二极管整流电路试题

1、二极管整流电路试题作者:日期:晶体二极管及整流电路试题(一)姓名学号填空1、纯净的半导体称为，它的导电能力很。在纯净的半导 体中掺入少量的价元素，可形成P型半导体，又称型半导体, 其中多数载流子为，少数载流子为。2、在本征半导体中掺入 价元素，可形成N型半导体，其中多数载流子为，少数载流子为 ，它的导电能力比本征半导体 V(v)3、如图，这是 材料的二极管的 曲线，在正向电压超过V 后，二极管开始导通，这个电压称为 电压。正常导通后，此管的正向压降约 为 V 。当反向电压增大到 V 时， 即称为电压时，反向电流会急剧增大，该现象为。若反向电压继续增大，容易发生 现象。其中稳压管一般工作在区。4

2、、二极管的伏安特性指 和关系，当正向电压超过后，二极管导通。正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为 V,锗管约为_V5、 二极管的重要特性是 ，具体指：给二极管加 电压，二极管导通；给二极管加 电压，二极管截止。6、 PN结的单向导电性指 ，当反向电压增大到时，反向电流会急剧增大，这种现象称 。7、二极管的主要参数有、和，二极管的主要特性是 。8、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、 反向电阻时，若两次测得的阻值都较小，则表明二极管内部 ；若两次测得的阻值都较大，则表明二极管内部。两次测的阻值相差越大，则说明二极管的 性能越好。9、整流是指单相整流电路分、和电路。10、有一直流负载RL=9

3、Q ，需要直流电压V=45V,现有2CP21(lFh=3000mA,V=100V)和 2CP33B(lFM=500mA, *h=50V)两种型号的二极 管,若采用桥式整流电路，应选用型二极管只。11、 稳压二极管的稳压特性指 ，动态电阻rz越大，说明稳压性能越。12、 滤波器的作用是将整流电路输出的 中的成分滤去，获得比较 的直流电,通常接在电路的后面。它一般分为、和三类，其中的滤波效果较好。13、 有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极管已 ，又有一硅二极管正反向电阻均接近于无穷大，表明该二极管已 。14、 如图，V、V2为理想二极管。Vi状态 ，V2状态。Ma= V15、如图，V为理

4、想二极管。16、图中，V为硅二极管。V 状态，Vab=V1）S与A接通时，V的状态，VM= V2）S与B接通时，V的状态，Vm=_匕II I 10Vat兀RCZI-Vi17、如图，V、V2为硅稳压二极管，若V足够大，则输出电压V= V、判断题1、（）将P型半导体和N型半导体简单的接触并连在一起，就会形成PN结。2、（）P型半导体可通过纯净半导体中掺入五价磷元素获得。3、（）P型半导体带正电，N型半导体带负电。4、（）硅二极管门坎电压是0.3V，正向压降是0.6V。5、（）硅的导通电压为0.3V，锗的导通电压为0.7V 。6、（）二极管在使用中必须防止进入电击穿区而烧坏二极管。7、（）二极管只要

5、加上了正向电压，就一定能导通。8、（）二极管正向使用时不能稳压。9、 （）变压器中心抽头式全波整流电路，二极管承受的反向峰值电压为2 V2。10、（）电感滤波器一般常用于负载电流较小的场合。11、 （）电容滤波器实质上是在整流电路负载电阻旁串联一个电容器，常 选用于负载电流较小的场合。12、（）稳压二极管一般工作在反向击穿区。13、（）稳压管的动态电阻越小，稳压性能越好。14、（）稳压二极管正向使用时，和普通二极管的特性相同。15、（）单相桥式整流电路属于单相全波整流电路。16、（）选择整流二极管主要考虑两个参数： 反向击穿电压和正向平均电 流。17、（）单相桥式整流电路在输入交流电压的每个半

6、周内都有两只二极管 导通。18、（）单相桥式整流电路输出的直流电压平均值是半波整流电路输出的 直流电压平均值的2倍。19、 （）直流稳压电源只能在电网电压变化时使输出电压基本不变，而当 负载电流变化时不能起稳压作用。三、单项选择题1、（）关于晶体二极管的正确叙述是：A普通二极管反向击穿后，很大的反向电流使PN结温度迅速升高而烧坏。B普通二极管发生热击穿，不发生电击穿。C硅稳压二极管只发生电击穿，不发生热击穿，所以要串接电阻降压。D以上说法都不对。2、（）关于滤波器，正确叙述是：A电容滤波器电路的电容量越大，负载越重，输出直流越平滑。B电容量越小，负载越重，输出电压越接近脉动电压峰值。C电感滤波

