椭偏仪操作规程

1、椭偏仪操作规程 一.目的使用椭偏仪测量经PECV暖膜后的SiN膜的厚度（d）和折射率（n）.二.适用范围适用于CENTECH司的SE 400advanced型号的椭偏仪三.设备主要性能及相关参数设备型号：SE 400advanced设备构成：A光学系统部分：由支架、定位显微镜、线偏振光发射器（包括激光源）、椭圆偏振光接受和分析器组成。此部分完成整个光学部分的测试。B PC机部分。此部分完成数据的分析和输出。四.运行前的检查主要检查设备光学仪器部分是否损坏和电脑是否可正常使用。五.设备操作1.启动软件将椭偏仪控制器和PC的电源打开，为了仪器快速可用和延长激光器寿命，推荐 将椭偏仪控制器连续运转。

2、SE 400advanced程序通常被安装在文件夹：C:program filesSE 400AdvApplicationFrame.使用资源管理器或者直接双击桌面的 SE 400advanced图标，启动软件。Fig.错误!文档中没有指定样式的文字-1: SE 400advanced 图标软件打开时会自动进入上次退出时的登陆用户界面Fig.错误!文档中没有指定样式的文字。-2: SE 400advanced 用户认证通过菜单Logon”,能够添加、更改或删除用户和用户权限。2.用户主窗口tdt Ben Lwi JisJEow 阳pRecipe: 01 Si02 on Silicon 100

3、nmOptions .iPt叫erriFgEWIJAcMR屿EWM1 SID2 gn 争叱qn 呻 nm rprlp4 meIMeasureRepeatReadyFig.错误!文档中没有指定样式的文字。-3: SE 400advanced主窗口最后一次使用的模式会被自动加载。通过菜单，工具栏或模式列表，能够 选择另外的模式。在软件界面的右下角，一个图标（2）用来显示椭偏仪控制器的连接状态,它通常显示为绿色。如果显示不为绿色，请检查椭偏仪和控制器之间的网络连 接是否正常，并检查屏幕右下角的任务栏的网络状态。3.样品测试1）在 recipe 下拉菜单中选择 08 Si3N4 on silicon

4、100 nm .2）将样品平放于测试台，并定位3）通过按 来开始测量，测量完成后，结果被显示在主结果 区（3）和 protocol 区（4）。4 .测量选项在Measurement options页面中，能够按照测量的数值计算方法、数值极 限和结果报告，对一些设定进行更改。止匕外，设定入射角度和对多角度测量所 使用角度的选择，也能够在这里进行。Fig.错误!文档中没有指定样式的文字。-4:模式选项（测量）测量任务Psi, Delta椭偏角度的测量。Substrate ns, ks使用free surface.模型时，基底的复折射率。Thickness使用单层透明膜模型，并指定指定膜层折射率和基

5、底折射率时，膜层的厚度；开始膜厚由用户给出或由CERW量给出。Thickness + n使用单层膜模型时，膜层的厚度和折射率。（基底的复折射率作为固定值）；开始膜厚由用户给出或由CERM量给出Thickness + n +absorption多角度测量情况下，膜层的厚度、折射率和吸收系数，使用“ Thickness + n ”模型，椭 偏仪需要用多角度测量。Two layers多角度测量情况下，双层膜的厚度。Fig.5 .模型选项页面Model包含了所有对测量进行分析的参数。软件所使用的默认模型为在吸收基底上的三层吸收膜。模型的参数能够被直接输入在相应的区域，另一种方法是使用SENTECI#料

6、库，可通过膜层名字右边的按钮lU使用材料库。-5:模式选项（模型）bale rial dataJ)aic后|国N1：AuMierPt & 1驮fm) - Palk2.J2744J492rorcbaokcf uttiCdi Cflnzjrc:;前ds - tdtoc beyE.D.PalkPn怅务 17b.日h网用喇2J领530。RllkfHj Fhhrbiriak rf肝用 Cm针e2 dr 51血 Fdk*rt 时 E MPWiv r XiYTir P*tmRd piuL后听3.76764.6029p.Apn&szFJlj (b-liondess)1.J/6TOOUDO?di rt tsdi

7、ical hdCe-gw tIM.3.0714OuOlSOklhm d由) GE 括l，irr3田的同仁on jku GE whs J.-i (skin fmV3.3667ML印JEJkzri dsta G.EJeilsui.Jrji (SrikOfFiJ1OuOLSBJdlson dstAGEJIisoHjr.51 口虹 on) - H doped3.82241目明占MQ68wet m安必即 rwaarerentSill(Sliccr-iammpjrr.S.U3E003373Jdi-sTt dcta i.E1或5用_J*l20jeS3 (SIeo-i ge- menhirj4.白筋DL22J

8、dlvLli dlelaJdlsinJJr$酬二。.笈厩Itonqbmsiufr.4i6Sl&QJT悔JElban data GE Jenison Jr2.0 ITShtandbaoik cf。由 EQWaih 璜 5q由 EdWd 5 已后氏 ggnk士羯 1%&fSfW (ziicon ni*i ide)_di之口如自Hambiak d! GpikCondAr-s- :/ Woicb Edledhy E.B PdlL. Acedeini匚=均 LdiSE.)忸酎。山(iltongrmaibirf4,144bU.J4S0JdlsBh daftaCif-JcitoDniJr.i!一二卢 rii

9、af.i r.3.AT14OuOLFflJrfhnn rirfFig.错误!文档中没有指定样式的文字。-6: : SE400advanced材料库模型参数的描述在下表给出：Ns基底折射率Ks基底吸收系数Na周围环境的折射率（空气：n=1）Ka周围环境的吸收系数（空气：k=0）Phi入射角（垂直时入射角=0 ）La 激光波长（nm）Nu上层膜的折射率Ku上层膜的吸收系数（通常为负）Du 上层膜的厚度Nm中间层膜的折射率Km 中间层膜的吸收系数Dm中间层膜的厚度Nl底层膜的折射率Kl底层膜的吸收系数Dl 底层膜的厚度Tab.错误!文档中没有指定样式的文字。-1:三层膜模型的参数总结6.退出软件点击右上角的按钮，关闭 SENTEC软件界面，就可以退出 SE 400advanced 程序。六.注意事项1 .被测片放于测试台，测试时注意片子不要移动，以使测试准确。2 .测试时若参数有较大偏差（n约为，d约为84-92nm）,应先考虑PECVD 工艺问题，再考虑椭偏仪本身是否测试准确。测试频次3 .测试时其Degree of polarization（偏振度）应大于。4 .定期检查光路准确情况：1 ）首先在70度位置测量SiO2标准片，看是否在误差范围内。2 ）