《模拟电子技术》习题集.

1、模拟电子技术习题集一、填空题1. 半导体是一种导电能力介于和之间的物质。2. 半导体的导电类型分型和型半导体。3. 在判别硅、锗晶体二极管时，当测出正向电压为 时就认为此二极管为锗二极管；当测出正向电压为 时，就认为此二极管为硅二极管。4. N型半导体主要依靠载流子导电。5. P型半导体主要依靠 载流子导电。6. PN结加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层变°PN结加反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层变 。7. PN结具有 性能，即加正向电压时PN结 ，加反向电压时PN结。8. 当温度升高时，PN结的反向电流会 。9. 用万用表欧姆挡测量二极管好坏时，测量的正反向阻值间相差越 越

2、好。10. 二极管按结构分类，可分为 、三种。11. 硅稳压二极管是一种具有 作用的特殊二极管。12. 硅稳压二极管的动态电阻rz越其稳压性能越好。13. 用硅稳压二级管组成稳压电路时，电路中稳压管必须与负载联。14. 晶体三极管有型和型两种。15. 当温度上升时，晶体三极管的ICEO会， B值，U BE。16. 三极管具有电流放大作用的外部条件必须使结正向偏置，结反向偏置。17. 晶体三极管的区与区由同一类型材料组成， 区掺杂最重，区掺杂最轻。18. 当三极管饱和时，它的发射结必是 偏置，集电结必是 偏置。19. 硅三极管Iceo比锗管小得多，硅管的热稳定性比锗管要 。20. NPN型三极管

3、各电极电位关系是 Vc>Vb>Ve，该管工作于状态。21. PNP型三极管各电极电位关系是 VcVVbVVe，该管工作于 状态。22. 晶体三极管三个极电流之间的关系式为Ie =。23. 晶体三极管输出特性中的三个区分别叫 区、区和区。24. 判断图1- 10所示三极管的工作状态，其中也有损坏状态的可能。图一“25. 在电路中测得各三极管对地电位如图1 - 11所示，判断三极管工作状态(a)状态状态 2)状态(d)状态图 1-1126. 在一个放大线路板内测得某只三极管三个极的静态电位分别为Vi=6V , V2= 3V,V3=3.7V可以判断1脚为极，2脚为极，3脚为极，此管为型管

4、，由材料制成。27. 在一个放大线路板内测得某只三极管三个极对地电压分别为Vi= 6.2V，V2二6V，V3= 9V，可以判断1脚为极，2脚为极，3脚为极，此管为型管，由材料制成。28. 阻容耦合放大电路中，耦合电容的作用是 和。29. 放大电路未加入信号时的工作状态称为态。30. 放大电路未加入信号时晶体管各级的直流电压、电流的数值称电路的 工作点。31. 放大电路加上输入信号时的工作状态称为 态。32. 放大电路中直流成分通过的路径称为 通路。33. 放大电路中交流成分通过的路径称为 通路。34. 放大电路有三种连接方式，分别为 、和。35. 共射放大路，增大基极电阻 Rb，其它参数不变，

5、则偏流Ibq，静态工作点向移动。36. 共射电路中，减小集电极电阻 Rc，其它参数不变，则负载线的斜率 。37. 共射电路，增大直流电源 Vcc，其它参数不变，负载线将向 变化。38. 交流负载线与直流线都通过 点。39. 某电路的交流负载线与直流负载线重合，可知此电路的负载电阻Rl=。40. 由于晶体管特性曲线的非线性引起的失真称为失真。41. 共射电路，Q点过高易产生 失真。42. 共射电路，Q点过低易产生 失真。43. 放大电路的输出电阻越小，带负载能力越 。44. 射极输出器的电压放大倍数 A仟45. 射极输出器的输出电压与输入电压的相位相 。46. 射极输出器的输入电压ri较47.

6、射极输出器的输出电阻ro较。48. 射极输出器可用来作为多级放大器中的级、级和级。49. 造成单级放大电路的放大倍数在高频段下降的原因是由于晶体管的PN结之间的和电路的影响。50. 放大电路的放大倍数|Av|与频率f的关系曲线称为特性曲线。51. 放大倍数下降到中频区放大倍数 Avm的0.707倍时，对应的高端频率称为 频率。52. 放大倍数下降到中频区放大倍数 Avm的0.707倍时，对应的低端频率称为 53.54.55.56.57.58.59.60.频率。上限频率和下限频率之间的范围叫 。多极放大电路通频带比单级放大电路的通频带要多级放大电路的级间耦合方式有 、和当输入信号时，若能保证信号

7、不失真，放大器的静态工作点可以选得 若要求放大器有最大不失真输出，静态工作点应选择在负载线的 测量放大器的静态工作点的仪器是 。测量放大器的电压放大倍数的仪器是 四种。_些。 位置。61.62.如图幅频特性曲线，请在图 2-1标出上限频率 fH ,下限频率帛丽I0.707AvmAviiiD.ZDMvm两级放大电路，已知第一级Av=。两级放大电路，已知第一级Ri =fL及通频带B。Avi= 100,第二级 Av2= 50,则总电压放大倍数Rii = 1K Q，第二级 Ri2=1.5K，则总的输入电阻63.两级放大电路，已知第一级输出电阻ro1=6K Q,第二级输入电阻ro2=3K Q,则总的输出