7、器是利用电感具有反抗电流变化的作用，使负载电流的脉动 程度减小，从而使输出电压平滑。D电感量越大，产生的自感电动势越大，滤波效果越差。3、（）如图，电源接通后，正确说法为A H1、H、H可能亮。B H 1、H2、H都不亮。C H1可能亮，H2、H不亮。D H 1不亮，H2、H可能亮。4、（）如图，V为理想二极管A V 导通，VAe=0Vo B V 导通，VAe=15VoC V 截止，VAe=12V0 D V 截止，VAe=3V05、（）如图，V为理想二极管A V截止，C V导通，VAe=12V0VAe=12V0VAe=18V0B V 导通，VAe=6V0D V 截止，VAe=0Vo6、（）二极

8、管两端加上正向电压时A 一定导通B超过死区电压才能导通B超过0.7伏才能导通D 超过0.3伏才能导通7、（）在测量二极管反向电阻时，若用两手把管脚捏紧，电阻值将会:A变大 B 变小 C 不变化 D不能确定四、分析判断题1、硅稳压二极管，稳定电压如图所示，当 V足够大时，计算各Vo值。1R +Vi"8VVoViZ8VVoVj=ZT7.5VO=Z17.5VNT 8VViVoViVo& 7.5V>SZ7.5VO=2、如图，Vi、V2为理想二极管3VT+3VV2五、计算分析题12V合上时，Vf= 断开时，V=1、变压器中心抽头式全波整流电路中，已知1 ）电源变压器次级半个绕组电

9、压V2 ；2） 整流二极管承受的最大反向电压VRm；3） 流过二极管的平均电流lv。Vl=54V, Il=2a。求:2、在桥式整流电路中，已知 Vl=9V, Il=1a。求:1）电源变压器次级电压V2）整流二极管承受的最大反向电压 VRm；3）流过二极管的平均电流Iv。3、桥式整流电路中，若：1）Vi内部短路，会出现什么现象?2）V1虚焊，会出现什么现象？3）V1方向接反，会出现什么现象?4）若四只二极管的极性全部接反，对输出有何影响?T4、画出带有滤波及稳压电路的桥式整流电路，并说明：1）负载变化，使VoT时，电路的稳压过程。2）当电网电压变化，引起图中整流、滤波后的电压 V J时，电路的稳

10、压 过程。5、在桥式整流电路中，若要求输出电压为18V,负载电流为2A,试求:1）电源变压器次级电压V2）整流二极管承受的最大反向电压 VRm；3）流过二极管的平均电流Iv。4）若V管内部短路，整流电路会出现什么现象？T晶体二极管及整流电路试题（二）姓名学号、 填空题1、 把P型半导体N型半导体结合在一起，就形成 。2、 半导体二极管具有单向导电性，外加正偏电压 ，外加反偏电压。3、 利用二极管的 可将交流电变成 。4、 根据二极管的 性，可使用万用表的RX1K挡测出其正负极，一般其正反向的电阻阻值相差越越好。5、 锗二极管工作在导通区时正向压降大约是 ，死区电压是。6硅二极管的工作电压为，锗

11、二极管的工作电压为。7、 整流二极管的正向电阻越 ，反向电阻越，表明二极管的单向导电性能越好。8、 杂质半导体分型半导体和 型半导体两大类。9、半导体二极管的主要参数有、，此外还有、等参数，选用二极管的时候也应注意。10、当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为现象。11、 发光二极管是把 能转变为能, 它工作于状态；光电二极管是把 能转变为能，它工作于 状态。12、 整流是把转变为。滤波是将转变为电容滤波器适用于 的场合，电感滤波器适用于的场合。13、设整流电路输入交流电压有效值为 U2，则单相半波整流滤波电路的输出直流电压Ul（ av）=，单相桥式整流电容滤

12、波器的输出直流电压 Ul（ AV）=，单相桥式整流电感滤波器的输出直流电压 Ul （AV）=14、除了用于作普通整流的二极管以外，请再列举出 2种用于其他功能的二极管：，15、常用的整流电路有和16、为消除整流后直流电中的脉动成分，常将其通过滤波电路，常见的滤波电路有， ，复合滤波电路17、 整流电路后无电容滤波的输出电压为，有电容滤波的输出电压 为18、桥式整流电容滤波电路和半波整流电容滤波电路相比，由于电容充放电过程 （延长，缩短），因此输出电压更为 （平滑，多毛刺），输出的直流电压幅度也更 （高，低）。19、滤波电路中，负载电阻 RL的阻值越、滤波电容C的容量越电容滤波效果更好20、单相

