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1、1会计学ZnSe薄膜用作太阳电池窗口层及其简介薄膜用作太阳电池窗口层及其简介-7.26eV-0.2eV:价带0eV以上: 导带不同衬底温度下制备的ZnSe薄膜的XRD图不同衬底温度制备的ZnSe薄膜的光透过图一、不同Al含量的ZnSe薄膜的XRD图不同Al含量的ZnSe薄膜的光透过图不同溅射功率下沉积的ZnSe薄膜的XRD图不同溅射功率下沉积的ZnSe薄膜的SEM图: A: 60w; B:80w; C:90w; D:100w不同溅射功率下沉积的ZnSe薄膜的透过谱不同溅射功率下沉积的ZnSe薄膜的Tauc曲线三、通常制备所得的ZnSe薄膜表面粗糙度较高，且晶粒尺寸较小，在后续生长CdTe吸收层

2、后，会导致与CdTe层较差的匹配，从而影响器件的性能。对制备的ZnSe薄膜进行退火处理，退火过程中ZnSe发生重结晶过程，优化晶体结构，提升薄膜结晶性。以下简述采用化学浴沉积法制备的ZnSe在空气中不同温度下退火后的结果不同退火温度下ZnSe薄膜的SEM图不同退火温度下ZnSe薄膜的光透过和光能隙刚沉积的和373K退火后的ZnSe薄膜的能隙值比理论能隙值（2.7eV）大 根据目前的文献参考，现在用磁控溅射及化学浴沉积等方法能得到稳定的ZnSe多晶薄膜，但是用脉冲激光沉积（PLD）进行ZnSe窗口层制备的研究还不是很广泛。 目前准备进行的工作是通过脉冲激光沉积制得ZnSe/CdSe薄膜，然后在当前真空环境下对ZnSe/CdSe进行退火，表征，如果能够得到稳定的ZnSe/CdSe多晶薄膜，则直接在制备好的ZnSe多晶薄膜上镀上CdTe吸收层，研究

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