第一章绪论,电子,器件

1、 半导体器件工艺原理 课程内容：随着半导体芯片加工水平的不课程内容：随着半导体芯片加工水平的不断提高，芯片的最小线宽在不断减小，工断提高，芯片的最小线宽在不断减小，工艺的提高导致了具有更高集成度和可靠性艺的提高导致了具有更高集成度和可靠性的集成电路的产生，从而推动了电子工业的集成电路的产生，从而推动了电子工业的革命。半导体器件工艺介绍了芯片制造的革命。半导体器件工艺介绍了芯片制造工艺的基本流程，其中包括晶体生长技术、工艺的基本流程，其中包括晶体生长技术、硅的氧化技术、光刻和刻蚀技术、半导体硅的氧化技术、光刻和刻蚀技术、半导体掺杂的主要技术、各种薄层淀积，最后介掺杂的主要技术、各种薄层淀积，最后

2、介绍了集成电路制造流程中的一些关键问题：绍了集成电路制造流程中的一些关键问题：钝化、隔离和化学清洗。钝化、隔离和化学清洗。 概述概述 在在20世纪，我们可以看到从机械技术派生出的世纪，我们可以看到从机械技术派生出的产品已经发展到现在的集中电子技术产品。比如产品已经发展到现在的集中电子技术产品。比如说，从磁带播放机到数字说，从磁带播放机到数字CD机，到现在的机，到现在的MP3，MP4,MP5；汽车的控制系统越来越智能化人性化；汽车的控制系统越来越智能化人性化；电脑更是在社会普及，我们现在无论是工作还是电脑更是在社会普及，我们现在无论是工作还是学习或者是生活中根本离不开电脑，它在各个方学习或者是生

3、活中根本离不开电脑，它在各个方面起着作用。那么这些电子产品的不断更新换代，面起着作用。那么这些电子产品的不断更新换代，正是不断发展的电子技术所导致的必然结果。正是不断发展的电子技术所导致的必然结果。 半导体产业半导体产业正是这场技术革命的中心。主要正是这场技术革命的中心。主要建筑材料建筑材料半导体半导体是贯穿整个电子产品的要素。是贯穿整个电子产品的要素。半导体产品是由具有不同技术技巧的人们制造的：半导体产品是由具有不同技术技巧的人们制造的：比如说根据客户需要创造新设计的设计师，根据比如说根据客户需要创造新设计的设计师，根据设备和工艺要求而改善性能的工程师以及在自动设备和工艺要求而改善性能的工程

4、师以及在自动化工厂制造半导体产品的技师。总体的趋势就是化工厂制造半导体产品的技师。总体的趋势就是增长着的半导体市场不断要求以更低的成本获得增长着的半导体市场不断要求以更低的成本获得更好的性能。更好的性能。本章学习的目标：本章学习的目标： 了解目前的经济状态和半导体产业的技术基础了解目前的经济状态和半导体产业的技术基础 了解芯片制造一些术语了解芯片制造一些术语 知道什么是集成电路和分立器件，以及之间的区别知道什么是集成电路和分立器件，以及之间的区别 了解半导体工艺的基本步骤了解半导体工艺的基本步骤 清楚半导体产业的发展趋势清楚半导体产业的发展趋势 专业术语专业术语 硅片硅片：制造电子器件的基本半

5、导体材料，：制造电子器件的基本半导体材料，圆形单晶薄片圆形单晶薄片 芯片芯片：在硅片制造厂，由硅片生产的半导：在硅片制造厂，由硅片生产的半导体产品体产品 晶圆晶圆：多指单晶硅圆片，由普通硅沙拉制：多指单晶硅圆片，由普通硅沙拉制提炼而成，按其直径分为提炼而成，按其直径分为4英寸、英寸、5英寸、英寸、6英寸、英寸、 8英寸，英寸，12英寸甚至更大规格。英寸甚至更大规格。 前后工序前后工序：IC制造过程被称为前工序，制造过程被称为前工序， 是最是最要害的技术；流片后，其切割、要害的技术；流片后，其切割、 封装等工序封装等工序被称为后工序被称为后工序线宽线宽：是指：是指IC工艺可达到的最小导线宽度，是

