IXYSVMOS选型参考

1、目前我们使用的功率场效应管大都是增强型VMOSFET （Vertical MOSFET ），简称VMOS 。主要品牌有以下几种：HEXFET ：IR （International Rectifier ，国际整流器）；TMOS ：Motorola （摩托罗拉）；Fairchild （飞兆半导体）的QFET ；HiPerFET 和MegaMOS ：IXYS （艾斯赛斯）；SIPMOS ：Siemens （西门子）；Power MOS IV ：APT （Advanced Power Technology ）；TrenchMOS ：Philips ，如PHP18NQ11T ；DMOS 和STripFE

2、T ：ST （意法半导体，原SGS-Thomson ），烧友们熟知的TDA7294、TDA7293，DMOS 输出级指的就是它。一、主要技术参数与术语Vdss ：漏-源击穿电压，一般是极大值，与BJT （双极性晶体管）的c-e 反向击穿电压相似，是VMOS 耐直流峰值电压的主要参数。Id ：漏-源最大正向平均电流，与BJT 的c-e 最大平均电流参数相似，是VMOS 电流耐受能力的主要参数，测试电流为单脉冲，持续时间一般是20ms 。如果有合适的散热片，VMOS 长期可承受的直流电流大约是I D 数值的一半。Rds(on：漏-源饱和导通电阻，也写作RDS(on和RDS ，随温度的升高而增大，电

3、路的导通功耗可以大致由此计算出来。其技术文档中通常给出的是V GS 10V ，TA 25时的测定值。MOSFET 的总功耗主要包括导通功耗、开关功耗和栅极驱动功耗，其中RDS 决定了导通功耗的大小。Qg ：栅电荷或者总栅电荷，也称为门电荷，FET 达到饱和导通状态时栅极所需的电荷，与温度无关，也写作Qg(tot。Ciss ：输入电容。Pd ：（漏极）总耗散功率，也写作Ptot 或者PD ，与BJT 的集电极耗散功率参数相似，“多少瓦”的管子指的就是这个参数。Ptot 在很大程度上决定了整个电路的功率输出能力，但是与输出功率并不是一回事。t rr ：体二极管反向时间，体二极管开关速度的一个参数，

4、大致代表它完全关断所需要的时间。IXYS VMOS 选型参考型号Vdss Id/ARdsCiss 封装形式Pd 二、P 沟道VMOS三、耗尽型N 沟道VMOS型号Vdss /VId/A(onCiss /pF封装形式Pd /W1四、Polar 系列N 沟道VMOS型号Vdss /VId/ARds(onCiss /pF封装形式t rr/nsPd/W型号Vdss /VId/ARds (onCiss /pF封装形式t rr/nsPd/W（续表）2型号VdssId/A(onCiss 封装形式trrPd/W型号Vdss /VId/A(onCiss /pF封装形式Overmoldedtrr/nsPd/W60

5、0100.741500500166（续表）续表）3五、Polar 系列HiPerFET VMOS型号Rds(on/WCiss/pFQg/nC封装形式rr 4型号Rds(on/WCiss/pFQg/nC封装形式rr （续表）5型号Rds(on/WCiss/pFQg/nC封装形式rr （续表）6型号Rds(on/WCiss/pFQg/nC封装形式rr （续表）六、Q2系列VMOS （高速低Qg 系列）型号VdssId/A(onCiss 封装形式t rrPd型号Id/APd/Wt rr /ns（续表）7七、标准系列N 沟道VMOS型号Vdss Id (onCiss 封装形式t rrPd型号Vdss

6、Id (onCiss 封装形式t rrPd（续表）8八、体二极管具备高速耐冲击特性的VMOS（多数型号为Q 系列）型号VdssId/A(onCiss 封装形式t rrPd型号VdssId/A(onCiss 封装形式t rrPd200880.034150TO-247AD200500（续表）9型号VdssId/A(onCiss 封装形式t rrPd型号VdssId/A(onCiss 封装形式t rrPd（续表）（续表）10型号VdssId/A(onCiss 封装形式t rrPd型号VdssId/A(onCiss 封装形式t rrPd（续表）（续表）11型号VdssId/A(onCiss 封装形式t

7、 rrPd型号VdssId/A(onCiss 封装形式t rrPd（续表）（续表）12型号VdssId/A(onCiss 封装形式t rrPd型号VdssId/A(onCiss 封装形式ISOPLUS i4-PACt rrPd10001000100010001200120024343436330.390.280.280.244.54.5700092009200920010501050SOT-227BSOT-227B ISOPLUS264TO-220TO-263250180180180250250595694556694200200九、CoolMOS 系列VMOS （第4代高速VMOS ）型号2

