与因电荷的宏观迁移引起的传导电流不同;分子电流运行无阻
10、力,即无热效应导电流不同;分子电流运行无阻力,即无热效应 10磁化的后果磁化的后果三者从不同角度定量地描绘同一物理现象三者从不同角度定量地描绘同一物理现象 磁化,之间必有联系,这些关系磁化,之间必有联系,这些关系磁介质磁化遵循的规律磁介质磁化遵循的规律描描绘绘磁磁化化0BBBIM11磁化强度矢量磁化强度矢量M与磁化电流与磁化电流I关系关系 磁化强度矢量磁化强度矢量M沿任意闭合回路沿任意闭合回路L的积分等于通过以的积分等于通过以L为周界的曲面为周界的曲面S的的磁化电流的代数和,即磁化电流的代数和,即LLIldM内通过以通过以L为界为界S面内面内全部分子电流的代数全部分子电流的代数和和12证明证明
11、 把每一个宏观体积内的分子看成是完全一样的电流环即用把每一个宏观体积内的分子看成是完全一样的电流环即用平均分子磁矩代替每一个分子的真实磁矩平均分子磁矩代替每一个分子的真实磁矩 aIm分子n设单位体积内的分子环流数为设单位体积内的分子环流数为n,则单位体积则单位体积内分子磁矩总和为内分子磁矩总和为 ManIm分子n设想在磁介质中划出任意宏观面设想在磁介质中划出任意宏观面S来考察:令其周界线为来考察:令其周界线为L,则介质中的分子环,则介质中的分子环流分为三类流分为三类 13不与不与S相交相交A 整个为整个为S所切割,即分子电所切割,即分子电 流与流与S相交两次相交两次B被被L穿过的分子电流,即与
12、穿过的分子电流,即与 S相交一次相交一次CA与与B对对S面面 总电流无贡献,总电流无贡献,只有只有C有贡献有贡献 n在在L上取一线元上取一线元, ,以以dl为轴线,为轴线,a为底,作一圆柱体为底,作一圆柱体n体积为体积为 V=adlcos ,凡是中心处在,凡是中心处在 V内的分子环流内的分子环流 都为都为dl所穿过所穿过 , V内共有分子数内共有分子数l dannadlVnNcosnN个分子总贡献个分子总贡献 l dMl danIINI14沿闭合回路沿闭合回路L L积分得普遍关系积分得普遍关系jm:磁化电流密度磁化电流密度 表示单位时间通过单位垂直面积的磁化电流表示单位时间通过单位垂直面积的磁
13、化电流 均匀磁化均匀磁化:M为常数为常数 , M=0, jm=0,介质内部没有磁化电流,磁化电流只分布介质内部没有磁化电流,磁化电流只分布在介质表面在介质表面LLIldM内通过以通过以L为界为界S面面内全部分子电流的内全部分子电流的代数和代数和SdjSdMSmS)(mjM积分形积分形式式微分形式微分形式15M与介质表面磁化电流的关系与介质表面磁化电流的关系 证明证明 在介质表面取闭合回路在介质表面取闭合回路 穿过回路的磁化电流穿过回路的磁化电流 iMinMt或或面磁化电流密度面磁化电流密度 liI Laddccbbal dMl dMl dMl dMldMbatdlMbc、da1,其数量级为,其
14、数量级为102106以上以上 当当M与与H无单值关系时,不再引用无单值关系时,不再引用 m、 的概念了的概念了 地位和作用类似于地位和作用类似于 e 23电介质中的电介质中的高斯定理高斯定理磁介质中的磁介质中的安培环路定理安培环路定理01()iSSE dSqq000LLLB dlIIl dMIl dBLLL 00 LLIl dMB)(0 0BHM LLIl dH00011SSSE dSqP dS0()SSEP dSq0DEP VeSdVSdD 240(1)eDE 0rDEE 称为相对电容率称为相对电容率或相对介电常量或相对介电常量r之间的关系之间的关系PDE、 、(1)re0ePE HMm 之