6、工艺可达到的最小导线宽度，是IC工艺先进水平的主要指标工艺先进水平的主要指标封装封装：指把硅片上的电路管脚，用导线接引到：指把硅片上的电路管脚，用导线接引到外部接头处，以便与其它器件连接外部接头处，以便与其它器件连接芯片制造芯片制造:通过一定的工艺技术将一些元器件（晶体通过一定的工艺技术将一些元器件（晶体 管、电阻、电容等）制作在一块晶片上，管、电阻、电容等）制作在一块晶片上， 完成一定功能的电子器件，制作十分精完成一定功能的电子器件，制作十分精 细，复杂，它的发展与其它科技（材料科细，复杂，它的发展与其它科技（材料科 学、计算机科学、通讯科学、宇航学）紧学、计算机科学、通讯科学、宇航学）紧

7、密联系在一起。密联系在一起。 电信号处理工业始于上个世纪初的真空管，真空电信号处理工业始于上个世纪初的真空管，真空管具有开关和放大功能，它使得收音机、电视机管具有开关和放大功能，它使得收音机、电视机和其他电子产品成为可能。它也是世界上第一台和其他电子产品成为可能。它也是世界上第一台计算机的大脑。计算机的大脑。真空管的缺点是体积大（导致真空泄露、易碎）、真空管的缺点是体积大（导致真空泄露、易碎）、 功耗大（相对较多电能来运行），寿命短（元件老功耗大（相对较多电能来运行），寿命短（元件老 化快）。主要缺点是易烧毁导致运行时间有限。当化快）。主要缺点是易烧毁导致运行时间有限。当 时这些问题成为许多科

8、学家寻找真空管替代品的时这些问题成为许多科学家寻找真空管替代品的 力，这个努力在力，这个努力在 1947年年12月月23日日 得以实现。也就得以实现。也就 是第一只是第一只Ge合金合金 管的诞生。如图所示。管的诞生。如图所示。 GeGe合金管的缺点是工作温度低，电性能差。合金管的缺点是工作温度低，电性能差。 5050年代随着硅平面制造工艺的出现，很快就出现年代随着硅平面制造工艺的出现，很快就出现了用硅材料制造的晶体管。了用硅材料制造的晶体管。 由于硅材料的制造温度由于硅材料的制造温度( (熔点温度熔点温度1415)1415)和硅晶和硅晶体管的工作温度都优于锗体管的工作温度都优于锗( (熔点温度

9、熔点温度937) 937) ，加，加之之SiOSiO2 2的天然生成使得硅晶体管很快取代了的天然生成使得硅晶体管很快取代了GeGe晶晶体管。体管。 固态技术不仅用于制造晶体管，还包括二极管、固态技术不仅用于制造晶体管，还包括二极管、电阻器和电容器。电阻器和电容器。 分立器件：每个芯片只含有一个器件分立器件：每个芯片只含有一个器件 将多个电子元件以相互联系的状态集将多个电子元件以相互联系的状态集成在一个硅衬底上或绝缘材料薄层片成在一个硅衬底上或绝缘材料薄层片子上，再用一个管壳将其封装起来，子上，再用一个管壳将其封装起来，构成一个完整的、具有一定功能的电构成一个完整的、具有一定功能的电路或系统，被

10、称为集成电路或简称路或系统，被称为集成电路或简称IC。 最早的集成电路仅是几个晶体管、二极管、电容最早的集成电路仅是几个晶体管、二极管、电容器、电阻器组成，而且是在锗材料上实现的，是器、电阻器组成，而且是在锗材料上实现的，是由德州仪器公司的杰克由德州仪器公司的杰克基尔比发明的。基尔比发明的。如图所如图所示。下面的图是用平面技术制造的晶体管。示。下面的图是用平面技术制造的晶体管。坪区输出-V+V 可以大致以集成在一块芯片上的元件数划分集成可以大致以集成在一块芯片上的元件数划分集成时代。时代。电路集成电路集成半导体产业周期半导体产业周期每个芯片元件数每个芯片元件数没有集成没有集成1960年之前年之

