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文档简介

1、模拟集成电路设计原理期末考试A卷 课程性质：必修 使用范围： 考试时间： 考试方式： 学号专业班级学生姓名 成绩题号一二三四五总分得分一填空题（每空1分，共14分）1、与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按_缩小，CMOS电路被证明具有_的制造成本。2、 放大应用时，通常使MOS管工作在_区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来表示电压转换电流的能力。3、为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，值_（较大、较小）。4、源跟随器主要应用是起到_的作用。5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_很高，因此可以做成_。6、由于_或_等因素，共模输入电平的变化会引起差动输出的改变。7、理

2、想情况下，_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为_结构。8、为方便求解，在一定条件下可用_法估算系统的极点频率。9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示，电路的输入电容Cin为_。10、为沟长调制效应系数，值与沟道长度成_（正比、反比）。二名词解释（每题3分，共24分）1、阱2、亚阈值导电效应3、沟道长度调制4、等效跨导Gm5、米勒定理6、N阱7、有源电流镜8、输出摆幅三画图题（每题8分，共16分）1、以VDS作为参数画出NMOS晶体管的IDVGS曲线。要求：（1）画三条曲线，VDS的值分别为VDS1、VDS2、V

3、DS3，其中VDS1<VDS2<VDS3；有适当的分析推导过程，并标出曲线中关键转折点的坐标。（2）画两条曲线，VDS的值分别为VBS=0、VBS<0；标出曲线中关键转折点的坐标。 2、画出差动对的输入输出特性曲线（IDVin）。要求：（1）标出曲线中关键转折点和极限点的坐标；（2）由图分析：通过什么措施可以使差动对的线性度更好。四简答（每题7分，共21分）1、“MOS器件即使没有传输电流也可能导通”，这种说法正确么？为什么？2、什么是体效应？体效应会对电路产生什么影响？3、带有源极负反馈的共源极放大电路相对于基本共源极电路有什么优点？五分析计算题（共34分）（下列题目中使用

4、教材表2.1所列的器件数据，所有器件尺寸都是有效值，单位均为微米。）1、（7分）假设=0，计算图示电路的小信号增益（表达式）。 2、（9分）差动电路如图所示，ISS=1mA，VDD=3V，(W/L)1、2=(W/L)3、4=50/0.5。（1）假设=0，求差动电压增益；（2）=0.45 V-1时，如果ISS上的压降至少为0.4V，求最小的允许输入共模电平。 3、（9分）(W/L)N=10/0.5，(W/L)P=10/0.5，IREF=100A，VDD=3V，加到M1、M2栅极的输入共模电平等于1.5V。（1）分别计算流过晶体管M3、 M4 、M5、 M6 、M7的电流；（2）假设=0，分别计算

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