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文档简介

1、2015年全国大学生电子设计竞赛双向DC-DC变换器(A题)学号:1440720117吕冈"2015年12月30日本设计主要由双向DC-DC变换电路、测控显示电路、辅助电源三部分构成, 其中双向DC-DC变换电路降压部分采用XL4016开关降压型DC-DC转换芯片, 最高转换效率可达93%,升压部分采用XL6019开关型升压/降压芯片,具有低 纹波,输入范围广,转换效率高的特点。恒流部分采用PWM控制原理,形成一个闭环回路,控制电流恒定,恒压部分完全由硬件控制,单片机辅助控制的方式。 以上部分确保系统满足题目要求,实现恒流充电,恒压放电,过压保护功能,并 且有着较高的转换效率。在本次

2、设计中恒压部分完全有硬件控制,硬件自身形成一个闭环控制回路, 对电压进行调节使其恒定题目要求的精度范围。 单片机通过光耦电路的工作与停 止,恒流部分由PWM调节占空比,使其恒流。关键字 电池充放电 升压降压 XL4016 XL6019 STM322一、系统方案 11、双向DC-DC变换电路的论证与选择 12、测量控制方案和辅助电源的论证与选择 13、控制方法的论证与选择 1二、系统理论分析与计算 2三、电路与程序设计 31、电路的设计3(1)系统总体框图32、程序的设计5(1)程序功能描述与设计思路 5(2)程序流程图63 、程序流程图 7四、测试仪器与数据分析 7附录1:电路原理图 9附录2

3、:源程序 10双向DC-DC变换器(A题)【本科组】一、系统方案本设计主要由双向DC-DC变换电路、测控显示电路、辅助电源三部分构成,其中 双向DC-DC变换电路降压部分采用XL4016开关降压型DC-DC转换芯片,最高转换效 率可达93%,升压部分采用XL6019开关型升压/降压芯片,具有低纹波,输入范围广, 转换效率高的特点。恒流部分采用PWM控制原理,形成一个闭环回路,控制电流恒定, 恒压部分完全由硬件控制,单片机辅助控制的方式。以上部分确保系统满足题目要求, 实现恒流充电,恒压放电,过压保护功能,并且有着较高的转换效率。1双向DC-DC变换电路的论证与选择方案1:由降压斩波变换电路(即

4、Buck变换电路)和升压斩波变换电路(即 Boost 电路)组成双向DC-DC变换电路,分别各使用一个全控型器件 VT(IGBT或MOSFET, 对输入直流电源进行斩波控制通过调整全控型器件VT的控制信号占空比来调整输出电压。方案2:采用XL4016开关型降压芯片和XL6019开关型升压/降压芯片构成升压、 降压电路具有低纹波,内助功率MOS具有较高的输入电压范围,内置过电流保护功能与 EN引脚逻辑电平关断功能。综合以上两种方案,考虑到时间的限制,选择了比较容易实现的方案2。2、测量控制方案和辅助电源的论证与选择由于瑞萨单片机开发套件数量有限,所以我们选择了一款相对便宜,速度快,性价 比较高的

5、STM32103V8T6作为控制器,显示部分由于收到题目对作品重量的要求,选 择了质量轻,分辨率较高的0.96寸OLED屏幕显示。由于市场上所售开关电源模块的, 纹波大的因素,所以辅助电源选择了一个较小的9V变压器,进行,整流滤波作为辅助电源。3、控制方法的论证与选择方案1:采用PWM调节占空比的方法控制降压芯片的控制端, 达到控制恒流和控 制恒压的目的,采用PWM调节软件较为复杂,而且 PWM调节较为缓慢,软件控制难 度大。方案2:恒压部分完全有硬件控制,硬件自身形成一个闭环控制回路,对电压进行 调节使其恒定题目要求的精度范围。单片机通过光耦电路的工作与停止,恒流部分由 PWM调节占空比,使

6、其恒流。综合以上两种方案,选择软件较为简单,硬件较为复杂的方案2。、系统理论分析与计算1、充电电路设计分析充电电路也就是一个降压电路,并且要求是一个恒流源,本次竞赛选取XL4016为核心降压芯片,其结构如图所示。管脚定义如下典型应用电路如下LI J7niri2Avins47ft iF/'105I”4TOUT-O ' Itt#C21苗oht82.2放电电路设计分析XL6019是一款专为升压、升降压设计的单片集成电路,可工作在DC5V到40V输入电压范围,低纹波,内置功率 MOS XL6019内置固定频率振荡器与频率补偿电路,简化 了电路设计。PWM空制环路可以调节占空比从 090