11、前1SSI20世纪世纪60年代前期年代前期250MSI20世纪世纪60年代到年代到70年代前期年代前期505000LSI20世纪世纪70年代前期年代前期到到70年代后期年代后期5000100000VLSI20世纪世纪70年代后期年代后期到到80年代前期年代前期1000001000000ULSI20世纪世纪90年代后期年代后期至今至今大于大于 从一开始，半导体工业就呈现出在新工艺和器件从一开始，半导体工业就呈现出在新工艺和器件结构设计上的持续发展。工艺的提高导致了具有结构设计上的持续发展。工艺的提高导致了具有更高集成度和可靠性集成电路的产生。更高集成度和可靠性集成电路的产生。 工艺的改进是指以更

12、小尺寸来制造器件和电路，工艺的改进是指以更小尺寸来制造器件和电路，并使之具有更高的密度，更多的数量和更高的可并使之具有更高的密度，更多的数量和更高的可靠性。靠性。 结构的改进是指新器件设计上的发明使电路的性结构的改进是指新器件设计上的发明使电路的性能更好，实现更佳的能耗控制和更高的可靠性。能更好，实现更佳的能耗控制和更高的可靠性。 器件的尺寸和数量是器件的尺寸和数量是ICIC发展的两个共同目发展的两个共同目标。标。 设计中的最小尺寸称为特征尺寸，将此定设计中的最小尺寸称为特征尺寸，将此定义为制造复杂性水平的标准。义为制造复杂性水平的标准。 通常用微米来表示。通常用微米来表示。 Gordon M

13、ooreGordon Moore在在19641964年预言年预言ICIC的密度每隔的密度每隔1818个月将翻一番，个月将翻一番，-摩尔定律。摩尔定律。 集成电路工业发展的另一些规律集成电路工业发展的另一些规律 建立一个芯片厂的造价也是每建立一个芯片厂的造价也是每3年乘以年乘以4；线条宽度每线条宽度每6年下降一半；芯片上每个器件年下降一半；芯片上每个器件的价格每年下降的价格每年下降30%40%； 晶片直径的变化：晶片直径的变化：60年：年：0.5英寸，英寸，65年：年：1英寸，英寸，70年：年：2英寸，英寸，75年：年：3英寸，英寸，80年：年：4英寸，英寸，90年：年：6英寸，英寸，95年：年

14、：8英寸英寸（200mm），2000年：12英（300mm）。 集成电路的发展展望目标：集成度集成电路的发展展望目标：集成度、可、可靠性靠性 、速度、速度 、功耗、功耗、成本、成本 努力方向：线宽努力方向：线宽 、晶片直径、晶片直径 、设计技、设计技术术 美国美国19972012年半导体技术发展规划年半导体技术发展规划 可以看出，专家们认为，至少在未来可以看出，专家们认为，至少在未来10年年内，内，IC的发展仍将遵循摩尔定律，即集成度的发展仍将遵循摩尔定律，即集成度每每3年乘以年乘以4，而线宽则是每，而线宽则是每6年下降一半。年下降一半。 硅技术过去一直是，而且在未来的一段时硅技术过去一直是，

15、而且在未来的一段时期内也还将是微电子技术的主体。目前硅器期内也还将是微电子技术的主体。目前硅器件与集成电路占了件与集成电路占了2000多亿美元的半导体市多亿美元的半导体市场的场的95%以上。以上。 单个元件特征尺寸的的减小推动了集成电路的发单个元件特征尺寸的的减小推动了集成电路的发展展 预期到预期到2012年特征尺寸会减小到年特征尺寸会减小到50纳米纳米 特征尺寸的减小和电路密度的提高产生的结果是：特征尺寸的减小和电路密度的提高产生的结果是：信号传输距离的缩短和电路速度的提高，芯片或信号传输距离的缩短和电路速度的提高，芯片或电路功耗更小电路功耗更小 在一个硅片上芯片数的不同取决于产品的类型和在

