晶体管原理(3-7)_第1页
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文档简介

1、 3.7 BJT3.7 BJT的功率特性的功率特性 晶体管在大电流、大功率和高电压下的一些晶体管在大电流、大功率和高电压下的一些特性。特性。 3.7.1 大注入效应大注入效应 3.7.2 基区扩展效应基区扩展效应 3.7.3 发射结电流集边效应发射结电流集边效应 3.7.4 BJT的的 参数与温度的关系参数与温度的关系 3.7.5 二次击穿与安全工作区二次击穿与安全工作区 3.7.1 大注入效应大注入效应 大注入时晶体管的大注入时晶体管的、与器件内部参数的关与器件内部参数的关系。系。 什么是大注入效应？什么是大注入效应？ 当基区发生大注入时，基区会有一个内建场。当基区发生大注入时，基区会有一个

2、内建场。分析方法是：分析方法是：1、求任意注入下的基区内建场、求任意注入下的基区内建场E，令多子电流，令多子电流密度为零，求密度为零，求E的表达式的表达式 。2、任意注入下的基区少子电流。、任意注入下的基区少子电流。3、任意注入下的基区渡越时间、任意注入下的基区渡越时间b与输运系数与输运系数*。4、任意注入下的发射结注入效率、任意注入下的发射结注入效率。5、大注入下的、大注入下的、。 3.7.2 基区扩展效应基区扩展效应 V VBCBC不变，不变，I IC C变大，变大，W WB B变大。变大。原因：载流子电荷对集电结势垒区的电荷分布原因：载流子电荷对集电结势垒区的电荷分布产生影响，使中性基区

3、变宽。产生影响，使中性基区变宽。 3.7.3 发射结电流集边效应发射结电流集边效应 由于基极电阻存在，该电阻上有压降，由于基极电阻存在，该电阻上有压降，使使发射极发射极不同位置不同位置偏压偏压不同，发射极电流不同，发射极电流也不同，距离基极也不同，距离基极接触越近接触越近发射极电流越大，发射极电流越大，越远电流越小，这种现象即越远电流越小，这种现象即发射结电流发射结电流集边集边效应。效应。1、发射极有效条宽、发射极有效条宽2、发射极金属电极的有效长度、发射极金属电极的有效长度3.7.4 BJT的的 参数与温度的关系参数与温度的关系 温度系数温度系数 绝对温度系数绝对温度系数 相对温度系数相对温度系数1、反向截止电流与温度的关系、反向截止电流与温度的关系2、IE,IC与温度的关系与温度的关系3、IE,IC不变，不变，VBE与温度的关系与温度的关系3.7.5 二次击穿与安全工作

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