内存颗粒和模组编号知识

1、无内存颗粒和模组编号知识内存颗粒和模组编号知识老头儿 的 内存颗粒和模组编号知识 60 问（http:/ ，李谦 2009-04-24 发表）在内存的颗粒和模组的编号中浓缩着内存的主要技术信息，但是，除了 JEDEC 对模组的标注方法有一个原则规定外， 颗粒和模组的编号规则都是由各个生产厂自行设定的， 编号方法很不一致。因此，网上有关编号的问题的讨论也很多，我认为，有许多理解是不准确的。为此，我花了一些时间到境外生产厂的英文官方网站去寻求答案。力求收集得全面一些。还真的有不少斩获。现将它们整理出来，供网友们参考。当然，所涉及的内存种类主要是个人电脑 用 户 接 触 到 的 UDIMM （ Un

2、buffered non-ECC DIMM 也 称 UBDIMM ） 内 存 和SO-DIMM(Small Outline DIMM )内存。服务器内存和其他专用内存都没有涉及。为了便于读者朋友查询，我编了一个内存颗粒编号速查表和内存模组编号速查表（见问题 3问题 4） 。当您要查询一个未知内存编号的含义时，可以首先跟这个速查表比对，了解了生产这种内存的厂商后，再根据本目录查询具体含义。目录一.关于内存的编号1.目前的主要内存厂商有哪些？2.内存是怎样编号的？3.请给出常用内存颗粒编号速查表！4.请给出常用内存模组编号速查表！二.关于内存的编号方法5.颗粒编号中的术语有哪些？说明其含义。6.当

3、表示颗粒结构时用“128M8”是什么意思？7.怎样根据颗粒编号求出 BANK 深度？8.怎样根据颗粒编号求出颗粒深度？9.如何根据颗粒的编号计算模组容量？10.怎样从内存编号中知道内存的速度？11.内存模组编号的术语有那些？说明其含义。12.当表示模组结构时用 256M64 是什么意思？13.什么是 RANK?14.如何根据模组的编号计算模组的容量？15.如何根据模组和颗粒的编号推算模组的颗粒数？16.JEDEC 对内存编号内容是如何规定的？17.请解释 JEDEC 标准中有关内存名词及其含义18.如何根据模组的编号计算模组的 RANK 数？19.模组的 RANK 数跟模组的面数有什么关系？2

4、0.内存标签上的 2R8 就表明内存是双面 8 个颗粒吗？21.内存标签上的 Warranty Void 是什么意思？22.内存标签上的 UNB 和 SOD 是什么意思？23.在内存标签上写的 RoHS 是什么意思？24.有害物质是指哪些？25.内存标签上的“0820”是什么意思？26.内存标签上的 P/N 和 S/N 是什么意思？27.我的内存是 2GB 的，为什么颗粒编号说是 1GB 的?无三.几个主要内存厂商编号方法介绍28.三星内存的颗粒是怎样编号的？29.三星内存的模组是怎样编号的？30.海力士内存以“HY5”为前缀的颗粒是怎样编号的？31.海力士内存以“H5”为前缀的颗粒是怎样编号

5、的？32.海力士 SDRAM 内存模组是怎样编号的？33.海力士 DDR 内存模组是怎样编号的？34.海力士 DDR2 内存模组是怎样编号的？35.海力士 DDR3 内存模组是怎样编号的？36.现代的乐金内存是怎样编号的？37.美光内存的颗粒是怎样编号的？38.美光内存的模组是怎样编号的？39.日立、日电和东芝旧内存颗粒是怎样编号的？40.尔必达内存的颗粒是怎样编号的？41.尔必达内存的模组是怎样编号的？42.英飞凌和奇梦达内存的颗粒是怎样编号的？43.英飞凌和奇梦达内存的模组是怎样编号的？44.南亚内存的颗粒是怎样编号的？45.南亚内存的模组是怎样编号的？46.易胜的颗粒是怎样编号的？47.

6、易胜的模组是怎样编号的？48.力晶的内存是怎样编号的？49.茂矽和茂德的颗粒是如何编号的？50.茂矽和茂德的模组是如何编号的？51.金士顿 Avardram 内存是如何编号的?52.金士顿 HyperX 内存是如何编号的?53.世迈内存的模组是如何编号的？54.海盗船内存是怎样编号的？55.瑞士军刀内存模组是怎样编号的？56.胜创的内存是怎样编号的?57.威刚内存模组是怎样编号的？58.宇瞻内存模组是怎样编号的？59.金邦内存模组是怎样编号的？60.超胜内存是怎样编号的？一.关于内存的编号1.目前的主要内存厂商有哪些？答：内存生产厂商很多，颗粒的生产厂商主要是韩国的三星、海力士；日本的尔必达；

7、美国的美光；德国的奇梦达和我国台湾的南亚、力晶和茂德等。据报导，2006 年，以上几个厂商生产的内存颗粒占世界总产量的 98%以上。因此，弄清楚这几个大厂颗粒编号规则就是十分重要的。模组生产厂商，则要分散得多，著名的有金士顿、世迈、金邦、威刚、胜创、瑞士军刀等。这些厂商大都是用以上颗粒厂生产的颗粒组装模组的，模组的编号基本上都符合 JEDEC 的规定，因此，认识这些模组生产厂的产品的主要参数和性能没有什么困难。但是，因为这些厂大都有自己的模组编号方法，因此，我也尽可能地对模组编号进行了收集整理。无现将几个主要生产厂商的官方网站介绍如下：Samsung（三星，也用 SEC 的标志，韩国） ：ht

