应用电工学09-三极管及放大电路

1、1基本要求：基本要求：1、了解三极管和场效应管的结构、工作原理、特性、了解三极管和场效应管的结构、工作原理、特性曲线和主要参数；曲线和主要参数；2、理解共射极放大电路的组成和工作原理、输入、理解共射极放大电路的组成和工作原理、输入、输出电阻的概念；掌握静态工作点的估算和微变等输出电阻的概念；掌握静态工作点的估算和微变等效电路分析法；效电路分析法；3、理解射极输出器的基本特点和应用，、理解射极输出器的基本特点和应用，4、了解多级放大器的分析方法；理解差分式放大电、了解多级放大器的分析方法；理解差分式放大电路抑制零漂的原理。路抑制零漂的原理。5、了解功率放大器的组成和工作原理。、了解功率放大器的组

2、成和工作原理。(含含P219230，P238269)2由两个背靠背的由两个背靠背的PN结构成。结构成。有三层半导体，三个电极、三个区、两个结。有三层半导体，三个电极、三个区、两个结。有两种类型有两种类型:NPN型和型和PNP型。型。内部有电子和空穴两种载流子参与导电的晶体管。内部有电子和空穴两种载流子参与导电的晶体管。31 NPN型型NNPCBECEB集电极集电极基极基极发射结发射结集电结集电结发射区发射区集电区集电区基区基区发射极发射极NPN型晶体管的结构示意图型晶体管的结构示意图图形符号图形符号基区浓度小、很薄。基区浓度小、很薄。发射区浓度大，发射区浓度大，发射电子。发射电子。集电区尺寸大

3、，收集集电区尺寸大，收集电子，浓度低。电子，浓度低。第第8 8章章 8 8 5 542 PNP型型PPNCBECEB集电极集电极基极基极发射结发射结集电结集电结发射区发射区集电区集电区基区基区发射极发射极PNP型晶体管的结构示意图型晶体管的结构示意图图形符号图形符号按半导体材料不同分为：按半导体材料不同分为：锗管和硅管，锗管和硅管，第第8 8章章 8 8 5 5硅晶体管多为硅晶体管多为NPN型，型，锗晶体管多为锗晶体管多为PNP型。型。5 结构特点：结构特点： 发射区的掺杂浓度最高；发射区的掺杂浓度最高； 集电结面积集电结面积发射结面积；发射结面积； 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且基

4、区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且掺杂浓度最低。掺杂浓度最低。管芯结构剖面图管芯结构剖面图第第8 8章章 8 8 5 56二、二、BJT 的极间电流分配及放大作用的极间电流分配及放大作用1.1.具有放大作用的具有放大作用的外部条件：外部条件： e结正偏，结正偏，c结反偏结反偏NPN 管管:PNP 管管:EBCVVVCBEVVV2.2.内部载流子的传输过程内部载流子的传输过程 (以以NPN管为例管为例)(1)e(1)e区向区向b b区注入电子流区注入电子流主要为主要为e e区向区向b b区注入电子流，区注入电子流， 形成流出形成流出e e极的极的射极电流射极电流I IE E e结正偏结正偏多

5、子扩散多子扩散7(2)(2)电子在电子在b b区扩散与复合区扩散与复合浓度差浓度差电子向电子向c c区扩散，区扩散，扩散过程中扩散过程中一部分与空穴复合一部分与空穴复合(3)c(3)c结收集扩散过来结收集扩散过来的电子的电子 c c结反偏，对电子吸引力很强，电子渡过结反偏，对电子吸引力很强，电子渡过c c结结到达到达c c区区形成集电极电流形成集电极电流I IC C形成形成b b区复合电流区复合电流I IB B，又又bb区掺杂极低且薄区掺杂极低且薄 I IB B很小很小 。8CBOncCIII电子扩散电子扩散电流电流c、b间的反间的反向饱和电流向饱和电流CBOBBIII基区复合基区复合电流电流