8、电阻ri=64. 图2 2所示幅频特性，f l处的电压放大倍数Avi是Avm的倍。65. 如图2 3所示电路：由波形可知此电路已出现 失真，苦要消除该失真,应调节元件使其。图66. 欲使放大电路退出饱和失真，可以调节基极电阻Rb使其。67. 温度升高，共射电路的工作点易进入区。68. 图24所示电路，已知三极管为硅管，电路正常工作三极管各极对地直流电压为:Vc=V; V b=V; Vce=V; Vbe=V。图2-469. 图2-4所示的电路，若Rb2（20KQ ）短路，则各级直流电压：Vc=V; V b=V; Vce=V; Vbe=V。70. 图2-4所示电路，若Rb2断开，则各极直流电压（已

9、知 3=10）： Vc=V; VB=V ； Vce=V ； Vbe=V。71. 为了使放大器输出波形不失真，除需要设置 外；且输入信号幅度要O72. 对于一个放大器来说，一般希望其输入电阻 些；以减轻信号源的负担。希望输出电阻些，以增大带负载的能力。73. 共发射极电路的输出电压与输入电压相位相 ，所以该电路有时被称为O74. 多级放大器中，级的输入电阻是级的负载；级的输出电阻是级的信号源内阻； 级放大器输出信号是 级放大器的输入信号电压。75. 在Vds为某一定值时，使增强型场效应管开始有漏极电流Id时的Vds称为 O76. 晶体三极管称为型晶体管，场效应管称为 型晶体管。77. 晶体三极管

10、为控制元件，场效应管为控制元件。78. N沟道场效应管导电载流子为79. P沟道场效应管导电载流子为 o80. 场效应管在使用中，决不能让极悬空。81. 场效应管导电移特性曲线图3-3 （a）所示，判别以下内容：该管为 沟道82. 图3-3 （b）所示场效应管转移特性曲线，判别以下内容：该管为 沟道型, Vp（或 Vt）=V， Idss=mA o83. 场效应管漏极特性如图3-2所示，试分析此管：（1）管型为沟道型。（2）夹断电压或开启电压为 伏, Idss=； gm=。84. 一场效应管漏极特性如图3- 1所示，则（1）该场效应管管型为 ; （2）夹断电压 Vp或开启电压 VT； （ 3）

11、Idss=。85. 直接耦合放大器的级数愈多，放大倍数愈大，零点漂移会愈 。86. 为了有效地抑制零点漂移，多级直流放大器的第一级均采用 电路。87. 评价差动式直流放大器的性能，必须同时考虑它的 特性和特性。88. 差动放大器中，Re对信号呈现很强的负反馈作用；对 信号则无负反馈作用。89. 在差动放大电路中，常用晶体三极管作为来代替电阻Re。90. 用于放大信号和信号的放大器称为直流放大器。91. 运算放大器实际上是一个集成的多级放大器，常由级、级和级三部分组成。92. 集成运放的输入级一般采用 电路，以便获得较大的 比，抑制。93. 集成运放的中间级主要进行 工作，常采用和措施来完成这一

12、任务。94. 集成运放的的输出级一般采用，以获得较强的能力95. 集成运放有个输入端，分别称为和。96. 在集成电路中，恒流源有两个用途，一是给电路 ;二是作为放大器的使用。97. 图4 2为基本镜象电流源，已知：Vcc=15V,三极管均为硅管。（1）现要求镜像电流源输出电流为1mA，则R的数值R=。（2）欲将该基本电流源改为微电流源，请在图上标出改动方案。图5 2为理想运放组成的反馈电路，该电路的反馈级态为 反馈。8+ Ucc9#98. 图 4 1 为完全对称的差放电路，已知 Vii=5mV, Vi2=10mV, B =50, Rc=6K, Rb=2K, rbc=1K，贝U:共模输入信号 V

13、ic= () mV;差模输入信号 Vid= () mV;共模输出电压Voc=()mV，差模输出电压 Vod=()mV。#反馈。反馈。反馈。反馈反馈。反馈。反馈。99. 某负反馈放大电路的开环放大倍数为80，反馈系数为0.02，该电路闭环放大倍数为。100. 某电压串联负反馈放大电路，开环增益为Ao=104，反馈系数为0.001，贝贝闭环增益为。101. 能使输出电阻降低的是102. 能使输出电阻提高的是 10 4.能使输入电阻提高的是105. 能使输入电阻降低的是106. 能使输出电压稳定的是107. 能使输出电流稳定的是108. 能稳定直流工作点的是109. 在差动放大电路中，能抑制共模信号