8、tp:/ HyunDai 现代，后来又合并了乐金 LGS，韩国） ：ttp:/www.H ：ttp:/ NEC 和日立合组的专业 DRAM 生产厂，日本)：http:/ PSC，台湾） ：http:/www.SPC.comMosel（茂矽及茂德,台湾）:http:/.tw 和 http:/.twKingMax（胜创,台湾） ：http:/ ：http:/www. E.twKingston(金士顿，台湾)：http:/SMART(世迈，美国)：http:/ http:/2.内存是怎样编号的？答：内存的主要参数都可以从编号上得到答案。厂家对内存编号的方法有两类，第一类是对颗粒的编号；第二类是对内存

9、模组的编号。在一个内存模组上，这两类编号是同时存在的，而且是密切相关的。另外，JEDEC（电子元件工业联合会，Joint Electron Device EngineeringCouncil）也规定了一个编号方法，在近年出厂的内存标签上也都有这个编号。其实，这是对 模 组 的 简 单 明 了 的 编 号 。 以 上 几 种 编 号 的 样 式 见 下 图 。无颗粒的编号都是刻嵌在内存颗粒上面的，例如，上图中三星内存颗粒上的编号是“K4T1G084QD-ZCF7”（未全部显示出来） 。模组的编号是用纸贴在内存颗粒上的，如上图的“M378T5663DZ3-CF7”就是；JEDEC 的编号则是写在模

10、组标签的上方， 如图中的“2GB 2R8PC2-6400U-666-12-E3”就是。搞清这些编号的含义是十分重要的，因为在这些编号中包含了内存的结构和使用信息。3.请给出各种内存颗粒编号速查表！答：因为各种内存的编号方法很不统一，样式也太多，为了使读者查阅方便，我把主要内存厂商的内存编号各择其一两个样子，以便迅速查出该内存是哪个厂商生产的。欲知详细，还要查阅后面的分厂介绍。无4.请给出内存模组编号速查表！答：下表中的编号只是举例，供检索生产厂用。欲查清您手头的内存编号的含义，还需参看下面的有关问答题。无二.关于内存的编号方法5.颗粒编号中的术语有哪些？说明其含义。答：内存颗粒编号所表达的内容

11、较多，但是，主要是关于内存结构的内容。在进行寻址时就要先确定是哪个 L-Bank，然后再在这个选定的 L-Bank 中选择相应的行与列进行寻址。对内存的访问，一次只能是一个 L-Bank 工作，而每次与北桥交换的数据就是 L-Bank 存储阵列中一个“存储单元”的容量。在某些厂商的表述中，将 L-Bank 中的存储单元称为 Word（此处无代表位的集合而不是字节的集合） 。作为一般用户，不可能把内存结构的物理作用了解得很透彻。为了使“菜鸟”网友大概了解一下内存结构的名称及其含义，首先让我用一个比喻作介绍：假如，有 32 张方格纸，每张方格纸上有 1200 个小方格。把这 32 张完全相同的方格

12、纸分成四摞放到一张桌子上，因此，每摞就有 8 张方格纸了。好了，我们就可以用这些条件来说明什么是单元、什么是位宽、什么是 L-BANK 了。见下表：放到桌子上的方格纸内存颗粒的组织结构在内存中的名称条件和名称对比一张桌子 一颗芯片或一个颗粒颗粒或芯片（Chip 或 Die）一张方格纸一个（逻辑）BANK，一般简称 BANKBANK 或 L-BANK（Internal bank）每张方格纸中的小方格一个 BANK 中的存储单元 （每个 cell 存储 1bit，0 或 1）单元（cell）一张方格纸的小方格数一个 BANK 包含的单元格（cell）数BANK 深度（BANK depth）各摞方格

13、纸表面的那一层的小方格总数BANK 数与 BANK 深度的乘积,没有单位，只是 cell 个数颗粒深度（Chip depth）或颗粒长度（Chip length）一摞纸包含的张数(层数)BANK 的位宽，也是颗粒的位宽，以 b为单位颗粒位宽（bit organization）一张桌子上全部方格纸包含的小方格数颗粒深度 W 与颗粒位宽 M 的乘积，如64M8其乘积就是颗粒密度（Chip Density） ，单位是 Mb 或 Gb全部方格纸的小方格数除以8 后的数颗粒密度除以 8b/B 后， 以 MB 或 GB 为单位颗粒的容量（Density 或 Chip capacity）说明：1.一个逻辑

14、Bank 的颗粒深度已知的有 1M、2M、4M、8M、16M 和 32M 等。目前的 DDR2内存，大都是 8M、16M 和 32M 的；2.一个颗粒的位宽有过 4bit、8bit、16bit 和 32bit 的。目前，内存的位宽大都是 8b 和 16b 的；3.一个颗粒中的 BANK 数有 4、8 和 16 个的，DDR 内存的位宽多是 4BANK 的；目前 DDR2和 DDR3 内存大都是采用 8 个 Bank 的;4.BANK 的深度与 BANK 的乘积称为颗粒深度（Chip depth）,也称颗粒长度或地址空间。无5.颗粒密度有 64Mb、128Mb、256Mb、512Mb、1Gb 和