6、由于基区很薄由于基区很薄,掺杂浓度又很小掺杂浓度又很小,电子在基区扩散的数量电子在基区扩散的数量远远大于复合的数量。所以：远远大于复合的数量。所以： IC IB同样有同样有: IC IB9根据传输过程根据传输过程IB= IB ICBO = (1- ) IE ICBOa只与管子的结构尺寸只与管子的结构尺寸和掺杂浓度有关，和掺杂浓度有关，与外与外加电压无关。加电压无关。 一般一般 a a = 0.9 0.99 IE=IB+ IC 3. 3.极间电流分配及放大作用极间电流分配及放大作用 IC= InC+ ICBO=IE +ICBO IE (I(ICBOCBO0)0)EnC IIa令共基极电流放大系数

7、共基极电流放大系数IE对对IC有有控制作用控制作用BJT共基接法共基接法电流分配关系电流分配关系何谓共基何谓共基接法？接法？10RBEBECRCIC UCECEBIBUBEIE第第8 8章章 8 8 5 54、共射极接法、共射极接法(1)e(1)e极是输入极是输入/ /出回路的公共端出回路的公共端(2)(2)输入控制电流为输入控制电流为I IB BIB与与IC之间的关系之间的关系IE=IB+ ICIC= IB + (1+) ICBO = IB +ICEO IB IE=(1+ )IB+ ICEO基极电流基极电流IB对集电极电流对集电极电流IC有控制作用。有控制作用。11aa共射极电流共射极电流放

8、大系数放大系数CBOICCEOIIIB)1 (0b极开路时极开路时ce间的反向间的反向饱和电流饱和电流(漏电流漏电流)11 ICRC很大很大三极管的放大作用正是通过其电流控制作用实三极管的放大作用正是通过其电流控制作用实现的现的 电流控制器件！电流控制器件！RBEBECRCIC UCECEBIBUBEIE在共射极接法中，在共射极接法中，既有电压放大，既有电压放大，又有电流放大。又有电流放大。UBE很小很小 IB很小很小 IC很大很大应用最广泛的组态！应用最广泛的组态！121. 三极管的输入特性曲线三极管的输入特性曲线IBUBEOUCE 1VIB = f ( UBE )UC E = 常数常数死区

9、电压死区电压25 C75 CRBEBECRCIC UCECEBIBUBEIE13特点：特点：(1) (1) 死区或门坎电压死区或门坎电压Si (NPN): 0.60.7VGe(PNP): -0.2-0.3V(2) UBE Uth时时IB随随UBE而而*(3) UCE 输入曲线稍右移输入曲线稍右移 对应相同的对应相同的UBE IB(4) 温度温度输入曲线稍左移输入曲线稍左移 对应相同的对应相同的UBE IB 为什么？为什么？VCE1VVCE 1VUCE 1V后基本重合后基本重合142.输出特性曲线输出特性曲线IC=f(UCE) IB=常数常数特点：特点：输出特性曲线分三个区域输出特性曲线分三个区

10、域*(1) 截止区截止区 IB0时时 (发射结发射结0偏或反偏偏或反偏)I C= ICEO 0e结、结、c结可能均反偏，相当于三点分离，结可能均反偏，相当于三点分离， 称称BJT截止。截止。*(2) 饱和区饱和区 UCE很小时很小时IC随随UCE而而，而，而IB IC不明显不明显趋于饱和趋于饱和15当当U CE= UCES 时，时， 临界饱和临界饱和此时此时e结、结、c结可能均结可能均正偏正偏三点合成一点，三点合成一点，相当于开关闭合，相当于开关闭合，称称BJT饱和导通。饱和导通。*(3) 放大区放大区IC不随不随UCE 而而 恒流特性恒流特性I C= IB 成立成立 电流控制作用电流控制作用

11、此时此时e结正偏、结正偏、c结反偏。结反偏。UCES Si =0.3VUCES Ge=0.1V 16只有一种极性的载流子（电子或空穴）导电的晶体管只有一种极性的载流子（电子或空穴）导电的晶体管按结构按结构分类：分类：绝缘栅型绝缘栅型结型结型增强型增强型耗尽型耗尽型按导电沟道按导电沟道分类：分类：P型沟道型沟道N型沟道型沟道P型硅衬底型硅衬底N区区N区区SGDB衬底引线衬底引线源源极极栅栅极极漏漏极极N型沟道型沟道绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管SiO2绝缘层绝缘层浓度高浓度高浓度低浓度低DBSG符号符号DBSG增强型增强型耗尽型耗尽型17N型硅衬底型硅衬底P区区P区区SGDB源源极极漏漏极极栅栅极

