简单电子线路练习题 (2)

1、简单电子线路练习题1. 电容器是一种常用的电子元件对电容器认识正确的是（） ？ A、电容器的电容表示其储存电荷的能力(正确答案)B、电容器的电容与它所带的电荷量成正比C、电容器的电容与它两极板间的电压成正比D、电容的常用单位有F和pF,1 F103 pF2. 发光二极管将( )信号转换成（）信号？ A、电、光(正确答案)B、光、点3. 半导体按导电类型分为( )型半导体和（）型半导体？ A、PNP、NPNB、P、N(正确答案)4. 二极管的正向接法是二极管的（）极接电源的正极，( )极接电源的负极，反向接法时相反？ A、正、负(正确答案)B、阴、阳C、负、正5. 当硅晶体二极管加加上0.4V正

2、向电压时，该晶体二极管相当于（）？ A、很小的电阻B、很大的电阻(正确答案)C、短路6. 光电二极管工作时，应加（）？ A、正向电压B、反向电压(正确答案)C、反向电压或正向电压7. 硅二极管的导通电压（）？ A、 0.5VB 、0.7V(正确答案)C、 0.3V8. 当晶体三极管的发射结反偏，该管工作在（）？ A、放大状态B、饱和状态C、截止状态(正确答案)9. 用直流电压表测量NPN型晶体三极管各极电位是UB=4.7V , UC=4.3V , UE=4V，则该晶体三极管的工作状态是（）？ A、截止状态B、饱和状态(正确答案)C、放大状态10. 满足IC=IB的关系时，晶体三极管工作在（）？

3、 A、饱和区B、放大区(正确答案)C、截止区11. 三极管输出特性曲线中，当IB=0时，IC等于（）？ A、ICMB、ICBOC、ICEO(正确答案)12. 三极管的（）作用是三极管最基本和最重要的特性。？ A、 电流放大(正确答案)B、 电压放大C、 功率放大13. 三极管放大作用的实质是（）？ A、三极管可以把小电流放大成大电流B、三极管可以把小电流放大成大电压C、三极管可以用较小的电流控制较大的电流(正确答案)14. 工作在放大状态的三极管可作为（）器件来用。？ A、放大(正确答案)B、开关C、稳压15. 工作在截止和饱和状态的三极管可作为（）器件来用。？ A、放大B、开关(正确答案)C

4、、稳压16. 硅晶体三极管的发射结的死区电压约为（）。？ A、 0.5V(正确答案)B、 0.3VC、0.7V17. 晶体三极管的穿透电流ICEO随温度的升高而（）。？ A、 增大(正确答案)B、 减小C、不变18. 用电压表测得电路端电压为0，这说明（）。？ A、 外电路断路B、 外电路短路(正确答案)C、外电路上电流比较小D、电源内电阻为零19. 锗晶体三极管的发射结的导通电压约为（）。？ A、 0.2VB、 0.3V(正确答案)C、0.7V20. 电源电动势是2V，内电阻是0.1，当外电路断路时，电路中的电流和端电压分别是( )。？ A、 0 A、2 V(正确答案)B 、20 A、2 V

5、C、20 A、0 V21. 晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流将（）？ A、随基极电流的增加而增加B、随基极电流的增加而减小C、与基极电流变化无关，只取决于UCC和RC(正确答案)22. 三极管是一种（）的半导体器件。 A、 电流控制B、 电压控制(正确答案)C、 功率控制23. NPN型三极管处于放大状态时，各极电压关系是（）。？ A UC>UE>UBB UC>UB>UE(正确答案)C UC<UB<UE24. 在三极管放大器中，三极管各极电位最高的是（）。？ A、 NPN的集电极(正确答案)B、 PNP的集电极C、 NPN的发射极25. 三极管的伏安

6、特性是指它的（）。？ A 输入特性B 输出特性C输入特性和输出特性(正确答案)26. 三极管的输出特性曲线是簇曲线，每一条曲线都与（）对应。？ A、 ICB、 IEC、 IB(正确答案)27. 在共发射极放大电路中，输出电压U0和输入电压Ui相位（）。？ A、相同B、相反(正确答案)C、无法确定28. 放大器中晶体三极管静态工作点是IBQ、ICQ和（）？ A、UCEQ(正确答案)B、UBCQC、UBEQ29. 为防止失真，放大器发射结电压直流分量UBEO应比输入信号峰值( )，并且要（）发射结的死区电压。？ A、大、大于(正确答案)B、小、小于C、大、小于D小、大于30. 画放大电路的直流通路

7、时，把电容看成（）。？ A、开路(正确答案)B、短路31. 画放大电路的交流通路时，把直流电源看成（）。？ A、开路B、短路(正确答案)32. 画放大电路的交流通路时，把电容看成（）。？ A、开路B、短路(正确答案)33. 对于一个放大电路来说，一般希望其输入电阻（）些，以减轻信号源的负担。？ A、大(正确答案)B、小34. 对于一个放大电路来说，一般希望其输出电阻 些，以增大带负载的能力。（）？ A、大B、小(正确答案)35. 电容器的单位说法正确的是（）。？ A、电容的单位为法拉，简称法，用 F 表示(正确答案)B、电容的单位为法拉，简称法，用 UF 表示C、电容的单位都是uf36. 交流

8、电通过单相整流电路后,得到的输出电压是（）。？ A 、交流电压B 、稳定的直流电压C 、脉动直流电压(正确答案)37. 单相桥式整流电路中,每个二极管的平均电流等于（）。？ A、输出电流平均值的1/4B、 输出平均电流的1/2(正确答案)C、输出平均电流38. 滤波电路一般接在（）电路的后面。？ A、整流(正确答案)B、稳压C、交流39. 下列关于电容器说法错误的是（）？ A、电容有充电放电功能B、能用于滤波电路C、电容不具有单向导电性(正确答案)D、电容一定有正负极40. 有一只电容器的规格是“100nf，25v”，那么（）？ A、这只电容器的电容量是1fB、这只电容加上25v时，它的电容量