15、 2Gb 多种。DDR 内存的颗粒密度最大为 512Mb;目前 DDR3 内存的颗粒密度可以达到 4Gb。6.颗粒密度除以 8b/B 才是以字节表示的每个颗粒的容量(Capacity)。6.当表示颗粒结构时用“128M8”是什么意思？答：在电脑业界，经常把颗的结构用 MW 来表示。M 就是颗粒深度；W 就是颗粒位宽。例如，当用 128M8 表示，这个 128M 就是颗粒深度，单位为 1；8 是颗粒位宽，单位为 bit。二者的乘积就是颗粒密度。颗粒密度的单位是 Mb 或 Gb。7.怎样根据颗粒编号求出 BANK 深度？答：因为在颗粒编号中给出的参数都有颗粒密度、BANK 数和位宽，而颗粒密度=B

16、ANK 深度BANK 数颗粒位宽所以，BANK 深度=颗粒密度BANK 数位宽例如，当三星的颗粒编号是 K4T1G084QD 时，我们知道颗粒密度=1G=1024Mb;BANK 数是8 个；颗粒位宽是 8bit,因此，就有BANK 深度=1024Mb88b=16M8.怎样根据颗粒编号求出颗粒深度？答：颗粒深度又称颗粒长度，因为在颗粒编号中给出的有颗粒密度、BANK 数和位宽，而颗粒密度=颗粒深度颗粒位宽所以，颗粒深度=颗粒密度颗粒位宽例如，当三星的颗粒编号是 K4T1G084QD 时，我们知道颗粒密度=1G=1024Mb;颗粒位宽是8bit,因此，就有颗粒深度=1024Mb8b=128M9.如

17、何根据颗粒的编号计算模组容量？答：把颗粒密度乘以颗粒数就可以得到以 Mb 表示的内存的容量了。如果用 8 个颗粒，模组容量就是 1024Mb8=8192Mb。如果把它换算成我们熟悉的字节表示，除以 8b/B 后，就可以得到 1GB 了。这种情况往往给人造成错觉，以为颗粒编号中的“1G”就表示内存容量是 1GB 的。其实这是错误的， 因为你不能根据一个颗粒的密度就判定模组的容量。 因为容量的大小跟颗粒数有关。对于颗粒密度是 1Gb 的颗粒来说，如果你用的是 8 个颗粒，容量就是 1GB：如果是用 16 个颗粒的话，容量就是 2GB 了。10.怎样根据内存编号查出内存的速度？答：内存的速度是内存的

18、一个重要的技术指标。所以，在颗粒和模组的编号上都必须给以标注。标注方法基本上是用数字或英文字符表示的。但是，在一般情况下，从这些字符上是看不出具体速度值的。 而且各个厂家的表示方法也不尽一致， 必须根据厂家给出的说明予以认定。不过，这个标志的位置通常都是置于编号后部的短字符“-”的后面。例如，三星内存模组的编号是 M378T5663DZ3-CF7 时，“-”后的“F7”就表示 DDR2-800。11.内存模组编号的术语有那些？说明其含义。答：内存模组编号的内容除了反映所采用的颗粒的特性外，还反映了模组的参数。例如插槽的类型、模组的数据深度、数据位宽等。有的内存编号还直接反映内存的容量。为了使“

19、菜鸟”网友大致了解模组编号中所使用的技术术语， 还是想利用在桌子上摆方格纸的例子做对比说明。方格纸的摆放方法模组的组成方法在内存中的名称把几张桌子上的方格纸合并,把几个颗粒并联成 64bit 的集合64bit是一个RANK或一个物无用摆方格纸做比喻按原摞数叠成每摞 64 张理 BANK（P-BANK）几张桌面上的方格纸合并成64 张为一摞后，第一层方格纸包含的小方格数组成位宽为 64b 的模组后， 整个模组的数据深度。 可能是颗粒深度的一倍或 2 倍模 组 的 数 据 深 度 Moduledepth。 是颗粒深度的两倍时，就是 2RANK各张桌面上的方格纸合并成64 张为一摞后，全部方格纸包含

20、的小方格数内存模组数据深度64b。单位是 Mb 或 Gb模组密度 Module sensity全部小方格数除以 8模组密度除以 8b/B，以 MB 或GB 为单位模组容量 Module Capacity 或sensity注：如果模组的深度和颗粒深度相同，称为 1 个 RANK 的内存；如果模组的深度是颗粒深度的 2 倍，称为 2RANK 的内存。12.当表示模组结构时用 256M64 是什么意思？答：其中的“256M”表示模组的深度是 256M；“64”表示 模组的数据宽度是 64b。普通用户使用的电脑都是用”64”表示。二者的乘积就是模组的密度。模组密度除以 8b/B 就可以求出模组的容量。

21、例如，对于标有 256M64 的模组，其容量就是256M64b8b/B=2048MB=2GB为了简化估算，将模组深度乘以 8b/B，就可以得出模组容量了。13.什么是 RANK?答：CPU 与内存之间的接口位宽是 64bit，也就意味着 CPU 在一个时钟周期内会向内存发送或从内存读取 64bit 的数据。可是，单个内存颗粒的位宽仅有 4bit、8bit 或 16bit，个别也有32bit 的。因此，必须把多个颗粒并联起来，组成一个位宽为 64bit 的数据集合，才可以和CPU 互连。生产商把 64bit 集合称为一个物理 BANK（Physical BANK） ，简写为 P-BANK。为了和

