第一章常用半导体器件

1、第一章 常用半导体器件第一节 半导体的基本知识一、填空题：1、根据导电能力来衡量，自然界的物质可以分为 、 、和 三类。2、常用的半导体材料是 和 ，它们都是 价元素。3、半导体中导电的不仅有 ，而且还有 ，这是半导体区别于导体导电的重要特征。4、掺杂半导体中多数载流子的浓度主要取决于 ，而少数载流子的浓度与 有很大的关系。5、半导体按导电类型分为 型半导体和 型半导体。6、P型半导体的多数载流子是 ，少数载流子是 ；N型半导体的多数载流子是 ，少数载流子是 。7、PN结又叫 层， 层，也叫 区。8、PN结正偏时，P区接电源的 极，N区接电源的 极；PN结反偏时，P区接电源的 极，N区接电源的

2、 极。9、PN结具有 性能，即加正向电压时PN结 ，加反向电压时的PN结间 。二、判断题（正确的在括号内打“”，错误的打“×” ）（ ）1、只有单晶硅或锗才能制作半导体器件。（ ）2、在硅或锗晶体中掺入五价元素形成P型半导体。（ ）3、在硅或锗晶体中掺入三价元素形成N型半导体。（ ）4、PN结正向偏置时电阻小，反向偏置时电阻大。（ ）5、PN结正向偏置时导通，反向偏置时截止。（ ）6、PN结反向偏置时，反向电流随反向电压增大而增大。三、选择题（将正确答案的序号填入括号中）1、半导体中传导电流的载流子是（ ）A、电子 B、空穴 C、电子和空穴2、P型半导体是（ ）A、纯净半导体 B、掺

3、杂半导体 C、带正电的3、PN结形成以后，它的最大特点是具有（ ） A、导电性 B、绝缘性 C、单向导电性四、问答题试述PN结的特性。第二节 二 极 管一、填空题1、二极管实质就是一个 ，P区的引出端叫 极或 极，N区的引出端叫 极或 极。2、按二极管制造工艺的不同，二极管可分为 型、 型和 型三种。3、按晶体二极管所用的材料可分为 管和 管两类。4、2CW是 材料的 二极管，2AK是 材料的 二极管。2CZ是 材料的 二极管，2AP是 材料的 二极管。5、二极管的正向接法是 接电源的正极， 接电源的负极，反向接法相反。6、二极管的主要特性是 ，硅二极管的死区电压约 V，锗二极管的死区电压约

4、V。7、硅二极管导通时的正向压降约 V，锗二极管导通时的正向压降约 V。8、使用二极管时，应考虑的主要参数是 ， ， 。9、电路中流过二极管的正向电流过大，二极管将会 ；如果加在二极管两端的反向电压过高，二极管会 。10、有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极管已 ；有一硅二极管正反向电阻接近于无穷大，表明二极管已 。11、在相同大小的反向电压作用下，硅二极管的反向饱和电流常 于锗二极管的反饱和电流，所以硅二极管的热稳定性较 。二、判断题（正确的在括号中打“”，错误的打“×” ）（ ）1、晶体二极管是线性元件。（ ）2、在整流电路中，一般采用点接触型晶体二极管。（ ）3、一般来

5、说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。（ ）4、无论是哪种类型的晶体二极管，其正向电压都为0.3V左右。（ ）5、晶体二极管具有单向导电性。（ ）6、晶体二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。（ ）7、当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小；当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增加。（ ）8、晶体二极管加正向电压时一定导通。（ ）9、晶体二极管加反向电压时一定截止。（ ）10、在图1-1中，晶体二极管V若为硅管则能导通，为锗管则不通。三、选择题（将正确答案的序号填入括号中）1、把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，干电池的负极直接

6、接到硅二极管的负极，则该管（ ）。 A、基本正常 B、击穿 C、烧坏2、如果晶体二极管的正反向电阻都很大，则该晶体二极管（ ）。 A、正常 B、已被击穿 C、内部断路3、当硅晶体二极管加上0.4V正向电压时，该晶体二极管相当于（ ）。 A、很小的电阻 B、很大的电阻 C、短路4、面接触型晶体二极管比较适用于（）。 A、高频检波 B、大功率整流 C、大电流开关5、某晶体二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（ ）。 A、约等于150V B、略大于150V C、等于75V四、问答题1、什么是晶体二极管的反向击穿？2、从晶体二极管的电压、电流特性曲线看，硅管和锗管有什么区别？3、怎样用万