7、%之间线性变化。内置过电流保护功 能与 EN脚逻辑电平关断功能。典型应用电路如下LI 47UH/5ADI MBRD1046VIXCIN220uF/35VC1106SW34XL60195R249. 9K1%FBGNDR12. 7K1%C2105COLT220uF/35VBoost ConverterInput 12V ' 22V Output 24V / 1. 5AVOUTL 25*(1+R2/R1)2.1充电电路设计分析充电电路也就是一个降压电路,并且要求是一个恒流源,本次竞赛选取XL4016为 核心降压芯片,其结构如图所示。4XL4DI6惦 1;|.,.£1Ll 47uR/

8、l2HWl-ci ' ittC2ns47(hr;'con :讥XL4016降压模块电路图如下所示vr2.2放电电路设计分析XL6019是一款专为升压、升降压设计的单片集成电路,可工作在DC5V到40V输入电压范围,低纹波,内置功率 MOS XL6019内置固定频率振荡器与频率补偿电路,简化 了电路设计。PW控制环路可以调节占空比从090沱间线性变化。内置过电流保护功 能与 EN脚逻辑电平关断功能。典型应用电路如下COLT220uF/J5VBoost ConverterInput 12V ' 22VOutput 24V / 1.6AVOUT=1,25*(1-H12/R1)

9、三、电路与程序设计1、电路的设计(1)系统总体框图(图 3-1)系统总体框图如图3-1所示,主要由辅助电源、测控电路、双向 DC-DC变换电路等组 成,辅助电源为测控电路供电,测控电路用于检测和控制双向 DC-DC电路,以及电压 电流的采集与控制。(2)降压电路原理降压电路采用XL4016型8A , 180KHz,40V,PWM降压型直流对直流转换器,最 大效率可达96%。输出1.25V到36V可调,8A恒定输出电流能力。如下图3-2所示为XL4016降压部分电路图,通过对 FB引脚的控制,可有效的实 现电流及电压的控制。该转换器外围器件少,低纹波,调节简单,内置短路保护功能。 PWM占空比0

10、%到100%连续可调。(图 3-2)(3)升压电路原理图升压电路使用XL6019型220KHz、60V、5A开关电流升压/降压型DC-DC转换器。可工作在DC5V到40V输入电压范围,低纹波,内置功率 MOS、XL6019内置固定频率振荡器与频率补偿电路,简化了电路设计。PWM控制环路可以调节占空比从090%之间线性变化。内置过流保护功能与 EN脚逻辑电平关断功能。使用单片机控制 EN引 脚实现对升压模块开启与关断。(图 3-3)(4)测控电路电路原理图测控电路如图3-4所示,通过电阻分压滤波后,使用单片机 ADC采样,得到输入、输出电压,以及电流和2.5V基准电压,使用TL431产生2.5V

11、基准电压用于矫正。恒压 恒流控制使用单片机输出PWM,经滤波后使用LM358跟随,增强驱动能力,同时可减 小输入控制端的能量消耗。使用比较器比较设定值与输出值,再控制芯片的工作状态。(图 3-4)IE:!电川曲 JI屮鼻.止讯电E希:«!国 右】* ul*.刖七吐帛JC弓伍卫 I JT.出门丄.I卜讥s时曲det dtacfir. un电源为减小高频干扰,辅助电源使用220V到9V普通变压興器,经整流滤波后使用 7812和HT7333分别输出12V和3.3V电压为LM358和单片机小系统板供电。2、程序的设计(1)程序功能描述与设计思路1、程序功能描述根据题目要求,软件部分实现测量显

12、示,切换模式,充电过压保护,控制调节系统2、程序设计思路(1)、首先进行,按键,OLED各个内设初始化;(2)、进行按键扫描;(3)、判断模式;(4)、进行PWM控制电流,让输出为横流模式;(5)、扫描按键;(6)进行打开光耦,让升压模块工作;3程序流程图1、系统总框图Vin/Vout2、程序流程图系统启动屛幕、按键寻初始化四、测试仪器与数据分析4.1测试仪器5位半数字万用表,4位半万用表4. 2测试数据与分析(1) U2=30V条件下对电池恒流充电,电流11在1-2A变化过程中测量值如下表:按按 键次 数12345678910I1测 量值(A)10.991.011.061.071.101.1

13、21.141.161.17 设定I1=2A,使U2在24-36V范围内变化时,测量记录11的值。数据如下:U2(V)24252627282930313236I1( A)1.991.981.981.991.971.981.991.962.011.99(3)设定I1=2A,在U2=30V测量U1,I2,计算效率。数据如下:当I1=2A,U2=30V寸,测得I2=1.47A,W= 20V由此计算效率为 97%(4)放电模式下,保持U2=30V计算效率,数据如下:当 U2=30V时,I2=1.02A,U1=18.9V, I1=0.63A,由此计算效率为 98%。(5)使US在32-38V范围内变化时U