16、一个硅片上芯片数的不同取决于产品的类型和每个芯片的尺寸。芯片尺寸取决于在一个芯片集每个芯片的尺寸。芯片尺寸取决于在一个芯片集成的水平。成的水平。 在圆形的晶圆上制造方形或长方形的芯片导致在在圆形的晶圆上制造方形或长方形的芯片导致在晶圆的边缘处剩余一些不可使用的区域，当芯片晶圆的边缘处剩余一些不可使用的区域，当芯片的尺寸增大时这些不可使用的区域也随之增大，的尺寸增大时这些不可使用的区域也随之增大，为了弥补损失，半导体业采用更大尺寸的晶圆。为了弥补损失，半导体业采用更大尺寸的晶圆。 硅片的尺寸多年来一直在增大，从最初的不到硅片的尺寸多年来一直在增大，从最初的不到1英寸到现在的英寸到现在的12英寸的

17、转变。英寸的转变。 半导体业大致可分为上游的晶圆制造、中半导体业大致可分为上游的晶圆制造、中游的游的IC制造、下游制造、下游IC封装及其周边相关的封装及其周边相关的光罩、设计、应用等产业。光罩、设计、应用等产业。 目前有三类企业：一种是集设计、制造、目前有三类企业：一种是集设计、制造、封装和市场销售为一体的公司；另一类是封装和市场销售为一体的公司；另一类是做设计和销售的公司，他们是从芯片生产做设计和销售的公司，他们是从芯片生产厂家购买芯片；还有一种是芯片生产工厂厂家购买芯片；还有一种是芯片生产工厂（晶圆代工厂），他们可以为顾客生产多（晶圆代工厂），他们可以为顾客生产多种类型的芯片。种类型的芯片

18、。 半导体器件制造分半导体器件制造分4 4个不同阶段：个不同阶段： 1.1.材料准备材料准备 2.2.晶体生长与晶圆准备晶体生长与晶圆准备 3.3.芯片制造芯片制造 4.4.封装封装材料准备晶体生长与晶圆准备晶圆制造封装每个电路进行 电测试制造在晶 圆上制 造单个电路电性测试（芯片分捡）封装良品芯片被封 装并测 试良品 开发的十年（开发的十年（5160）20世纪世纪50年代是各种半导体晶体管技术发展丰收的年代是各种半导体晶体管技术发展丰收的时期。随着时期。随着1959年集成电路的发明，产业准备好用年集成电路的发明，产业准备好用固体晶体管技术作为真空管的替代品并且开发新固体晶体管技术作为真空管的

19、替代品并且开发新的应用市场。的应用市场。早期商业化的晶体管是双极型的，直到早期商业化的晶体管是双极型的，直到20世纪世纪70年年代一直占统治地位。代一直占统治地位。 双极双极是指晶体管具有工作在正电流和负电流是指晶体管具有工作在正电流和负电流情况下的结构。情况下的结构。 其他制作固态晶体管的主要方法是场效应管其他制作固态晶体管的主要方法是场效应管（FET),只用一种类型的电流来工作，叫只用一种类型的电流来工作，叫单极单极器件器件。大量上市的。大量上市的FET是具有以一种称为金属是具有以一种称为金属氧化物（氧化物（MOS）结构的晶体管。）结构的晶体管。 1956年和年和1957年扩散结技术和氧化

