N沟道耗尽型MOS管_第1页
N沟道耗尽型MOS管_第2页
N沟道耗尽型MOS管_第3页
全文预览已结束

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

1、N沟道耗尽型MOS管从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似, 其区别仅在于栅一源极间电压vGS二0时，耗尽型MOS管中的漏一源极 间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGSVT时才出现导电沟 道。原因是制造N沟道耗尽型MOS管时，在Si02绝缘层中掺入了大 量的碱金属正离子Na+或K+（制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离 子），如图13）所示，因此即使vGS二0时，在这些正离子产生的电场 作用下，漏一源极间的P型衬底表面也能感应生成N沟道（称为初始 沟道），只要加上正向电压vDS,就有电流iDo如果加上正的vGS, 栅极与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的电子，沟

2、道加宽，沟 道电阻变小，iD增大。反之vGS为负时，沟道中感应的电子减少， 沟道变窄，沟道电阻变大，iD减小。当vGS负向增加到某一数值时, 导电沟道消失，iD趋于零，管子截止，故称为耗尽型。沟道消失时 的栅-源电压称为夹断电压，仍用VP表示。与N沟道结型场效应管相 同，N沟道耗尽型M0S管的夹断电压VP也为负值，但是，前者只能 在vGS&lt；0的情况下工作。而后者在vGS=0 , vGS&gt；0 , VP&lt；vGS&lt；O的情况下均能实现对iD的控制，而且仍能保持栅- 源极间有很大的绝缘电阻，使栅极电流为零。这是耗尽型M0S管的一个重要特点。严掺杂后具有正 r离子的绝缘层衬底引线(a)衬底d衬底g(C)图1 (b). (c)分别是N沟道和P沟道耗尽型MOS管的代表符号。在

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 课件下载

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论