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1、半导体器件物理复习思考题(1)提高半导体的掺杂浓度,p-n结的势垒高度将会增大, p-n结的势垒厚度将会_增大_;如果重掺杂,使半导体达到高度简并时,p-n结的势垒高度将会减小。(增大;减小;不变)(2)当环境温度升高时,p-n结的势垒高度将会减小, p-n结的势垒厚度将会减小,p-n结的正向压降将会减小。(增大;减小;不变)(3)半导体耗尽层就是其中不存在有任何载流子的区域。(任何载流子;任何电荷;任何载流子和任何电荷)(4)线性缓变p-n结的雪崩击穿电压要高于突变 p-n结的击穿电压。(高于;低于;等于)(5)同时表征少数载流子的寿命长短和扩散快慢的一个重要参量是一扩散长度。(迁移率;扩散

2、系数;扩散长度)(6)决定通过p-n结电流大小的主要因素是一少数载流子扩散的浓度梯度(少数载流子扩散的浓度梯度;多数载流子的浓度;载流子的漂移速度;势垒区中的电场);限制p-n结电流大小的主要区域是一势垒区两边的中性扩散区(存在有电场的势垒区;势垒区两边的中性扩散区; 势垒区和扩散区以外的中性区)(7)通过p+-n结的电子电流小于空穴电流。(大于;小于;等于)(8)对于Si的p-n结,其反向电流主要是势垒区中复合中心的产生电流(在扩散区的少数载流子扩散电流;势垒区中复合中心的产生电流;势垒区中的漂移电流)温度升高时,Si p-n结的反向电流将指数增加(线性增加;指数增加;快速下降;不变)(9)

3、 p-n结在正向电压下呈现出的电容,有势垒电容和扩散电容。(势垒电容;扩散电容;势垒电容和扩散电容)(10)由金属-半导体接触构成的Schottky二极管,是一多数载流子器件。(少数载流子器件;多数载流子器件)与p-n结二极管相比,Schottky二极管具有 较低的正向电压。(较高;较低;相等)(11)对于放大状态的n+-p-n晶体管,通过基极的电流分量包括有一在基区复合的电子电流,在发射区注入空穴的扩散电流,在基区抽取的电子的扩散电流,发射结势垒区中复合中心的电流(12) BJT的ICEO要比ICBO约大 倍。 (“0; 0 »(13) BJT的发射极电流集边效应是由于一基区扩展电

4、阻而产牛的。(发射极串联电阻;基区扩展电阻;基区展宽效应;基区电导调制效应)(14) Early效应是由集电结电压变化所引起的、其基本涵义是;Kirk效应是由大的发射极电流一所引起的,其基本的涵义是 。(发射结电压变化;集电结电压变化;高的集电结电压;大的发射极电流;大的基极电流)(15) BJT的集电结与单独的p-n结相比(在可类比的情况下),它通过的电流要大二,其击穿电压要低。(大;小;高;低)(16)影响双极型晶体管耗散功率的主要因素是 热阻 。(基极电阻;击穿电压;集电极最大允许工作电流;热阻)(17) BJT的开关时间一般主要决定于一基区和集电区中过量存储电荷消失的时间。(发射结的充

5、放电时间;基区和集电区中过量存储电荷消失的时间;集电结的充放电时间)(18)与双极型晶体管不同,场效应晶体管是一电压控制器件(电压控制;电流控制),是多数一一载流子器件(多数;少数)。(19) MOSFE的阈值电压基本上包含有一栅氧化层上的电压,使半导体表面产生强反型层所需要的电压, 平带电压包含金属-半导体的功函数差和 SiO2/Si系统内部和界面的电荷几个部 分的电压。(20) MOSFE的阈值电压随着温度的升高将下随下降;增大;不变) 。(21)对于长沟道场效应晶体管,其电流饱和的机理是一沟道夹断;而对于短沟道沟道场效应晶体管,其电流饱和的机理是一速度饱和。(沟道夹断;速度饱和;迁移率下

6、降)(22)场效应晶体管的跨导 gm是反映栅极电压变化引起源 -漏电流变化的大小一(栅极电压变化引起源 -漏 电流变化的大小;源-漏电压变化引起源-漏电流变化的大小),它表征着场效应晶体管的放大性能(输出电阻;输入电阻;放大性能)。(23)对于场效应晶体管,其饱和区的跨导要 大于 线性区的跨导(大于;小于;等于),并且饱和区的跨导等于一线性区的漏电导(饱和区的漏电导;线性区的漏电导;衬底的跨导)。(24)场效应晶体管的特征频率 (截止频率)f t是根据一输出交流电流等于输入交流电流来确定的(输出交流电流等于输入交流电流;输出阻抗等于输入阻抗;输出电压等于输入电压);短沟道MOSFETI勺f1往