8、5 ）/Ciss/pFQg/nC封装形式t rr /nsPd/W管芯配置（续表）（续表）13型号（25 ）/Ciss/pFQg/nC封装形式t rr /nsPd/W管芯配置单管单管双管单管单管单管单管单管单管单管十、沟槽栅VMOS （第1代、第2代沟槽栅以及高压、高速型VMOS ，Vdss 数值带有“-”的为P 沟道）型号Vdss/VId (on(25 Qg /nC封装形式与管芯配置未注明为单管trr /nsPd/W型号Vdss/VId (on(25 Qg /nC封装形式与管芯配置未注明为单管trr /nsPd/W（续表）14型号Vdss/VId (on(25 Qg /nC封装形式与管芯配置未

9、注明为单管t rr/nsPd/W型号Vdss/VId (on(25 Qg /nC封装形式与管芯配置未注明为单管TO-263（7trr /nsPd/W（续表）（续表）15（续表） 型号 Vdss Id RDS Qg t rr (on (25 (25 /nC /ns /V /A / 98 0.0100 80 98 0.0100 80 98 0.0100 80 封装形式与 管芯配置 /W （ ） 未注明为单管 Pd 型号 Vdss （续表） Id RDS Qg t Pd 封装形式与 rr (on (25 管芯配置 /V /A (25 /nC /ns /W （ 未注明为单管 ） / 98 0.0100

10、 80 100 200 TO-263 （7 引脚） 110 0.0055 160 80 150 ISOPLUS220 115 0.0050 165 50 150 ISOPLUS220 128 0.0044 200 90 160 ISOPLUS220 160 0.0060 112 80 360 TO-263 140 0.0044 200 50 200 5 引脚 ISOPLUS i4-Pak IXTA98N075T7 75 IXTA98N075T 75 100 200 TO-263 100 200 TO-220 IXTP98N075T 75 IXTC200N075T IXTC220N075T IX

11、TC250N075T IXTF250N075T （7 引脚） IXTA98N075T7 75 100 200 TO-263 IXTA98N075T 75 IXTP98N075T 75 IXTC200N075T 75 IXTC220N075T 75 IXTC250N075T 75 IXTA160N075T 75 98 0.0100 80 100 200 TO-263 98 0.0100 80 100 200 TO-220 75 75 75 75 75 75 75 75 75 110 0.0055 160 115 0.0050 165 128 0.0044 200 140 0.0044 200 1

12、60 0.0060 112 160 0.0060 112 160 0.0060 112 160 0.0060 112 160 0.0060 112 170 0.0054 109 170 0.0054 109 80 150 ISOPLUS220 50 150 ISOPLUS220 90 160 ISOPLUS220 50 200 80 360 TO-263 80 360 TO-247 80 360 TO-220 80 360 TO-3P Pak 5 引 脚 ISOPLUS i4 - IXTA160N075T 75 IXTA160N075T7 IXTF250N075T 75 IXTH160N075

13、T 75 IXTP160N075T IXTQ160N075T 75 80 360 TO-263（7 引脚） IXTA160N075T7 75 IXTH160N075T 75 160 0.0060 112 80 360 TO-263（7 引脚） 160 0.0060 112 80 360 TO-247 160 0.0060 112 80 360 TO-220 160 0.0060 112 80 360 TO-3P 160 0.0065 250 120 300 ISOPLUS220 170 0.0054 109 63 360 TO-263 170 0.0054 109 63 360 TO-220

14、IXTP160N075T 75 IXTQ160N075T 75 IXUC160N075 IXTP170N075T2 IXTA170N075T2 160 0.0065 250 120 300 ISOPLUS220 63 360 TO-263 63 360 TO-220 IXUC160N075 75 IXTA170N075T2 75 IXUV170N075 75 IXUV170N075S 75 IXTA200N075T 75 IXTA200N075T7 175 0.005 250 120 300 PLUS220 200 0.0050 160 200 0.0050 160 200 0.0050 16

15、0 200 0.0050 160 200 0.0050 160 220 0.0045 165 220 0.0045 165 220 0.0045 165 220 0.0045 165 220 0.0045 165 250 0.0040 200 250 0.0040 200 250 0.0040 200 250 0.0040 200 120 2× 0.0055 165 80 430 TO-263 50 430 TO-247 80 430 TO-220 50 430 TO-3P 80 480 TO-263 80 480 TO-247 80 480 TO-220 80 480 TO-3P

16、80 550 TO-3P 80 550 TO-247 80 550 PLUS220 IXTP170N075T2 75 175 0.0053 310 120 300 PLUS220 SMD IXUV170N075 75 IXUV170N075S 75 IXTA200N075T 75 IXTH200N075T 75 175 0.005 250 120 300 PLUS220 200 0.0050 160 80 430 TO-263 200 0.0050 160 50 430 TO-247 200 0.0050 160 80 430 TO-220 200 0.0050 160 50 430 TO-3

17、P 220 0.0045 165 80 480 TO-263 220 0.0045 165 80 480 TO-247 220 0.0045 165 80 480 TO-220 220 0.0045 165 80 480 TO-3P 250 0.0040 200 80 550 TO-3P 250 0.0040 200 80 550 TO-247 250 0.0040 200 80 550 PLUS220 2× 175 0.0053 310 120 300 PLUS220 SMD 200 0.0050 160 80 430 TO-263（7 引脚） IXTH200N075T 75 IX

