电路分析与电子电路基础电路复习(北邮计算机)

1、第一章第一章 电路模型与基尔霍夫定律电路模型与基尔霍夫定律第二章第二章 电阻电路的基本分析方法与定理电阻电路的基本分析方法与定理第三章第三章 动态电路的时域分析动态电路的时域分析第四章第四章 正弦稳态电路的分析正弦稳态电路的分析第五章第五章 基本半导体器件基本半导体器件第六章第六章 基本放大电路基本放大电路第七章第七章 集成运算放大电路集成运算放大电路第八章第八章 负反馈放大电路负反馈放大电路第九章第九章 直流稳压电源直流稳压电源第十章第十章 波形产生与整形电路波形产生与整形电路电路与电子学基础1-1 电路与电路模型电路与电路模型1-2 电路分析中的基本变量电路分析中的基本变量 1、电流、电压

2、及它们的参考方向、电流、电压及它们的参考方向 2、关联参考方向关联参考方向 3、功率、功率1-3 基尔霍夫定律基尔霍夫定律 1、KCL（节点或封闭面）（节点或封闭面） 2、KVL1-4 直流电路的基本元件直流电路的基本元件 电阻、电阻、独立源（理想、实际）、受控源独立源（理想、实际）、受控源第一章第一章 电路模型与基尔霍夫定律电路模型与基尔霍夫定律基尔霍夫电流定律基尔霍夫电流定律(KCL)ii入出0123iii321iii对于任一集总电路中的任一节点，在任一时刻，流入对于任一集总电路中的任一节点，在任一时刻，流入（或流出）该该节点的所有支路电流的代数和为零。（或流出）该该节点的所有支路电流的代

3、数和为零。1( )0bkki t3i2i1iKCL 也适用于广义节点（封闭面）。也适用于广义节点（封闭面）。基尔霍夫电压定律基尔霍夫电压定律(KVL) 1( )0bkku tuu降升1234=uuuu对任一集总电路中的任一回路，在任一时刻，沿该回对任一集总电路中的任一回路，在任一时刻，沿该回路的所有支路电压降的代数和为零：路的所有支路电压降的代数和为零：1234 0uuuu顺时针即：2-1 等效的概念及等效变换分析等效的概念及等效变换分析 1、电阻的串联与分压公式、电阻的串联与分压公式 2、电阻的并联与分流公式、电阻的并联与分流公式 3、电源的等效变换电源的等效变换2-2 复杂电路的系统分析方

4、法复杂电路的系统分析方法 1、支路电流法、支路电流法 2、节点电压法节点电压法第二章第二章 电阻电路的基本分析方法与定理电阻电路的基本分析方法与定理2-3 电路分析基本定理电路分析基本定理 1、叠加定理叠加定理 2、替代定理、替代定理 3、戴维南定理和诺顿定理戴维南定理和诺顿定理 4、最大功率传输定理最大功率传输定理 5、对偶特性、对偶特性issuRsuu0ssuuiRssiiu Risiu0ssi R对外电路等效对外电路等效：对外对外VCR曲线曲线完全相同。完全相同。sssui RsssiuR实实际际电电压压源源实实际际电电流流源源实际电压源实际电压源/ /实际电流源实际电流源节点电压法的列

5、写规则节点电压法的列写规则节点电压法的列写规则：节点电压法的列写规则：本本节点节点电电压压乘以乘以本节点本节点自自电导电导，加上相邻，加上相邻节点电压节点电压乘以本乘以本节点节点与相邻与相邻节点节点之之间的互间的互电导电导，等于，等于流入本节点所有电流源电流的代流入本节点所有电流源电流的代数和数和。11 112211121 12222221 122nnsnnsnnnnnsnnG uG uG uiG uG uG uiG uG uG ui节点电压法的节点电压法的几种特殊情况几种特殊情况（1）若）若支路为电压源与电阻串联支路为电压源与电阻串联，则可等效为电流，则可等效为电流源与电阻并联。源与电阻并联

6、。（2 2）若电路中含有电流源与电阻串联的支路若电路中含有电流源与电阻串联的支路，则在，则在列节点方程时不考虑此电阻。列节点方程时不考虑此电阻。（3） 若电路中含有理想电压源支路若电路中含有理想电压源支路，则，则设其支路电设其支路电流流i为未知量，同时增列一个电压源支路电压与相关节为未知量，同时增列一个电压源支路电压与相关节点电压的方程。点电压的方程。（4 4）当电路中含有受控源时当电路中含有受控源时，把受控源当作独立源对，把受控源当作独立源对待待，按一般规则列写独立节点电压方程。，按一般规则列写独立节点电压方程。设法设法以节点以节点电压表示电压表示受控源的受控源的控制量，即每个控制量对应一个

7、辅控制量，即每个控制量对应一个辅助方程助方程。叠加定理叠加定理叠加定理：叠加定理：在由线性电阻、线性受控源和独立电源在由线性电阻、线性受控源和独立电源组成的电路中，任一元件的电流组成的电路中，任一元件的电流( (或电压或电压) )可以看成可以看成是电路中每一个是电路中每一个独立电源单独作用独立电源单独作用于电路时，在该于电路时，在该元件产生的电流元件产生的电流( (或电压或电压) )的代数和。的代数和。单独作用的含义：单独作用的含义：指某一独立源作用时，其他独立指某一独立源作用时，其他独立源不作用，即源不作用，即置零。置零。即独立电压源短路，独立电流源开路。即独立电压源短路，独立电流源开路。戴