7、用表判断硅二极管和锗二极管？怎样用万用表判断小功率二极管的好坏与极性？4、在测量大功率晶体二极管的正向电阻时，用万用表R×1档和R×100档测量结果是否相同？为什么？五、综合题1、在图1-2中，设晶体二极管的正向压降为0.7V，当UA分别为+5V、-5V、0V时，求电压UB。、如图13所示电路，E13V ，E26V，V为理想二极管，求电路电压Uab。3、在图14中，R1R21K，R39K，V1、V2为理想二极管，当UA+10V，UB0V时，求输出端电压UO及各元件中通过的电流。4、输入电压u1如图15a所示，V 为理想二极管，试在图a中，画出图b、图C中电路的输出电压u01

8、、u02。图 1- 5 第三节 三极管 一、填空题1、晶体三极管有两个PN结，即 结和 结；有三个电极，即 极、 极和 极，分别用 、 和 表示。2、晶体三极管有 型和 型，前者的图形符号是 ，后者的图形符号是 。3、晶体三极管3DG56是 材料 型 三极管，序号为 ，3AD30C是 材料 型 三极管。4、某晶体三极管的UCE不变，基极电流IB=30uA时，IC=1.2mA，则发射极电流IE= mA，如果基极电流IB增大到50uA时，IC增加到2mA，则发射极电流IE= mA，三极管的电流放大系数= 。5、晶体三极管的输入特性是指 。6、硅三极管发射极的死区电压约 V，锗三极管发射结的死区电压

9、约 V。晶体三极管处在正常放大状态时，硅管发射结的导通电压约 V，锗管发射结的导通电压约 V。7、晶体三极管的输出特性曲线是指 。8、晶体三极管的输出特性可分为三个区域，即 区、 区、 区。9、当晶体三极管的发射结 ，集电结 时，工作在放大区；发射结 ，集电结 时，工作在饱和区；发射结 或 ，集电结 时，工作在截止区。10、晶体三极管具有正常放大作用时，集电极、基极、发射极各极电位必须符合一定的大小关系，对于NPN管，应符合 ，对于PNP管应符合 。11、晶体三极管发射极电流IE，基极电流IB和集电极电流IC之间的关系是 ，其中ICIB叫做 ，用 表示；IC/IB叫做 系数，用 表示。12、晶

10、体三极管临界饱和时，有UBE UCE。13、晶体三极管的穿透电流ICEO随温度的升高而 ，硅三极管的穿透电流比锗三极管 ，所以硅三极管的热稳定性比锗三极管 。14、晶体三极管的三个主要极限参数是 、 、 ，三极管正常工作时，应满足 、 和 。15、晶体三极管电流放大系数太小时，电流放大作用 ，电流放大系数太大时，会使晶体三极管的性能 。16、工作在放大状态的三极管可作为 器件；工作在截止和饱和状态的三极管可作为 器件。二、判断题（正确的在括号中打“”，错误的打“×” ）（ ）1、晶体三极管有两个PN结，因此它具有单向导电性。（ ）2、发射结正向偏置的晶体三极管一定工作在放大状态。（

11、）3、发射结反向偏置的晶体三极管一定工作在截止状态。（ ）4、一般来说，晶体三极管的电流放大系数随温度升高而减小。（ ）5、常温下，硅晶体三极管的UBE约为0.7V，且随温度升高而减小。（ ）6、晶体三极管的交流放大系数表示为IC/IB，它不随工作点改变而改变。（ ）7、晶体三极管集电极和发射极可以互换使用。（ ）8、晶体三极管穿透电流的大小不随温度变化。（ ）9、晶体三极管不允许工作在过损耗区。（ ）10、测得正常放大电路中晶体管的三个管脚电位分别是9V，6V和6.2V，则这个晶体三极管是PNP锗管。三、选择题（将正确答案的序号填入括号中）（ ）1、当晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，该

12、管工作在 A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态（ ）2、用直流电压表测量NPN型晶体三极管中管子各极电位是UB4.7V，UC4.3V，UE4V，则该晶体三极管的工作状态是 A、截止状态 B、饱和状态 C、放大状态（ ）3、晶体三极管各电极对地电位如图16所示，工作于饱和状态的三极管是 （ ）4、满足ICIB关系时，晶体三极管工作在 A、饱和区 B、放大区 C、截止区（ ）5、晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流将A、随基极电流的增加而增加B、随基极电流的增加而减小C、与基极电流变化无关，只取决于UCC和RC（ ）6、三极管输出特性曲线中，当IB0时，IC等于 A、ICM B、ICBO

13、C、ICEO（ ）7、有三只晶体三极管，除和ICEO不同外，其他参数一样，用作放大器件时，应选用 A、50，ICEO0.5mA B、140，ICEO2.5mA C、10，ICEO0.5mA（ ）8、用万用表RX1K挡测量一只正常的三极管，若用红表棒接触一只管脚，黑表棒分别接触另外两只管脚时测得的电阻均很大，则该三极管是 A、PNP型 B、NPN型 C、无法确定（ ）9、三极管放大作用的实质是A、 三极管可以把小电流放大成大电流B、 三极管可以把小电流放大成大电压C、 三极管可以用较小的电流控制较大的电流四、问答题1、什么是晶体三极管电流放大系数？和hFE有什么区别？2、什么是晶体三极管的穿透电