15、之间的关系间的关系M,H,B0BHM0DEPH)(Bm 10)(mr 1HHBr 0r 称为相对磁导率称为相对磁导率r 0 磁导率磁导率25例例1 一环形螺线管,管内充满磁导率为一环形螺线管,管内充满磁导率为,相对磁导率为,相对磁导率为r的顺磁质。环的横截面的顺磁质。环的横截面半径远小于环的半径。单位长度上的导线匝数为半径远小于环的半径。单位长度上的导线匝数为n。 求:环内的磁场强度和磁感应强度求:环内的磁场强度和磁感应强度rHl dHL 2 NI rNIH 2 nI HHBr 0 rO解:解:26例例2 一无限长载流圆柱体,通有电流一无限长载流圆柱体,通有电流I ,设电流,设电流 I 均匀分
16、布在整个横截面上。均匀分布在整个横截面上。柱体的磁导率为柱体的磁导率为,柱外为真空。,柱外为真空。求:柱内外各区域的磁场强度和磁感应强度。求:柱内外各区域的磁场强度和磁感应强度。解:解:IR0 I rH Rr rHl dHL 2 I IRr22 22 RIrH 22 RIrB 27在分界面上在分界面上H 连续连续, B 不连续不连续Rr IrH 2rIH 2 rIB 20 IR0 Hr HRrRI 2OBRrRI 2ORI 2028练习练习 一磁导率为一磁导率为 1的无限长圆柱形直导线,半径为的无限长圆柱形直导线,半径为 R1,其中均匀地通有电流,其中均匀地通有电流 I 。在导线外包一层磁导率
17、为。在导线外包一层磁导率为 2 的圆柱形不导电的磁介质,其外半径为的圆柱形不导电的磁介质,其外半径为 R2,如图所,如图所示。求磁场强度和磁感应强度的分布。示。求磁场强度和磁感应强度的分布。 2 1IR2R129解:由安培环路定律解:由安培环路定律 iLIl dH iIrH 2 2 1IR2R11Rr 212 RIrH 2112 RIrB 21RrR rIH 2 rIB 22 2rRrIH 2 rIB 20 30无限长直电流的磁场无限长直电流的磁场圆电流中心的磁场圆电流中心的磁场长螺线管电流中部的磁场长螺线管电流中部的磁场环形长螺线管中部的磁场环形长螺线管中部的磁场aIH 21RNIH2 nI
18、H nIH 无限大均匀磁介质中磁场的毕无限大均匀磁介质中磁场的毕-沙伐定律沙伐定律34rrlIdBd llrrlIdBdB3431 0Il dHL0 l dEL 0qSdDS0 SdBS DEHB EBDH 1 32各种磁介质各种磁介质磁介质分类磁介质分类 弱磁性:顺磁质、抗磁质弱磁性:顺磁质、抗磁质 强磁性:铁磁质强磁性:铁磁质一般有两类分子一般有两类分子 无外场无外场 有外场有外场 分子磁矩分子磁矩 m分子分子= ml+ ms0 m分子分子=0 m分子分子 0 分子磁矩分子磁矩 m分子分子= ml+ ms 0 m分子分子=0 m分子分子 0顺顺磁磁质质的磁化的磁化 分子在外磁场作用下趋向于
19、外磁场排列分子在外磁场作用下趋向于外磁场排列 热运动与磁场作用相抵抗热运动与磁场作用相抵抗 抗磁质抗磁质顺磁质顺磁质33抗磁质抗磁质 抗磁质分子的固有磁矩抗磁质分子的固有磁矩m分子分子= ml+ ms0不存在由非零的分子固有磁矩规则取向引起的顺磁效应。磁性来源?不存在由非零的分子固有磁矩规则取向引起的顺磁效应。磁性来源? 抗磁质磁性起源于电子轨道运动在外磁场下的变化抗磁质磁性起源于电子轨道运动在外磁场下的变化 电子轨道运动为什么会变化?原因:在外磁场下受洛伦兹力电子轨道运动为什么会变化?原因:在外磁场下受洛伦兹力 34分子磁矩的由来分子磁矩的由来 在原子或分子内,一般不止有一个电子在原子或分子
20、内,一般不止有一个电子 分子磁矩:所有电子的轨道磁矩和自旋磁矩的矢量和分子磁矩:所有电子的轨道磁矩和自旋磁矩的矢量和m分子分子= ml+ ms0 电子轨道磁矩电子轨道磁矩nmiSl22erevTei222leLerem mL 与与角动量方向相反角动量方向相反n电子自旋磁矩电子自旋磁矩SmmeSn若所有电子的总角动量(含轨道和自旋)为零,抗磁若所有电子的总角动量(含轨道和自旋)为零,抗磁n所有电子的总角动量(含轨道和自旋)不为零所有电子的总角动量(含轨道和自旋)不为零 ,顺磁,顺磁 35外磁场对电子轨道运动的影响外磁场对电子轨道运动的影响外磁场作用在一个抗磁原子上,考虑电子的轨道运动外磁场作用在