9、就有100ufC、这只电容器的电容量是0.1uf(正确答案)41.  给内阻为9k、量程为1V的电压表串联电阻后，量程扩大为10 V，则串联电阻为（）。 ？ A、 1kB、 90kC、81k(正确答案)D、99k42. 有一只电容器的规格是“103J”，那么（）？ A、这只电容器的电容量是103fB、这只电容器的电容量是1fC、这只电容器的电容量是0.1ufD、这只电容器的电容量是0.01uf(正确答案)43. 已知R1>R2>R3，若将此三只电阻并联接在电压为U的电源上，获得最大功率的电阻将是（）。？ A、R1(正确答案)B、R2C、 R3D、一样大44. 标明“100

10、/16W”和“100/25W”的两个电阻并联时两端允许加的最大电压是( )。？ A、40 V(正确答案)B、50 VC、90 VD、10 V45. 已知电源为5v，现将一个1k的电阻和一个发光二极管串联接到这个电源中，测得发光二极管正常工作时两端的电压为2v，此时流过电阻的电流是多少（）。？  A. 3AB. 3uA(正确答案)C. 5AD.5uA46. 将图两个1k的电阻并联后，阻值为（）。？ A. 100B. 2KC. 1KD.500(正确答案)47. 图3-3中，I= （）。 ？ A.2AB.7A(正确答案)C.5AD.6A48. 导体的电阻是导体本身的一种性质，以下说法错误的

11、是（）。 ？ A和导体的面积有关B.和导体的长度有关C.和环境温度无关(正确答案)D.和材料性质有关49. 如图3-4所示电路中，E=（）。 ？ A.3VB.4V(正确答案)C.-4 VD.-3V50. 下列有关用万用表测量电阻的说法中，正确的是（）。？ A.刻度是线性的B.指针偏转到最右端时，电阻为无穷大C.指针偏转到最左端时，电阻为无穷大(正确答案)D.未测量时指针停在零刻度线处51. 根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为导体、绝缘体和半导体三类。 对(正确答案)错52. 常用的半导体材料是钢和铁。 对错(正确答案)53. 常用的半导体材料是锗和硅。 对(正确答案)错54. 半导体按导

12、电类型分为P型半导体和N型半导体。 对(正确答案)错55. PN结正偏时，P区接电源的正极，N区接电源的负极。 对(正确答案)错56. PN结正偏时，P区接电源的极负，N区接电源的正极。 对错(正确答案)57. PN结正向偏置时电阻小，反向偏置时电阻大。 对(正确答案)错58. PN结反偏时，P区接电源的正极，N区接电源的负极。 对错(正确答案)59. PN结正向偏置时导通，反向偏置时截止。 对(正确答案)错60. PN结正向偏置时电阻大，反向偏置时电阻小。 对错(正确答案)61. PN结反向偏置时，反向电流随反向电压增大而增大。 对错(正确答案)62. 半导体随温度的升高，电阻会增大。 对(

13、正确答案)错63. 半导体随温度的升高，电阻会减小。 对错(正确答案)64. 二极管的N区引出端叫负极。 对(正确答案)错65. 二极管实质就是一个PN结。 对(正确答案)错66. 二极管的N区引出端叫正极。 对错(正确答案)67. 按晶体二极管所用的材料可分为锗二极管和硅二极管两类。 对(正确答案)错68. 二极管的正向接法是阳极接电源的正极，阴极接电源的负极。 对(正确答案)错69. 二极管的正向接法是阳极接电源的负极，阴极接电源的正极。 对错(正确答案)70. 二极管的主要特性是双向导电性。 对错(正确答案)71. 二极管的主要特性是单向导电性。 对(正确答案)错72. 硅二极管的死区电

14、压约0.5V。 对(正确答案)错73. 锗二极管的死区电压约0.2V。 对(正确答案)错74. 硅二极管导通时的正向压降0.7V。 对(正确答案)错75. 锗二极管导通时的正向压降为0.3V。 对(正确答案)错76. 硅二极管的死区电压约0.7V。 对错(正确答案)77. 39.锗二极管的死区电压约0.3V。 对错(正确答案)78. 硅二极管导通时的正向压降0.5V。 对错(正确答案)79. 锗二极管导通时的正向压降为0.2V。 对错(正确答案)80. 电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会被烧坏。 对(正确答案)错81. 有一硅二极管正反向电阻接近于无穷大，表明二极管已断路。 对(正确答

15、案)错82. 如果加在二极管两端的反向电压过高，二极管会被击穿。 对(正确答案)错83. 有一硅二极管正反向电阻接近于无穷大，表明二极管已短路。 对错(正确答案)84. 在相同大小的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常低于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较好。 对(正确答案)错85. 在相同大小的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常高于锗二极管的反向饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较差。 对错(正确答案)86. 一般来说，硅晶体二极管的死区电压大于锗晶体二极管的死区电压。 对(正确答案)错87. 无论是哪能种类型号的晶体二极管，其正向电压都为0.3V左右。 对错(正确答案)88. 无论是哪能种类型号的晶体二极管，其正向电压都不得为0.3V左右。 对错(正确答案)89. 晶体二极管具有单向导电性。 对(正确答案)错90. 晶体二极管的反向饱和电流越小，二极管的质量越好。 对(正确答案)错91. 晶体二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。 对错(正确答案)92. 光电二极管使用时都应接反向电压。 对(正确答案)错93. 两个额定电压相同的电炉，R1>R2，因为P=I2R，所以电阻大的功率大。