14、的是反馈。110. 图5 1为理想运放组成的反馈电路，其反馈组态为反馈图5-1111. 举出若要提高多级放大电路的输入电阻，可以采取的三种措施（其中必须到少有一种为某种方式的反馈）。、 0112. 串联负反馈宜于与内阻的信号源配合。113. 并联负反馈宜于与 内阻信号源配合。114. 一个负反馈电路应采用哪种级态，需要根据电路要求，考虑 和 0115. 理想运算的 Aod=；Rid=；Ro=；Kcmr=.116. 方波信号经过电路可以变成三角波信号。117. 三角波经过电路可以变成方波。118. 比例运算电路输入电流基本上等于渡过反馈电阻的电流，而电阻小。119. 比例运算电路的输入电阻大，

15、比例运算电路的输入电阻小120. 图 6- 1 为反相求和电路，若 R1=R2=10K Q，Rf=5 K Q，V1=2V，V2=3V，贝U Vo=。1图6-2121. 图6-2为差动式减法电路，若 R1=R'=10 KQ，R2=R4=20 K Q ,此时，如果想使Vo 为 OV，贝U V1=。122. 图6-3所示电路为理想运放，它能实现 运算，它的电压放大倍数为123. 图6-4所示电路为理想运放，它能实现 运算，它的电压放大倍数为。124. 由于和可得到“虚短”的概念；由于 和可以得到“虚断”的概念125. 图 6-3 中，Ri=100K, Rf=50K, R2=33K, Vi=0

16、.3V ,则 V°= 。126. 图 64 中，Ri=100K, Rf=50K, R2=33K, Vi=0.3V ,则 Vo= 。127. 图6 5所示电路，写出输入输出电压关系式：(a)Vo=(b)V o=。12#128. 图6 6所示电路，设理想运放已经调零，且已知其输出电压最大幅度为土15V，Vo=;当 m 悬空 Vi= 1V，Vo=;当 m、n 接通，Vi=1V 时，Vo=；当 m、n 接通时 Vi= 1V 时，Vo=。图讯#129图9 1所示为直流稳压源的构成框图，试根据各输出电压的波形，在方框图内填 写该部分电路的名称。U?交流电路U0负载电阻#图97130. 通过改变加

17、触发脉冲的时刻，就可改变晶闸管的 ，使负载上的直流电压平均值随之改变，达到可控整流的目的。131. 整流滤波电路中，滤波电容越 ，输出电压Vo越高，纹波越。132. 整流电路加滤波电容后的输出电压平均值比不加电容滤波时要 。133. 常用的基本滤波元件有 和两种，构成电路时，必须与负载串联，必须与负载并联。134. 串联型稳压电路由 、和四部分组成。135. 使单结晶体管由截止突变为导通的电压称为 ；使单结晶体管由导通突变为截止的电压称为。136. 图9-23所示电路，它输出的脉冲电压宽度取决于电容器 C的即为截止的电压称为。137. 滤波是通过电容限制 变化的作用和电感限制 变化的作用来实现

18、保留整流后的直流成分，滤掉交流成分，达到输出平稳的目的。138. 阻容滤波形式较适用于负载电流且负载的场合。139. 硅稳压管并联型稳压电路，测得电路输出电压为0.7V，说明是原因。140. 稳压电路使直流输出电压不受 或的影响。141. 硅稳压管稳压电路中串联电阻 R既有作用还有作用。142. 如果负载电流为20A，则流过每一个二极管的电流是 A。143. 单相桥式整流电路中，任意一个二极管脱焊交出现问题；任意一个二极管反接将出现问题；若四个二极管均反接将。144. 在单相桥式整流电路中，如果电源变压器副边电压有效值为220V，则负载直流电压是V。145. 整流电路按交流电源的相数可分为和两

19、种，按输出电压（或电流）的波形可分为 和两种。146. 二极管整流电路的工作原理，是利用二极管具有 的特性来实现的。147. 当加在差放电路两个输入端的信号大小和方向时称为差模输入。148. 当加在差放电路两个输入端的信号大小和方向时称为共模输入。149. 在差动放大器中，双端输出时其电压放大倍数是单管放大器的电压放大倍数 O150. 在差动放大器中，单端输出时其电压放大倍数是单管放大器的o151. 晶闸管具有阻断和阻断的特性。152. 使晶闸管导通的条件是：在阳极上加电压，在控制极上必须是电压153. 晶闸管和二极管都是整流元件，但有明显的区别，其结构上的区别是：二极管个PN结个电极；晶闸管

20、具有个PN结个电极。15 4晶闸管和二级管都是整流元件，但有明显区别。其性能上的区别是：二极管具有_导电特性；晶闸管具有 导电特性。155. 可控制整流电路中，控制角a角与导通角B的关系为。156. 单相桥式可控整流电路中，有桥式 、桥式和桥式三种常用形式。157. 晶闸管可控整流电路，是利用晶闸管有 和和特性来实现的。158. 单相桥式可控整流电路中，若有一只晶闸管内部断路，此时电路输出的直流电压是原来的。159. 电感性负载可控整流电路中，在负载两端反向并联二极管，其作用是：为感性负载产生的自感电动势所维持的电流提供 的通道，使晶闸管及时，避免负载两端出现 电压。=160. 开关型稳压电路

