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文档简介
1、第3章多级放大电路自测题、现有基本放大电路:A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E共漏电路 根据要求选择合适电路组成两级放大电路。要求输入电阻为1kQ至2k Q,电压放大倍数大于 3000 ,第一级应采用(A ),第二级应米用(A )。要求输入电阻大于10M Q,电压放大倍数大于 300,第一级应采用(D ),第二级应采用要求输入电阻为 100 k Q200k ,电压放大倍数数值大于100 ,第一级应采用(B ),第二级应采用(A)。(4)要求电压放大倍数的数值大于10,输入电阻大于 10M Q,输出电阻小于 100 Q,第级应采用(D),第二级应采用(5)设信号源为内阻很大的电压
2、源,要求将输入电流转换成输出电压,且1000,输出电阻RoV 100,第一级应采用采用(C ),第二级应(B )。二、选择合适答案填入空内。(1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是(C、D )。A .电阻阻值有误差晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响电源电压不稳(2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是A .便于设计B .放大交流信号C.不易制作大容量电容(3) 选用差动放大电路的原因是 (A )。A .克服温漂B .提高输入电阻C.稳定放大倍数(4) 差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的(A ),共模信号是两个输入端信号的A.差B.和C.平均值(5)用恒流源取代长尾式差动放大电路
3、中的发射极电阻,将使单端电路的A .差模放大倍数数值增大B .抑制共模信号能力增强C.差模输入电阻增大(6)互补输出级采用共集形式是为了使(C )。A.放大倍数的数值大B.最大不失真输出电压大C.带负载能力强三、电路如图T3 -3所示,所有晶体管均为硅管,3均为200 , rbb'200 ,静态时Ubeq 0.7V o 试求:(1)静态时Ti管和T2管的发射极电流。若静态时Uo0 ,则应如何调节Rc2的值才能使Uo 0 ?若静态Uo 0V,则Rc2 = ?,电压放大倍数为多少?解: (1)T3 管的集电极电流 IC3 (U Z U BEQ3) / RE3 O.SmA静态时T1管和T2管
4、的发射极电流1曰I E2 0.15mA(2)若静态时Uo 0 ,则应减小Rc2。当Ui 0时Uo0 , T4管的集电极电流ICQ4 Vee / Rc4 0.6mA oRc2的电流及其阻值分别为:I Rc2 I C2 I B4 I C21 E4RE4U BEQ4Ro2IRo26.8k电压放大倍数求解过程如下:rbe2rbb(1)26mV1 EQ 235k图T3 3rbe4rbb(126mV)I EQ48.9kAuAu2Au尺2rbe4(12rbe2也 18.3艮4rbe4(1)Re418.3335习题3.1判断图P3.1所示各两级放大电路中Ti和T2管分别组成哪种基本接法的放大电路。设图中所有电
5、容对于交流信号均可视为短路。r,11-nT-<5(d)(e)(f)图 P3.1解:(a)共射,共基(b)共射,共射(c)共射,共射(d)共集,共基(e)共源,共集(f)共基,共集3.2设图P3.2所示各电路的静态工作点均合适,分别画出它们的交流等效电路,并写图 P3.2解:(1) 图示各电路的交流等效电路如解图P3.2所示。各电路的Au、Ri和Ro的表达式分别为:1R? / rbe2(1Rrbe12 )R3(1rbe2(12) R323R1rbe1 ;RoR3/rbe2R212(b):(11)(R2/R3/rbe2)(rbe1(1 _1)(&/R3/rbe2)(2R4 )rbe2
