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文档简介

1、小规模集成电路(Small Scale IC，SSI)中规模集成电路(Medium Scale IC，MSI)大规模集成电路(Large Scale IC，LSI)超大规模集成电路(Very Large Scale IC，VLSI)甚大规模集成电路(Ultra Large Scale IC，ULSI)2 液液：盐酸/过氧化氢/去离子水1：1：6 使用方法：75 85，侵泡1020分 作用：去除硅片表面的金属杂质使用1液（SC1）和2#液（SC2）清洗又称为RCA清洗，是美国无线电公司（RCA公司）提出的 二氧化硅是半导体集成电路制造的基础二氧化硅是半导体集成电路制造的基础X 自然氧化层很薄（在

2、自然氧化层很薄（在40埃左右），非常疏松，埃左右），非常疏松， 因此不能用来制造半导体器件因此不能用来制造半导体器件n Si在常温自然环境中产生自然氧化层（在常温自然环境中产生自然氧化层（ SiO2 ） 半导体使用的二氧化硅均为非晶态结构：半导体使用的二氧化硅均为非晶态结构： 栅氧化层、场氧化层、石英玻璃栅氧化层、场氧化层、石英玻璃242426SiO +4HFSiF +2H OSiF +2HFH (SiF )1)、余误差函数分布、余误差函数分布（恒定表面源扩散条件恒定表面源扩散条件）2)、高斯函数分布、高斯函数分布（有限表面源扩散条件（有限表面源扩散条件）杂质扩散后的参数表征杂质扩散后的参数表征杂质浓度分布函数杂质浓度分布函数方块电阻间接地表征了在半导体中掺入的杂质总量。方块电阻可以通过四探针测试仪进行测量。结深：杂质扩散浓度分布曲线与衬底掺杂浓度曲线的交点的位置称为杂质扩散的结深。结深可以通过磨角法、滚槽法测量

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