21、中，调整管工作在 状态，因而小、高，符合电子设备小型化的要求。161. 功率放大电路的任务是向负载输出足够 ，它是通过三级管的放大作用将 -能量转换而来的。162. 对功率放大电路的要求是 大、高、小163. 功率放大器中采用输出变压器，主要是利用它的 作用，以获得最佳的，从而使负载得到尽可能大的。164推挽功放电路中，两边的晶体管要求它们的导电类型 、各个参数。165. 对于互补对称功率放大器中两边的晶体管（均是单管），要求它们的导电类类型、各个参数。166. 如图7- 2所示的是带推动级的OTL功放电路，在正常情况下，A点静态电压应等于;当输入电压Ui处于半周时，在各个晶体管中 导通、截止

22、，电容器C2电。167. 某理想OTL功放电路正、负电源的电压 Ec=9V，R1=4Q，则最大输出功率为;相应的电源供给功率为。168. 某 OCL功放电路正、负电源的电压 Ee=Ee=12V，功放管的饱和压降Vces=2V，负载 Rl=8Q，则其最大输出功率Pcm=；相应的效率n =-。169. 产生正弦波振荡的条件有两个，一个是 平衡条件；一个是 平衡条件。170. 在正弦振荡器中，为了满足自激振荡相位条件，需要 电路；为了获得单一频率的正弦波，需要 _电路；为了补充振荡过程中能量的消耗，维持等幅振荡，需 要电路；为了获得稳定的正弦波信号需要 电路。171. 判断电路是否满足振荡的相位条件

23、常采用 方法。172. 为了获得稳定的等幅振荡，振荡器中常引入 反馈。173石英晶体在并联型晶体振荡器中相当于 元件。174石英晶体在串联型晶体振荡器中相当于元件。175. 根据产生振荡的波形不同，振荡器通常可分 和两大类。176. 正弦波振荡器按反馈网络性质，可分为和两大类。177. 正弦波振荡器中，输出电压的频率是由 电路的谐振频率决定的。178. LC振荡器多用在频振荡器中，其振荡频率fo=;RC振荡器多用在频振荡器中，其振荡频率fo=。179. 选频电路含有石英晶体谐振器的正弦波振荡器称为 振荡器，其基本电路类型有型和型两种。180石英晶体振荡器的优点除了体积小、重量轻、可靠性高之外，

24、最主要的则是振荡频 率非常，广泛用于计算机、彩电、电子钟表等要求 较高的设备中。181. PN结加正向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层变 。182. PN结加反向电压时，扩散电流 漂移电流，耗尽层变 。183. 由于放大倍数对不同频率的放大量及相移不同，使输出信号的组合信号与输入信号的组合信号不同，从而造成的信号失真为 失真，它包括失真和失真。184. 有A B C三个二极管，测得它们的反向电流分别是 3mA 0.5mA 6mA在外加 相同数值的正向电压时，电流分别是 10mA 30mA 15mA比较而言管性能最好。185. 工作在放大区的某晶体管当I b从10mA增大到20mA寸，I c从

25、1mA增大到2mA它的B约为。186. 工作在放大状态的晶体管，流过发射结的主要是 电流，流过集电结的主要是电流。187. 在图中集电极电阻R的作用是188. a、放大电流 b 、调节Ibu c 、防止输出信号交流对地短路把放大了的 电流转换成电压 d 、调节I cu189. 在图中，当用直流表测得VCE=Va时，有可能因为，当VcE=0.3V时有可能因为:190. a、R开路 b、R短路 c 、R开路 d 、R过小191. 由于放大倍数对不同频率的放大量及相移不同，使输出信号的组合信号与输入信号的组合信号不同，从而造成的信号失真为失真，它包括 失真和失真。192. 有A B C三个二极管，测

26、得它们的反向电流分别是 3mA 0.5mA 6mA在外加 相同数值的正向电压时，电流分别是 10mA 30mA 15mA比较而言管性能最好。193. 工作在放大区的某晶体管当I b从10mA增大到20mA寸，I c从1mA增大到2mA它的B约为。194. 工作在放大状态的晶体管，流过发射结的主要是 电流，流过集电结的主要是电流。19 为获得一电压控制电流源，应选 反馈电路196. 为获得一电流控制电压源，应选 反馈电路197. 阻容耦合放大电路加入不同频率的输入信号时，低频区电压增益下降的原因是由于存在;高频区电压增益下降的原因是由于存在 （A、耦合电容的旁路电容，B、三极管的极间电容和分布电

27、容，C、三极管的非线性特性）198. 单极阻容耦合放大电路加入频率为fH和fL的输入信号时，电压增益的幅值比中频下降了db（3, 5, 6），高、低频输出电压与中频时相比有附加相移， 分别为和（40，-45，90，180）199. 在单级阻耦合放大电路的波特图中，高频区的斜率为 ，低频区的斜率为，附加相移的斜率为 （ +20db/十倍频，-20db/十倍频，+45（/十倍频，-45o十倍频）200. 多级放大电路与单级放大电路相比，电压增益 （提高、减小、不变），通频带 （变宽、变窄、不变），高频区附加相移 （变大，变小，基本不变）。201. 多极放大器的放大倍数增多而，但其通频段将随级数增多

