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1、CMOS Analog DesignHome work 1 SolutionBy: 张涛()2007年3月18日作业内容:一、书本上的习题2.22.5 (a)、(b)、(c)2.6 (a)、(b)2.72.152.82.182.24参考解答过程2.2.(1)对于NMOS,工作在饱和区时,有: = = (忽略沟长调制效应) =3.66mAV =20 A=73.3(2)对于PMOS,公式基本同上 = = (忽略沟长调制效应) =1.96mAV =10 A=19.62.5a.若不考虑二级效应,则 = 实际情况下,由于衬偏效应会影响 IXVX曲线图b.(1)当01时,S、D反向VGS-VTH=1.2-
2、VX VDS此时,NMOS处于S、D方向的三极管区(2)当11.2时,VGS-VTH=0.2>VDS=VX-1 (未考虑衬偏效应)此时,NMOS处于正向导通的三极管区IX=(3)当VX 1.2时NMOS处于饱和区 = IXVX曲线图未考虑衬偏效应时的曲线若考虑衬偏效应,则VTH增大,当衬偏效应比较小,反向后仍有VGS>VTH,曲线同上,当衬偏效应比较大时,VGS<VTH,则MOS管在反向之后一直截止,曲线如下:IXVX曲线图考虑衬偏效应时的曲线(c)(1)0<Vx<0.3时,MOS管反向导通。(未考虑衬偏效应)VGS=1-VX VDS=1.9-VXVGS-VTH=
3、0.3-VX<VDS=1.9-VXNMOS处于反向导通的饱和区此时Ix=-(2)当VX >0.3 时,MOS管截止IXVX曲线图考虑衬偏效应后,曲线与X轴的交点会该变位置2.6 |VGS|= |VDS|= 所以|VDS|>|VGS|-|VTH| PMOS处于饱区 = Gm= =IDVX曲线图Gm与VX曲线图 |VGS|= |VDS|= 所以VDS>VGS-VTH PMOS处于饱区 = Gm= =IDVX曲线图Gm与VX曲线图2.7 (为了简化运算和分析,这里没有考虑二级效应)1.VOUT有电流通过R1产生,电路工作时,S、D反向。(1)当0VIN0.7时,MO
4、S管截止VOUT=0(2)当0.7VIN1.7 VGS-VTH=VIN-VOUT-0.7 VDS=1-VOUT VGS-VTHVDSMOS管处于反向导通的饱和区Vout=(3)当1.7VIN3VGS-VTH VDSMOS管处于反向导通的三极管区Vout=VOUTVIN曲线图2.VOUT有电流通过R1产生,电路工作时,S、D反向。(1).当0VIN1.3时VDS=VIN-VOUTVGS-VTHNMOS处于反向导通的三极管区VOUT=IxR1=R1(2)当1.3VIN3NMOS处于反向饱区VOUT=IxR1=R1VOUTVIN曲线图2.8(a)VS=VDD-VOUT VB=VIN VSB=VDD-
5、VOUT-VINMOS管处于二极管连接形式的饱和区其中 所以 = I1是恒流源,为定值,因此,可以得到VOUT和VIN的关系,见下图VOUTVIN曲线图(b)VGS=2-1=1 VDS=VOUT-1 VSB=1-VIN当M1处于饱和区边缘时,有VGS-VTH=VDS1-=VOUT-1 (1)VOUT= = (2)由(1)(2)则可以解出临界VIN01.当0VINVIN0时VGS-VTHVDSM1处于饱和区VOUT=代入VGS、VTH可得到VINVOUT关系2. .当VIN0VINVIN1时VGS-VTH VDSM1处于线性区VOUT=3.当VINVIN1时,VGSVTHM1处于截止区代入VGS
6、、VTH、VDS可以得到VIN VOUT关系VIN0受电阻R1的大小影响,当R1比较小时,在03V时,MOS管一直饱和,随着R1的增加,MOS管在VIN在03v时,可能同时经过饱和,三极管甚至截止区VOUTVIN曲线图(c)S、D 反向导通VGS=2-VOUTVDS=2-VOUTVSB=VOUT-VIN所以VDSVGS-VTHM1始终处于反向导通的饱和区。VOUT=I1R1= = 其中实际仿真波形如下VOUTVIN曲线图理论上,VGS0,VOUT应该是小于2V的,但是从实际仿真波形图上可以看到,VOUT上升到了2V以上,这是因为VIN上升得比较大之后,衬低的电压大于VOUT,电流会从高电压流到
7、低电压处,并通过R1,使VOUT上升到2V以上。2.15 晶体管工作在饱和区且为折叠结构 CDG=15.36fF, CGS = 79.36fF求出gm即可工作在饱和区且ID = 1mA VGS=1.0182V2.18因为两图都以源端作为输出端,而由于体效应,源衬电压变化会引起漏源电流变化,从而不适合作为电流源。2.24(a)1. 当VG|VTHN|时M1截止(1)0VXVG+|VTHP| M2截止(2)VXVG+|VTHP|VX=VDS|VGS|-|VTHP|所以M2处于饱和区IXVX曲线图2. 当VG|VTHN|时M1导通(1)0VXVG+|VTHP|M2截止 (i)当0VXVGM1处于三极管区 (i)当VG+VTHNVXVG+|VTHP|时M1处于三极管区(2)VXVG+|VTHP|M1 M2均处于饱和区IXVX曲线图(b)1. 当VG|VTHN|时M1截止(1) 0VXVG+|VTHP|M2截止(2)VX>VG+|VTHP|因为M1截止,M2上仍然没有电流IXVX曲线图从实际的仿真波形,可以看到,当VX比
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