常用的电子元件

1、常用电子元器件参考资料第一节 部分电气图形符号电阻器、电容器、电感器和变压器图形符号名称与说明图形符号名称与说明/_J电阻器一般符号电感器、线圈、绕组或扼 流图。注：符号中半圆数 不得少于3个1/ /可变电阻器或可调 电阻器带磁芯、铁芯的电感器滑动触点电位器带磁芯连续可调的电感器11tL T极性电容LaaaJ双绕组变压器 注：可增加绕组数目半可变电容器或可调 电容器LaaaJ pYYYj绕组间有屏敝的双绕组变 压器注：可增加绕组数目双联同调可变电容 器。注：可增加同调联数IaaaJ m在一个绕组上有抽头的变 压器*微调电容器半导体管图形符号名称与说明图形符号名称与说明T二极管的符号1JFET结

2、型场效应 管(1) N沟道(2) P沟道发光二极管714光电二极管PNP型晶体三极管-4>稳压二极管NPN型晶体三极 管hi-变容二极管全波桥式整流器三其它电气图形符号图形符号名称与说明图形符号名称与说明1 具有两个电极 的压电晶体 注：电极数目 可增加丛 或 丄接机壳或底板1导线的连接L1熔断器指示灯及信号 灯导线的不连接扬声器一动合(常开)触点开 关H -蜂鸣器动断(常闭)触点开 关±接大地1/_手动开关第二节常用电子元器件型号命名法及主要技术参数电阻器和电位器1.电阻器和电位器的型号命名方法表1电阻器型号命名方法第一部分：主称第二部分：材料第三部分：特征分类第四部分：序号

3、符号意义符 号意义符 号意义电阻器电位器R电阻器T碳膜1普通普通对主称、材 料相同，仅性能 指标、尺寸大小 有差别，但基本 不影响互换使用 的产品，给予同 一序号；若性能 指标、尺寸大小 明显影响互换 时，则在序号后 面用大写字母作 为区别代号。W电位器H合成膜2普通普通S有机实芯3超高频N无机实芯4高阻J金属膜5高温:丫氧化膜6C沉积膜7精密精密r i玻璃釉膜8高压r特殊函数p硼碳膜9特殊特殊:U硅碳膜G高功率X线绕T可调M压敏Wp微调G光敏D多圈R热敏B温度补偿用C温度测量用P旁热式W稳压式Z正温度系数示例:（1）精密金属膜电阻器R J 7 3序号类别（精密） 材料（金属膜） 主称（电阻器

4、）序号类别（多圈） 材料（线绕） 主称（电位器）（2）多圈线绕电位器W X D 3I 第四部分第三部分 第二部分 第一部分2 电阻器的主要技术指标(1) 额定功率电阻器在电路中长时间连续工作不损坏，或不显著改变其性能所允许消耗的最大功率称为电阻器的额定功率。电阻器的额定功率并不是电阻器在电路中工作时一定要消耗的功率， 而是电阻器在电路工作中所允许消耗的最大功率。不同类型的电阻具有不同系列的额定功 率，如表2所示。表2电阻器的功率等级名称额定功率(W)实芯电阻器0.250.5125一0.51261015线绕电阻器253550751001500.0250.050.1250.250.51薄膜电阻器2

5、5102550100(2) 标称阻值阻值是电阻的主要参数之一，不同类型的电阻，阻值范围不同，不同精度的电阻其阻值系列亦不同。根据国家标准，常用的标称电阻值系列如表3所示。E24、E12和E6系列也适用于电位器和电容器。表3标称值系列标称值系列精度电阻器(W、电位器(W、电容器标称值(PF)1.01.11.21.31.51.61.8r 2.0E24犬2.22.42.73.03.33.63.94.34.75.15.66.26.87.58.29.11.01.21.51.82.22.7E12±10%3.33.94.75.66.88.2一一E6吃0%1.01.52.23.34.76.88.2一