22、逻辑 BANK 相区分，也经常把 P-BANK 称为 RANK 或 Physical RANK,把 L-BANK则简称为 BANK。如果每个内存颗粒的位宽是 8bit，应该由 8 个颗粒并联起来，组成一个 RANK（64bit） ；同理，如果颗粒的位宽是 16bit，应该由 4 个颗粒组成一个 RANK。由此可知：Rank 其实就是一组内存颗粒位宽的集合。具体说，当颗粒位宽颗粒数=64bits时，这个模组就是有一个 RANK。为了保证和 CPU 的沟通，一个模组至少要有一个 RANK。但是，为了保证有一定的内存容量，目前，DDR2 内存，经常是采用一个模组两个 RANK 的架构。 （过去也有用

23、几个模组组成一个 RANK 的情况） 。14.如何根据模组的编号计算模组的容量？答：模组的深度与模组的数据宽度的乘积就是模组密度（Module Density） 。此密度除以 8b/B就是模组的容量(Memory capacity)。例如，当三星模组编号是 M378B5673DZ1-CH9 时，模组的深度是 256M，数据宽度是 64b，则模组容量就是256M64b8b/B=256M8B=2048MB=2GB如果不考虑单位，简单的换算方法是将模组深度数乘以 8B 就是内存的容量数。即256M8B=2048MB=2GB。有些品牌内存（如宇瞻和奇梦达）的模组编号中也直接显示出内存的容量。15.如何

24、根据模组和颗粒的编号推算模组的颗粒数？答：因为模组的编号上可以知道模组深度和数据宽度，因此，二者相乘就是模组的密度。另外，从颗粒编号中可以知道颗粒的密度，因此有颗粒数=模组密度颗粒密度例如， 当三星模组编号是 M378B5673DZ1-CH9 时， 模组数据深度是 256M。 数据宽度是 64b，无因此，模组密度=256M64b=16384Mb。另外，已知所用的颗粒编号是 K4T1G084QD-ZCF7，颗粒密度是 1024Mb因此，颗粒数=16384Mb1024Mb=16 颗。16.JEDEC 对内存编号是如何规定的？答：在 JEDEC 第 21C 号标准第 8 条中，对 DDR2 内存产品

25、的标签（Product lable）的格式和内容有具体的规定。下表的标签就是按 JEDEC 的标准设置的。其中的：“模组总容量”（Module total capacity）有 256MB,512MB,1GB,2GB,4GB 等；“模组构成”中的“R”是“RANK”的意思。“2R”是说组成模组的 RANK 数（Number of ranks ofmemory installed）是 2 个。有“1R”和“2R”两种；“模组构成”中的“8”是颗粒的位宽(bit width)，有4、8 和16 三种；“模组名称”的“PC2-6400”中的“6400”是以 MB/s 表示的模组带宽（Module b

26、andwidth） ，有“PC2-5300”(DDR2-667)和“PC2-6400”(DDR2-800)等（DDR2-1066 并不是 JEDEC 标准）“插槽类型”即是模组类型（Module Type） ，有 F （ Fully Buffered DIMM (FB-DIMM)） 、M（ Micro-DIMM） 、N( Mini-Registered DIMM)、P( Registered DIMM)、R( RDIMM)、S( SmallOutline DIMM)和 U( Unbuffered DIMM (UDIMM)等多种标识。但是，对普通电脑用户来说，使用的是“U”型（Unbuffere

27、d non-ECC DIMM） ，即桌式普通内存和“S”型(SO-DIMM),即笔记本型内存。 有的厂家还把“插槽类别” （模组类型） 中的“U”用“UNB” （Unbuffered DIMM）单独表示；把“S”用“SOD”(SO-DIMM)单独表示。“时序”中的“666”分别表示表示“CL”、 “tRCD”和“tRP”的延迟值,这里都是 6。 也有的厂家还把时序的第 4 个延迟 tRAS 也表示出来，例如：6-6-6-18。“SPD 版次”的原文是 JEDEC SPD Revision Encoding and Additions level used on this DIMM，其中的“12

28、”表示 JEDEC SPD 是 1.2 版；最后的参考项是生产厂商设计时采用 JEDEC 标准情况的有关标记和版本。17.请解释 JEDEC 标准中有关内存名词及其含义！答：JEDEC 标准中对内存名词的含义如下：Unbuffered DIMM无缓存的普通桌式内存，一般表示为 UDIMM、 DIMM 或 UNB;DIMM Capacity内存的总容量，以 MB 为单位表示。在有的厂家也把模组容量称为 DIMMDensity。DIMM Organization内存模组的结构。以整个模组的数据深度跟数据位宽的形式表示。例如：“128Meg64”表示模组的数据深度是 128Meg，模组的数据宽度是

29、64bit。由此可以推出模组的总容量是 128M64b8b/B=1024MB=1GB；SDRAM Density颗粒的密度，即每个颗粒的总位（bit）数。例如，当 SDRAM Density 是512Mb 时，由 16 个颗粒组成的模组容量就是 512Mb168b/B=1024MB=1GB；由 8 个颗粒组成时，模组容量就是 512MB。SDRAM Organization颗粒结构。是颗粒深度（SDRAM depth）与颗粒位宽的乘积。例如，无当 SDRAM Organization 是 64Meg8 时，颗粒密度就是 64M8b=512Mb。在内存业界也把颗粒深度称为颗粒长度，以跟 BANK

