【图文】晶体硅中过渡族金_第1页
【图文】晶体硅中过渡族金_第2页
【图文】晶体硅中过渡族金_第3页
【图文】晶体硅中过渡族金_第4页
【图文】晶体硅中过渡族金_第5页
已阅读5页，还剩12页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

1、 3.3 硅片表面,Si/SiO2界面,硅键界面吸杂 硅片表面及Si/SiO2界面在硅片内没有更优的吸杂位置 时,将会对硅片内的过渡族金属杂质产生.尽管这种形式 的吸杂并不是大家希望得到(硅片表面吸杂会使器件去杂 质浓度增大,但是当在硅片内部存在类似界面时,吸杂 便有效了. 这种吸杂方式竞争力不强,主要是由于硅片表面/器 件区也会对杂质进行吸引,使杂质富集. 第四章: 当前晶体硅中过渡族金属杂质吸除工艺 在过去数十年中,人们在硅片中过渡族金属杂质的吸 除方面所取得的成果主要包括以下几个方面: (1对硅片中过渡族金属杂质的电学性能及其在硅 片中的沉积行为有了更深的认识; (2进一步降低了硅片中的

2、金属杂质浓度; (3进一步提高了IC产品的价值. 在过去几年中,在IC产业中应用较广的吸杂工艺有内 吸杂,P扩散吸杂及注入吸杂;在PV产业中,Al吸杂 非常有效,虽然对于IC产业铝吸杂并不适用.重掺衬底 吸杂研究表明,其对Fe,Cu,Au,Co,Mn,Mo等金 属杂质具有很好的吸除作用.相比而言,界面吸杂作用并 不显著. 第五章:硅片中过渡族金属杂质吸除展望 吸杂工艺在未来的发展主要体现在以下两个方面: 一,由于产品生产实验的成本将会越来越高,计算机 模拟吸杂过程将发挥越来越大的作用.对于计算机模拟而 言,存在的主要问题是如何准确获得材料各种参数,包括 缺陷沉积区有效密度,沉积区域平均半径,分凝系数,以 及杂质的扩散系数等.在不远的将来,如何获得更为准确 的物性参数,是研究这亟待解决的问题. 二,对于IC产业,其吸杂工艺正由原来的内吸杂,背 场释放吸杂降低器件区杂质浓度扩展为通过其他一些分凝 机制的吸杂工艺来降低器件区金属杂质浓度,这是因为对 于浅结的一些IC器件,通过释放机制吸杂工艺,在小的热 预算情况下并不能使器件区的杂质浓度降到所需的要求. 对于PV产业,不许额外高费用步骤的吸杂将越来越得到重 视,并将在未来的几年长期居于垄断

人人文库> 全部分类> 教育资料 > 辅导培训

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论