6、表中数值再乘以10n，其中n为正整数或负整数。(3)允许误差等级表4电阻的精度等级允许误差(%)如.001±0.002±3.005如.01±0.02±0.05±0.1等级符号EXYHUWB允许误差()±0.2±0.5±1±2北±10±20等级符号CDFGJ (厂K ( II 厂M ( III )3 .电阻器的标志内容及方法(1) 文字符号直标法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，额 定功率、允许误差等级等。符号前面的数字表示整数阻值，后面的数字依次表示第一位小数 阻

7、值和第二位小数阻值，其文字符号所表示的单位如表5所示。如1R5表示1.5门，2K7表示 2.7k1.文字符号RKMGT表示单位欧姆(僞千欧姆(10Yj)兆欧姆(106。):千兆欧姆(10爲兆兆欧姆(1012。)例如:RJ71 0.125 - 5k1 - II允许误差_10%标称阻值（5.1k）额定功率1/8W由标号可知，它是精密金属膜电阻器， 额定功率为1/8W ,标称阻值为5.1k允许误差 为.110%。（2）色标法： 色标法是将电阻器的类别及主要技术参数的数值用颜色（色环或色点） 标注在它的外表面上。色标电阻（色环电阻）器可分为三环、四环、五环三种标法。其含义 如图1和图2所示。标称值第一

8、位有效数字标称值第二位有效数字标称值有效数字后 0的个数|允许误差颜色第一位有效值第二位有效值倍率允许偏差黑八、00100棕11101红22102橙33103黄44104绿55105蓝66106紫77107灰88108白9910920% +50%金10，±5%银10±10%无色±20%图1 两位有效数字阻值的色环表示法三色环电阻器的色环表示标称电阻值（允许误差均为+20%）。例如，色环为棕黑红，表示10 102= 1.0k，匕20%的电阻器。四色环电阻器的色环表示标称值（二位有效数字）及精度。例如，色环为棕绿橙金表示 15 103= 15k；匕5%的电阻器。五色环

9、电阻器的色环表示标称值（三位有效数字）及精度。例如，色环为红紫绿黄棕表 示 275 104= 2.75Ml：_1%的电阻器。一般四色环和五色环电阻器表示允许误差的色环的特点是该环离其它环的距离较远。 标准的表示应是表示允许误差的色环的宽度是其它色环的(1.52)倍。有些色环电阻器由于厂家生产不规范，无法用上面的特征判断，这时只能借助万用表判 断。标称值第一位有效数字标称值第二位有效数字标称值第三位有效数字标称值有效数字后 0的个数| 允许误差颜色第一位有效值第二位有效值第三位有效值倍率允许偏差里八、000100棕111101±1%红222102±2%橙：333r103黄44

10、4104绿555105±0.5%蓝666106±0.25紫777107±0.1%灰888P 108白999109金110银10，图2三位有效数字阻值的色环表示法4.电位器的主要技术指标(1) 额定功率电位器的两个固定端上允许耗散的最大功率为电位器的额定功率。使用中应注意额定功率不等于中心抽头与固定端的功率。(2) 标称阻值标在产品上的名义阻值，其系列与电阻的系列类似。(3) 允许误差等级实测阻值与标称阻值误差范围根据不同精度等级可允许.120%、10%、一5%、二2%、1%的误差。精密电位器的精度可达_0.1%。(4) 阻值变化规律指阻值随滑动片触点旋转角度(或滑

11、动行程)之间的变化关系，这种变化关系可以是任 何函数形式，常用的有直线式、对数式和反转对数式(指数式)。在使用中，直线式电位器适合于作分压器；反转对数式(指数式)电位器适合于作收音 机、录音机、电唱机、电视机中的音量控制器。维修时若找不到同类品，可用直线式代替， 但不宜用对数式代替。对数式电位器只适合于作音调控制等。5 .电位器的一般标志方法WT 23.3k_10%WX 1510 门 JI 允许误差±5%标称阻值5100额定功率1W线绕电位器二.电容器1电容器型号命名法表6电容器型号命名法第一部分：主 称第二部分：材料第三部分： 特征、分类第四部分：序号符号丿意义符 号意义符 号意义