30、 深度相区别；Number of SDRAM颗粒数；Number of Physical Rank物理 RANK 数，即 P-BANK 数。在本文中简称 RANK 数；Number of Bank in SDRAM一个颗粒的逻辑 BANK 数；SDRAM Packge Type颗粒的封装类型。18.如何根据模组的编号计算模组的 RANK 数？答：根据模组组成原理可以知道：如果模组的深度等于颗粒的深度，就是一个 RANK；如果模组的深度等于两倍颗粒深度，就是两个 RANK。例如，编号为 M378B5673DZ1 的三星模组的模组深度是 256M。又因为这种模组采用的是 K4T1G084QD 颗粒

31、。这种颗粒的密度是 1024Mb；位宽是 8b，因此，颗粒深度是 1024Mb8b=128M。即模组深度是颗粒深度的两倍，因此，是两个 RANK。此外，从模组编号或颗粒编号给出的颗粒位宽和实际颗理粒数也可以计算出 RANK 数。例如，当颗粒位宽是 8b 时，模组用了 8 个颗粒，88b=64b，就是一个 RANK；如果用了 16颗颗粒，168b=128b，就是两个 RANK。19.模组的 RANK 数跟模组的面数有什么关系？答：模组的面（side）数跟 RANK 数是两个不同的概念。而且在内存的编号中也都没有反映面数。但是，模组的面，不是一个，就是两个；而目前的 RANK 数也是这样。因此，用

32、符号表示它们时，很容易混淆。但是，可以很明确地说：内存标签中的“R”是表示 RANK,不是表示面数，内存“面”的英文字是 Side，如果表示两个面的话面，应该是“2S”才是呀！20.内存标签上的 2R8 就表明内存是双面 8 个颗粒吗？答：不是的。“R”表示 RANK，这在上面已经解释过了。“8”就是颗粒位宽是 8bit 的意思。因为 1 个 RANK 是 64bit，两个 RANK 就是 128bit，因此，符号“2R8”就表示这个模组有 2个 RANK,颗粒的位宽是 8b。因此，这个模组用的颗粒是 128b8b/颗=16 颗，而不是 8 颗。同理， 当内存条上的标签标明是“1R16”时，

33、就表明这个模组是1个RANK； 颗粒位宽是16bit。其颗粒数是 64b16b/颗=4 颗。绝不是 16 颗。21.内存标签上的 Warranty Void 是什么意思？答：Warranty Void if label Removed 的含义是：如果此标签破坏了，将不予保修保换的意思。22.内存标签上的 UNB 和 SOD 是什么意思？答：UNB 是 Unbuffered DIMM 的意思，就是没有缓冲、没有 ECC 的普通桌式内存；SOD是 SO-DIMM 的意思，就是普通的笔记本电脑内存。在 JEDEC 的标志中，UNB 用“U”表示；SOD 用“S”表示。见第 16 问。23.在内存标签

34、上写的 RoHS 是什么意思？答：RoHS 是欧盟电气、电子设备中限制使用某些有害物质指令 （the Restriction of the useof certain hazardous substances in electrical and electronic equipment）的英文缩写。其发布的标准称为 RoHS 认证，RoHS 认证是目前最严格的环境认证之一。欧盟已经在 2006 年 7 月 1日实施 RoHS，届时使用或含有重金属以及多溴二苯醚 PBDE、多溴联苯 PBB 等阻燃剂的电气电子产品将不允许进入欧盟市场。24. 有害物质是指哪些？答：RoHS 一共列出六种有害物质，

35、包括：铅 Pb，镉 Cd，汞 Hg，六价铬 Cr6+，多溴二苯醚 PBDE，多溴联苯 PBB。25.内存标签上的“0820”是什么意思？答：说明该产品是 2008 年第 20 周生产的。26.内存标签上的 P/N 和 S/N 是什么意思？无答： P/N 是产品编号的意思， 主要是说明产品的技术特性。 本文就是探讨这个编号的含义的；S/N 是该产品系列号的意思,主要是说明该产品的生产时间和序列号。27.我的内存是 2GB 的，为什么颗粒编号说是 1GB 的?答：你说你的内存颗粒编号是：HYB18T1G802AF-3S，这是英飞凌 DDR2-667 的颗粒，它的颗粒密度的确是 1Gb(不是 1GB

36、)，如果有 8 个颗粒的话，模组的容量是 1GB 的，如果是16 个颗粒就是 2GB 的了。在一般情况下，在颗粒的编号中标注的是颗粒的密度，单位为 Mb 或 Gb。在模组编号中只标注模组的深度（是 M 数或 G 数）和模组的数据宽度（64b） 。模组的容量通过计算才能求出来。计算方法上见第 9 和第 12 问。三各种常用内存的编号方法28.三星内存颗粒是如何编号的？答：三星内存的颗粒（单个芯片）编号是直接嵌刻在颗粒上的，其编号规则和符号的意义见下图（是我根据厂家官方网站的说明整理的） ：在上表中只给出了 DDR2 的速度（Speed）表示方法。DDR 速度的表示方法是：CC:DDR400(20

37、0MHzCL=3,tRCD=3,tRP=3)B3:DDR333(166MHzCL=2.5,tRCD=3,tRP=3)A2:DDR266(133MHzCL=2,tRCD=3,tRP=3)B0:DDR266(133MHzCL=2.5,tRCD=3,tRP=3)DDR3 的速度（Speed）表示方法是：F7:DDR3-800(400MHzCL=6,tRCD=6,tRP=6)F8:DDR3-1066(533MHzCL=7,tRCD=7,tRP=7)H9:DDR3-1333(667MHzCL=9,tRCD=9,tRP=9)K0:DDR3-1600(800MHzCL=11,tRCD=11,tRP=11)。