28、而202. 多级放大器的输入电阻是 ，输出电阻是o203. 电流源电路是一个 （A、双口网络，B、单口网络），它是利用三极管输出特性的 （A、放大区，B、饱和区，C、截止区），其特点是输出电流，直流等效电阻，交流等效电阻 （A、恒定，B、不太大，C、很大）204. 在双端输入的差分放大电路中，射极电阻对信号无影响，对 信号具有抑制作用，故Re越大，电压增益越小，共模抑制比较大；用电流源代替 Re后，电路 的电压增益更小，理想时，共模抑制比趋于无穷大。 （A、差模，B、共模）205. 由于场效应管的输入电阻很大，由它构成差分放大电路可减小 ;采用复合管差分放大电路可进一步减小 ;采用有源负载差分

29、放大电路可提高电路白（A、输入偏置电流，B、电压增益）206. 场效应管利用外加电压产生的 （A电流，B电场）来控制漏极电流的大小，因此它是（A电流，B电压）控制器件。207. 结型场效应管在放大电路中利用栅源极间所加的 （A正向，B反向）电压来改变导电沟道的宽度，它的输入电阻 （A大于B、小于）MOS管输入电阻。208. 场效应管漏极电流由 （A少子 B多子 C两种载流子）的漂移运动形成N沟道场效应管的漏极电流由 （A电子B空穴 C电子和空穴）的漂移运动形成MOS管中的漏极电流 （A穿过PN结 B穿过衬底 C不穿过PN结）P沟道增强型MOS管的开启电压为 （A正值 B负值）。N沟道增强型MO

30、S管的开 启电压为（A正值 B负值）二、判断题1. 三极管饱和时，集电极电流不再随输入电流增大而增大。（）2. P型半导体的多子是空穴，所以 P型半导体带正电。3. N型半导体多子是自由电子，所以 N型半导体带负电。4. 当温度升高，掺杂半导体中的多数载流子浓度明显增加。5. 在本征硅内掺入数量的五价元素磷，即能形成N型半导体。6. 放大电路选用三极管时，应选用B和I CEO均大的三极管。7. 放大电路应选用B较大，I CEC较小的三极管。8. 硅稳压二极管在电路正常工作时的正确接法应将稳压二极管加反向电压。9. 稳压管的稳定电流Iz若大于实际通过稳压管的电流，则稳压效果不好。10. 晶体三极

31、管由两个PN结组成，所以能用两个晶体二极管反向连接起来当做晶体三 极管使用。11. 硅整流二极管2cz53,当环境温度从25C上升到100C时，它的正向伏安特性曲线将 向左移。12. 硅稳压管稳压电路适用于负载电流较小，对电压稳定度要求不高的场合。13. I cbo的大小反映了集电结的好坏，I cbO越小越好。14. N型半导体参与导电的载流子只有自由电子。15. 三极管使用中，当lc> |CM时，三极管必然损坏。16.17.18.19.20.21.22.23.24.25.26.27.28.29.30.31.32.33.34.35.36.37.38.39.40.41.42.43.44.4

32、5.46.发射结处于正向偏置的三极管，其一定是工作在放大状态。在图1 1所示电路中断开或接上晶体二管D对电流表读数没有影响9K图N用万用表识别二极管的极性时，若测的是晶体管的正向电阻，那么，与标有“+”号的表棒相连的是二极管正极，别一端是负极。阻容耦合放大电路能放大直流信号。阻容耦合放大电路只能放大交流信号。交流负载线比直流负载线陡。当只=时，直流和交流负载线重合。共射电路减小基极偏置电阻Fb可降低工作点。共射电路增大集电极电阻 R有利于电路退出饱和状态。共射电路增大直流电源 Vcc的值有利于电路退出饱和状态。共射电路增大基极电阻 R有利于电路退出截止状态。在不失真的前提下，静态工作点低的电路

33、静态功耗小。用微变等效电路法能求静态工作点。微变等效电路法的前提是电路已经有了合适的静态工作点。放大电路的输出电阻FO越大，带负载能力越强。温度升高共射电路的工作点易进入截止区。温度升高，共射电路的工作点易进入饱和区。用直流电压表能测量交流电压放大器的输出电压值。交流电压放大器的输出电压只能用电子电压表测量。用电子电压表能测量放大电路的静态电压值。射级输出器的输出电压与输入电压的大小近似相等。射级输出器没有电压放大作用。射级输出器没有电流放大作用。共基极电路既有电压放大也有电流放大。射极输出器因输入电阻高，常用于多级放大器中作输入级。射极输出器因输入电阻小，常用于多级放大器中作输出级。射级输出