12、极衬底引线衬底引线浓度低浓度低浓度高浓度高SiO2绝缘层绝缘层P型沟道型沟道绝缘栅场效应管绝缘栅场效应管DBSG增强型增强型符号符号DBSG耗尽型耗尽型符号符号18以以NMOS管为例管为例1.增强型增强型MOS场效应晶体管场效应晶体管SGDP型硅衬底型硅衬底N区区N区区B源极和漏极及源极和漏极及P型衬底型衬底之间形成两个背靠背的之间形成两个背靠背的PN结，总有一个因反向结，总有一个因反向偏置而截止。偏置而截止。 iD 0UDSiD(2)GS之间加正向电压之间加正向电压UGS，且且UGS UGS（th）时，形成反时，形成反型层，当成为型层，当成为DS之间的导之间的导电沟道。电沟道。耗尽层耗尽层反

13、型层反型层UGS则当则当UDS 0时，产生时，产生iDUGS（th）称为称为开启电压。开启电压。 (1)DS之间加电压之间加电压UDS，19以以NMOS管为例管为例1.增强型增强型MOS场效应晶体管场效应晶体管P型硅衬底型硅衬底N区区N区区SGDBUDSiD耗尽层耗尽层反型层反型层 改变改变UGS，就能改变导，就能改变导电沟道的厚薄和形状，从电沟道的厚薄和形状，从而实现对漏极电流而实现对漏极电流iD的控的控制。场效应管是由制。场效应管是由UGS控控制制iD，故为电压控制元件。故为电压控制元件。UGSNMOS管导通状态管导通状态表征控制能力表征控制能力的参数：的参数：跨导跨导gm= ID UGS

14、UDS=常数常数单位：西门子单位：西门子202. 耗尽型耗尽型MOS场效应晶体管场效应晶体管制造时制造时,在二氧化硅绝缘层中掺入大量的正离子。在二氧化硅绝缘层中掺入大量的正离子。P型硅衬底型硅衬底N区区N区区SGDB正离子正离子SiO2耗尽层耗尽层反型层反型层UGS=0形成导电沟道形成导电沟道UGS 0导电沟道变厚导电沟道变厚UGS 0导电沟道变薄导电沟道变薄UGS= UGS（off）（夹断电压）（夹断电压） 导电沟道消失导电沟道消失当当UGS UGS（off）， UDS 0产生产生ID，改变，改变UGS导电沟道导电沟道厚度，实现对厚度，实现对ID的控制。的控制。211 .转移特性转移特性ID

15、=f（UGS）UDS=常数常数增强型增强型NMOS场效应晶体管场效应晶体管2 .漏极特性漏极特性ID=f（UDS）UGS=常数常数UGS=+UDSID0UGS=+UGS=+UGS（th）UGSID0221 .转移特性转移特性ID=f（UGS）UDS=常数常数耗尽型耗尽型NMOS场效应晶体管场效应晶体管2 .漏极特性漏极特性ID=f（UDS）UGS=常数常数UGS=0UDSID0UGS=+UGS= UGS（off）UGSID023共发射极接法放大电路共发射极接法放大电路RCCEBUCC省去一个直流电源省去一个直流电源RBRCT+UCC简单画法简单画法RBUBB发射极是输入输出回路的公共端发射极是

16、输入输出回路的公共端24+UCCRBRCC1C2TRLuoRSuS信号源信号源负载负载直流电源直流电源偏置电阻偏置电阻集电极电阻集电极电阻耦合电容耦合电容耦合电容作用：耦合电容作用：隔直通交隔直通交提供合适的提供合适的基极电流基极电流把电流变化转化把电流变化转化为电压变化为电压变化提供能量提供能量25+UCCRBRCC1C2Tui+tui0tuBE0UBEt0iCICt0iBIBiBuBEiCuCEt0UCEuCEtuO0uO+iEuBE= UBE+ uiiB= IB+ ibiC = IC + icuCE= UCC - RCiCuO= - RCic26静态静态分析：根据电路参数和三极管的特性，