38、此外，颗粒密度（Density）还有非 8 的整数倍的表示方法。有 33、65、29、57、52、和 1K的标记。其意义如下：33:32M(for128Mb/512Mb)；65:64M(for128Mb/512Mb)；29:128M(for128Mb/512Mb)；57:256M(for512Mb/2Gb)；52:512M(for512Mb/2Gb)；1K:1G(for2Gb)三星 DDR 内存颗粒编号举例三星内存颗粒的编号是 K4H560838H-UCB3 时，“K4H”说明这是一个 DDR 内存;“56”说明其颗粒密度是 256Mb；“08”说明颗粒位宽是 8bit;后面的“3”说明是 4

39、 个 BANK;“3”后的“8”说明无是 SSTL 接口,2.5V；“H”说明版本较新。编号最后的“B3”说明这是一个 DDR333 内存颗粒。三星 DDR2 内存颗粒编号举例三星内存颗粒的编号是 K4T1G084QD-ZCF7 时，“K4T”说明这是一个 DDR2 内存;“1G”说明其颗粒密度是 1Gb；“08”说明颗粒位宽是 8bit;后面的“4”说明是 8 个 BANK;“4”后的“Q”说明是 SSTL 接口,1.8V；“D”说明版本是第 5 版。编号最后的“F7”说明这是一个 DDR2-800 内存颗粒，CL=6,质量不如“E7”的。三星 DDR3 内存颗粒编号举例三星内存颗粒的编号是

40、 K4B2G1646B-ZCH9 时，“K4B”说明这是一个 DDR3 内存;“2G”说明其颗粒密度是 2Gb； “16”说明颗粒位宽是 16bit;后面的“4”说明是 8 个 BANK;“4”后的“6”说明是 SSTL 接口,1.5V；“B”说明版是第 3 阪。编号最后的“H9”说明这是一个 DDR3-1333 内存颗粒。29.三星内存的模组是怎样编号的？答：三星（Samsung）内存的模组（内存条）编号规则和符号见下图，该图是我根据厂家官方网站的说明归纳的：三星 DDR 内存模组编号举例：M368L6423HUN-CB3 中的“M368L”表示这是三星 DDR 普通桌用电脑内存,其中的“6

41、8”表示模组数据位宽是 64bit、184 针的 UDIMM 内存；之后的“64”表示模组的数据深度是 64Meg；再往后的“2”表示颗粒有 4 个 BANK；后面的“3”表示颗粒位宽是 8 位；“HUN”分别表示版次和封装等；最后的“B3”表示这是一个 DDR333 内存。这种内存的总容量需要通过计算才能知道，容量为 64M64b8b/B=512MB。因为 UDIMM 内存的数据宽度是 64b，因此，直接把数据深度乘以 8b/B 就可以得到总容量。即有 64b8b/B=512MB。下同。三星 DDR2 内存模组编号举例：M378T5663DZ3-CF7 中的“M378T”表示这是三星 DDR

42、2 普通桌用电脑内存， 其中的“78”表示传输的数据位是 64bit 的 UDIMM 内存；之后的“56”表示模组的数据深度是 256Meg；再往后的“6”表示颗粒有 8 个 BANK；“3”表示颗粒位宽是 8bit；“DZ3”分别表示版次和封装等；无最后的“F7”说明这是一个 DDR2-800 内存。因此，容量是 256M64b8b/B=2048MB=2GB。DDR3 内存模组举例：M378B5673DZ1-CH9 中的“M378B”表示这是三星 DDR3 普通桌用电脑内存，其中的“78”表示传输的数据位是64bit、 240针的UDIMM内存； 之后的“56”表示模组的数据深度是256Me

43、g；再往后的“7”表示颗粒有 8 个 BANK3；“3”表示颗粒位宽是 8bit；“DZ1”分别表示版次和封装等； 最后的“H9”说明这是一个DDR3-1333 内存。 因此， 模组的总容量是 256M648b/B=2GB。30.海力士内存以“HY5”为前缀的颗粒是怎样编号的？答：韩国 Hynix（海力士）原来是现代（Hyundai）公司所属的一个内存生产厂，当时生产的内存颗粒编号都是以“HY”为前缀的。后来 Hynix 成了一个独立的内存生产厂，其颗粒编号也改为以“H”为前缀了。因此，一般把以“HY”为前缀的内存颗粒称为“现代”内存；而把以“H”为前缀的颗粒成为“海力士”内存。其实都是 Hy

44、nix 的产品。以“HY5”为前缀的内存颗粒都是比较早期的内存，在计算机用的内存中，DDR2 和 DDR3 内存没有再使用“HY”为前缀为编号。但是，在 Consumer Memory(用于电视机机顶盒或摄像机等用的内存)中，仍然继续使用了一段时间。2007 年决定所有海力士内存的前缀都用“H”代换“HY”。现在举例说明以“HY5”为前缀的内存的命名方法，见下表所示（根据厂家网站资料，按我的理解归类的） 。以“HY5”为前缀的海力士内存颗粒的编号规律含义类型 电压密度位宽BANK接口版本功耗封装-速度温度SDRAMHY57 V56820FTP-10sSDRAMHY57 V651620ATC -