34、器的输出电阻比共射电路高。射级输出器的输入电阻比共射电路高。多级放大电路的通频带比单级电路要窄。共射电路的电压放大倍数比射级输出器高。两级放大电路，已知第一级 Av1= 100，第二级A/2= 50,则总电压放大倍数 Av=150。47. 两级放大电路，已知第一级 Ri1=1 千欧，第二级 Ri2 =1.5 千欧，则输入电阻 Ri =2.5 千欧。48. 两级放大电路，已知第一级 R0i=6千欧，第二级 只2=3千欧，则输出电阻等9千欧。49. 阻容耦合放大电路中，信号工作频率越高耦合电容应选得越大。50. 利用微变等效电路，可以方便地计算小信号输入时的静态工作点。51. 实际放大电路常用分压

35、式电流负反馈偏置电路，是因为它能提高输入阻抗。52. 在放大电路的微变等效电路中，三极管的rbe与放大电路输入电阻R含义相同。53. 晶体三极管的输入电阻比场效应管大。54. 场效应管是一种电流控制的放大器件，工作原理与三极管相同。55. 结型场效应管的VGs可正可负或为零。56. N型沟道增强型场效应管是指多子为自由电子，少子为空穴。57. 场效应管的最大优点是具有较高的输入电阻。58. N型沟道增强型场效应管只有当 Vas> V时才开始导电。59. 场效应管共源放大电路所采用的自给栅偏压电路，只适用于增强型场效应管。60. 栅极分压式偏置电路适用于各种类型的场效应管。61. 在测量仪

36、器中，常用场效应管的源极输出器作为输入级，是因为其放大倍数很高。62. 有的场效应管的漏极可以和源极交换作用，而不影响其工作性能。63. 交流放大器中没有零漂现象，直流放大器中存在零漂现象。64. 差动放大器的差动放大倍数愈大，共模抑制比愈小，其性能愈好。65. 在多级直耦放大器中，减小每一级的零点漂移都具有同等意义。66. 线性集成运放实际上是一种多级直流放大器，它和适当的外加辅助电路配合，可构 成各种运算放大器。67. 差动式直流放大电路有四种接法， 输入电阻取决于输入端的接法， 而与输出端无关。68. 具有恒流源的单端输出差动放大电路共模抑制比很高，但增加了零点漂移。69. 直接耦合放大

37、器只能放大直流信号，不能放大交流信号。70. 差动放大电路单端输出方式比双端输出方式共模抑制特性好。71. 优质的差动放大电路对共模信号的放大能力极强。72. 差动电路有四种接法，放大倍数取决于输出端的接法，而与输入端的接法无关。73. 差动式直流放大器有四种接法， 输出电阻只取决于输出端的接法而与输入端的接法 无关。74. 在深度负反馈条件下，A f - 1/F，它与反馈系数有关，而与放大器开环时的放大倍 数A无关，因此可以省去放大通路。75. 在深度负反馈条件下，A f- 1/F，与管子的参数几乎无关，因此可以任意选用晶体 管来组成放大电路，管子的参数也就没有什么意义了。76. 负反馈只能

38、改善反馈环路内的放大性能，对反馈环路之外无效。77. 若放大电路的负载固定，为使其放大倍数稳定，可以引入电压负反馈也可以引入电 流负反馈。78. 负反馈能减小放大电路的噪声， 因此无论噪声是输入信号中混合的还是反馈环路内 部产生的，都能使输出信号的信噪比得到提高。79. 在负反馈放大电路中，放大器的放大倍数愈大，闭环放大倍数愈稳定。80. 放大电路中引入串联负反馈可以提高输入电阻，因此选用较小的偏置电阻Rbi和Rb2仍可得到较大的输入电阻。81. 放大电路中引入电流负反馈可以提高输出电阻，因此选用较小的集电极电阻RC ,仍可得到较大的输出电阻。82. 负反馈可以展宽通频带，因此可以用低频管代替

39、高频管，只要加以足够的负反馈就 行了。83. 采用电压反馈时，负载电阻不宜太小。84. 采用电流反馈时，负载电阻不宜太大。85. 处于线性工作状态下的集成运放，反相输入端可按“虚地”处理。86. 由于理想运放具有“虚短”的概念，所以可以将运放两输入端短路。87. 由于理想运放具有“虚断”的概念，可将运放两输入端断路。88. 微分运算电路可把三角波变换成方波。89. 电压跟随器是同相比例运算电路的特殊情况，其放大倍数等于1,且具有输入电阻高，输出电阻小的特点。90. 根据“虚短”的概念可知，运放的净输入电压 V- V+=0，所以输出电压也是0。91. 差动式电路在集成电路中作为输入级主要用于抑制

40、零漂移。92. 集成运放构成信号运算电路时，处于开环状态。93. 理想的集成运放，其输出电阻为。94. 长时间积分电路必须采用低失调，低漂移及高稳定电容来提高精确度。95. 反相比例运算电路由于存在较大的共模电压，故对运放的共模抑制比要求较为严 格。96. 反相比例运算电路属于电压串联负反馈。97. 同相比例运算电路属于电压并联负反馈。98. 在反相求和电路中，集成运放的反相输入端为“虚地”点，流过反馈电阻的电流基 本等于各输入电流之和。99. 反相求和电路与同相比例电路一样，各输入信号电流几乎等于零。100. 判断图9 2所示三个整流电路中各输出电压的极性 （在图上标出“ +”或“一”）10