12、瓷介云母玻璃电解其他电 容 器C瓷介1圆片非密封箔式非密封对主称、材料相同，仅尺 寸、性能指标略有不同， 但基本不影响互使用的产 品，给予同一序号；若尺 寸性能指标的差别明显； 影响互换使用时，则在序 号后面用大写字母作为区 别代号。Y云母2管形非密封箔式非密封I玻璃釉3迭片密封烧结粉固体密封O玻璃膜4独石密封烧结粉固体密封Z纸介5穿心穿心J金属化纸6支柱B聚苯乙烯7无极性L涤纶8高压高压高压Q漆膜9特殊特殊S聚碳酸脂J金属膜H复合介质W微调D铝A钽N铌G合金T钛E其他示例：(1) 铝电解电容器第四部分第三部分第二部分第一部分C D 11序号特征分类（箔式）材料（铝）主称（电容器）（2）圆片形

13、瓷介电容器第四部分：序号第三部分：特征分类（圆片） 第二部分：材料（瓷介质） 第一部分：主称（电容器）（3）纸介金属膜电容器C Z J X序号特征分类（金属膜） 材料（纸介）主称（电容器）2 电容器的主要技术指标（1）电容器的耐压：常用固定式电容的直流工作电压系列为：6.3V ,10V ,16V , 25V ,40V , 63V , 100V , 160V , 250V , 400V。（2）电容器容许误差等级：常见的有七个等级如表7所示。表7容许误差±2%±5%±10%:t20%+20%-30%+50%-20%+100%-10%级别0.2IIIIIIIVVVI電容

14、常用字母代表誤差：B: ± 0.1 % ,C: ± 0.25 % ,D: ± 0.5% ,F: ± 1% ,G: ± 2% ,J: ± 5% ,K: ± 10 % ,M: ± 20% ,N: ± 30 % ,Z:+80 % -20%。标称电容量:表8固定式电容器标称容量系列和容许误差系列代号E24E12E6容许误差±5% (I)或(J)±10% (II)或(K)±20% (III )或(m)标称容量10,11,12,13,15,16,18,20,22,24,27,30,10,

15、12,15,18,22,27,310,15,22,23,47,68对应值33,36,39,43,47,51,56,62,68,75,82,903,39,47,56,68,82注：标称电容量为表中数值或表中数值再乘以10n ,其中n为正整数或负整数， 单位为pF。3 .电容器的标志方法（1）直标法 容量单位：F （法拉）、JF （微法）、nF （纳法）、pF （皮法或微微法）。1法拉=106微法=1012微微法，1微法=103纳法=106微微法1纳法=103微微法例如：4n7 表示 4.7nF 或 4700pF, 0.22 一 表示 0.22呻，51 表示 51pF。有时用大于1的两位以上的数字

16、表示单位为pF的电容，例如101表示100 pF;用小于1的数字表示单位为的电容，例如0.1表示0.1F。(2) 数码表示法一般用三位数字来表示容量的大小，单位为pF。前两位为有效数字，后一位表示位率。即乘以10i,i为第三位数字，若第三位数字9,则乘10-1。如223J代表22 103pF =22000pF = 0.22F,允许误差为_5% ;又如479K代表47 10-1pF,允许误差为_5%的电容。 这种表示方法最为常见。(3) 色码表示法这种表示法与电阻器的色环表示法类似，颜色涂于电容器的一端或从顶端向引线排列。色码一般只有三种颜色，前两环为有效数字，第三环为位率，单位为pF。有时色环

