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文档简介

1、TTL与非门及与非门及CMOS门电路实验门电路实验 TTL与非门及与非门及CMOS门电路实验门电路实验2掌握掌握TTL与非门主要参数及传输特性与非门主要参数及传输特性的测试方法。的测试方法。了解了解CMOS非门电路的性能和特点。非门电路的性能和特点。熟悉熟悉TTL与与CMOS器件的互连方法。器件的互连方法。TTL与非门及与非门及CMOS门电路实验门电路实验3 指与非门有一个以上输入端接地或接低电平时的输出电平值。 空载时UOH必须大于标准高电平(USU = 2.4V )，接有拉电流负载时UOH将下降。 测试UOH的电路如图1所示。图1 输出高电平UOH测试电路 TTL与非门及与非门及CMOS门

2、电路实验门电路实验4图2 输出低电平UOL测试电路指与非门的所有输入端都接高电平的输出电平值。空载时UOL必须低于标准低电平： USL = 0.4V，接有灌电流负载时UOL将上升。测试UOL的电路如图2所示。TTL与非门及与非门及CMOS门电路实验门电路实验5输入短路电流输入短路电流IIS 指被测输入端接地，其 余输入端悬空时，由被 测输入端流出的电流。 前级输出低电平时后级 门的IIS就是前级的灌电 流。一般IIS =2.4V VOL=2V VIL=2.0V VOL=1.7V VIL=3.2V VOL=2V VIL=2V VOL=1.7V VIL=0.7V 相同电压的LVTTL和LVCMOS

3、可以互相驱动，3.3V和2.5的两类芯片一般也可以互相驱动。CMOS使用注意使用注意： CMOS内部寄生有可控硅结构，当输入高于VCC 0.7V 以上，电流足够大时，可能引起闩锁效应，导致芯片的损坏。TTL与非门及与非门及CMOS门电路实验门电路实验21TTL/CMOS 补充内容（续）补充内容（续）v2 LVDS low voltage differential signaling LVDS可达600M以上的速度，PCB要求较高，差分线要求严格等长，差最好不要超过0.25mm，100欧姆的匹配电阻离接收端距离不能超过12.7mm，最好控制在7.62mm以内。TTL与非门及与非门及CMOS门电路

4、实验门电路实验22电平转换的几种方法电平转换的几种方法v 1 用电阻分压 当输入电压较高，需要转换为较低电压时可以考虑使用电阻分压，电路特别简单，成本也低。 TTL与非门及与非门及CMOS门电路实验门电路实验23电平转换的几种方法（续）电平转换的几种方法（续）v 2 用三极管实现电平转换 用三极管实现电平转换较为灵活，既可以降压，也可升压TTL与非门及与非门及CMOS门电路实验门电路实验24电平转换的几种方法（续）电平转换的几种方法（续）v 3 用光耦实现电平转换 光耦有4大作用 1）电平转换 2）隔离 3）整形 4）驱动TTL与非门及与非门及CMOS门电路实验门电路实验25电平转换的几种方法（续）电平转换的几种方法（续）4 专用芯片 1）CD4049（反向）、CD4050（同向） 2）74LVC

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