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文档简介

1、题目：旁路电容对共射极放大电路低频特性的影响电路如图所示，BJT为NPN型硅管，型号为2N3904，放大倍数为50，电路其他元件参数如图所示。分析旁路电容Ce对共射极放大电路低频特性的影响。步骤如下：1、 绘制原理图如上图所示。2、 修改三极管的放大倍数 Bf=50；双击交流源v1设置其属性为：ACMAG=15mv,ACPHASE=0。3、修改c3的大小，双击c3的大小，设置value=cval。如图所示：4、Get New PartàParam，从元件库中找到符号Param。双击Param并设置其属性Name1=cval, Value1=50uf。如图所示：5、设置分析类型（根据题

2、意，需设置交流扫描分析和参数扫描分析）：交流扫描分析：选择Analysisàset upàAC Sweep，参数设置如下：参数扫描分析：选择Analysisàset upàParametric，参数设置如下：6、 AnalysisàSimulate，调用Pspice A/D对电路进行仿真计算。计算完毕后，弹出如下对话框，表明有三项模拟结果的波形资料，点击All三个波形全显示在probe下，或只点击其中一条，在probe下只显示其中一条曲线。点击All。得到如下结果：选择Traceà Add（添加输出波形），弹出Add Trace对话框

3、，在Trace Expression中编辑v(out)/v(in)单击ok按钮，仿真结果如下：波形显示了电压增益的幅值随频率变化的关系，即幅频特性。同时还反映了旁路电容对电压增益的影响。最左边的是ce为200uf时的幅频特性曲线，中间的那条是ce为50uf时的幅频特性曲线，最右边的那条是ce为0.1uf时的幅频特性曲线。问题：从仿真结果中可以看出，旁路电容越大，下限截止频率fL（越低还是越高）?下面测量c3=50uf时的放大电路的低频截止频率。步骤如下：1、取消参数扫描分析。2、 AnalysisàSimulate，调用Pspice A/D对电路进行仿真计算。3、在probe下，选择Traceà Add（添加输出波形），弹出Add Trace对话框，在Trace Expression中编辑v(out)/v(in)单击ok按钮，仿真结果如下：4、在probe下，选择ToolsàCursoràDisplay ，出现游标，然后再选择选择ToolsàCursoràMax ，通过游标读出最高点的电压增益为130.603，将该数值乘以0.707得到92.336.在曲线上找到v（out）/v（in）为92.336的点，读出此时的横坐标值即为下限截止频率。选择ViewàArea，准确找到该点。找到该点后，点击To

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