内存芯片的大小ddr_百度文库

1、窗体底端教你如何分辨一片内存芯片的大小不同牌子的内存看法都不一样的，我收集了一些常用品牌的内存读法供参考：DDR SDRAM：HYNIX DDR SDRAM颗粒编号：HY XX X XX XX X X X X X X X - XX X1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 - 13 14整个DDRSDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。颗粒编号解释如下：1 HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。2 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）3 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V &a

2、mp; VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V &VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）4 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）5 内存条芯片结构：（44颗芯片；88颗芯片；1616颗芯片；3232颗芯片）6 内存bank（储蓄位）：（12 bank；24 bank；38 bank）7 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3

3、=SSTL_18）8 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）9 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）10封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；FFBGA；FCFBGA（UTC:8x13mm）11封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J其它；M=MCP（Hynix）；MUMCP（UTC）12 封装原料：（空白=普通；P=铅；H卤素；R=铅+卤素）13 速度：（D43DDR400 3-3-3；D4=DDR4003-4-4；JDDR333；MDDR333 2-2-2；KDDR266A；HDDR266B；LDDR200）14 工作温度：（I=工业常温（

4、-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度）由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDRSDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR200）注：有的编码没有那么长，但几个根本的数字还是有的LGS的内存可以说是目前市场上见到的最多，也是最广泛的内存了，所以LGS应该首先排第一位。LGS的内存编码规则：GM 72 X XX XX X X X X X XXX1 2 3 4 5 6 7

5、8 9 10 11定义：1、GM代表LGS公司。2、72代表SDRAM。3、V代表3V电压。4、内存单位容量和刷新单位：其中：16：16M，4K刷新；17：16M，2K刷新；28：128M，4K刷新；64： 64M，16K刷新。65：64M，8K刷新；66：64M，4K刷新。5、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。6、芯片组成：1：1BAND，2：2BANK，4：4BANK，8：8BANK7、IO界面：一般为18、产品系列：从A至F。9、功耗：空白则是普通，L是低功10、封装模式：一般为T（TSOP）11、速度：其中：8：8NS，7K：10NS（CL2），7J（10NS，

6、CL2&3），10K（10NS一说15NS，PC66）， 12（12NS，83HZ），15（15NS，66HZ）二、HY（现代HYUNDAI）现代是韩国著名的内存生产厂，其产品在国内的占用量也很大。HY的编码规则：HY 5X X XXX XX X X X X XX XX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11定义：1、HY代表现代。2、一般是57，代表SDRAM。3、工艺：空白则是5V，V是3V。4、内存单位容量和刷新单位：16：16M4K刷新；64：64M，8K刷新；65：64M，4K刷新；128：128M， 8K刷新；129：128M，4K刷新。5、数据带宽：40：4位，80

7、：8位，16：16位，32：32位。6、芯片组成：1：2BANK，2：4BANK；3：8BANK；7、IO界面：一般为08、产品线：从AD系列9、功率：空白则为普通，L为低功耗。10、封装：一般为TC（TSOP）11、速度：7：7NS，8：8NS，10P：10NS（CL2&3），10S：10NS，（PC100，CL3），10：10NS，12： 12NS，15：15NS三、SEC（三星SAMSUNG）做为韩国著名的电器厂商，三星的重要性不必多说，在内存方面，三星的产量虽然不及上两者大，但是三星一直专注于高品质、高性能的产品。三星的标识不是很容易的就可以读出来，而且三星的产品线较全，所以品

8、种非常多，此处仅供普通SDRAM参考。SEC编码规则：KM4 XX S XX 0 X X XTXX1 2 3 4 5 6 7 89 10 111、KM代表SEC三星，此处编码一般均为4。2、数据带宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位。3、一般均为S4、这个数乘以S前边的位数就是内存的容量。5、一般均为06、芯片组成：2：2BANK，3：4BANK7、IO界面：一般为08、版本号9、封装模式：一般为T：TSOP10、功耗：F低耗，G普通11、速度：7：7NS，8：8NS，H：10NS（CL2&3），L：10NS（CL3），10：10NS。四、MT（MICRON美凯龙）美凯龙