7、往决定于栅极回路时间常数,它与沟道长度之间具有一平方反比关系(正比;反比;无关;平方反比)。(25) MOSFET由面沟道中载流子的迁移率要 低于一埋沟中载流子的迁移率(高于;低于;等于),并且在室温下迁移率随着温度的升高将一下降(下降;增大;不变) 。(26) MOSFE源-漏之间所能加的最高电压(击穿电压)决定于漏结的击穿电压和源-漏穿通电压(源结的击穿电压;漏结的击穿电压;栅氧化层的耐压;源-漏穿通电压)(27) MOSFET勺亚阈状态是一不出现一沟道的一种工作模式(出现;不出现);亚阈电流与栅极电压之间有指数关系(有指数;有线性;没有) 。(28)限制着小尺寸 MOSFE选一步缩小尺寸

8、的 DIBL效应,将使得漏极电流增大,和使得阈值电压减小。(增大;减小;不变)(29)小尺寸MOSFET勺LDD (轻掺杂漏区)结构,其主要特点是可防止一热电子效应O(短沟道效应;热电子效应;源 -漏穿通效应)(30)浮置栅雪崩注入 MOS(FAMOS器件和叠栅雪崩注入 MOS( SAMO利器件都是利用 沟道雪崩注入效应.来工作的一种存贮器件。(雪崩击穿效应;沟道雪崩注入效应;载流子速度饱和效应)(31)双极型集成电路中器件的缩小规则适宜于采用恒定电压(CV)缩小规则,而MOS-VLSI数字集成电路中器件的缩小规则适宜于采用 恒定亚阈特性缩小规则。(恒定电场(CE)缩小规则;恒定电压(CV)缩

9、小规则;恒定亚阈特性缩小规则)(32)对于CMOS-E/E静态反向器,最低电平是一地电位,最高电平是电源电压。(电源电压;地电位;电源电压减去阈值电压;电源电压减去栅-源电压)(33) CMO电向器的逻辑阈值电压一般选取为电源电压的一半(电源电压;电源电压的一半;驱动管的阈值电压);在这时驱动管和负载管都处于饱和状态状态(截止状态;饱和状态;放大状态)。(34)对于CMOS采用SOI衬底的最大好处之一是 可有效地消除“自锁”效应。(可有效地消除“自锁”效应;可防止热电子效应;可提高击穿电压)(35)对于VLSI中的小尺寸MOSFE沟其沟道区域一般都需要进行掺杂,它的目的主要是 防止源 -漏穿通

10、和控制阈值电压。(消除热电子效应;防止源-漏穿通;控制阈值电压;减弱短沟道效应)(36)实际短沟道 MOSFET勺输出伏安特性曲线,在饱和区的电流并不饱和,其主要原因是DIBL效应和沟道长度调制效应。(DIBL效应;沟道长度调制效应;速度饱和效应:热载流子效应)一、 填空(共32分,每空2分)1、 pn结电容可分为扩散电容和过渡区电容两种,它们之间的主要区别在于扩散电容产生于过渡区外的一个扩散长度范围内,其机理为少子的充放电,而过渡区电容产生于空间电荷区,其机理为多 子的注入和耗尽。2、当MOSFE器件尺寸缩小时会对其阈值电压Vt产生影响,具体地,对于短沟道器件对M的影响为下降,对于窄7道器件

11、对 M的影响为上升。3、在NPN型BJT中其集电极电流I c受 亟电压控制,其基极电流I b受VBE电压控制。4、硅-绝缘体SOI器件可用标准的 MOST艺制备,该类器件显著的优点是寄生参数小,响应速度快5、 PN结击穿的机制主要有雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿等等几种,其中发生雪崩击穿的条件为VB>6Eg/q o当MOSFETS入饱和区之后,漏电流发生不饱和现象,其中主要的原因有沟道长度调制效应,漏沟静电反馈效应和空间电荷限制效应。一、选择填空(22分)1、在硅和错的能带结构中,在布里渊中心存在两个极大值重合的价带,外面的能带(),对应的有效质量(C ),称该能带中的空穴为(E )A.曲率