17、较宽，如红红橙，两个红色环涂成一个宽的，表示22000pF。电感器1 电感器的分类常用的电感器有固定电感器、微调电感器、色码电感器等。变压器、阻流圈、振荡线圈、偏转线圈、天线线圈、中周、继电器以及延迟线和磁头等，都属电感器种类。2 电感器的主要技术指标(1) 电感量：在没有非线性导磁物质存在的条件下，一个载流线圈的磁通量与线圈中的电流成正比其比例常数称为自感系数，用L表示，简称为电感。即：<PL 二一I式中： =磁通量1 =电流强度(2) 固有电容：线圈各层、各匝之间、绕组与底板之间都存在着分布电容。统称为电感器的固有电容。(3) 品质因数：电感线圈的品质因数定义为:式中：一工作角频率，

18、L 线圈电感量，R线圈的总损耗电阻(4) 额定电流：线圈中允许通过的最大电流。(5) 线圈的损耗电阻：线圈的直流损耗电阻。2 .电感器电感量的标志方法(1) 直标法。单位 H (亨利)、mH (毫亨)、lH (微亨)、(2) 数码表示法。方法与电容器的表示方法相同。（3）色码表示法。这种表示法也与电阻器的色标法相似，色码一般有四种颜色，前两种 颜色为有效数字，第三种颜色为倍率，单位为-H，第四种颜色是误差位。四.半导体分立器件1 半导体分立器件的命名方法（1）我国半导体分立器件的命名法表9国产半导体分立器件型号命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用数字表示器用汉语拼音字母表示器用汉语

19、拼音字母用数字用汉语拼件电极的数目件的材料和极性表示器件的类型表示器件音表示规符意义符意义符意义符意义序号格的区别号号号号代号2二极管AN型，锗材料P普通管D低频大功率管BP型，锗材料V微波管(如< 3MHz,CN型，硅材料W稳压管PcW)DP型，硅材料C参量管A高频大功率管Z整流管(fa遐MHz3三极管APNP型，错材料L整流堆PQW)BNPN型，错材料S隧道管T半导体闸流管CPNP型，硅材料N阻尼管（可控硅整流器）DNPN型，硅材料U光电器件Y体效应器件E化合物材料K开关管B雪崩管X低频小功率管J阶跃恢复管(怙< 3MHz,CS场效应器件Pc<1W )BT半导体特殊器件G

20、高频小功率管FH复合管（如迄MHzPINPIN型管Pc<1W )JG激光器件例:1）锗材料PNP型低频大功率三极管:I1序号4）单结晶体管:稳压管 N型、硅材料 二极管半导体（2）国际电子联合会半导体器件命名法表10国际电子联合会半导体器件型号命名法第一部分第二部分第三部分第四部分用字母表示使 用的材料用字母表示类型及主要特性用数字或字母加 数字表示登记号用字母对同一 型号者分档符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义A锗材料A检波、开关和 混频二极管M封闭磁路中的 霍尔元件位 数 字通用半 导体器件 的登记序 号（同一 类型器件 使用同一 登记号）A B C D E同一 型号器 件按某

21、 一参数 进行分 档的标 志B变容二极管1P光敏元件B硅材料C低频小功率三 极管Q发光器件D低频大功率三 极管R小功率可控硅C砷化镓E隧道二极管1S小功率开关管F高频小功率三 极管T大功率可控硅个 字 母 加 两 位 数 字专用半 导体器件 的登记序 号（同一 类型器件 使用同一 登记号）D锑化铟G复合器件 及其它器件U大功率开关管H磁敏二极管 1X倍增二极管R复合材 料K开放磁路中的 霍尔元件Y整流二极管L高频大功率三 极管Z稳压二极管即 齐纳二极管示例（命名）AF239型某一参数的S档 普通用登记序号高频小功率三极管锗材料国际电子联合会晶体管型号命名法的特点:1）这种命名法被欧洲许多国家采