14、2记录如下:Us/V32333334353637U2/V:29.7;29.829.829.929.830.330.4以上数据可以说明,本次设计的双向 DCD(变换器,各项指标均在题设范围内,是 符合要求的。附录1:电路原理图VCjZFB FTOUTOCT.VN+Kt DLT :-彘1OPA?51DCKTT A JNH -3NA"+打 QUT.B V- 1TX1H7 Stn-I LK眄訂护悒ra.:atfrii“】眼j-Cfli>zCBCw鑑b:KJUJ %jb11曲VD£LMnF 二i-CL -容 iW>I:?期_rvw>_ IbJucrar =mNCNC

15、MCNCOUT时时IN><JNDL -1:VEEWCme3C3.+CI4i.UbK”匸LALD?j=3 0ER电种林玄««汁 为U.Jtfflv< 讯远睥Ifi廿朗価扎电咔曽»1¥-h-Wi匚叮喘 帔底阳皑的墓.O-SDHSLM131TJO彘.TOC1016/DA输出/II电压采样数据处理 /数码管显示输出采样电压1/DA输出控制code有返回值附录2:源程序#include<reg52.h>#include vintrins.h>#include <I2c.h>unsigned char ReadADC(

16、unsigned char Chl); /AD采 样,有返回值void DAC(unsigned char Data); void delay(unsigned char j); unsigned int datpro(void);void led(int g,int a);void out_AD_led(); void DA_out();sbit key_1 = P3A4;sbit key_2=戸3八5;sbit duan=P2A6;sbit wei=P2A7;sbit in0 = P3A2;unsignedchartable=0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x

17、7d ,0x07,0x7f,0x6f,0x00;unsigned char num=102; /DA数模输出变量初始值int main()while(1)DA_out();DAC(num); out_AD_led(); 一 一void out_AD_led()/ 一 一led(1,datpro()/1000);led(2,datpro()%1000/100); led(3,datpro()%100/10);unsigned char ReadADC(unsigned char Ch) / 读取 AD 模数转换的值, unsigned char Data;Start();/写入芯片地址Send(

18、AddWr);Ack();Send(0x40|Ch);写入选择的通道,本程序只用单端输入,差分部分需要自 行添加/Ch的值分别为0、1、2、3,分别代表1-4通道Ack();Start();Send(AddRd); / 读入地址Ack();Data=Read(); / 读数据Scl=0;NoAck();Stop();return Data;II 返回值unsigned int datpro(void)II unsigned int dianyah,dianyal; unsigned int dianya=0; unsigned char x; for(x=0;x<6;x+) dianya

19、=ReadADC(1)+dianya;II 输入通道选择通道 dianya=dianyaI6;dianyah=dianya&0xf0; dianyah=dianyah>>4; dianyal=dianya&0x0f; dianya=dianyal*20+dianyah*310; return(dianya);IIvoid DA_out() _ if(key_1 = 0) delay(10); while(key_1 = 0); num=num - 1; if(key_2=0)delay(10); while(key_2=0); num=num + 1;void DA

20、C(unsigned char Data)IIStart();Send(AddWr); II写入芯片地址Ack();Send(0x40); II写入控制位,使能 DAC输出Ack();Send(Data); II 写数据Ack();Stop();void led(int g,int a)IIif(g=1)P0 = 0Xfe ;wei = 1;wei = 0;P0 = tablea;duan = 1;delay(2);duan = 0;if(g=2)P0 = 0Xfd ;wei = 1;wei = 0;P0 = tablea|0x80;duan = 1;delay(2);duan = 0;if(

21、g=3)P0 = 0Xfb ;wei = 1;wei = 0;P0 = tablea;duan = 1;dela y(2);duan = 0;P0 = 0Xf7 ; wei = 1; wei = 0;P0 = 0x3e; duan = 1; duan = 0;/void delay(unsigned char j) unsigned int i; for(;j>0;j-) for(i=0;i<125;i+);#include <intrins.h>#define AddWr 0x90II 写数据地址#define AddRd 0x91 II 读数据地址sbit RST=P2八4;II关掉时钟芯片输出sbit Sda=P2A0;II定义总线连接端口sbit Scl=P2Al;时钟信号void Start(void) II启动 IIC 总线 Sda=1;_nop_();Scl=1;_nop_();Sda=0;_nop_();Scl=0;void

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