18、TP200N075T IXTQ200N075T 75 IXTA220N075T 75 IXTA220N075T7 75 75 80 430 TO-263（7 引脚） IXTA200N075T7 75 IXTP200N075T 75 IXTQ200N075T 75 IXTA220N075T 75 IXTH220N075T 75 IXTH220N075T 75 IXTP220N075T IXTQ220N075T 75 IXTH250N075T 75 IXTQ250N075T 75 IXTV250N075T 75 IXTV250N075TS 75 75 80 480 TO-263（7 引脚） IXT

19、A220N075T7 75 IXTP220N075T 75 IXTQ220N075T 75 IXTH250N075T 75 IXTQ250N075T 75 IXTV250N075T 75 IXTV250N075TS 75 220 0.0045 165 80 480 TO-263（7 引脚） IXTL2x220N 075T 75 75 16 80 550 PLUS220 SMD 5 引 脚 IXTL2x220N0 75 50 150 ISOPLUS i5 Pak （双管共栅） 75T 250 0.0040 200 80 550 PLUS220 SMD 5 引 脚 ISOPLUS 0.0055 1

20、65 50 150 i5 -Pak （双 管共 120 栅） PDF created with pdfFactory trial version 型号 IXTP44N10T 100 RDS Vdss Id (on Qg trr (25 (25 /nC /ns /V /A / 44 0.0300 33 44 0.0300 33 60 0.0180 49 60 0.0180 49 80 0.0140 60 80 0.0140 60 80 0.0140 60 83 0.0075 132 （续表） 封装形式与 管芯配置 /W （ 未注明为单管 ） Pd 型号 100 130 TO-220 100 13

21、0 TO-252AA 100 176 TO-263 100 176 TO-220 100 230 TO-263 IXTY44N10T 100 IXTA60N10T 100 IXTP60N10T 100 IXTA80N10T 100 IXTA80N10T7 100 IXTH200N10T 100 RDS Vdss Id (on Qg trr (25 (25 /nC /ns /V /A / （续表） 封装形式与 管芯配置 /W （ 未注明为单管 ） Pd 200 0.0055 152 100 550 TO-247 IXTN200N10T 100 IXTQ200N10T 100 IXTV200N10

22、T 100 IXTV200N10T T 200 0.0054 220 130 500 SOT-227B 200 0.0055 152 100 550 TO-3P 200 0.0055 152 100 550 PLUS220 200 0.0055 152 100 550 PLUS220 SMD 60 150 5 引 脚 ISOPLUS S （7 引脚） IXTL2x180N10 100 230 TO-263 100 IXTP80N10T 100 IXTC160N10T 100 IXTC180N10T 100 IXTC200N10T 100 IXTF200N10T 100 IXTA130N10T

23、100 IXTA130N10T7 100 100 230 TO-220 60 140 ISOPLUS220 100 2×100 0.0074 151 42 42 90 90 90 90 0.045 0.045 0.020 0.020 0.020 0.020 21 21 80 80 80 80 92 92 92 IXTA42N15T 150 IXTP42N15T 150 IXTA90N15T 150 IXTH90N15T 150 IXTP90N15T 150 IXTQ90N15T 150 IXTA102N15T 150 IXTP102N15T 150 IXTQ102N15T 150 I

24、XFH160N15T 150 IXFH160N15T 150 IXTH160N15T 150 100 200 TO-263 100 200 TO-220 110 455 TO-263 110 455 TO-247 i5-Pak （双管共栅） 90 0.0070 151 100 150 ISOPLUS220 101 0.0063 220 130 160 ISOPLUS220 120 0.0063 152 130 0.0091 104 130 0.0091 104 130 0.0091 104 130 0.0091 104 130 0.0091 104 130 0.0091 104 130 0.0

25、091 104 160 0.0070 132 80 200 ISOPLUS i4-Pak 67 360 TO-263 （7 引脚） 67 360 TO-263 110 455 TO-22O 110 455 TO-3P 100 556 TO-263 100 556 TO-220 100 556 TO-3P 90 830 TO-247 IXTH130N10T 100 67 360 TO-247 67 360 TO-220 67 360 TO-3P 67 360 TO-263 67 360 TO-220 60 430 TO-263 102 0.018 102 0.018 102 0.018 IXTP130N10T 100 IXTQ130N10T 100 IXFA130N10T 100 IXFP130N10T 100 IXTA160N10T 100 IXTA160N10T7 100 160 0.0096 160 160 0.0096 160 0.09 830 TO-247 160 0.096 160 115 830 TO-247 32 32 48 48 0.072 0.072 0.050 0.050 38 38 60 60 110 200 TO-263 110 200 TO-220 130 250 TO-263 130 250 TO-220