12、大;B.曲率小; C.大;D.小;E. 重空穴;F.轻空穴2、如果杂质既有施主的作用又有受主的作用,则这种杂质称为(A. 施主B. 受主C.复合中心D.陷阱F. 两性杂质3、在通常情况下,GaN ( A )型结构,具有(C ),它是(F )半导体材料。A.纤锌矿型;B.闪锌矿型;C.六方对称性;D.立方对称性;E.间接带隙;F. 直接带隙。4、同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体,如果甲的相对介电常数& r是乙的3/4mn*/m 0值是乙的2倍,那么用类氢模型计算结果是(D )。A.甲的施主杂质电离能是乙的8/3 ,弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/4B.甲的施主杂质电离能是乙的3/2 ,

13、弱束缚电子基态轨道半径为乙的32/9C.甲的施主杂质电离能是乙的16/3 ,弱束缚电子基态轨道半径为乙的8/3D.甲的施主杂质电离能是乙的32/9 ,的弱束缚电子基态轨道半径为乙的3/85、. 一块半导体寿命 °=15为,光照在材料中会产生非平衡载流子,光照突然停止30H后,其中非平衡载流子将衰减到原来的( C )。A.1/4;B.1/e;C.1/e26、对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体,在温度足够高、ni >> /Nc-NJ时,半导体具有 (B )半导体的导电特性。A. 非本征B.本征7、在室温下,非简并 Si中电子扩散系数Dn与Nd有如下

14、图(C)所示的最恰当的依赖关系:nDDBD当掺入的浓度增加时,费米能级向(A )移动;当掺杂8、在纯的半导体硅中掺入硼,在一定的温度下,浓度一定时,温度从室温逐步增加,费米能级向(C )移动。A.Ev ; B.Ec ; C.Ei ; D. E f9、把磷化镓在氮气氛中退火,会有氮取代部分的磷,这会在磷化镓中出现(D ) 。A. 改变禁带宽度; B. 产生复合中心; C. 产生空穴陷阱; D. 产生等电子陷阱。10、对于大注入下的直接复合,非平衡载流子的寿命不再是个常数,它与(C ) 。A. 非平衡载流子浓度成正比; B. 平衡载流子浓度成正比;C. 非平衡载流子浓度成反比; D. 平衡载流子浓

15、度成反比。11、杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是( B ) 。A. 变大,变小; B. 变小,变大; C. 变小,变小; D. 变大,变大。12、如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率(B )空穴的俘获率,它是( D ) 。 A. 大于 ; B. 等于; C. 小于; D. 有效的复合中心; E. 有效陷阱。13、在磷掺杂浓度为2Xl016cm3)上要做出欧姆接触,下面四种金属最适合的是(A )oA. In (W=3.8eV);B. Cr (W m=4.6eV) ; C. Au (W m=

16、4.8eV) ; D. Al (Wm=4.2eV) 。14、在硅基MO湍件中,硅衬底和SiO2界面处的固定电荷是(B ),它的存在使得半导体表面的能带(C )弯曲,在 C-V 曲线上造成平带电压( F )偏移。A. 钠离子 ; B. 过剩的硅离子; C. 向下; D. 向上; E. 向正向电压方向; F. 向负向电压方向。第 1 章 思考题和习题?,求每个晶胞内所含的完整原子数和原子密度为多少?2. 综述半导体材料的基本特性及Si、GaAs的晶格结构和特征。3. 画出绝缘体、半导体、导体的简化能带图,并对它们的导电性能作出定性解释。4. 以硅为例,简述半导体能带的形成过程。5. 证明本征半导体

17、的本征费米能级Ei 位于禁带中央。6. 简述迁移率、扩散长度的物理意义。7. 室温下硅的有效态密度Nc=x 1019cm3,冗TeVeV如果忽略禁带宽度随温度的变化,求: a) a) 计算77K、 300K、 473K 3 个温度下的本征载流子浓度。 b) 300K本征硅电子和空穴的迁移率分别为1450cn2/V s和500cn2/V s,计算本征硅的电阻率是多少?8 .某硅棒掺有浓度分别为1016/cm3和1018/cm3的磷,求室温下的载流 子浓度及费米能级EFN 的位置(分别从导带底和本征费米能级算起)。9 .某硅棒掺有浓度分别为1015/cm3和1017cm3的硼,求室温下的载流子浓度

