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文档简介

u光生伏特效应u简单结构图uPOCl3磷扩散原理u扩散基本工艺流程u扩散评定标准u注意事项 -肖海东硅和锗的单晶称为本征半导体。它们是制造半导体器件的基本材料。 动态平衡下的 PN 结PN 结形成的物理过程注意： PN 结处于动态平衡时，扩散电流与漂移电流相抵消，通过 PN 结的电流为零。 利用掺杂工艺，把 P 型半导体和 N 型半导体在原子级上紧密结合，P 区与 N 区的交界面就形成了 PN 结。 动态平衡下的 PN 结图解气柜区炉体区电源柜装载区5253OP3PClC6005POCl4P5SiO5SiO2P2522522510ClO2P5O4PCl2过量O252236ClO2POPOCl 在半导体器件生产中，通常用四探针法来测量扩散层的薄层电阻。在 p 型或 n 型单晶衬底上扩散的 n 型杂质或p型杂质形成一 pn 结。由于反向 pn 结的隔离作用，可将扩散层下面的衬底视作绝缘层， 因而可由四探针法测出扩散层的薄层电阻 ， 当扩散层的厚度0.53S，并且晶片面积相对于探针间距可视作无穷大时，样品薄层电阻为 ： 。(10)若不能将晶片的面积视作无穷大，也需要对（10）式进行修正，修正系数有专用列表，包括厚度、离边界

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