13、全波整流电路中，若负载电流为10mA,则流过每个二极管的电流是1、选择题1、具有热敏特性的半导体材料受热后，半导体的导电性能将 A、变好B、变差C、不变D、无法确定2、 P型半导体是指在本征半导体中掺入微量的 。A、硅元素B、硼元素C、磷元素 D、锂元素3、 N型半导体是指在本征半导体中掺入微量的 。A、硅元素B、硼元素C、磷元素D、锂元素4、 PN结加正向电压时，空间电荷区将 。A、变窄B、基本不变 C、变宽D、无法确定5、 二极管正向电阻比反向电阻 。A、大B、小C、一样大D、无法确定6二极管的导通条件 oA、uD0 B、uD死区电压 C、uD击穿电压 D、以上都不对7、 晶体二极管内阻是

14、。A、常数 B、不是常数C、不一定D、没有电阻8、 电路如图所示，输出电压Uo应为。A、0.7VB、3.7VC、10VD、0.3V号10V-l_H5KGD29、把一个二极管直接同一个电动势为1.5V，内阻为零的电池正向连接，该二 极管。A、击穿B、电流为零C、电流正常D、电流过大使管子烧坏10、下面列出的几条曲线中，哪条表示的理想二极管的伏安特性曲线 11、 二极管的反向饱和电流在室温20°C时是5讣 温度每升高10°C,其反向 饱和电流值增大一倍，当温度为30 °C时，反向饱和电流值为 。A、5 卩 AB、10 卩 AC、20 卩 AD、3012、 将交流电压U

15、i经单相半波整流电路转换为直流电压 Uo的关系是<A、Uo=Ui B、Uo=0.45Ui C、Uo=0.5Ui D、Uo=2 Ui13、 三极管三个极的对地电位分别是-6 V、-3 V、-3.2 V，则该管是 。A、PNP硅管B、NPN锗管C、NPN硅管D、PNP锗管14、NPN型三极管，三个电极的电位分别有 VC=3.3 V , VE=3 V , VB=3.7 V ,则该管工作在 。A、饱和区B、截止区C、放大区D、击穿区15、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拨到。A、RX 100或RX 1KQB、RX 1 Q C、RX 10Q D、RX 100Q16、当环境温

16、度升高时，二极管的反向电流将。A、减少B、增大C、不变D、缓慢减少17、如图所示，设二极管为理想状态，则电压 Vab为oA、3VB、6VC、-3VD、-6V18、如图所示的电路中，理想二极管 D1、D2的工作状态为 A、D1、D2均导通B、D1截止，D2导通C、 D1、D2均截止D、D1导通，D2截止19、将交流220V经单相半波整流电路转换为直流电 压的值为 oA、110V B、0.45 X 220VC、' 2 X 220VD、220V20、问以下哪种情况中，二极管会导通 oD2ov m -ivA、0.7V m 0. EVB、50VOV5DVc、21、用万用表测量小功率二极管极性时，

17、应选用 A、直流电压挡量程5VB、直流电流挡量程100mAC、交流电压挡量程10VD、电阻挡量程RX10022、 当万用表不同欧姆挡去测量二极管正反向电阻时，获得的结果差异较大,这是因为。A、该管已坏B、万用表各挡有差异C、二极管的电阻可变D、二极管的伏安特性是非线性23、 二极管在反向截止区的反向电流 。A、随反向电压升咼而升咼B、随反向电压升咼而急剧升咼C、基本保持不变D、随反向电压升高而减少24、 某晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零时，则该二极管 。A、正常B、已被击穿C、内部短路D、内部开路25、 已知输入正弦波 Ui，欲获取图示输出波形Uo，应选取的合适电路是。Ui 4kABcD

18、26、两只相同的灯泡L1、L2接在如图所示的电路中，则 。A、L1比L2亮B、L2比L1亮C、L1、L2 一样亮D、以上答案都27、 在单相半波整流电路中，所用整流二极管的数量是 。A、四只 B、三只 C、二只 D、一只28、在整流电路中，设整流电流平均值为Io，则流过每只二极管的电流平均值I d=I o的电路是。A、单相桥式整流电路B、单相半波整流电路C、单相全波整流电路D 、以上都不行29、设整流变压器副边电压u22氏引nt，欲使负载上得到图示整流电压O单相全波整流电路的波形，则需要采用的整流电路 A、单相桥式整流电路 B 、C、单相半波整流电路D以上都不行题29图+30、整流滤波电路如图所示，负载电阻 rl不变，电容C愈大，则输出电压平均值U。应 。A、不变 B