22、用。因此，凡型号以两个字母开头，并且第一个字母 是A，B，C，D或R的晶体管，大都是欧洲制造的产品，或是按欧洲某一厂家专利生产的 产品。2）第一个字母表示材料（A表示锗管，B表示硅管），但不表示极性（NPN型或PNP 型）。3）第二个字母表示器件的类别和主要特点。如C表示低频小功率管，D表示低频大功率管，F表示高频小功率管，L表示高频大功率管等等。若记住了这些字母的意义，不查手 册也可以判断出类别。例如，BL49型，一见便知是硅大功率专用三极管。4）第三部分表示登记顺序号。三位数字者为通用品；一个字母加两位数字者为专用品，顺序号相邻的两个型号的特性可能相差很大。例如，AC184为PNP型，而A

23、C185则为NPN型。5）第四部分字母表示同一型号的某一参数（如hFE或Nf）进行分档。6）型号中的符号均不反映器件的极性（指 NPN或PNP）。极性的确定需查阅手册或测量。（3）美国半导体器件型号命名法美国晶体管或其它半导体器件的型号命名法较混乱。这里介绍的是美国晶体管标准型号命名法，即美国电子工业协会（EIA ）规定的晶体管分立器件型号的命名法。如表11所示。EIA登记序号EIA注册标志三极管军用品2) 1N4001EIA登记序号EIA注册标志二极管表11美国电子工业协会半导体器件型号命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用符号表示 用途的类型用数字表示 PN结的数目美国电子工业协

24、会（EIA）注册标志美国电子工业协会（EIA）登记顺序号用字母表示 器件分档符号意义符号意义符号意义符号意义符号意义JAN 或J军用品1二极管N该器件 已在美国 电子工业 协会注册 登记多 位 数 字该器件在 美国电子工 业协会登记 的顺序号A B C D同一 型号的 不同档 别2三极管无非军用品3三个PN结器件nn个PN结器件例:美国晶体管型号命名法的特点:1）型号命名法规定较早，又未作过改进，型号内容很不完备。例如，对于材料、极性、主要特性和类型，在型号中不能反映出来。例如，2N开头的既可能是一般晶体管，也可能是场效应管。因此，仍有一些厂家按自己规定的型号命名法命名。2）组成型号的第一部分

25、是前缀，第五部分是后缀，中间的三部分为型号的基本部分。3）除去前缀以外，凡型号以1N、2N或3N开头的晶体管分立器件，大都是美国制造的，或按美国专利在其它国家制造的产品。4）第四部分数字只表示登记序号，而不含其它意义。因此，序号相邻的两器件可能特 性相差很大。例如，2N3464为硅NPN，高频大功率管，而 2N3465为N沟道场效应管。5）不同厂家生产的性能基本一致的器件，都使用同一个登记号。同一型号中某些参数 的差异常用后缀字母表示。因此，型号相同的器件可以通用。6）登记序号数大的通常是近期产品。（4）日本半导体器件型号命名法日本半导体分立器件（包括晶体管）或其它国家按日本专利生产的这类器件

26、，都是按日 本工业标准（JIS）规定的命名法（JIS C 702）命名的。日本半导体分立器件的型号，由五至七部分组成。通常只用到前五部分。前五部分符号 及意义如表12所示。第六、七部分的符号及意义通常是各公司自行规定的。第六部分的符 号表示特殊的用途及特性，其常用的符号有：M-松下公司用来表示该器件符合日本防卫厅海上自卫队参谋部有关标准登记的产品。N -松下公司用来表示该器件符合日本广播协会（NHK ）有关标准的登记产品。Z-松下公司用来表示专用通信用的可靠性高的器件。H-日立公司用来表示专为通信用的可靠性高的器件。K日立公司用来表示专为通信用的塑料外壳的可靠性高的器件。T-日立公司用来表示收