17、分析：根据电路参数和三极管的特性，确定确定静态工静态工作点作点Q，即即IB、 IC 和和UCE的的直流值直流值。静态：静态：放大电路没有输入信号时的工作状态。放大电路没有输入信号时的工作状态。UCEICIEUBEIB画出直流通路画出直流通路可用放大电路的直流通路来分析。可用放大电路的直流通路来分析。ui=0+UCCRBRCC1C2Tuo+UCCRBRCTQ是输入、输出特性曲线上的一个点，对应三维坐标！是输入、输出特性曲线上的一个点，对应三维坐标！27或或IB=UCCUBERB1.1.图解法图解法(1) 在输入特性上求出工作在输入特性上求出工作点点Q，确定，确定IB、 UBEUBEUBEIB0Q

18、IB硅管硅管UBE约为约为 0.6 0. 7V鍺管鍺管UBE约为约为 0.2 0. 3V+UCCRBRCTUCEICIEUBEIBUCC、RB一定，一定， IB一定一定 固定偏流电路固定偏流电路28直线上的两点直线上的两点:N点点 : IC = UCC / RC, UCE =0M点点 : IC = 0 , UCE = UCC(2) 在输出特性上求出工作点在输出特性上求出工作点Q，即，即IC、 UCE输出特性应满足方程输出特性应满足方程 UCE = UCC - IC RC0IB = 0 A20A40 A60 A80 AICUCCRCNUCCMQ直流负载线直流负载线静态工作点静态工作点IC / m

19、AUCE /VUCE+UCCRBRCTUCEICIEUBEIB直线方程直线方程IB直流负载线的斜率为直流负载线的斜率为-1/RC292.2.估算法估算法UCE = UCC - IC RCIC = IBIB=UCCUBERB仅通过计算得到仅通过计算得到IB、 IC 、UCERCIC UCEUBERBIB+UCCIE已知三极管的电流放大系数已知三极管的电流放大系数 由输入回路方程得：由输入回路方程得：由三极管的电流分配关系得：由三极管的电流分配关系得：由输出回路方程得：由输出回路方程得：30例：在例：在基本交流放大电路中，基本交流放大电路中，已知已知 UCC = 6V, =50，RC =2k ，R

20、B =180k ，试求静态工作点。，试求静态工作点。解：解： 先估算先估算 IB6 - 0.7180=29.4AIB=UCCUBERB+UCCRBRCC1C2TuouiIC = IB=50 0.0294=1.47mAUCE = UCC - IC RC=6 2 1.47=3.06V31 1. .UCC和和RC不变不变, , RB增大增大IB=UCCUBERB2. .UCC和和RB不变不变, , RC增大增大，UCE = UCC - IC RC3. . RC和和RB不变不变, UCC减小，减小，IB减小减小 UCE减小减小IB不变不变 IB减小减小 IC减小减小 非线性失真非线性失真直流负载线向左

21、平移直流负载线向左平移直流负载线直流负载线的斜率的斜率 UCE减小减小IC不变，不变，32(1)静态工作点偏高引起饱和失真静态工作点偏高引起饱和失真 tui0 tiB0IB tiC0IC tuCE0UCE tuo0iC正半周被削波；正半周被削波；uCE负半周被削波；负半周被削波；uo负半周被削波负半周被削波 饱和失真！饱和失真！33(2)(2)工作点偏低引起截止失真工作点偏低引起截止失真 tui0 tiB0IB tiC0IC tuCE0UCE tuo0结论：结论：为了不失真地放大为了不失真地放大交变电压信号交变电压信号, 必须给放大必须给放大电路设置合适的静态工作电路设置合适的静态工作点。点。