18、及费米能级EFP 的位置(分别从价带顶和本征费米能级算起)。10 .求室温下掺磷为1017cm3的N+型硅的电阻率与电导率。11 .掺有浓度为3 x 1016cm3的硼原子的硅,室温下计算:(a)光注入 n=Ap=3x 1012 cm3的非平衡载流子,是否为小注 入?为什么?(b)附加光电导率(T为多少?(c)画出光注入下的准费米能级E fn和E FP(Ei为参考)的位置示意图。( d) 画出平衡下的能带图,标出EC、 EV、 EFP、 Ei 能级的位置,在此基础上再画出光注入时,EFP 和 EFN ,并说明偏离EFP 的程度是不同的。12.室温下施主杂质浓度 N=4X1015 cm-3的N型

19、半导体,测得载流子 迁移率 w n=1050cm2/V , s, w p=400 cm/V - s, k T/q=V,求相应的扩 散系数和扩散长度为多少?第 3 章 思考题和习题1 .简述PN结空间电荷区的形成过程和动态平衡过程。2 .画出平衡PN结,正向PN结与反向PN结的能带图,并进行比 较。3 .如图2 - 6 9所示,试分析正向小注入时,电子与空穴在5个区域 中的运动情况。4 .仍如图2 - 6 9为例试分析PN结加反向偏压时,电子与空穴在5 个区域中的运动情况。* 一5试画出正、反向PN结少子浓度分布示意图,写出边界少子浓度及 少子浓度分布式,并给予比较。6 .用平衡PN结的净空穴等

20、于零的方法,推导出突变结的接触电动势 差UD表达式。7 .简述正反向PN结的电流转换和传输机理。8 .何为正向PN结空间电荷区复合电流和反向 PN结空间电荷区的产 生电流。9 .写出正、反向电流 电压关系表达式,画出PN结的伏安特性曲线, 并解释pN结的整流特性特性。10 .推导硅突变结空间电荷区电场分布及其宽度表达式。并画出示意图。11 .推导线性缓变变结空间电荷区电场分布及其宽度表达式。并画出 示意图。12 .什么叫PN结的击穿与击穿电压,简述PN结雪崩击穿与隧道击穿 的机理,并说明两者之间的不同之处。13 .如何提高硅单边突变结的雪崩击穿电压?14 .如何提高线性缓变结的雪崩击穿电压?1

21、5 .如何减小PN结的表面漏电流?16 .什么叫PN结的电容效应、势垒电容和扩散电容?17 .什么叫做二极管的反向恢复过程和反向恢复时间?提高二极管开关速度的途径有哪些?18 .以N型硅片为衬底扩硼制备PN结,已知硼的分布为高斯函数分 布,衬底浓度ND=1X1015/cm3,在扩散温度为1180c x 10-12cm/s ,扩 散时间t=30min ,扩散结深X区mi试求:扩散层表面杂质浓度Nt?结深处的浓度梯度aj ?接触电势差UD?19 .有两个硅PN结,其中一个结的杂质浓度 153173193Nd 510 cm , Na 510 cm ;另 * 个结的 Nd 510 cm ,电子电流与空

22、穴电流的比值?并给以解释22. 仍以上题的条件为例,假设g n P,计算4V反向偏压时的产生电流密度。23. 最大电场强度( T=300K) ?求反型电压300V 时的最大电场强度。24. 对于一个浓度梯度为1020 cm 4 的硅线性缓变结,耗尽层宽度为0.5 m 。计算最大电场强度和结的总电压降。1931533225. 一硅 PN结,其 Na 10 cm ,ND 10 cm ,面积 A 1 10 cm,计算 反向偏压U分别等于5V和1CV的么势垒电容ct、空间电荷区宽度XM 和最大电场强度EM 。26. 计算硅P N结的击穿电压,其ND 1016cm 3 (利用简化式)。27. 在衬底杂质

23、浓度ND 5 1016cm 3的N型硅晶片上进行硼扩散,形成 PN结,硼扩散后的表面浓度Ns 1018cm3,结深Xj 5 m。试求结深处的 浓度梯度aj ,施加反向偏压5V时的单位面积势垒电容和击穿电压 U B。28. 设计一 P N 突变结二极管。其反向电压为 130V ,且正向偏压为0.7V时的正向电流为 2.2mA。并假设p0 107so 15329. 一硅P N结,ND 10 cm ,求击穿时的耗尽层宽度,若N区减小 到 5 m 计算击穿电压并进行比较。30. 一个理想的硅突变结NA 1018 cm 3,ND 1015 cm 3 ,求计算250K 、300K 、 400K 、 500

