晶体三极管和场效应晶体管

1、第二章 晶体三极管和场效应晶体管一、是非题（1） 为使晶体管处于放大工作状态，其发射结应加反向电压，集电结应加正向电压。（ ）（2） 无论是哪种晶体三极管，当处于放大状态时，b极电位总是高于e极电位，c极电位也总是高于b极电位。 （ ）（3） 晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（N型或P型）构成的，所以e极和c极可以互换使用。 （ ）（4） 晶体三极管的穿透电流ICEO的大小不随温度而变化。 （ ）（5） 晶体三极管的电流放大系数随温度的变化而变化，温度升高，减少。 （ ）（6） 对于NPN三极管，当VBE>0，VBE>VCE，则该管的工作状态是饱和状态。 （ ）（7） 已

2、知某三极管的射极电流IE=1.36mA，集电极电流IC=1.33mA，则基极电流IB=30微安。 （ ）（8） 某晶体三极管的射极电流IB=10微安时，IC=0.44mA；当IB=20微安时，IC=0.89mA则它的电流放大系数=45。 （ ）（9） 可以用两个二极管连接成一个三极管。 （ ）（10） 晶体三极管具有电压放大作用。 （ ）二、填空题1、晶体三极管的三个电极分别称为 、 、 。三极管在放大电路中，PNP管电位最高的一极是 ，NPN管电位最高的一极是 。此时，三极管发射结为 偏置，集电结为 偏置。晶体三极管工作在饱和区和截止区时，具有 特性，可应用于脉冲数字电路中。2、测得工作在放

3、大电路中的晶体管的两个电极在无交流信号输入时的电流大小及方向如图2-1所示，则另一电极的电流大小为 ，该管属于 管（PNP NPN）。图2-1 3、工作在放大区的某三极管，基极电流从20A增大到40A，集电极电流从1mA变为2mA，则该三极管的电流放大倍数为 。4、当晶体三极管工作在饱和状态时，其特点是集电结处于 偏置，发射结处于 偏置。当工作在放大状态时,其特点是集电结处于 偏置，发射结于 偏置。当工作在截止状态时,其特点是集电结处于 偏置，发射结于 偏置。5、在基本放大电路的三种接法中，没有电压放大作用，但有电流放大作用的接法是 。6、设晶体三极管的管压降UCE不变，基极电流为20mA时，

4、集电极电流等于2mA，这时= ；若基极电流增加到25mA时，集电极电流增加到2.6mA，则b= 。7、在工程应用中，常通过实测电路板上三极管三个引脚对地的电压来判断三极管的工作状态，若测得三极管的集电极对地电压接近于电源电压Vcc，则表明三极管处于 状态。8、测得某正常线性放大电路中，晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，可判断出分别为三极管的_极、_极、_极。9、晶体三极管中有两个PN结，其中一个PN结叫做 ；另一个叫做 。10、晶体三极管IE、IB、IC之间的关系式是 。IC/IB的比值叫 ，IC/IB的比值叫 。11、硅晶体三极管的饱和压降约为 V，锗

5、晶体三极管的饱和压降约为 V。12、硅晶体三极管发射结的导通电压（门坎电压）约为 V，锗晶体三极管发射结的导通电压约为 V。13、NPN型晶体三极管的发射区是 型半导体，集电区是 型半导体，基区是 型半导体。14、若晶体三极管集电极输出电流IC=9mA，该管的电流放大系数为=50，则其输入电流IB= mA。15、晶体三极管的穿透电流ICEO随温度的升高而增大，由于锗三极管的穿透电流比硅三极管 ，所以热稳定性 三极管好。16、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而 。17、某固定偏置放大器中，实测得三极管集电极电位VC=VG，则该放大器的三极管处于 工作状态三、选择题1、用直流表测得

6、放大电路中某晶体管电极1、2、3的电位分别为8V、2.7V、3V，则（ ）A、1为C 2为E 3为B B、1为C 2为B 3为EC、1为E 2为C 3为B D、1为B 2为C 3为E2、三极管各极对公共端电位如图3-1所示，则处于放大状态的硅三极管是（）图3-13、工作在放大状态的NPN三极管，其发射结电压UBE和集电结电压UBC应为（）AUBE0，UBC0BUBE0，UBC0CUBE0，UBC0DUBE0，UBC04、某晶体三极管，测得其发射结反偏，集电结反偏，则该三极管处于（ ）A、放大状态 B、截止状态 C、饱和状态 D、无法确定5、 3DG6C NPN晶体管的极限参数为Pcm=100m