22、 BJT工作到入特曲线工作到入特曲线的弯曲部分，甚至的弯曲部分，甚至死区，死区，iB负半周负半周被削波；被削波；uo正半周被削波；正半周被削波；34图图(a)中，没有设置静中，没有设置静态偏置，不能放大。态偏置，不能放大。图图(b)中，有静态偏置，但中，有静态偏置，但ui被被EB短路，不能引起短路，不能引起iB的变化，所以不能放大。的变化，所以不能放大。下面各电路能否放大交流电压信号？下面各电路能否放大交流电压信号？+UCCRCC1C2Tuoui(a)EB+UCCRCC1C2Tuoui(b)35图图(C)中，有静态偏置，中，有静态偏置，有变化的有变化的iB和和iC, 但因没有但因没有RC ，不

23、能把集电，不能把集电极电流的变化转化为电压的变极电流的变化转化为电压的变化送到输出端（输出信号被短化送到输出端（输出信号被短路路，所以不能放大交流电压信号。所以不能放大交流电压信号。下面各电路能否放大交流电压信号？下面各电路能否放大交流电压信号？+UCCRBC1C2Tuoui（C）判断的要点：判断的要点：1、有无合适的静态工作点；、有无合适的静态工作点；2、有无交流信号通路。、有无交流信号通路。36 动态：动态：放大电路有输入信号时的工作状态。放大电路有输入信号时的工作状态。 动态分析：动态分析：是在静态值确定后，分析信号的是在静态值确定后，分析信号的传输情况。传输情况。 晶体管是非线性器件，

24、但在输入交流小信号晶体管是非线性器件，但在输入交流小信号(微变量微变量)情况下工作时，可以在静态工作点附近情况下工作时，可以在静态工作点附近的小范围内用直线段近似地代替三极管的特性曲的小范围内用直线段近似地代替三极管的特性曲线。线。 加入输入信号后，三极管的各个电压和电流都加入输入信号后，三极管的各个电压和电流都含有直流分量和交流分量。含有直流分量和交流分量。37双口网络双口网络非线性电路非线性电路微变条件微变条件通过交流小信号通过交流小信号线线性性电电路路实质（出发点）：实质（出发点）：将将BJT的特性曲线在小范围的特性曲线在小范围内看作是直线。内看作是直线。 BJT小信号建模方法小信号建模

25、方法（1）从特性方程出发）从特性方程出发（2）从物理模型出发）从物理模型出发*Q iB uBE iBuBEoIB38rbe称为称为晶体管的输入电阻，可用下式来估算：晶体管的输入电阻，可用下式来估算： icuceubeib ibCBEierbe = 200 + 26（mV）IC （mA） 1 晶体管的小信号电路模型晶体管的小信号电路模型C ibicuceibubeEBrbebe之间等效为一个输入电阻之间等效为一个输入电阻rbe ，ce之间等效为一个受控电流源之间等效为一个受控电流源 ib ，392. .放大电路的微变等效电路放大电路的微变等效电路 （1）对于交流信）对于交流信号而言，电源和电容号

26、而言，电源和电容均看成短路。均看成短路。TuiuoRCRBiiibicuceubeRLRSusT+C1RCRBUCCC2usuoRSRL得交流通路得交流通路40TuiuoRCRBiiibicuceubeRLRSus 基本放大基本放大电路的微变等效电路电路的微变等效电路rbe EBCIiUoriIbIb IcUiUSIRBRCRLRBRS(2)三极管用等效电路代替；三极管用等效电路代替；41UoUiAu= 1.电压放大倍数电压放大倍数Au ：放大电路输出电压的变化量和放大电路输出电压的变化量和 输入电压的变化量之比。输入电压的变化量之比。 Uo UiAu=当输入信号为正弦交流信号时：当输入信号为

27、正弦交流信号时： 基本放大基本放大电路的微变等效电路电路的微变等效电路rbe EBCIiUOriIbIb IcUiUSIRBRCRLRBRS42（1）电压放大倍数）电压放大倍数= - RC / RLrbeUoUiAu= rbe I Ib b I Ib b（RC/RL）=UoUsAus=(2)源电压放大倍数源电压放大倍数rbe EBCIiUoriIbIb IcUiUSIRBRCRLRBRS输出与输输出与输入反相入反相须先求输入电阻！须先求输入电阻！43= Ui Iiri2. 放大电路输入电阻放大电路输入电阻ri=UiIiri当输入信号为正弦交流信号时：当输入信号为正弦交流信号时：ri =RB /