20、膜技年扩散结技术和氧化膜技术取得了进步。术取得了进步。 氧化膜的发展带来了硅的时代。氧化膜的发展带来了硅的时代。 这些技术的发展，引入了平面技术。这些技术的发展，引入了平面技术。 贝尔实验室构思出在晶圆表面淀积外延层，贝尔实验室构思出在晶圆表面淀积外延层，再在其上形成晶体管技术。再在其上形成晶体管技术。总结：总结：20世纪世纪50年代是半导体发展的黄金时年代是半导体发展的黄金时期，几乎所有基本的工艺和材料都在这个期，几乎所有基本的工艺和材料都在这个时期内开发出来的。时期内开发出来的。 工艺的十年（工艺的十年（6170）在在20世纪世纪60年代，半导体产业进入面向解决生产半年代，半导体产业进入面

21、向解决生产半导体集成电路基本问题的时代。这是集成电路的开导体集成电路基本问题的时代。这是集成电路的开始以及小规模集成电路时代。始以及小规模集成电路时代。这个时期涌现出了许多新的芯片制造商，使得需要这个时期涌现出了许多新的芯片制造商，使得需要开发高产量的工艺来制造低价格的芯片。这十年里，开发高产量的工艺来制造低价格的芯片。这十年里，技术不断地传播。技术不断地传播。 产品的十年（产品的十年（7180）20世纪世纪70年代，半导体制造从实验室小批量生产发年代，半导体制造从实验室小批量生产发展到了生产线的大批量制造，也形成了产量与利润展到了生产线的大批量制造，也形成了产量与利润之间的关系。之间的关系。

22、现存的工艺水平，阻碍了更高水平的电路产品的产现存的工艺水平，阻碍了更高水平的电路产品的产量。工艺过程的自动化，提高了产量和产品的一致量。工艺过程的自动化，提高了产量和产品的一致性。性。工艺与设备的结合，这个时期的发展就面向了全世工艺与设备的结合，这个时期的发展就面向了全世界，工艺的提高使得人们对固体器件物理有了更细界，工艺的提高使得人们对固体器件物理有了更细致的理解。致的理解。 自动化的十年（自动化的十年（8190）来自市场的压力成为工艺过程自动化的首要动力，来自市场的压力成为工艺过程自动化的首要动力，其次是越来越多的工艺步骤。特征图形尺寸的每次其次是越来越多的工艺步骤。特征图形尺寸的每次减小

23、都会带来新的问题，如更多的金属层要求更多减小都会带来新的问题，如更多的金属层要求更多的工艺步骤。的工艺步骤。大多数的工艺实现自动化后，大多数的工艺实现自动化后，20世纪世纪80年代的焦点年代的焦点是如何从生产区域去掉操作人员和如何实现材料的是如何从生产区域去掉操作人员和如何实现材料的自动运输。由于人是主要的污染源，要求将操作人自动运输。由于人是主要的污染源，要求将操作人员减到最少，达到无人化的目标。员减到最少，达到无人化的目标。各种趋势促使制造商设计更加复杂的芯片，新设计各种趋势促使制造商设计更加复杂的芯片，新设计又给制造商提出了新的挑战而导致新工艺的开发。又给制造商提出了新的挑战而导致新工艺

24、的开发。在这些精密复杂的水平上，就需要机器的自动化来在这些精密复杂的水平上，就需要机器的自动化来完成工艺控制和重复性。完成工艺控制和重复性。20世纪世纪80年代初，美国和欧洲占据统治地位，但日年代初，美国和欧洲占据统治地位，但日本半导体生产商正在崛起，随之而来的是本半导体生产商正在崛起，随之而来的是“四小龙四小龙”（中国香港，台湾，新加坡和韩国）半导体产业的（中国香港，台湾，新加坡和韩国）半导体产业的发展，使得半导体工业成为世界范围的工业。发展，使得半导体工业成为世界范围的工业。 产品的纪元（产品的纪元（9100）90年代初，生产芯片的特征尺寸缩小到年代初，生产芯片的特征尺寸缩小到1微米以下。