27、发报机用的推荐产品。G-东芝公司用来表示专为通信用的设备制造的器件。S-三洋公司用来表示专为通信设备制造的器件。第七部分的符号，常被用来作为器件某个参数的分档标志。例如，三菱公司常用R, G ,Y等字母；日立公司常用 A , B, C, D等字母，作为直流放大系数 hFE的分档标志。表12日本半导体器件型号命名法第一部分第二部分第三部分第四部分第五部分用数字表示类型 或有效电极数S表示日本电子工 业协会（EIAJ ）的 注册产品用字母表示器件 的极性及类型用数字表示在日 本电子工业协会 登记的顺序号用字母表示 对原来型号 的改进产品符 号意义符 号意义符 号意义符 号意义符 号意义0光电（即光

28、敏） 二极管、晶体 管及其组合 管S表示已在日 本电子工业协 会（EIAJ）注册 登记的半导体 分立器件APNP型高频管四 位 以 上 的 数 字从11开 始，表示在 日本电子工 业协会注册 登记的顺序 号，不同公 司性能相同 的器件可以 使用同一顺 序号，其数 字越大越是 近期产品A B C D E F用字母 表示对原 来型号的 改进产品BPNP型低频管CNPN型高频管DNPN型低频管1:二极管:Frp控制极可控硅2三极管、具有 两个以上PN 结的其他晶 体管GN控制极可控硅HN基极单结晶体管JP沟道场效应管Krn沟道场效应管3具有四个有 效电极或具 有三个PN结 的晶体管M:双向可控硅n-

29、1具有n个有效 电极或具有n-1个PN结的晶体管示例:1）2SC502A （日本收音机中常用的中频放大管）2SC502型的改进产品日本电子工业协会登记顺序号 NPN型高频三极管日本电子工业协会注册产品 三极管（两个PN结）2）2SA495 （日本夏普公司 GF 9494收录机用小功率管）2 S A 495I II一 日本电子工业协会登记顺序号PNP高频管日本电子工业协会注册产品三极管（两个PN结）日本半导体器件型号命名法有如下特点：1）型号中的第一部分是数字，表示器件的类型和有效电极数。例如，用“1 ”表示二极管，用“ 2”表示三极管。而屏蔽用的接地电极不是有效电极。2）第二部分均为字母 S,

30、表示日本电子工业协会注册产品，而不表示材料和极性。3）第三部分表示极性和类型。例如用 A表示PNP型高频管，用J表示P沟道场效应三 极管。但是，第三部分既不表示材料，也不表示功率的大小。4）第四部分只表示在日本工业协会（ EIAJ ）注册登记的顺序号，并不反映器件的性能，顺序号相邻的两个器件的某一性能可能相差很远。例如，2SC2680型的最大额定耗散功率为200mW，而2SC2681的最大额定耗散功率为100W。但是，登记顺序号能反映产品时间的先后。登记顺序号的数字越大，越是近期产品。5）第六、七两部分的符号和意义各公司不完全相同。6）日本有些半导体分立器件的外壳上标记的型号，常采用简化标记的

31、方法，即把2S省略。例如，2SD764，简化为 D764，2SC502A简化为C502A。7）在低频管（2SB和2SD型）中，也有工作频率很高的管子。例如，2SD355的特征频率fT为100MHz，所以，它们也可当高频管用。8）日本通常把Pcm_1W的管子，称做大功率管。2常用半导体二极管的主要参数表13部分半导体二极管的参数类 型、参 数型、号、最大 整流 电流/mA正向 电流/mA正向压 降（在左 栏电流 值下）/V反向 击穿 电压N最高反 向工作 电压/V反向 电流/Ma零偏 压电 容/pF反向恢复 时间/ns普通2AP9.5>4020fH（MHz）1检波 二极 管2AP7<