28、 rbe rirbe EBCIiUoIbIb IcUiIRBRCRLRB44由输入回路的等效电路由输入回路的等效电路=UiIiriUoECIC I Ib bRCRLri RSUiIiUS源电压放大倍数源电压放大倍数ri =RB / rbe UoUSAus=BUoUSAus=UiUiUoUiUiUS=AuriRS + ri riRS + ri UiUS=Au IB , I2 IB , RB1UB =UCCRB2RB2+则则 可以认为可以认为 I1 I2直流通路直流通路BRCIC UCERB1IB+UCCIEI1I2RB2RE与管子参数无关！与管子参数无关！53直流通路直流通路BRCIC UCER

29、B1IB+UCCIEI1I2RB2REUB =UCCRB1RB2RB2+IC IE =UB- UBEREIB= IC UCE = UCC ICR C I CRE可用估算法求静态值可用估算法求静态值54rbe I Ib bRCRLRB1 分压式偏置分压式偏置电路的微变等效电路电路的微变等效电路Ui I Ib bUoRB2 +UCCRCC1C2TRLRB2RE+CE+RB1uoRSus55rbe = 200 + 26mVICmAAu= - RC/RLrberi = RB1 / RB2 / rbero = RCrbe I Ib bRCRLRB1 分压式偏置分压式偏置电路的微变等效电路电路的微变等效电

30、路Ui I Ib bUoRB2 56IB=UCC-UBERB+(1+ )REUCE = UCC - IEREIE =(1+ ) IB IC（射极输出器）（射极输出器）信号由基极输入，信号由基极输入，由发射极输出。由发射极输出。RCIC UCEUBERBIB+UCCIERE+UCCRBREC1C2TuouiRL直流通路直流通路57共集放大电路的交流通路共集放大电路的交流通路+UCCRBREC1C2TuouiRLTuiuoRERBibieuceRLRSuSBECic58共集放大电路的微变等效电路共集放大电路的微变等效电路TuiuoRERBibieuceRLRSusBECicrbe EBCIiUor

31、iIbIb IeUiUSRERLRBRSroIo591. 电压放大倍数电压放大倍数rbe EBCIiUoriIbIb IeUiUSRERLRBRSroIoAu= (1+ )(RE/RL)rbe + (1+ )(RE/RL) 1 无电压放大！但有电流放大，故仍有无电压放大！但有电流放大，故仍有功率放大。功率放大。输入与输出电压同相，且大小几乎相等。故称电压输入与输出电压同相，且大小几乎相等。故称电压跟随器。跟随器。602. 输入电阻输入电阻ri =RB /rbe + (1+ )(RE/RL)3. 输出电阻很小输出电阻很小比共射放大器增大几十比共射放大器增大几十几百倍！几百倍！EoRr 1r)R(

32、RbeBS很小！是共射放大器的几十很小！是共射放大器的几十几百分之一！几百分之一！rbe EBCIiUoriIbIb IeUiUSRERLRBRSroIo推导（略）推导（略）61射极输出器的特点：射极输出器的特点：（1） 电压放大倍数小于、近似等于电压放大倍数小于、近似等于1。（2） 输出电压与输入电压同相，具有跟随作用。输出电压与输入电压同相，具有跟随作用。（3）输入电阻高，输出电阻低。）输入电阻高，输出电阻低。用作多级放大电路的输入级、输出级或中间级。用作多级放大电路的输入级、输出级或中间级。(2)作输出级时，利用它输出电阻低的特点，可以作输出级时，利用它输出电阻低的特点，可以稳定输出电压

33、，提高带负载能力；稳定输出电压，提高带负载能力；(1)作输入级时，输入电阻高，可以减小放大电作输入级时，输入电阻高，可以减小放大电路对信号源的影响；路对信号源的影响；(3)作中间级，可以作阻抗变换，隔离前后间的作中间级，可以作阻抗变换，隔离前后间的负载影响负载影响起缓冲作用。起缓冲作用。62RB1RC1C1C2RST1RB2RE1+CEuS+UCCRB3RC2C3T2RLuo+第一级第一级第二级第二级阻容耦合两级放大电路阻容耦合两级放大电路63直接耦合两级放大电路直接耦合两级放大电路RB1RC1RST1RB2RE1uS+UCCRB3RC2T2RE2uo第一级第一级第二级第二级可以放大直流或缓慢