41、1. 单相整流电路中，输出直流电压大小与负载大小无关。102. 单结晶体管有三个电极，所以它是由两个 PN结构成的半导体器件。103. 单结晶休管导通后，只要适当减小发射结电压并使Ve>Vp，它就由导通突变为截止。104. 在串联型稳压电路中，作为调整管的三极管是始终工作在放大状态的，因而管耗大,效率低，且需要大块的散热器。105. 从单结晶体管的等效电路可见，若将一个二极管的负极接在两个串联电阻的中间就可以代替单结晶体管使用。106. 单结晶体管触发电路中采用一个和主电路电源同步的梯形直流电源供电以保证触 发电路和主电路同步。107. 单相半波整流电路中，加电容滤波和不加电容滤波两种情

42、况下整流管承受的反向电 压无差别。108. 电容滤波时，若电容太大，可能会损坏整流二极管。109. 晶闸管一经导通后，控制极就失去控制作用。110. 在晶闸管中，控制极电流是小的，阳极电流是大的，因此晶闸管也具有电流放大作 用。111. 欲使已导通的晶闸管关断，只须去掉加在控制极上的触发电压即可。112. 硅稳压管并联稳压电路中可将 R电阻短路。113. 在硅稳压管电路中，稳压管必须和负载电阻串联。114. 硅稳压管并联型稳压电路适合于负载电流较小，对电压稳定度要求不高的场合。115. 当负载和输出直流电压相同时，采用桥式整流电路对整流二极管反向耐压的要求比 在采用全波整流电路时低。116.

43、在变压器副边电压有效值相同情况下， 桥式整流电路输出直流电压比半波整流电路 输出直流电压高1.2倍。117. 电感滤波适合于负载电流较大的场合。118 .电容滤波适用于一些大功率整流设备和负载变化大的场合。119. 图9-7所示电路判断正误：(1) 、A图中的C,L均能起滤波作用。(2) 、B图中的C能起滤波作用。3 )、A图中若将 C， L位置对换则均能起滤波作用(N图47120. 只要满足相位平衡条件，且|AF|>1,则可产生自激振荡。121. 负反馈电路不可能产生自激振荡。122. 只要具有正反馈，就能产生自激振荡。123. 对于正弦波振荡器，只要满足相位平衡条件，即使放出倍数很大

44、，也不可能产生自 激振荡。124. 振荡器和放大器一样，都是能量转换器，因此都需要外接输入信号才能工作。125. 正弦波振荡器由放大电路和正反馈回路两部分组成，而且二者之一必须具有选频功能。126. PN结外加正向电阻时，表现为很大的电阻，而外加反抽电压时，表现为较小的 电阻()127. 三极管内部结构为两个PN结对接，所以可用二个二极管对接即可当作三极管使 用（ ）128. 三极管对于饱和状态时，两个 PN结处于正偏，当两年PN结均处于反偏，时三 极管处于截止状态。129. 工作在数字电路的三极管是处于线性放大工作状态（）130. 三极管输入电阻rbe与静态电流Ie的大小有关，因而rbe是直

45、流电阻.131. 放大电路的静态是指：（1）输入端开路时的状态；（2）输入交流信号且幅值为零时的状态。132放大电路的三种组态：（1）都有电压放大作用；（2）都有电流放大作用；（3）都有功率放大作用；（4）只有共发射极电路有功率放大作用。133. 负反馈方框中的基本放大电路 A只考虑了正向传输，而反馈网络 F只考虑了反 向传输，因此计算结果有一定的误差。134. 负反馈方框图中的基本放大电路 A只考虑了正向转输，就是把反馈支路断开而 成。135. 负反馈方框图中的基本放大电路 A只考虑了正向转输，是去掉反馈网络又考虑 反馈网络的负载效应的新的开环放大电路。136. 在深度负反馈的条件下，Af、

46、右.因此，不须选择稳定的电路参数。137. 当输入信号是一个失真的正弦波时，加入负反馈后能使失真得到改善。138. 共集电极（或共漏极）放大电路，由于 Af乞1,故没有反馈。139. 无论放大电路出现何种噪声输出，加入负反馈后即可以减小其噪声输出电压。140. 在负反馈放大电路中，F越大越容易产生自激振荡。141. 负反馈放大电路只须满足下述条件就将产生自激振荡。(1) 反馈量与净输入量幅值相等;(2) 反馈量与净输入量同极性；(3) Xf Xid .142. 开环幅频特性过OdB时的斜率为-20dB/十倍频程，系统是稳定的。143. 在电压跟随器电路中，虽然 F=1，也不会产生自激振荡。14

47、4. 米取下述措施可以消除咼频自激振荡。(1) 在回路时间常数最大的环节加C或RC串联网络；(2) 改变F，使其为0.01即可；(3) 加RC去耦电路。145. 若将基本积分电路中，接在集成运放负反馈支路的电容换成二极管，便可得到 基本的对数运算电路。146. 若将基本微分电路中，接在输入回路的电容换成二极管，便可得基本的指数运 算电路。147. 若希望滤波电路的输出电阻很小(如 0.05 Q),则应采用无源LC滤波电路148. 有源滤波电路通常由集成运话和电阻、电容组成。149. 如果模拟乘法器的两个输入电压分别与被测电路的电压、电流成正比那么，乘 法器的输出电压将与被测功率成正比。因此，乘

