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文档简介

1、功率铁氧体磁芯EIEEEEPQECEI60EE80EE35P Q50/50EC90EI50EE72EE30P Q40/40EC70EI40EE70EE25P Q35/35EC52EI35EE60EE19P Q32/30ECI70EI33EE55EE16P Q32/20EER49/54EI30EE50EE13P Q26/25EER49/43EI28EE49EE10P Q26/20EER49/38EI25EE42P Q20/20EER42/43EI22EE42/20P Q20/16EER42/45EI19EER40/45EI16UF102EER28L常用功率铁氧体材料牌号技术参数项目条件单位P C

2、30P C402500BB253C8N27卩i250023002500230020002000BmsH=1200A/mmT510510490510450510BrH=800A/mmT11795100130HeA/m1214.315.915.918.820TcC>230>215>230>220>200>220P200mT23CKW/m3130600956009004825KHZ6C0CKW/m39070100CKW/m310075100mT6CC100KHZ100CKW/m3450450KW/m3410410公司TDKTDKTOKINTOKINFERROCXL

3、UBEIEMENSEI型磁芯规格及参数型号I A BC D E F H Ae Le VeAL11 '(C就)(cm)(cm3) 11 nH/N2冃16161-512.211 20.1983.460.6711001575冃19205.213.552.30.243.960.9514001825EI222212.66614.310.34.50.423.931.6324002255 冃2525.3196.5715.312.22.70.414.71.92721401962E|282818.6 17.51116.512.01 3.50.864.82430301911112

4、1165.51.115.806.4447501984曰33331323.59.71.1856.758.0044502030E|353524.5101024184.61.016.716.8039502100EI404026.8 1121227.25217.51.487.711.350002070EI5O503415153324.592.39.421.663002070E|6O6044161636288.52.4710.927.160002126PQ型磁芯规格及参数型号ABCDEFIAe (c rf)Le(cm)Ve (cm3)AL(nH/N2)PQ 20/1620.58.214188.712.5

5、5.40.623.742.3138801868PQ 20/2020.510.214188.712.57.40.624.542.7933101944PQ 26/2026.510.219231212.65.91.194.635.4961701920PQ 26/2526.512.51922.512.2115.57.91.185.556.5352501972PQ 32/203210.42227.513.7195.61.705.559.4273101896PQ 32/303215.32227.513.71910.51.617.4611.9751401898PQ 35/353517.5263214.623

6、.512.351.968.7917.2648601733PQ 40/404120.0283715.227.514.62.0110.1920.454300 1738PQ 50/505025.1324420.3531.517.93.2811.337.2467201850EE型磁芯规格及参数型号ABCDEFAe (C rf)Le(cm)Ve (cm3)AL (nH/N2)A eEE1010.282.44.755.51.30.122.610.31510061767EE1313102.76.1561.30.1713.020.51711001550EE16161245720.193.400.6512001

7、728EE1919144.84.982.60.223.900.8613501880EE252515.66.66.59.53.30.404.901.9620001952EE30302011111351.095.806.3247502000EE333313.713.81.157.558.7138402000EE3534.926.59.39.514.241.06 '7.007.3937901990EE404028111116.56.51.487.7011.4042502040EE424229.612.215.2216.21.829.7017.6047002510EE5050351515218

8、.52.269.6021.762502125EE555637.617.221.027.59'3.5412.343.571001977EE606044.61616228.32.4711.027.260002135EE707146.622.2205411.14.4523.18103.048201990EE7272.353.51919209.53.5813.448.167001995EE8079.359.42019.837.59.53.8118.369.852001980EC EER型磁芯规格及参数型号AB©CDEFE-EAe(crf)Le(cm)Ve (cm3)AL(nH/N2)

9、A eEC909171.23030459.691/906.2421.613.5015550EC707143.416.816.834.511.771/692.7914.440.148001963EIC70704416.216.229.86.870/392.79EC525332.113.7513.7524.28.753/491.810.518.842001942EER494937.416.916.9278.449/542.4611.829.0957001900eER49493716.916.921.56.549/432.5510.025.557001900EER494937.317J 17.219

10、6.549/382.2919.7222.2655001860EER424232.517.319.521.35.942/432.409.8623.6457601900EER424231.315.115.522.45.742/451.82510.1818.5742001860EER404029.413.313.322.47 1|40/451.52810.2415.6434501840EER28|28I21.91011.4174.328/340.8147.556.141250019001, 磁芯向有效截面积: Ae2, 磁芯向有效磁路长度: le3, 相对幅值磁导率:4, 饱和磁通密度: Bs1 磁

11、芯 损耗 :正弦波与矩形波比较般情况下,磁芯损耗曲线是按正弦波+/-交流(AC)激励绘制的,在标准的和正常的时候,是不提供极大值曲线的。涉及到开关电源电路设计的一个共同问题是正弦波 和矩形波激励的磁芯损耗的关系。对于高电阻率的 磁性材料 如类似 铁氧体 ,正弦波和1/22/3 。矩形波产生的损耗几乎是相等的,但矩形波的损耗稍微小一些。材料中存在高的涡流 损耗(如大型叠片式或大型切割磁芯)时,矩形波损耗是正弦波损耗的D.Y.Chen 提供的参考资料解释了这种现象。般情况下,具有矩形波的磁芯损耗比具有正弦波的磁芯损耗低一些。但在元件存在铜损的情况下,这是不正确的。在变压器中,用矩形波激励时的铜损远

