AEC-Q200试验条件

1、说明：AEC-Q200的环境试验条件，主要是依据MIL-STD-202与JEDEC22A-104规范来制定的，不同零件的试验温度除了不一样之外，其施加电源(电压、电流、负载)要求也会有所不同，高温储存属于不施加偏压与负载，但是在高温工作寿命就需要，温度循环与温度冲击，其试验目的与手法不一样，在温度循环中高低温变化需控制温变率，温冲击则不用，偏高湿度就是俗称的高温高湿试验，而湿度抵抗就是湿冷冻试验试验条件注意事项：1000h试验过程需在250h、500h进行间隔量测高温储存(MIL-STD-202-108)：适用设备：THS 薄膜电容、网络低通滤波器、网络电阻、热敏电阻、可变电容、可变电阻、陶瓷

2、共鸣器、EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器：85/1000h电感、变压器、电阻：125/1000h变阻器：150/1000h钽电容、陶瓷电容、铝电解电容：最大额定温度/1000h 高温工作寿命(MIL-STD-202-108)：适用设备：THS   网络低通滤波器、网络电阻：85/1000hEMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器：85/1000h/施加额定IL钽电容、陶瓷电容：最大额定温度/1000h/ (2/3)负载/额定电压 铝电解电容、电感、变压器：105/1000h薄膜电容：1000h/(85/125%额定电压、105&125/100%额定电压)自恢复

3、保险丝：125/1000h电阻、热敏电阻、可变电容：125/1000h/额定电压可变电阻：125/1000h/额定功率变阻器：125/1000h/额定电压85+ma电流陶瓷共鸣器：85/1000h/额定VDD+1M，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容石英震荡器：125/1000h/额定VDD+1M，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容温度循环(JEDEC22A-104)：适用设备：TSR、ESS  薄膜电容、可变电容、可变电阻、陶瓷共鸣器、EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器：-55(30min)85(30min)/RAMP(15/min)/1000c

4、ycles钽电容、陶瓷电容、电阻、热敏电阻： -55(30min)125(30min) /RAMP(15/min)/1000cycles铝电解电容：-40(30min)105(30min) /RAMP(15/min)/1000cycles电感、变压器、变阻器、石英震荡器、自恢复保险丝：-40(30min)125(30min)/RAMP(15/min)/1000cycles网络低通滤波器、网络电阻：-55(30min)125(30min) /RAMP(15/min)/1000cycles温度冲击(MIL-STD-202-107)：适用设备：TC、TSK自恢复保险丝：-40(15min)125(1

5、5min)/300cycles 偏高湿度(MIL-STD-202-103)：适用设备：THS 钽电容、陶瓷电容：85/85%R.H./1000h/电压1.31.5V电感&变压器：85/85%R.H./1000h/不通电铝电解电容：85/85%R.H./1000h/额定电压EMI干扰抑制器、EMI干扰过滤器：85/85%R.H./1000h/额定电压电流电阻、热敏电阻：85/85%R.H./1000h/工作电源10%自恢复保险丝：85/85%R.H./1000h/额定电流10%可变电容、可变电阻：85/85%R.H./1000h/额定功率10%网络低通滤波器&网络电阻：85/85

6、%R.H./1000h/电压网络电容(额定电压)、网络电阻(10%额定功率)变阻器：85/85%R.H./1000h/额定电压85+ma电流石英震荡器、陶瓷共鸣器：85/85%R.H./1000h/额定VDD+1M，并联逆变器，在每个晶体脚和地之间有2X的晶体CL电容薄膜电容：40/93%R.H./1000h/额定电压湿度抵抗(MIL-STD-202-106)：适用设备：THS薄膜电容：(2565/90%R.H.*2cycle)/18h-10/3h，每一cycle共24h，step7a&7b不通电AEC-Q200专有名词整理：简称中文英文说明8D解决问题方法  AE

7、C汽车电子设备协会Automotive Electronic Council由车厂克赖斯勒(Chrysler)、福特(Ford)、通用汽车(GM)发起并创立于1994年，目前会员遍及全球各大汽车厂、汽车电子与半导体厂商。AEC-Q001零件平均测试指导原则  AEC-Q002统计式良品率分析的指导原则  AEC-Q003芯片产品的电性表现特性化的指导原则  AEC-Q005无铅测试要求  AEC-Q100基于集成电路应力测试认证的失效机理 规范了零件供货商所必须达成的产品质量与可靠度，试验条件多仍以JED

8、EC或MIL-STD为主，外加上其它独立建置的测试手法。AEC-Q100-001邦线切应力测试  AEC-Q100-002人体模式静电放电测试  AEC-Q100-003机械模式静电放电测试  AEC-Q100-004集成电路闩锁效应测试  AEC-Q100-005可写可擦除的永久性记忆的耐久性、数据保持及工作寿命的测试  AEC-Q100-006热电效应引起的寄生闸极漏电流测试  AEC-Q100-007故障仿真和测试等级  AEC-Q100-008早期

9、寿命失效率（ELFR）  AEC-Q100-009电分配评估  AEC-Q100-010锡球剪切测试  AEC-Q100-011带电器件模式的静电放电测试  AEC-Q100-01212V系统灵敏功率设备的短路可靠性描述  AEC-Q101汽车级半导体分立器件应力测试认证  AEC-Q200无源器件应力测试标准  AEC-Q200-001阻燃测试  AEC-Q200-002人体模式静电放电测试  AEC-Q200-0

10、03横梁负载、断裂强度  AEC-Q200-004自恢复保险丝测量程序  AEC-Q200-005板弯曲度测试  AEC-Q200-006表面贴装后的剪切强度测试  AEC-Q200-007电涌测试   汽车等级认证Automotive Grade Qualification DWV耐压  DPM百万缺陷数defect per million半导体组件的缺陷率EIA-469破坏性的物理分析  EIA-198陶瓷电介质电容器 &

11、#160;EIA-535钽电容  ESD静电放电  EWS电性晶圆测试Eletrical Wafer Sort FIT故障时间  HRCF高可靠性认证流程High Reliability Certified Flow IEC 10605静电放电人体模式  ISO-26262车辆机能安全  ISO-7637-1道路车辆电子干扰  JEDEC-STD-002可焊性规格  JEDEC-STD-121测量锡和锡合金表面涂层的锡须生长测试方法  JEDEC-STD-201锡和锡合金表面涂层的锡须环境验收要求  JEDEC22A-104温度循环  MIL-PRF-27电感/变压器的测试方法  MIL-STD-202国防部标准电子及电气组件测试方法  NEMI东京锡须会议  PPAT参数零件平均测试Parametric Part Avera