半导体物理A卷模拟

1、20102011学年第二学期半导体物理学课内考试卷（A卷）授课班号 年级专业 学号 姓名 题号一二三四五总分审核题分得分得分评阅人一、选择题 1电子在晶体中的共有化运动指的是 。A.电子在晶体中各处出现的几率相同B.电子在晶体元胞中出现的几率相同C.电子在晶体各元胞对应点出现的几率相同D.电子在晶体各元胞对应点有相同的相位2如果n型半导体的导带极值在111轴及对称方向上，当磁场沿110方向时，测的共振吸收峰的个数是 。 A1个 B 2个 C3个 D 4个3、某一半导体掺施主杂质浓度ND=51014/cm3,当温度为500K时，ni=71014/cm3.则电子和空穴的浓度分别近似为 。 A. n

2、0 =1.21014/cm3 p0=11015/cm3 B. p0=41014/cm3 p0=51015/cm3 C. n0=5 1014/cm3 p0=11015/cm3 D. n0=1 1014/cm3 p0=71015/cm3 4有效复合中心的能级通常都是靠近 。A EC BEV i DEF简并半导体是指 的半导体。A（EC-EF）或（EF-EV）0 B（EC-EF）或（EF-EV）能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度D导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子6在GaAs中熔入GaP可使其 。A禁带变宽 B增加电子陷阱禁带变窄增加空穴陷阱本征半导体是指的半导体。不含杂质与缺陷B电子密度与空穴密

3、度相等电阻率最高电子密度与本征载流子密度相等若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定。不含施主杂质不含受主杂质不含任何杂质处于绝对零度若浓度为Nt的复合中心掺入本征硅，设其能级位于禁带中央，起电子和空穴的俘获系数分别为rn和rp，则小注入寿命为。1/NtrpB. 1/Ntrn C. 1/Ntrp+1/Ntrn D. 1/Ntni10.半导体中的载流子的扩散系数决定于其中的 。A散射机构 B复合机构杂质浓度梯度表面复合速度11.重空穴指的是 。A质量较大的原子组成的半导体中的空穴B价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴C价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴D自旋轨道藕合分裂出来的能带上的空穴

4、12硅中掺金的工艺主要用于制造 的器件。A高可靠性 B.高反压 C.高频 D.大功率 13.根据费米分布函数,电子占据(EF+KT)能级的几率 。A 等于空穴占据（EF+KT)的几率B等于空穴占据（EF -KT)的几率C 大于电子占据EF的几率D 大于空穴占据EF的几率14.公式=q/m中的是载流子的 。A渡越时间 B寿命平均自由时间扩散系数153个硅样品的掺杂情况如下：甲.含镓11017/cm3 乙.含磷11017/cm3 丙.不掺杂这些样品在室温下费米能级由底到高的(以EV为基准)的顺序是 。A甲乙丙 B甲丙乙乙丙甲丙甲乙得分评阅人 二、 填空题 1、有效质量的意义是 2. 半导体的状态密

5、度意义为 3影响半导体散射的两种机制为 及 4半导体中载流子电场作用下的运动称为 ，由浓度梯度引起的载流子运动称为 。5爱因斯坦关系为 最有效的复合中心能级在 PN结被击穿的三种方式为 ， ， 。扩散长度是指 。半导体势垒电容是由于 而产生的扩散电容是由于 。9载流子复合放出能量的方法有哪三种，。10计算半导体中载流子浓度时，不能使用玻耳兹曼统计代替费米统计的判定条件是 ，这种半导体被称为 。得分评阅人三、简答题（4题共 56 分）1 简述热平衡状态下的p-n结的形成的物理机理及其用途。2 以As掺入Ge中为例，说明什么是施主杂质、施主杂质电离过程和n型半导体。3 以Ga掺入Ge中为例，说明什么是受主杂质、受主杂质电离过程和p型半导体。ABC硅电阻率与温度关系示意图4、定性解释如图硅电阻率和温度的关系。T 5、定性解释如图n型Si中导带电子浓度和温度的关系。 n型Si中导带电子浓度和温