25、微米以下。到了到了90年代末期，最小的特征尺寸是年代末期，最小的特征尺寸是0.18微米。微米。亚微米工艺几何尺寸开创甚大规模集成电路时代，亚微米工艺几何尺寸开创甚大规模集成电路时代，高性能集成电路包含高性能集成电路包含1000万个晶体管或更多。高集万个晶体管或更多。高集成度芯片要求更多层电路互连，制造芯片多达成度芯片要求更多层电路互连，制造芯片多达450多道工艺步骤。多道工艺步骤。这十年的主要技术改变就是铜连线。这十年的主要技术改变就是铜连线。 极小的纪元极小的纪元这个时期，纳米正在被广泛使用。器件尺寸变得更这个时期，纳米正在被广泛使用。器件尺寸变得更小，带来更快的运行速度和更高的密度。小，带

26、来更快的运行速度和更高的密度。更小的栅极更易受污染的干扰，这将推动更洁净的更小的栅极更易受污染的干扰，这将推动更洁净的化学品和工艺的发展。随着器件之间更加紧凑，要化学品和工艺的发展。随着器件之间更加紧凑，要求更多层的金属连线层结构，而同时，要保持表面求更多层的金属连线层结构，而同时，要保持表面足够平以满足光刻的要求，更多的金属连线，带来足够平以满足光刻的要求，更多的金属连线，带来更高的电阻，那么新金属材料，铜也成为了需要。更高的电阻，那么新金属材料，铜也成为了需要。晶圆的直径将会达到晶圆的直径将会达到450毫米以上。毫米以上。到到2012年，将达到硅晶体管基本物理上的极限。年，将达到硅晶体管基

27、本物理上的极限。1.全球半导体产业向中国大陆转移全球半导体产业向中国大陆转移 全球半导体产业向我国转移的理由有三条：全球半导体产业向我国转移的理由有三条：（1）有巨大的市场并持续高速发展；（）有巨大的市场并持续高速发展；（2）有低）有低廉的劳动力；（廉的劳动力；（3）有良好的投资环境。从而导）有良好的投资环境。从而导致世界顶级半导体公司纷纷在中国建线办厂，大致世界顶级半导体公司纷纷在中国建线办厂，大量海归派回国创业，至量海归派回国创业，至2003年年10月，我国半导体月，我国半导体企业总数达企业总数达700家左右，其中家左右，其中IC设计业设计业450家、芯家、芯片制造业片制造业49家、封装测

28、试业家、封装测试业108家、半导体分立家、半导体分立器件器件129家。家。2.我国半导体产业发展近况我国半导体产业发展近况 目前目前, 以集成电路为核心的电子信息产业早已取代以集成电路为核心的电子信息产业早已取代石油、钢铁等传统产业石油、钢铁等传统产业, 成为全球第一大产业。成为全球第一大产业。世界集成电路销售额年均增长速度为世界集成电路销售额年均增长速度为15%,2010年年将达到将达到5000亿美元左右。据统计亿美元左右。据统计, 从从2000年到年到2006 年年, 中国芯片投资额超过中国芯片投资额超过150 亿美元亿美元,相当于相当于过去过去20年总和的年总和的5倍。倍。2008年中国

29、半导体市场从年中国半导体市场从2007年的年的750亿美元上升到亿美元上升到810亿美元亿美元, 增长增长7%。同时同时, 中国国内半导体设计市场预计到中国国内半导体设计市场预计到2012 年末年末将达到将达到420 亿美元亿美元, 远高于远高于2008年的年的280亿美元亿美元 中国集成电路产业在芯片生产线建设方面仍保持中国集成电路产业在芯片生产线建设方面仍保持旺盛的势头。受到海力士和旺盛的势头。受到海力士和ST合资兴建的合资兴建的12inch 生产线投产以及中芯国际在北京生产线投产以及中芯国际在北京12 inch生产线产能生产线产能提升的有利带动提升的有利带动。 2007年展讯通信、南通富