24、K 下的内建电场U D ,并画出 U D 对温度 T 的关系曲线。用能带图讨论所得结果。求300K下零偏压的耗尽层宽度和最大电场。第 3 章 思考题和习题1 .画出PNP晶体管在平衡和有源工作模式下的能带图和少子分布示意图。2 .画出正偏置的NPN晶体管载流子输运过程示意图,并解释电流传 输和转换机理。. 、 . . . . . 一、 -3 .解释发射效率丫 °和基区输运系数B 0的物理意义。4 .解释晶体管共基极直流电流放大系数0c0,共发射极直流电流放大系数B °的含乂,并与出口 0、B。、丫 °和B °的关系式。5 . 什么叫均匀基层晶体管和缓变基

25、区晶体管?两者在工作原理上有什么不同?6 . 画出晶体管共基极、共发射机直流输出、输出特性曲线、并讨论它们之间的异同。7 .晶体管的反向电流I CBO、lEBO、I CEO是如何定义的?写出I C E0与I CBO之间的关系式并加以讨论。8 .晶体管的反向击穿电压BUCBO、BUceo、BUebo是如何定义的?写出BU CEO与B U CBO之间的关系式,并加以讨论。9 . 高频时晶体管电流放大系数下降的原因是什么?1°. 描写晶体管的频率参数主要有哪些?它们分别的含义是什么?11 .影响特征频率f T的因素是什么?如何特征频率f T?12 . 画出晶体管共基极高频等效电路图和共发射

26、极高频等效电路图。13 .大电流时晶体管的B 。、f T下降的主要原因是什么?14 . 简要叙述大注入效应、 基区扩展效应、 发射极电流集边效应的机 理。15 .什么叫晶体管最大耗散功率PCM?它与哪些因素有关?如何减少晶体管热阻R T?16 .画出晶体管的开关波形,图中注明延迟时间P 八上升时间t r、 储存时间t s、下降时间t f,并解释其物理意义。17 . 解释晶体管的饱和状态、 截止状态、 临界饱和和深饱和的物理意 义。18 .以NPN硅平面为例,当发射结正偏、集电结反偏状态下,分别说明从发射极进入的电子流,在晶体管的发射区、发射结势垒区、基区、集电结势垒和集电区的传输过程中,以什么

27、运动形式(指扩散或漂移)为主。19 .试比较f a、f B、fT的相对大小。20 . 画出晶体管饱和态时的载流子分布, 并简述超量存储电荷的消失 过程。21 . 画出普通晶闸的基本结构图,并简述其基本工作原理。22 .有一低频小功率合金晶体管,用N型Ge作基片,其电阻率为 cm, 用烧锢合金方法制备发射区和集电区,两区掺杂浓度约为3X1018/cm3,求 r。(已知 Wb=50 m, Lne=5 m)。23 .某一对称的PN端合金管,基区宽度为5 m,基区杂质浓度为5 X1015cm3,基区空穴寿命为 10 s (AE=Ac=1C-3cn2)o 计算在 UEb=0.26V、 UCb=-50V时

28、的基极电流Ib?求出上述条件下的 c和(3。(k1)。24 .已知均匀基区硅 NPN体体管的丫 c=C.99 , BICb=15CV,W m,基区 中电子寿命t b=1us (若忽略发射结空间电荷区复合和基区表面复合),求。、廿0、B 0*和 BUCeo (设 D=35cm2/s).25 .已知NPN双扩散外延平面晶体管,集电区电阻率p cQcm集电 区厚度W=10 m,硼扩散表面浓度NBs=5X 1018cm3,结深Xc m。求集 电极偏置电压分别为25V和2V时产生基区扩展效应的临界电流密度。26 .已知P+NP晶体管,其发射区、基区、集电区德杂质浓度分别为 5 x 1018cm3、2X

29、1016cm3、1 x 1015cm3,基区宽度 W m2,当发射结上的正 向偏压为0.5V,集电结反向偏压为5V时,计算:(1)中性基区宽度?( 2)发射结少数载流子浓度?27 . 对于习题 26 中的晶体管,少数载流子在发射区、基区、集电区德扩散系数分别为52cm2/s 、 40cm2/s 、 115cm2/s ,对应的少数载流寿命分别为10-8s、10-7s、10-6s,求晶体管的各电流分量?28 . 利用习题 26、 习题 27 所得到的结果, 求出晶体管的端点电流I E、Ic和Ib。求出晶体管的发射效率、基区输运系数、共基极电流增益和共发射极电流增益,并讨论如何改善发射效率和基区运输