21、一个抗磁原子上,考虑电子的轨道运动( (设电子角速度平行于外磁场设电子角速度平行于外磁场) ) 求无外磁场时的角速度求无外磁场时的角速度 0(电子只受库仑力)电子只受库仑力)n加外磁场加外磁场B0,电子受库仑力、洛伦兹力(指向中心),假设轨道的半径不变(相,电子受库仑力、洛伦兹力(指向中心),假设轨道的半径不变(相当于定态假设),设洛伦兹力远小于库仑力当于定态假设),设洛伦兹力远小于库仑力rmrZe202024213020)4(mrZermrBerZe20202400,0202236rmrmrBerBerZe02000020224洛伦兹力远小于洛伦兹力远小于库仑力,高阶无库仑力,高阶无穷小,略
22、穷小,略meB20n考虑电子角速度反平行于外磁场,有同样结论,考虑电子角速度反平行于外磁场,有同样结论,的方向的方向总是总是与外磁场与外磁场B0相同相同 n电子角速度改变将引起电子磁矩改变电子角速度改变将引起电子磁矩改变 022242Bmmreer总是与外磁场总是与外磁场方向相反(抗方向相反(抗磁)磁)37抗磁性是一切磁介质共同具有的特性。抗磁性是一切磁介质共同具有的特性。在顺磁质中也有抗磁性,只是由于其固有磁矩的取向效应(增强磁场)在顺磁质中也有抗磁性,只是由于其固有磁矩的取向效应(增强磁场)比抗磁效应大得多,因此整体表现为顺磁(增强磁场)比抗磁效应大得多,因此整体表现为顺磁(增强磁场)顺磁
23、质和抗磁质都是弱磁质!顺磁质和抗磁质都是弱磁质!38测量磁滞回线的实验装置测量磁滞回线的实验装置05 101520A测量测量H测量测量B 的探头的探头(霍尔元件)(霍尔元件)电阻电阻电流表电流表螺绕环螺绕环铁环铁环狭缝狭缝换换向向开开关关3 3 铁磁质铁磁质铁磁质的磁化规律铁磁质的磁化规律391、磁化曲线磁化曲线RNIH 2 磁强计磁强计测量测量B,如用感应电动势如用感应电动势测量测量或用小线圈在缝口处测量;或用小线圈在缝口处测量;Hr HBor 由由 得出得出 曲线曲线铁磁质的铁磁质的 不一定是个常数,不一定是个常数,它是它是 的函数的函数Hr 原理原理: 励磁电流励磁电流 I; 用安培定理
24、得用安培定理得HHr HBHr,B 0510 1520A40BsbHBHo.1.2.c a.初始磁化曲线初始磁化曲线BssBsH.rr.ccc.dsBc.re磁磁 滞滞 回回 线线磁滞现象:磁滞现象:B 滞后于滞后于 H 的变化的变化2、磁滞回线磁滞回线41初始磁初始磁化曲线化曲线a.bcdBOH.SBSHe.rB fCHSB .SH 矫顽力矫顽力CH 饱和磁感应强度饱和磁感应强度磁滞回线磁滞回线剩剩 磁磁rB42HBcHcH rBSBB的变化落后于的变化落后于H,从而具有剩磁,即磁滞效应。每,从而具有剩磁,即磁滞效应。每个个H对应不同的对应不同的B与磁化的历史有关。与磁化的历史有关。磁滞回线
25、磁滞回线-不可逆过程不可逆过程在交变电流的励磁下反复磁化使其温度升高的在交变电流的励磁下反复磁化使其温度升高的磁滞损耗与磁滞回线所包围的面积成正比。磁滞损耗与磁滞回线所包围的面积成正比。43 (1)根据现代理论,铁磁质相邻原子的电子之间存在很强的)根据现代理论,铁磁质相邻原子的电子之间存在很强的“交换耦合作交换耦合作用用”,使得在无外磁场作用时,电子自旋磁矩能在小区域内自发地平行排列,形,使得在无外磁场作用时,电子自旋磁矩能在小区域内自发地平行排列,形成自发磁化达到饱和状态的微小区域。成自发磁化达到饱和状态的微小区域。 这些区域称为这些区域称为“磁畴磁畴”多晶磁畴结构多晶磁畴结构 示意图示意图