45、75DDR1HY5DU56822DTP-D43DDR1HY5DU12422BLT-M注；其中的速度，对 SDRAM 来说：5:5ns(200MHz)；6: 6ns(166MHz)；75: 7.5ns(133MHz)；K: PC133, CL2；H: PC133, CL3；P: PC100, CL2；S: PC100, CL3；10: 10ns(100MHz)；15: 15ns(66MHz)。对 DDR 来说：有过变动，“D4”代表 DDR400，时序为 3-4-4；“D43”代表 DDR400，时序为3-3-3； “J”代表 DDR333； “M”、 “K”和“H”都代表 DDR266， 只是

46、时序不同； “L”代表 DDR200；“4”代表 250MHz；“5”代表 200MHz。其他项的解释：类型：“HY”现代的意思；“5”和“57”都代表 SDRAM 内存；“5D”代表 DDR1 内存；电压：是指处理工艺和供电电压（PROCESS & POWER SUPPLY） ：对 SDRAM 和 DDR1：空白是 5V;“V”代表 CMOS,3.3V；“U”代表 CMOS,2.5V；密度：是指颗粒密度和刷新速度（DENSITY & REFRESH） ：对 SDRAM 来说，“64”和“65”都是 64Mb;“26”和“28”都是 128Mb；“56”和“52”都是 256M

47、b。对 DDR1 来说，“28”是 128Mb；“56”是 256Mb;“12”是 512Mb 。根据密度和模组颗粒数就可以知道模组的容量。例如，密度标以“12”时，如果有 8 个颗粒，模组容量就是 512MB；如果有 16 个颗粒，容量就是 1GB。位宽：是指颗粒的位宽（datawidth） ：“4”代表“4”；“8”代表“8”;“16”代表“16”；“32”代表“32”。BANK： 是指每个颗粒的逻辑 BANK 数。 “1”代表 2BANK； “2”代表 4BANK； “3”代表 8BANK。接口：是指颗粒的电气接口（Interface） 。“0”代表 LVTTL;“1”代表 SSTL;“

48、2”代表 SSTL_2；无版本：是指颗粒出厂的版本。空白代表第 1 版；二版后依次用 A、B、C、D 等表示；功耗：是指功率消耗（Power consumption） 。空白表示正常耗电；“L”表示低功耗；封装：芯片发封装方法（Package） 。TC：400mil TSOPII；JQ:100Pin-TQFP；速度；速度（speed）是指颗粒的频率，说明见表注。温度：温度（Temperature） ，“I”是工业温度；“E”是扩展温度。但是，在编号中经常没有这一项。31.海力士内存以“H5”为前缀的颗粒是怎样编号的？答：以“H5”为前缀的内存颗粒命名方法是 Hynix（海力士）完全从现代（Hy

49、undai）独离出来以后的命名方法，比较规范。因为编号的位数相同，就不致引起误解,下表是 2008 年的编号举例：在表中各个符号的含义:前缀中的“H”代表 Hynix； “5”代表 SDRAM； 但是， 应该注意的是“位宽”中的“6”是代表 16 位的。密度中的“64”是 64M / 4K REF / 64ms；“12”是 128M / 4K REF /64ms；“25”是 256M / 8K REF / 64ms；“51”是 512M / 8K REF / 64ms 。电压和处理工艺中的“Q”代表 VDD=1.5V&VDDQ=1.5V。封装类型中的“F”代表 FBGA。封材中的“P”

50、代表铅；“R”代表卤素类。能源消耗： （空白=普通；L=低功耗型） 封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；FFBGA；FCFBGA（UTC:8xmm） ） 封装堆栈： （空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J其它；M=MCP（Hynix） ；MUMCP（UTC） ） 封装原料： （空白=普通；P=铅；H卤素；R=铅+卤素） 速度： （D4DDR4-；D4=DDR4-4-4；JDDR；MDDR-；KDDR66A；HDDR66B；LDDR）4工作温度： （I=工业常温（-4-85 度） ；E=扩展温度。其他可参看前表。32.海力士 SDRAM 内存模组是怎样编号的？答：此类模组类型很

51、多，现将普通用户常用的两种 DIMM168 针内存介绍如下：以 HYM7 为前缀的内存前缀数据宽度 深度刷新BANK-速度说明无HYM7V6480164MB，PC66，168pinHYM7V6580164MB，PC100，168pinHYM7V631601128MB，PC133，168pinHYM7V654001032MB，PC100，168pin“HYM7V”是海力士早期的 SDRAM 内存模组；“64”、“65”和“63”都表示数据位宽是 64bit，但是，频率不同；“深度”是指模组的深度，有“1”、“2”、“4”、“8”和“16”等，是 Meg 数；“刷新”是指刷新速度。“0”、“1”、

52、“2”和“3”分别代表 1K、2K、4K 和 8K；“BANK”代表每个颗粒的逻辑 BANK 数。“0”是 2BANK；“1”是 4BANK；模组容量=数据位宽（b）深度8b/B以“MYM71”为前缀的海力士模组前缀数据宽度型深度刷新BANK- 说明HYM71V64801- 64MB，PC66，168pinHYM71V65M1601- 128MB，PC100，SODIMMHYM71V633201- 256MB，PC133，168pinHYM71V65400- 32MB，PC100，168pin注：因为当时有几个厂生产 SDRAM 内存，编号不很统一，不再一一列举。33.海力士 DDR 内存模组