48、法器可用来测量功率。150. 带通滤波器的Q值越大，它的通带宽就越窄(设它的中心频率f0不变)151. 低通滤波器的通带上限截止频率一定低于高通滤波器的通带下限频率152. 互补对称功放电路在失真较小时而效率又较高是由于(1) 采用甲类放大(2) 采用乙类放大(3) 采用甲乙类(接近乙类)放大153. 功放电路通常采用的分析方法是：(4) 由于功放电路电压增益高，频带宽，常采用 二型等效电路进行分析。(5) 由于输出信号幅值大，利用三极管特性曲线进行图解分析154. 由于功放电路中的三极管常处于接近极限工作状态，因此，在选择三极管时必 须特别注意以下参数。（1）ICBO 和（2）fT（3）Pc

49、M 和 1cm（4）V（BR）CEO155. 有一 OTL电路，其电源电压 Vcc=16V, Rl=8，在理想情况下可得到最大输 出功率为16W。156. 在反相比例运算电路中，当用 C代Ri时，即构成基本微分电路，而用 C代Rf 则构成基本积分器。157. 积分电路可将方波变换为三角波，而微分电路可将三角波变换为方波。158. 微分电路可将方波变换为尖顶波。159. 与同相加法电路比较，反相加法电路共模输入电压较高，且调节不大方便，因 此应用较少。160. 在差分放大电路中，只要适当选择运放的外接电阻（如使图2.3.3）中的R2/R1 = R4/R3），则电路的输出电压能抑制共模信号。161

50、. 温度升高后，在纯半导体中（1）自由电子和空穴数目都增多，且增量相同；（2）空穴增多，自由电子数目不变；（3）自由电子增多，空穴数目不变；（4）自由电子和空穴数目都不变。162. P型半导体是在纯半导体硅或锗中加入以下物质后形成的杂质半导体；（1）空穴（2）三价元素硼（3）五价元素锑三、选择题1. 如果二极管的正反向电阻都非常小或为零，则该二极管（）A正常 B 已被击穿 C 内部已断路2. 一个稳压值为12V的稳压二极管接入电路中，用伏特表测得其两端只有0.7V，这种情况是（）A正常工作状态 B稳压管内短路C稳压管反接3. 已知某三极管Vcc= 6V, RC=1千欧，该三极管为硅管, A 6

51、V B 0.1V C 0.3V4. 三极管三个极电位如图状则该管饱和时的MeS=()图25. 三极管三个极电位如图1-3所示，A放大状态B饱和状态C6. 判断图1-4复合管管型是否合理（A. NPN B. PNP C. 不合理则此管工作于（1-2所示,截止状态则此管工作于（ 截止状态）277. 用万用表欧姆档测量小功率晶体管的特性好坏时，应把欧姆档拔至（A. R X 100欧或RX 1千欧档 B. R X 1欧档 C. R X 10千欧档8. 某三极管的极限参数为：l cm=100mA,VBR）cE=20V, Pc=100mW则该元件安全工作状态为 ()A. I c=10mA V ce=15V

52、B. I c=10mA V ce=9VC. I c=20mAV ce = 9V9. 把两个稳压值分别为5V和6V的稳压管按正常使用顺序串联接起来，可以得到稳压 值为（）A. 5V B. 6V C. 11V D. 1V10. 在三极管放大电路中，集电极电阻 R的主要作用是（）A为集电极电流I c提供通道B对集电极电流起限流作用C将电流放大转化为电压放大11. 二极管有一个PN结，三极管有两个PN结，下列说法正确的是（）A将两只二极管连接在一起可当一只三极管使用B 一只三极管可同时当两只二极管使用C 一只断了基极的三极管可当一只二极管使用D上述说法都不对12. 测得处于放大状态的某三极管，一管脚对

53、另外两管脚的电压分别为+3.3V和+4V,则此三极管应为（）A. PNP型锗管 B . NPN型锗管C. NPN型硅管D. PNP型硅管13. NPN型三极管处于放大状态时各电极电位关系是（）A. V c>M>M B. V c>M>M C. V cvVCvM14. 当PN结两端加正向电压时，参与导电的是（）A.多子 B.少子 C.既有多子也有少子15. 当温度升高时,半导体电阻将（）A. 增大B.减小 C. 不变16. 在晶体二极管的正向区，二极管相当于（）A.大电阻 B.接通的开关C.断开的开关17. 某放大电路在负载开路时的输出电压为 4V,接入3KQ的负载电阻后输出电压降为2V, 说明该放大电路的输出电阻为（）A. 10KQ B.2K Q C.1K Q D.3K Q18. 有两个放大倍数相同，输入和输出电阻不同的放大电路 A和B,对同一个有内阻的信 号源电压进行放大，在负