14、流？它和晶体三极管的性能有何关系？3、晶体三极管的主要功能是什么？放大作用的实质是什么？晶体三极管为什么具有电流放大作用？4、如何用万用表判别晶体三极管的管脚和管型？又如何判断是硅管和锗管？五、综合题1、用万用表测得处在放大状态的晶体三极管三个电极的对地电位是UA=9.5V，UB=-5.9V，UC=-6.2V,试根据此判断晶体三极管的管脚、材料与类型。2、测得某放大器中三极管各脚间电压如图17所示，问、脚各是什么电极？是锗管还是硅管？是PNP型还是NPN型？ 3、测得工作在放大状态的某三极管，其电流如图18所示，在图中标出各管的管脚，并说明三极管是NPN型还是PNP型？ 4、根据图19所示的各

15、晶体三极管对地电位数据分析各管的情况。（说明是放大、截止、饱和或哪个结已开路或短路。 5、已知某三极管PCM100mW，ICM20mA，U（BR）CEO15V，试问下列几种情况下，哪种情况能正常工作？哪种情况不能正常工作？为什么？ （1）UCE3V IC10mA （2）UCE2V IC40mA （3）UCE10V IC20mA （4）UCE15V IC10mA6、某三极管的输出特性曲线如图110所示，根据 输出特性曲线求穿透电流ICEO，当IC2mA，UCE10V时电流放大系数是多少？ 7、某NPN型晶体三极管的输入、输出特性曲线如图111所示： （1）当IB60uA、UCE8V时，求IC；

16、（2）当UCE6V时、UBE0.7V时，求IC； （3）当UCE10V，UBE由0.6V变化到0.7V时，求IC的变化量，此时的电流放大系数是多少？ 8、已知晶体三极管的发射极电流IE3.24mA，基极电流IB40uA，求集电极电流IC的数值。9、某晶体锗三极管50，IB10uA，试求IC的值。第四节 场 效 应 管一、 填空题1、场效应管是一种 控制器件，它的漏极电流受 控制，它的输入电阻 ，栅极电流 。2、结型场效应管的图形符号是 。3、结型场效应管的输出特性曲线可分为 、 和 三部分，结型场效应管用作放大时工作在 。4、绝缘栅型场效应管简称 管，它有 沟道和 沟道两类，其中每一类又可分为

17、 型和 型两种。5、N沟道耗尽型MOS管的图形符号是 。N沟道增强型MOS管的图形符号是 。6、N沟道结型场效应管在偏置电压UGS小于 时才能导通。7、N沟道增强型MOS管在偏置电压UGS大于 时才能导通。二、判断题（正确的在括号中打“”，错误的打“×” ）（ ）1、根据结型场效应管的图形符号可以识别是N沟道还是P沟道。（ ）2、场效应管和晶体三极管一样，是电流控制器件。（ ）3、场效应管参与导电的只是多数载流子，故称为单极型三极管。（ ）4、场效应管温度稳定性、低噪声等方面优于普通三极管。（ ）5、场效应管的漏极和源极可以互换使用。（ ）6、增强型绝缘栅型场效应管在UGS0时不存在

18、导电沟道。（ ）7、夹断电压UP和开启电压UT的正负极性取决于导电沟道类型。三、选择题（将正确答案的序号填入括号中）1、属于N沟道增强型绝缘栅型场效应管的是图112中的（ ）。 2、MOS管的突出优点是（ ）。A、电流放大作用大 B、电压放大作用大 C、输入电阻高3、在图113所示偏置电路中，能正常工作的是（ ）。四、问答题1、什么是场效应管的转移特性？2、什么是场效应管的输出特性？3、什么是场效应管的开启电压UT和夹断电压UP？4、简述结型和绝缘栅型场效应管的工作原理。五、综合题已知场效应管的输出特性如图114所示。（1） 该管是什么类型的场效应管。（2） 试求管子的下列参数开启电压UT；UGS4V时的最大漏源电压U（BR）DS；UDS10V、ID3mA时的跨导gm。第五节 其他半导体器件一、填空题1、开关二极管的开关时间非常 ，它的开关速度非常高。2、变容二极管加上反向电压时，PN结 电容会随着电压的变化而变化，变容二极管的图形符号是 。3、发光二极管通常用透明的塑料封装，管脚长的为 极，管脚短的为 极，发光二极管的图形符号是 。4、 和 通称为光电晶体管。5、光电二极管工作时加 电压，在 下产生电流，光电流随光照强度增强而 。6、光电二极管也有 型和 型，基极装在玻璃镜里，以接收 。二、判断题（正确的在括号中打“”，错误的打“×” ）（ ）1、光电