30、士通、天水华天等年展讯通信、南通富士通、天水华天等数家半导体企业先后在美国纳斯达克和国内上市数家半导体企业先后在美国纳斯达克和国内上市, 国内半导体领域上市公司已经达到国内半导体领域上市公司已经达到19 家。家。 2007年年3月月26日日, 全球最大的半导体制造商英特全球最大的半导体制造商英特尔宣布投资尔宣布投资25亿美元在大连建一家芯片制造厂亿美元在大连建一家芯片制造厂, 这是跨国公司在华最大的一笔投资。大连工厂这是跨国公司在华最大的一笔投资。大连工厂2010年建成后年建成后, 中国将成为继美国、爱尔兰以及以色列中国将成为继美国、爱尔兰以及以色列之后第四个能生产英特尔处理器的国家。大连工厂

31、之后第四个能生产英特尔处理器的国家。大连工厂也是英特尔在全球投资建设的第八家也是英特尔在全球投资建设的第八家300mm (12 inch) 芯片工厂芯片工厂, 它有望填补我国技术空白。它有望填补我国技术空白。 2008年年9月月22 日日, 武汉中芯国际正式投产。耗武汉中芯国际正式投产。耗资过百亿元的一期工程资过百亿元的一期工程, 也是我国中部地区第一条也是我国中部地区第一条12 inch芯片生产线。武汉中芯国际又称武汉芯片厂芯片生产线。武汉中芯国际又称武汉芯片厂, 一期工程由省、市、区三级财政共同投资过百亿一期工程由省、市、区三级财政共同投资过百亿元元, 委托中芯国际集成电路制造公司经营管理

32、。据委托中芯国际集成电路制造公司经营管理。据介绍介绍, 这条这条12 inch芯片生产线是建国以来湖北省单芯片生产线是建国以来湖北省单体投资规模最大的高科技制造项目。体投资规模最大的高科技制造项目。 12 inch芯片是全球最高端的芯片产品芯片是全球最高端的芯片产品, 广泛用广泛用于手机、电脑、电视机等电子产品于手机、电脑、电视机等电子产品, 目前世界上只目前世界上只有有46条生产线。中芯国际目前是世界第三大芯片制条生产线。中芯国际目前是世界第三大芯片制造商造商, 也是中国大陆规模最大、制造实力最强的芯也是中国大陆规模最大、制造实力最强的芯片企业。片企业。 另据统计另据统计, 至至2007年年

33、底年年底, 国内已经涉足集成电国内已经涉足集成电路制造产业的城市有上海、北京、深圳、天津、无路制造产业的城市有上海、北京、深圳、天津、无锡、苏州、成都、武汉、重庆、大连、昆山、南通锡、苏州、成都、武汉、重庆、大连、昆山、南通有意向投资的集成电路产业的还有合肥、济南、有意向投资的集成电路产业的还有合肥、济南、沈阳等城市。在集成电路设计产业方面沈阳等城市。在集成电路设计产业方面, 除了原有除了原有的的7 个国家集成电路产业化基地个国家集成电路产业化基地(北京、上海、深圳北京、上海、深圳、无锡、成都、西安、杭州、无锡、成都、西安、杭州)之外之外, 跟进投资集成电跟进投资集成电路设计产业化平台的城市还

34、有苏州、武汉、青岛、路设计产业化平台的城市还有苏州、武汉、青岛、福州、天津、厦门、广州、珠海、重庆、南京等。福州、天津、厦门、广州、珠海、重庆、南京等。在这些城市当中在这些城市当中, 尤以上海和苏州为最。尤以上海和苏州为最。 目前目前, 上海仍然是全国集成电路芯片制造业最为上海仍然是全国集成电路芯片制造业最为集中、最具产能规模、技术水平相对最为先进的产集中、最具产能规模、技术水平相对最为先进的产业基地业基地, 也是全国最主要的集成电路芯片代工基地。也是全国最主要的集成电路芯片代工基地。 自自2002年以来年以来, 苏州市集成电路产业以每年超过苏州市集成电路产业以每年超过30%的速度快速发展。目前全市共聚集了约的速度快速发展。目前全市共聚集了约60家集家集成电路设计企业成电路设计企业, 已成为国内集成电路封测技术水已成为国内集成电路封测技术水平最高、设备最先进、人才最集中的地区。平最高、设备最