32、16冷<1>150100仝50<1502AP11空530兰0fH（MHz）42AP17<1530<1乞00喳50<10锗2AK13010开 关2AK2>150<14020空鱼002AK5>2000.96040<150极 管2AK10耳0<170502AK136040<1502AK14>250弐.77050硅：2CK70AE习0开2CK71AE320丸.8A 230A >20<1.5关2CK72AE230B齊5B230一2CK73AES0C蚩0C齊0极2CK74AD>100D>75D50<

33、1管2CK75AD>150<1E90e3602CK76AD>200类 型、参、数 型 、 号最大 整流 电流/mA正向 电流/mA正向压 降（在左 栏电流 值下）/V反 击 电N向 穿 压最高反 向工作 电压/V反向 电流/MA零偏 压电 容/pF反向恢复时间/ns整2CZ52B25同2AP普通二极流 H20.1<1600管-二二2CZ53B50极 M60.3<11000管2CZ54B50 M100.5<110002CZ55B50 M201<110002CZ56B25 B653切.8-10001N40015040073011.1-510001N5391

34、505399501.51.4-1010001N540050540820031.21010003.常用整流桥的主要参数表14几种单相桥式整流器的参数参数型号不重复正向 浪涌电流/A整流电流/A正向电压降/V反向漏电/"反向工作电压/V最高工作结温/oCQL110.05弐2宜0常见的分档为：25，50， 100， 200， 400，500， 600， 700， 800，900， 1000130QL220.1QL460.3QL5100.5QL6201QL7402百5QL86034.常用稳压二极管的主要参数表15部分稳压二极管的主要参数、测试条件工作电流为 稳定电流稳定电 压下环境温度<

35、;50OC稳定电 流下稳定电流下环境温度< 10°c型 、数号稳定电压/V稳定电流/mA最大稳定电流/mA反向漏电 流动态电阻G电压温度系数/10-4/°c最大耗散功率/W2CW512.53.571空$0>-92CW523.24.555刍0>-82CW5345.841<1蚌0-642CW545.56.51038空0-350.252CW5678.827P <152CW578.59.826盘.5金0空2CW591011.820空02CW6011.512.5519如2CW10345.850165<100-642CW11011.512.52076

36、笛.50012CW11316191052笛.5如<112CW1A530240<012CW6C15307012CW7C6.06.51030<00.050.25.常用半导体三极管的主要参数(1) 3AX51(3AX31)型PNP型锗低频小功率三极管表163AX51(3AX31)型半导体三极管的参数原型号3AX31测试条件新型号3AX51A3AX51B3AX51C3AX51D极 限 参 数PcM(mW)100100100100Ta= 25oClcM(mA)100100100100TjM(oC)75757575BV cbo(V)爹0迫0>30>30l c= 1mABVce

37、o(V)32>12启18聲4lc= 1mA直 流 参 数Icbo( l-A)宜2<12<12<12Vcb=-10VIcEo( l-A)药00埶0乡00M00Vce = -6VIebo( l-A)丸2<12<12<12Veb = -6VhFE4015040150301002570VCE= -1V lc= 50mA交 流 参 数r f#Hz):¥00冷00冷00龙00V cb= -6V l e= 1mANF(dB)詔VcB= -2V lE= 0.5mA f = 1kHzhie(kQ)0.64.50.64.50.64.50.64.5VcB = -6

38、V lE= 1mA f = 1kHzhre(©0)22莹.2玄.2空.2hod 内)空0空0勺0自0hfehFE色标分档(红)2560;(绿)50100;(蓝)90150管脚E纟B(2) 3AX81型PNP型锗低频小功率三极管表17 3AX81型PNP型锗低频小功率三极管的参数型号3AX81A3AX81B测试条件极限 参数PcM(mW)200200IcM(mA)200200TjM(OC)7575BVcbo(V)-20-30lc= 4mABVceo(V)-10-15lc= 4mABVebo(V)-7-10lE = 4mA直流 参数Icbo(Ha)空0<15VcB = -6VIcE