53、是怎样编号的？答：海力士（Hynix）DDR 内存模组 2001 年有一个以“HYD”为前缀的编号法，2002 年又修改为以“HYMD”为前缀的编号法。除了前缀有所不同外，二者的差别不大，而且后者也涵盖了前者。因此，我把它们列成了一个表。无34.海力士 DDR2 内存模组是怎样编号的？答：海力士（Hynix）DDR2 内存模组 2007 年有一个以“HYMD”为前缀的编号法，2008 年又修改为以“HMD”为前缀的编号法。除了前缀有所不同外，二者的差别不大，而且后者也涵盖了前者。因此，为了简化，我把它们列成了一个表,供一般电脑爱好者使用已足够用。模组的容量可以用数宽模深8 或用颗粒数颗粒密度的

54、方法得到。例如对于第 1 行的编号为“HYMP532U64CP6-Y5”的模组来说，容量是 64b32M8b/B=256MB。或用 512Mb/颗4颗8b/B=256MB。后缀为“Y5”，说明这个模组是容量为 256MB 的 DDR2-667 内存。35.海力士 DDR3 内存模组是怎样编号的？答：2007 年发布了一个以“HYMT”为前缀的编号方法，2008 年又改为以“HMT”为前缀的编号方法。二者的差别不大。为了简化，我把它们归结为一个表表示。见下表：无36.现代以“GM”搞和“GMM”为前缀的内存是怎样编号的？答：以 GM 开头内存内存原是 LGS 公司（乐金）生产的内存，由于 Hyu

55、ndai（现代）公司收购了 LG 的内存制造部门， 并继续以这个牌子生产了一段时间， 所以， 也可以认为以“GM”为前缀的内存也是现代内存。又因为现代公司的内存生产厂是 Hynix（海力士） ，因此也可以说这种内存是海力士内存的早期产品。一.以“GM”为前缀的颗粒编号方法见下表：含义类型 电压密度位宽BANK接口版本功率封装-速度SDRAMGM72V16821CT-10KSDRAMGM72V281621BT-75其中：密度： 颗粒密度和刷新速度， 有 16(16M,4K);17(16M,2K)； 28 （128M， 4K） ； 64 （64M， 16K） ；65(64M，18K)；66（64M

56、，14K） ；位宽：4(4)；8（8） ；16（16） ；32（32） ；BANK：有 1、2、4、8，分别代表 1、2、4、8 个 BANK；接口：有“1”，代表 LVTTL；版本：空白代表原始版；“A”、“B”和“C”依次为修订第 1、第 2 和第 3 版；功耗：空白则为普通的；“L”表示是低功耗；封装：有“T”、“R”、“I”和“S”；速度；有 6（166MHz） ；65（153MHz） ；7（143MHz） ；75（133MHz） ；8（125MHz） ；7K（PC100，2-2-2） ； 7J（PC100，3-3-3） ；10K（PC66）;10J(PC66)；12（83MHz） ；

57、 15（66MHz） 。二.以“GMM”为前缀的模组编号方法见下表：公司 厂名类型位宽深度刷新模式结构芯版模版封装-速度无GMM76416163NT-6其中：公司（HYNIXC-Site） ：符号“GMM”代表海力士公司；厂名 （MANUFACTURE） ： 是指该内存的具体生产工厂， 有 LGS 工厂， 符号是空白； SMART用“S”表示；Tanisys 用“T”表示；家族（FAMILY） ：表示颗粒的类型，“7”或“2”表示 SDRAM；位宽（ORGANIZATION） ：是表示模组的位宽（ORGANIZATION）:8:x8；9:x9；32:x32；33:x32(2CAS)；34:x3

58、2(2WE)；36:x36；64:x64；65:x64(2CAS)；66:x64(2WE)；67:x64(4CAS)；72:x72；73:x72,ECC；14:x144。深度（DEPTH） ：是模组的数据深度。有 1:1M； 2:2M； 4:4M;8:8M；16:16M；32:32M;64:64M;刷新（REFRESH） ：有 0:1KRefresh；1:2KRefresh；2:4KRefresh；3:8KRefresh；模 式 （ ACCESS/VOLTAGEMODE ）： 是 存 储 / 电 压 模 式 。 有 :5FastPageMode,5V ；6:EDOMode,5V；7:FastP

59、ageMode,3.3V；8:EDOMode,3.3V构件（COMPOSITIONCOMPONENT） ：有0:168pinBufferedSIMM/DIMM；1:200pinBufferedDIMM；3:168pinUnbufferedDIMM；7:144pinUnbufferedSODIMM；芯版（ICREVISIONNO.） ：是指颗粒的版本。有:空白：原始版（Original） ；A：第 1 版；B：第二版；C:第 3 版等；模版（MDLREVISIONNO.）模组的版本。空白是原始版；N 是第 1 版；M 是第二版等；封装（PACKAGE&TERMINAL）是封装和端子:S

60、是:SOJSOLDER；SG 是 SOJGold;是 T 是TSOP,Solder；I 是 BLP,Solder;TG 是 TSOP,Gold；速度（Speed） ：5:50ns；6:60ns；7:70ns.37.美光内存的颗粒是怎样编号的？答：Micron(美光)是著名的美国的内存生产厂，在西安有生产厂。美光在我国被译成多种名称，如镁光、麦康、麦克龙等。美光内存的编号方法不像三星和海力士那样复杂多变。各种 UDIMM（也作 UBDIMM）内存的颗粒编号规则见下表。遗憾的是美光颗粒的编号虽然简化明确，但是，它经常不是把这个编号嵌刻在颗粒上。无美光内存海有一个 Crucial 品牌，是很出名的，但是，也不是按规定编号的。例如前几年