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精选优质文档-倾情为你奉上例题 : Cu晶体的空位形成能Ev为0.9ev/atom，或1.44×1019 J/atom，材料常数A取作1，玻尔兹曼常数k1.38×10 23 J/K，计算：（已知Cu的摩尔质量为MCu63.54g/mol， 500下Cu的密度Cu8.96 ×106 g/m3 ) 1）在500下，每立方米Cu中的空位数目。2） 500下的平衡空位浓度。解：首先确定1m3体积内Cu原子的总数：1） 将N代入空位平衡浓度公式，计算空位数目nv2） 2）计算空位浓度即在500时，每106个原子中才有1.4个空位制作半导体元件时,常在Si表面沉积一薄层硼,然后加热使之扩散.测得1100时硼的扩散系数DB=4×10-7m2/s , 硼的薄膜质量M为：M=9.43×1019个原子.求:扩散时间t=7×107S后表面(x=0)硼的浓度.解:将已知条件代入个原子/m3C0 =0.1C （纲件原始浓度），CS 1（钢件渗碳后表层C），渗碳温度为9301.61×1012m2/s求：渗碳4小时以后在x0.2mm处的碳浓度（C）值。解：先求误差函数 0.657 查误差函数表可知：er
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