6、(c):Ri / rbei(11)(R2/R3/rbe2);RoR41R2/rbe2(12)rdr belR12R3rbe2(12)rdR1rbe1 ;RoR3(d):gm(R4/R6/R7/rbe2)2R8 )rbe211 / R2R3 ;R)民hiN ;ei= 世4 Ml z】弓叩(b)崗 bjn Mq亠h:TH解图P3.23.3基本放大电路如 图P3.3(a)、(b)所示,图(a)虚线框内为电路I,图(b)虚线框内为电路n。由电路i、n组成的多级放大电路如图(c)、(d)、(e)所示,它们均正常工作。试说明图(c)、(d)、(e)所示电路中(1)哪些电路的输入电阻较大;哪些电路的输出电阻
7、较小;(3)哪个电路的电压放大倍数最大。II(c)+r=rihrihII(e)图 P3.3解:(1)图(d)、(e)所示电路的输入电阻比较大;(2) 图(c)、(e)所示电路的输出电阻比较小;(3) 图(e)所示电路的电压放大倍数最大。3.4电路如图P3.I (a) (b)所示,晶体管的卩均为150 , rbe均为2k 点合适。求解人、R 和 Ro。解:在图(a)所示电路中 Au1rbe2匸1 ;rbe1AU22 R3rbe2225 ;(1Au1 Au2225R / R2 / rbei1.35kRoR33k 。在图(b)所示电路中-Aul1 (R1 / rbe2)136 ;rbe1Au2R47
8、5rbe2AuAj1 Au210200(R5R2 / R3) / rbei2kRoR4 1k3.5电路如图P3.l (c)、(e)所示,晶体管的卩均为200 ,rbe均为3k场效应管的g m为15mS ; Q点合适。求解Aj、Ri和尺。解:在图(c)所示电路中Au11 (R3rbe2)125 ; Au2rbe12R4rbe2133.3Au Au1 Au216666.7 ;RiR1 / rbe13kRoR42k在图(e)所示电路中Au1gm R2 / rbe(1)R4 gmR230 Au 2rbe(1)R41)R4AuAti1 Au230 ; RR 10MRoR4/ rbeR22513.6图P3
9、.6所示电路参数理想对称,晶体管的3均为100 , rbb 100, Ubeq 0.7V。试求Rw的滑动端在中点时 Ti管和T2管的发射极静态电流I eq以及动态参数 Ad和R。解:Rw滑动端在中点时Ti管和T2管的发射极静态电流I EQ分析如下:Ubeq I EQ 字2lEQRe Vee. Vee U beqTeQR2 Re20.517mA动态参数Ad和Ri分析如下:rberbb(1)26mV 5.18k1 EQAdrbe(1Rc98)Rw/22rbe (1)Rw 20.5k3.7电路如图P3.7所示,T1和T2两管的卩均为140 ,rbe均为4k Q。试问:若输入直流信号Um 20mV ,
10、 ul2 10mV,则电路的共模输入电压Uic?差模输入电压Uid ?输出动态电压U o解:电路的共模输入电压 U|C、差模输入电压U|d、差模放大倍数Ad和动态电压 uO分别为:U|c专 15mV;UId UI1UI 210mV3.8电路如上 175;2rbeUoAdUId1.75VP3.8所示,Ti和T2的低频跨导gm均为10mS。试求解差模放大倍数和输解:差模放大倍数和输入电阻分别为:AdgmRJ200 ;Ri。3.9试写出图P3.9所示电路Ad和Ri的近似表达式。设Ti和T2的电流放大系数分别为卩1和伦,b-e间动态电阻分别为rbe1和。解:Ad和Ri的近似表达式分别为RlR2rbe1
11、(11)rbe21 2(Rc/今)Ad rbe1(11 )rbe23.10电路如图P3.10所示,Ti T5的电流放大系数分别为3i 35 , b-e间动态电阻分别为rbe1 rbe5,写出 Au、Ri和Ro的表达式。图 P3.11解:Au、Ri和Ro的表达式分析如下:Au1Uo11 R2 / rbe4(14)R5U|2rbe1Au2UO2UI24民/%5(15)R7rbe4(14)R5Au3UO3U|3(15)R7rbe5 (15) R7AuUoAu1 Au2 Au3 ;Rrbe1rbe2 ;Ui3.11电路如图P3.11 所示。已知电压放大倍数为-100,输入电压 UI为正弦波,T2和T3管的饱和压降 UCES=1 V。试问:(1)在不失真的情况下,输入电压最大有效值Uimax为多少伏?若Ui= 10 mV (有效值),则Uo = ?若此时R3开路,则U
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