26、二、二、磁畴结构磁畴结构44(2)在外磁场作用下,磁畴发生变化。分两步:)在外磁场作用下,磁畴发生变化。分两步:A 外磁场较弱时,凡磁矩方向与外磁场相同或相近的磁畴都要扩大(畴壁外磁场较弱时,凡磁矩方向与外磁场相同或相近的磁畴都要扩大(畴壁向外移动)。向外移动)。B 外磁场较强时,每个磁畴的磁矩方向都程度不同地向外磁场方向靠拢(外磁场较强时,每个磁畴的磁矩方向都程度不同地向外磁场方向靠拢(即取向)。即取向)。 外磁场越强,取向作用也越强。外磁场越强,取向作用也越强。此上两种变化都导致单位物理小体积内磁矩矢量和(即磁化强度此上两种变化都导致单位物理小体积内磁矩矢量和(即磁化强度M从零逐渐从零逐渐
27、增大,其方向与外场相同。外磁场越强,增大,其方向与外场相同。外磁场越强, M也越强,这便是起始磁化曲线也越强,这便是起始磁化曲线的成因。的成因。45当再加外磁场时,当再加外磁场时, M不再增加,磁化达到饱和。不再增加,磁化达到饱和。(3) 畴壁的外移及磁畴磁矩的取向是不可逆的,畴壁的外移及磁畴磁矩的取向是不可逆的, 当外磁场减弱或消失时磁畴当外磁场减弱或消失时磁畴不按原来变化规律逆着退回原状。这解释了磁滞的原因。不按原来变化规律逆着退回原状。这解释了磁滞的原因。(4)既然磁畴起因于电子自旋磁矩的自发有序排列,而热运动是有序排列的破)既然磁畴起因于电子自旋磁矩的自发有序排列,而热运动是有序排列的
28、破坏者,因而当温度高于某一临界时,磁畴就不复存在,铁磁质就变为普通顺磁坏者,因而当温度高于某一临界时,磁畴就不复存在,铁磁质就变为普通顺磁质。这一临界温度叫居里点。质。这一临界温度叫居里点。46把一块有剩磁的铁磁质加热至居里点以上再冷却,其剩磁会完全消失。把一块有剩磁的铁磁质加热至居里点以上再冷却,其剩磁会完全消失。顺磁性顺磁性 来自分子的固有磁矩。来自分子的固有磁矩。抗磁性抗磁性 起因于电子的轨道运动在外磁场作用的变化。起因于电子的轨道运动在外磁场作用的变化。铁磁性铁磁性 起因于电子自旋磁矩的自发有序排列。起因于电子自旋磁矩的自发有序排列。例如,铁的居里点是例如,铁的居里点是1043K。47
29、显示磁畴结构的铁粉图形显示磁畴结构的铁粉图形48纯铁纯铁硅铁硅铁钴钴三种铁磁性物质的磁畴三种铁磁性物质的磁畴49Si-Fe单晶单晶( (001) )面的面的磁畴结构磁畴结构箭头表示箭头表示磁化方向磁化方向503. 有剩磁、磁饱和及磁滞现象。有剩磁、磁饱和及磁滞现象。铁磁质的特性铁磁质的特性2. 有很大的磁导率。有很大的磁导率。 放入线圈中时可以使磁场增强放入线圈中时可以使磁场增强102 104倍。倍。4.温度超过居里点时,铁磁质转变为顺磁质。温度超过居里点时,铁磁质转变为顺磁质。1. 磁导率磁导率不是一个常量,它的值不仅决定于原线不是一个常量,它的值不仅决定于原线 圈中的电流,还决定于铁磁质样
30、品磁化的历史。圈中的电流,还决定于铁磁质样品磁化的历史。 B 和和H 不是线性关系。不是线性关系。51三三 铁磁质的应用铁磁质的应用软磁材料作变压器的。软磁材料作变压器的。纯铁,硅钢坡莫合金纯铁,硅钢坡莫合金(Fe,Ni),铁氧体等。,铁氧体等。 r大,易磁化、易退磁(起始磁化率大)。饱和磁感应强度大,大,易磁化、易退磁(起始磁化率大)。饱和磁感应强度大,矫顽力矫顽力(Hc)小,小,磁滞回线的面积窄而长,损耗小(磁滞回线的面积窄而长,损耗小(HdB面积小)。面积小)。还用于继电器、电机、以及各种高频电磁元件的磁芯、磁棒。还用于继电器、电机、以及各种高频电磁元件的磁芯、磁棒。HBcH cH(1)软磁材料软磁材料52(2)硬磁材料硬磁材料作永久磁铁作永久磁铁钨钢,碳钢,铝镍钴合金钨钢,碳钢,铝镍钴合金(3)矩磁材料矩磁材料作存储元件作存储元件Br=BS ,Hc不大,磁滞回线是矩形。不大,磁滞回线是矩形。用
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