39、O( HA)<1000弐00Vce = -6VIebo( HA)空0<15V eb =-6VVbes(V)切.6切.6Vce = -1V l c= 175mAVces(V)鱼.65空65Vce = V be V cb= 0 l c= 200mAhFE4027040270Vce = -1V l c= 175mA交流 参数fp<Hz)Vcb= -6V l e= 10mAhFE色标分档(黄)4055 (绿)5580 (蓝)80120 (紫)120180 (灰)180270 (白)270400管脚ES?4)c(3) 3BX31型NPN型锗低频小功率三极管表18 3BX31型NPN型锗

40、低频小功率三极管的参数型号3BX31M3BX31A3BX31B3BX31c测试条件极限 参数PcM(mW)125125125125Ta=25°CI cM(mA)125125125125TjM(oC)75757575BVcbo(V)-15-20-30-40Ic= 1mABV ceo(V)-6-12-18-24Ic= 2mABV ebo(V)-6-10-10-10IE= 1mA直流 参数1 CBO( MA)勺5莹0兰2Vcb= 6VI CEO-A)<1000空00审00M00V ce= 6VI EBO( !A)空5玄0乞2Veb= 6VVbes(V)或60606切.6V ce= 6

41、V I c = 100mAVces(V)切.65切.65切.65切.65V ce = Vbe Vcb = 0 I c= 125mAhFE80400401804018040180V ce= 1V I c = 100mA交流 参数ffkHz)>8陆65Vcb = -6V Ie= 10mAhFE色标分档(黄)4055 (绿)5580 (蓝)80120 (紫)120180 (灰)180270 (白)270400管脚BE忿)c3DG100(3DG6)型NPN型硅高频小功率三极管表193DG100(3DG6)型NPN型硅高频小功率三极管的参数原型号3DG6测试条件新型号3DG100A3DG100B3

42、DG100C3DG100D极 限 参 数PcM(mW)100100100100IcM(mA)20202020BVcbo(V )30羽0曲0蚩0Ic=100gABVceo(V )却3305200Ic=100gABV EBO(V )器Ie= 100MA直 流 参 数I CBO(从)鱼01笛.01空.01盘.01Vcb = 10VICEO(A)鱼1笛.1空.1盘.1vce= 10VIebo(a)鱼01空01001盘.011 Veb= 1.5VVbes(V)宜<1<1<1Ic= 10mA IB = 1mAVces(V)<1岂<1Ic= 10mA IB = 1mAhFE33

43、0530530530Vce= 10V I c = 3mA交 流 参 数fT(MHz)誇50>cb = 10V Ie = 3mA f = 100MHz Rl =5QKp(dB)富方习Vcb = -6V Ie = 3mA f = 100MHzCob(pF)2<4<4Vcb = 10V Ie = 0hFE色标分档(红)3060(绿)50110(蓝)90160(白)>150B管脚3DG130(3DG12)型NPN型硅高频小功率三极管表203DG130(3DG12)型NPN型硅高频小功率三极管的参数原型号3DG12测试条件新型号3DG130A3DG130B

44、3DG130C3DG130D极 限 参 数iPcM(mW)700700700700lcM(mA)300300300300BVcbo(V )>40>60> 40> 60lc= 100 gABVceo(V )>30>45> 30> 45I c= 100 gABV ebo(V )>4>4>4>4lE= 100 ma直 流 参 数|CBO( |-A)<0.5<0.5<0.5<0.5Vcb= 10VI ceo( l-A)<1<1<1<1Vce= 10VI ebo( l-A)<0.5<0.5<0.5<0.5Veb= 1.5VVbes(V)<1<1<1<1|c= 100mA I B= 10mAVces(V)<0.6<0.6<0.6<0.6lc= 100mA I B= 10mAhFE冷0>30> 30> 30V ce= 10V I c = 50mA交 流 参 数fT(MHz)>