7、W，Icm=20mA，V(BR)CEO=20V，在下列几种情况下，能正常工作的是（）、ce=8V,Ic=15mA B、ce=V,Ic=mA 、ce=10V,Ic=mA 、ce=V,Ic=5mA6、有人在检修电视机电路板时，用直流电压表测得放大电路中某晶体管三个电极1、2、3的电位分别为V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，请你代他判断此晶体管三个极的名称。（ ）A、1脚为c，2脚为b，3脚为cB、1脚为b，2脚为e，3脚为cC、1脚为b，2脚为c，3脚为eD、1脚为e，2脚为c，3脚为b7、工作在放大区的某三极管，基极电流从20A，增大到40A，集电极电流从1mA变为2mA，则它的电流放大倍

8、数为（ ）A、10B、50C、20D、1008、某维修人员在修理过程中，需要更换一只三极管，手头有一只3DG6D NPN型的晶体三极管，它的技术参数如下：PcM=100毫瓦，IcM=20毫安，UBR（CEO）=30伏，如果他将此三极管装接在IC=15毫安，UCE=20伏的电路中，则该管（ ）A、工作正常B、被击穿C、功耗过大造成过热甚至烧坏D、已知条件不够，无法确定9、在检修电子线路时，用万用表测得三极管任意二极间的电阻均为无穷小，说明该管（ ）A、二个PN结均击穿B、发射结击穿，集电结正常C、二个PN结均开路D、此三极管处于饱和状态10、已知某晶体三极管的BVCEO=25V，ICM=125m

9、A，PCM=125mw，在下列条件中允许使用的是（ ）AIC=50mA，UCE=25VBIC=20mA，UCE=15VCIC=10mA，UCE=12VDIC=30mA，UCE=10V11、在基本放大电路的三种接法中，没有电压放大作用，但有电流放大作用的是（ ）A共集电极接法B共基极接法C共发射极接法12、测得某电路中几个三极管的各极电位如图3-2所示，试判断（ ）管处于正常放大状态。图3-213、用如图3-3所示的电路测试晶体三极管时，当合上开关S1、S2后，电压表的读数为1.5伏。毫安表没有指示，则可能是下面原因中的哪一种？（ ）A、电极内部开路； B、发射极内部开路；CC、E极间已击穿；

10、D、发射结已击穿；图3-314、晶体三极管工作在饱和状态时，它的IC将（ ）。A随IB增大而增大 B与IB无关，只决定于RE和VG CB.随IB增大而减少15、用万用表测得NPN型晶体三极管各电极对地的电位是：VB=4.7V，VC=4.3V，VE=4V，则该晶体三极管的工作状态是（ ）。A饱和状态 B放大状态 C截止状态16、NPN型三极管放大器中，若三极管的基极与发射极短路，则（ ）A三极管集电结将正偏 B三极管处截止状态 C三极管将深度饱和17、若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏，则当基极电流减小时，使该三极管（ ）A集电极电流减小B集电极与发射极间的电压VCE上升 C集电极电流要增大1

11、8、在三极管放大电路中，三极管最高电位的一端是（ ）ANPN型管的发射极 BPNP型管的发射极 CPNP型管的集电极18、晶体三极管的发射结正遍，集电结反遍时，则晶体三极管所处的状态是（ ）。A放大状态 B截止状态 C饱和状态19、晶体三极管的两个PN结都反遍时，则晶体三极管所处的状态是（ ）。A放大状态 B饱和状态 C截止状态20、当晶体三极管反偏时，则晶体三极管的集电极电流将（ ）。A增大 B中断 C反向21、晶体三极管工作在饱和状态时，它的IC将（ ）。A随IB增大而增大 B与IB无关，只决定于RE和VG CB.随IB增大而减少22、用万用表测得NPN型晶体三极管各电极对地的电位是：VB

12、=4.7V，VC=4.3V，VE=4V，则该晶体三极管的工作状态是（ ）。A饱和状态 B截止状态 C放大状态23、若晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏则当基极电流减小时，使该三极管（ ）A集电极电流减小B集电极与发射极间的电压VCE上升 C集电极电流要增大24、在三极管放大电路中，三极管最高电位的一端是（ ）ANPN型管的发射极 BPNP型管的发射极 CPNP型管的集电极四、实验题1、在晶体三极管放大电路中，测得三极管三个脚的电位如图所示，请判断三极管所用的材料、管型和2脚的名称。 2、在研究三极管各极电流的情况与它们之间关系的实验中，调节集电极偏置电阻Rb可以改变基极电流IB。下表是实验中测得的三极管各极电流数据表。IB/mAI