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1、电力电子技术综合测试题三（含答案）一、填空题1、GTO的全称是,图形符号为； GTR的全称是,图形符号为; P-MOSFET的全称是,图形符号为; IGBT的全称是,图形符号为o门极可关断晶闸管、大功率晶体管、功率场效应管、绝缘门极晶体管。2、GTO的关断是靠门极加出现门极来实现的。负信号、反向电流。3、大功率晶体管简称,通常指耗散功率以上的晶体管。GTR、 IWo4、功率场效应管是一种性能优良的电子器件，缺点是和o电流不够大、耐压不够高。二、判断题 对的用J表示、错的用X表示（每小题1分、共10分）1、大功率晶体管的放大倍数B都比较低。（J ）2、工作温度升高，会导致GTR的寿命减短。（J）

2、3、使用大功率晶体管时，必须要注意“二次击穿”问题。（J）4、同一支可关断晶闸管的门极开通电流和关断电流是一样大的。（X）5、电力晶体管的外部电极也是：集电极、基极和发射极。（J）6、实际使用电力晶体管时，必须要有电压电流缓冲保护措施。（J）7、同一支可关断晶闸管的门极开通电流比关断电流大。（X）8、电力场效应晶体管属于电流型控制元件。(X)9、绝缘栅双极型晶体管具有电力场效应晶体管和电力晶体管的优点。（J）三. 单项选择题 把正确答案的番号填在括号内（每小题1分，共10分）1、比较而言,下列半导体器件中性能最好的是（）oA、GTRB、 MOSFETC- IGBT2、比较而言,下列半导体器件中

3、输入阻抗最小的是（)oA、GTRB、 MOSFETC、 IGBT3、比较而言,下列半导体器件中输入阻抗最大的是（)oA、GTRB、 MOSFETC、 IGBT4、能采用快速熔断器作为过电流保护的半导体器件是()oA、GTOB、GTRC、 IGBT。5、比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）、最慢的是（）oA、GTOB、GTRC、 MOSFET6、下列半导体器件中属于电流型控制器件的是。(A )A、GTRB、 MOSFETC、 IGBTo7、下列电力电子器件中属于全控型器件的是（）。A、 KP50-7 B、 3DD15CC、 ZP1OO-1O四. 问答题（每小题6分，共计24分）绝缘门极晶体管的特点有哪些？答：绝缘门极晶体管具有输入阻抗高、速度快、热稳定性好、驱动电路 简单、通态电压低、耐压高和承受电流大等特点。五、识图、作图题（10分）1、读出下列图形符号的名称并标出管脚符号。2、画出下列半导体器件的图形符号并标明管脚代号。普通晶闸管；单结晶体管；逆导晶闸

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