34、变化的信号。可以放大直流或缓慢变化的信号。64 由于电容的隔直作用，前后级的静态工作点彼此由于电容的隔直作用，前后级的静态工作点彼此独立，互不影响，可按前面介绍的方法计算。独立，互不影响，可按前面介绍的方法计算。 由于无电容的隔直作用，前后级的静态工作点彼由于无电容的隔直作用，前后级的静态工作点彼此影响，计算方法复杂。此影响，计算方法复杂。 前级放大器可视为后级放大器的信号源；信号源前级放大器可视为后级放大器的信号源；信号源电压是后级放大器开路电压，内阻是放大器的输出电电压是后级放大器开路电压，内阻是放大器的输出电阻。阻。 后级放大器可视为前级放大器的负载，其输入电阻后级放大器可视为前级放大器

35、的负载，其输入电阻即为负载电阻。即为负载电阻。651. 多级放大电路的电压放大倍数多级放大电路的电压放大倍数Au等于各级电压等于各级电压 放大倍数之积，即放大倍数之积，即Au=Au 1Au2 （但要考虑负载影响！）（但要考虑负载影响！）3 . 多级放大电路多级放大电路总总的输出电阻的输出电阻ro是最后一级的是最后一级的输出电阻，即输出电阻，即ro= ro22 . 多级放大电路总的输入电阻多级放大电路总的输入电阻ri是第一级的输是第一级的输入电阻，即入电阻，即ri= ri1。6667T1 、T1：对管（同型号、同参数），结构对称。对管（同型号、同参数），结构对称。uO为双端输出电压为双端输出电压

36、+UCCUEEuO=uO1 - uO2+UCCT1T2ui1ui2RCRCuO1uO2uORPRE UEEIEIE68抑制零点漂移的原理：抑制零点漂移的原理： +UCCT1T2ui1ui2RCRCuO1uO2uORPRE UEEIEIEui1= ui2= uisuO1=uO2，uO = 0 没有输出！没有输出！69+UCCT1T2ui1ui2RCRCuO1uO2uORPRE UEEIEIEui1= - ui2= uid /2uO1uO2，uO 0 有输出！有输出！70+UCCT1T2ui1ui2RCRCuO1uO2uORPRE UEEIEIE 温度变化或电源波动对电路的影响，等同于输温度变化或

37、电源波动对电路的影响，等同于输入共模电压入共模电压因而抑制了零漂！因而抑制了零漂！抑制零漂的原理：抑制零漂的原理：71KCMRR=AdAC共模抑制比共模抑制比:描述放大电路抑制零漂能力指标。描述放大电路抑制零漂能力指标。u1i1o1i2i1o2o1idodA2u2uuuuuuuA+UCCT1T2ui1ui2RCRCuO1uO2uORPRE UEEIEIEbeCrR721. 双端输入双端输出方式双端输入双端输出方式2. 双端输入单端输出方式双端输入单端输出方式3. 单端输入单端输入双双端输出方式端输出方式3. 单端输入单端输入单单端输出方式端输出方式0ACKCMRR=AdAC73 在多级在多级放大电路的末级或末前级是功率放大级。放大电路的末级或末前级是功率放大级。1、输出功率尽可能大；、输出功率尽可能大；2、效率要高。、效率要高。3、非线性失真要小、非线性失真要小通常采用互补对称式通常采用互补对称式功率放大电路功率放大电路效率定义为效率定义为 POPE 100%=交流输出功率交流输出功率直流电源功率直流电源功率 100%=与电压放大电路不同，对其基本要求是：与电压放大电路不同，对其基本要求是：其中其中 74根据正弦信号在整个周期内的导通情况，可分为：根据正弦信号在整个周期内的导通情况，可分为：乙类：乙类：导通角等于导通角等于180甲类：甲类：一个周期内均导通一个周期内均导