30、系数?29 . 判断下列两个晶体管的最大电压的机构是否穿通:晶体管1:BUCBO=105V; BUCEO=96V; BUEBO=9V; BUCES=105V(BUCes为基极发射极短路时的集电极 发射极击穿电压)晶体管 2: BUCBO=75V; BUCEO=59V; BUEBO=6V。30 .已知NPN晶体管共发射极电流增益低频值 ”=100,在20MHz下 测得电流增益| (3 | =60o求工作频率上升到 400MHz时,(3下降到多 少?计算出该管的? B和?T。31 .分别画出NPNf1体管小注入和大注入时基区少子分布图, 简述两者的区别于原因。32 .硅NPNff面晶体管,其外延厚

31、度为10区mi掺杂浓度N=105.cm3, 计算 |UCB|=20V 时,产生有效基区扩展效应的临界电流密度。33 . 晶体管处于饱和状态时I E=I C+I B 的关系式是否成立?画出少子的分布与电流传输图,并加以说明。34 . 对于具有同样几何形状、 杂质分布和少子寿命的硅和锗PNP、 NPN管,哪一种晶体管的开关速度最快?为什么?35 .硅NPN¥面管的基区杂质为高斯分布,在发射区表面的受主浓度 为1019 cm-3区w m ,集电区杂质浓度为1015 cm-3,试求其最大集电极 电流浓度?36 .硅晶体管的集电区总厚度为100wm,面积为10%M,当集电极 电压为10V电流为

32、100mA寸,其结温与管壳温度之差为几度(忽略其 他介质的热阻)?37 .硅NPNI1体管的基区平均杂质浓度为 5X1017cm3,基区宽度为2, 发射极条宽为12 wm, (3 =50,如果基区横向压降为kT/q,求发射极 最大电流密度。38 .在习题37中晶体管的? t为800MHz工作频率为500MHz如果通 过发射极的电流浓度为3000A/cm,则其发射极有效条宽应为多少?第 4 章 思考题和习题1 .试画出UG =0时,P衬底的SiO2栅极的MOS1级管能带图。2 .试画出P型衬底的理想MOST极管不同偏压下对应截流子积累、耗尽及强反型的能带图及电荷分布示意图。3 . 试画出SiO2

33、 Si 系统的电荷分布图。4 . N沟和P沟MO初效应晶体管有什么不同?概述其基本工作原理。5 .制作N沟增强型MOST衬底材料的电阻率与制作 N沟耗尽型MOS 管衬底的电阻率,哪个选的应高一些,为什么?6 . MOS场效应晶体管的阈值电压 UT值电压受那些因素的影响?其中 最重要的是哪个?7 . MOS 场效应晶体管的输出特性曲线可分为哪几个区?每个区所对应的工作状态是什么?8 .用推导N沟MO潞件漏电流表示式的方法,试推导出P沟MO瑞件的漏电流表示式。9 .为什么MO窗效应晶体管的饱和电流并不完全饱和?10 . MOS场效应晶体管跨导的物理意义是什么?11 .如何提高MO初效应晶体管的频率

34、特性?12 . MOS场效应晶体管的开关特性与什么因素有关?如何提高其开关 速度?13 .短沟道效应对MO初效应晶体管特性产生什么影响?14 .已知P沟MO彝件的衬底杂质浓度N)=5X 1015cm3,栅氧化层厚度 tox=100nm栅电极材料为金属铝,测得器件的 值电压Ug=-2.5V。试 计算SiO2中的正电荷密度 Qx;若加上衬底偏置电压UBs=10V, 值电压漂移多少?分别计算UBS 为 0V、 10V 时最大耗尽层宽度?15 .已知N沟MOS1件的衬底杂质浓度 N=5X1015cm3,栅极为金属铝, 栅氧化层厚度toX=150nm SiO2中的正电荷密度COx=1 x 1022q/cm2 (q为电子电荷),试求该管的阈值电压UT?并说明它是耗尽型还是增强型 的?16 .如果一个MO初效应晶体管的UT=0V, UGf4V, I d3mA寸,MOST 是否工作在饱和区?为什么?17 .在掺杂浓度N=1015cm3P型Si衬底上制作两个N沟MOST,其栅 SiO2层的厚度分别为100nm和200nm 若UG$Ufb=15V,则U ds为多少 时,漏极电流达到饱和?18 .已知

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