9、是美国著名的计算机生产商，同时也是一家计算机设备制造商，其内存的产品闻名全美国，被广泛的机器所采用。美凯龙内存的品质优异，但价格较韩国的产品略高。MT48 XX XX M XX AX TGXX X1 2 3 4 5 6 7 8 9 101、MT代表美凯龙MICRON2、48代表SDRAM。3、一般为LC：普通SDRAM4、此数与M后位数相乘即为容量。5、一般为M6、位宽：4：4位，8：8位，16：16位，32：32位7、AX代表write Recovery(twr，A2则代表twr=2clk8、TG代表TSOP封装模式。9、速度：7：7NS，75：75NS，8X：8NS（其中X为从A到E：读取

10、的周期分别是：333，323，322， 222，222，所以D和E较好），10：10NS10、如有L则为低功耗，空白则为普通。五、HITACHI（日立HITACHI）日立是日本的著名的微电子生产厂，其内存虽然在市场上占有量不大，但品质还是不错的！HM 52 XX XX 5 X X TT XX1 2 3 4 5 6 7 8 91、HM代表日立。2、52代表SDRAM，51则为EDO3、容量4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位5、一般为56、产品系列：AF7、功耗：L为低耗，空白则为普通8、TT为TSOP封装模式9、速度：75：75NS，80：8NS，A60：10NS（CL2&3

11、），B60：10NS（CL3）六、SIEMENS（西门子）西门子是德国最大的产业公司，其产品包罗万向，西门子的电子产品也是欧洲最大的品牌之一（另一是PHILIPS）。西门子的内存产品多为台湾的OEM厂商制造的，产品品质还算不错。HYB39S XX XX 0 X T X X1 2 3 4 5 6 7 8 91、HYB代表西门子2、39S代表SDRAM3、容量4、位宽：40：4位，80：8位，16：16位5、一般为06、产品系列7、一般为T8、L为低耗，空白为普通9、速度：6：6NS，7：7NS，75：75NS，8：8NS（CL2），8B：10NS（CL3），10：10NS七、FUJITSU（富士

12、通FUJITSU）富士通是日本专业的计算机及外部设备制造商，他的内存产品主要是供应OEM商，市场上仅有少量零售产品。MB81 X XX XX X2 XXXX X FN1 2 3 4 5 6 7 8 91、MB81代表富士通的SDRAM2、PC100标准的多为F，普通的内存为13、容量4、位宽：4：位，8：8位，16：16位，32：32位5、芯片组成：22：2BANK，42：4BANK6、产品系列7、速度：60：6NS，70：7NS，80：8NS，102：10NS（CL2&3），103：10NS（CL3），100：10NS，84： 12NS，67：15NS八、TOSHIBA（东芝）东芝是

13、日本著名的电器制造商，其在高端领域也有产品，例如计算机产品及通讯卫星等等。TOSHIBA的内存产品在市场上见到的不多。TC59S XX XX X FT XXX1 2 3 4 5 6 7 81、TC代表东芝2、59S代表普通SDRAM3、容量：64：64MBIT，128：128MBIT4、位宽：04：4位，08：8位，16：16位，32：32位5、产品系列：AB6、FT为TSOP封装模式7、空白为普通，L为低功耗8、速度；75：75NS，80：8NS，10：10NS（CL3）九、MITSUBISHI（三菱）三菱是日本的一家汽车制造公司，因其多元化发展，所以在IT业和家电业也有产品，三菱的微集成电路技术不同一般，所以其在内存领域也占有一席之地，因为速度、品质优异，而成为INTEL的PIIPIIICPU的缓存供应商。普通SDR