12、远大于用正弦波激励时的铜损。高频元件的损耗在铜损方面显得更多,集肤效应损耗比矩形波激励磁芯的损耗给人们的印象更深刻。举个例子,在20kHz 、用 17# 美国线规导线的绕组时,矩形波激励的磁芯损耗几乎是正弦波激励磁芯损耗的两倍。例如,对于许多开关电源来说,具有矩形波激励磁芯的5V、 20A 和 30A 输出的电源,必须采用多股绞 线或利兹 (Litz) 线绕制线圈,不能使用粗的单股导线。2 Q 值曲线所有磁性材料制造厂商公布的 Q 值曲线都是低损耗滤波器用材料的典型曲线。这些测试参数通常是用置于磁芯上的最适用的绕组完成的。对于罐形磁芯,Q 值曲线指出了用作生成曲线时的绕组匝数和导线尺寸,导线是

13、常用的利兹线,并且绕满在线圈骨架上。对于钼坡莫合金磁粉芯同样是正确的。用最适合的绕组,并且导线绕满了磁芯窗口时测试,则 Q 值曲线是标准的。 Q 值曲线是在典型值为 5 高斯或更低的低交流 (AC)激励电平下测量得出的。由于在磁通密度越高时磁芯的损耗越大,故人们警告,在滤波电感器工作在高磁通密度时,磁芯的 Q 值是较低的。3 电感量、 AL 系数和 磁导率在正常情况下,磁芯制造厂商会发布电感器和滤波器磁芯的AL 系数、电感量和磁导率等参数。这些 AL 的极限值建立在初始磁导率范围或者低磁通密度的基础上。对于测试 AL 系数,这是很重要的,测试 AL 系数是在低磁通密度下实施的。某些质量管理引入

14、检验部门,希望由他们用几匝绕组检查磁芯,并用不能控制频率或激励电压的数字电桥测试磁芯。几乎毫不例外,以几百高斯、若干千高斯(kG)、甚至使磁芯饱和的磁通密度的电压激励磁芯时,该电桥是平衡的。使用这些存在很少匝数的电桥对不开气隙的磁芯进行初始磁导率测量是不合适的。另外一种现象发生在测量低磁导率磁芯,诸如测量具有很少匝数的钼坡莫合金 磁芯时,在很低电感量(如 1mH 或更低)时,即不再应用 AL 的方程式。由于邻近的线匝有通过空气隙偶合的情况,所以,所得的测试值呈现出正公差。例如,在一个的电感器中,磁芯的 AL存在超过20%的正误差是人们所希望的。这同样地是基于很 少匝数的原因。然而,如果电感器上

15、的线匝是集总的,则其误差会变得更加恶劣。通 常情况下,在开展低磁导率磁芯的检测时,人们将会在磁芯上绕置足够的线匝以获得 超过100 口 H的电感量,以便有效地预防正误差。其它的误差发生在测量磁芯电感系数过程中,具体地说,那些误差存在于大的空气隙,包括绕满了线匝的骨架中。1000AL时气隙最小,100AL时具有最大气隙。在图100AL 时,骨架中可见,如果线圈骨架上没有被绕满,一个负的测量误差将形成。在 上仅绕满了 20%的线匝,这将存在大约 -7%的误差。罐形磁芯可保证正常的 ±3%的公 差。因此,检验 AL 值时,骨架上应该绕满线匝。也就是说,测量电感值时应该在远远 低于自谐振频率

16、时进行。4 直流偏置关于磁导率与直流偏置关系的曲线,制造厂商提供的数据是在室温下和假设低电 平交流激励电压叠加在直流电压上的典型值。增大交流激励电平将引起磁芯的磁导率 更快速滚离。具体地对 铁氧体磁芯 而言,在较高温度时,在较低磁场强度时产生的磁 导率滚离要低于室温时产生的滚离。在其它方面,钼坡莫合金磁芯磁导率的变化没有 大于高温下若干百分点。5小结如在文章中所叙述的那样,磁芯的适当测试取决于设计、分析和多种类型工作应 用的要求。应强调的是对有效特性的测试和对产品质量基础可实施的标准化测试。显然,许多额外的细节如电路性能等是不包括在测试范围内的,但可以保证以上的要求,事实上,提供给他们的不是专

17、利High M i WfnZn ferrite materials91猛11号SymbolUnik占H7H1QM,SHM始題写军 Imh占P蠱fm也3凶1谡¥妇iSSOOs7000 I 2S%IQOOO ± K*,ITOOfl t 冴、iwoo * 3 护馆和礙j两密喝Eaxdh :门怕咖佰忙匸加m眄ity HifiWr'nu.mT咖410加0:抵0430轲醸Reman CKOBm f9&12C12(l?0SOCo*>fcjvplyfHAm75F 03 0ra对揑1国于口l_Gi5 f 耳Ct0ff = lipKH4Inn E*i u< t6iC

18、c1 0.=tou" (1Ctirio T#*mp(jraiorftWc1凶1"izOEieclfjcai ftftsisTavjtyPn-rrS2GJ1410O.Ofr0.06叮MEJflt tJEMiflyfl11K0''m4 0S«r ID'4.90 « IO'4.90 « m'4 35 10SOO0100010100hWOO100001000010000200004.2 振幅磁导率 amplitudepermeability(1 a有效参数 effective parameter在以磁性特性为根底计算磁芯的磁特性时,设

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