8、维宁定理与诺顿定理戴维宁定理与诺顿定理N+ +- -abocuN0ababeqRRNabsci的计算的计算 简单电阻电路情况，用串并联。简单电阻电路情况，用串并联。含受控电源的情况含受控电源的情况eqR戴维宁等效电阻戴维宁等效电阻 的计算的计算eqR外加电压法外加电压法开路电压短路电流法开路电压短路电流法 equRiui0N外加电压法外加电压法ocscequRi开路电压短路电流法开路电压短路电流法2ocmax4LequPR此时负载得到的最大功率为：此时负载得到的最大功率为：由线性含源二端网络传递给可变负载由线性含源二端网络传递给可变负载 的功率为最大的的功率为最大的条件是：负载条件是：负载 应

9、与戴维宁等效电阻应与戴维宁等效电阻 相等。相等。最大功率传输定理最大功率传输定理LReqRNBu LRAieqR ocu uLR i3-2 动态元件的基本特性动态元件的基本特性 1、电容元件、电容元件 2、电感元件、电感元件3-4 一阶电路的一阶电路的零输入响应零输入响应 1、一阶、一阶RC电路的零输入响应电路的零输入响应 2、一阶、一阶RL电路的零输入响应电路的零输入响应第三章第三章 动态电路的时域分析动态电路的时域分析3-5 一阶电路的一阶电路的零状态响应零状态响应 1、一阶、一阶RC电路的零状态响应电路的零状态响应 2、一阶、一阶RL电路的零状态响应电路的零状态响应3-6 一阶电路的全响

10、应一阶电路的全响应3-7 一阶电路的一阶电路的三要素法三要素法3-7 换路定则及换路定则及初始值的确定初始值的确定初始值：初始值：在换路的瞬间，电路中的某些电量会突然发在换路的瞬间，电路中的某些电量会突然发生变化，而换路后这一瞬间这些电量的值称为初始值。生变化，而换路后这一瞬间这些电量的值称为初始值。初始值初始值计算初始值的步骤：计算初始值的步骤：1 1、画出、画出 等效电路，其中，在直流激励下的电容等效电路，其中，在直流激励下的电容相当于开路，电感相当于短路，并根据该电路计算相当于开路，电感相当于短路，并根据该电路计算初始状态初始状态 和和 ；2 2、根据换路定则，、根据换路定则， ；3 3

11、、画出、画出 等效电路，其中电容用电压值为等效电路，其中电容用电压值为 的的电压源代替，电感用电流值为电压源代替，电感用电流值为 的电流源代替；的电流源代替；4 4、根据、根据 等效电路，用分析直流的方法计算电路中等效电路，用分析直流的方法计算电路中其他变量的初始值。其他变量的初始值。()(),CCuu00()()LLii000()Cu0()Li00()Cu0()Li00零状态响应零状态响应 (z.s.r)：动态元件的初始储能为零时，：动态元件的初始储能为零时，仅由外加激励引起的响应（充电过程）。仅由外加激励引起的响应（充电过程）。零输入响应零输入响应(z.i.r)：外加激励为零时，仅由动态元

12、件：外加激励为零时，仅由动态元件的非零初始状态引起的响应（放电过程）。的非零初始状态引起的响应（放电过程）。全响应全响应：动态元件处于非零初始状态时，电路在外加：动态元件处于非零初始状态时，电路在外加激励作用下的响应，激励作用下的响应，是零输入响应与零状态响应之和是零输入响应与零状态响应之和。稳态响应：稳态响应：电路达到新的稳定状态时一直存在的响应。电路达到新的稳定状态时一直存在的响应。暂态响应：暂态响应：具有指数形式，随着时间增长逐渐趋于零具有指数形式，随着时间增长逐渐趋于零的响应。的响应。响应的强制分量：响应的强制分量：形式由激励决定的那部分响应。形式由激励决定的那部分响应。响应的自由分量

13、：响应的自由分量：形式由形式由电路结构和元件参数决定电路结构和元件参数决定的的那部分响应。那部分响应。零输入响应零输入响应 . .(0 ) 0tz i rytyet 不仅适用于状态变量，也适用于非状态变量。不仅适用于状态变量，也适用于非状态变量。 . .( )(1e)0tz s rytyt 只适用于状态变量。只适用于状态变量。零状态响应零状态响应一阶电路的三要素法一阶电路的三要素法. .( )(0 )e0tz i rytyt . .( )( )(1e)0tz s rytyt ( )( ) (0 )( )e0ty tyyyt 在直流激励下，需要求一阶动态电路中任一支路的在直流激励下，需要求一阶动

14、态电路中任一支路的电压、电流时，只需知道待求量的电压、电流时，只需知道待求量的初始值初始值、稳态值稳态值和和电路的时间常数电路的时间常数三个量就能够求得该量的解，这三个量就能够求得该量的解，这种方法就成为种方法就成为三要素法三要素法。暂态响应暂态响应稳态响应稳态响应不仅适用于状态变量，也适用于非状态变量。不仅适用于状态变量，也适用于非状态变量。对于状态变量对于状态变量RC 时间常数：时间常数：电压、电流衰减的快慢取决于时间常数的大小，电压、电流衰减的快慢取决于时间常数的大小， 越大，衰减越慢，反之则越快。越大，衰减越慢，反之则越快。时间常数时间常数 LR计算方法：计算方法：根据电路，利用公式根

15、据电路，利用公式 和和 计算。对于复计算。对于复杂电路，利用戴维南定理或诺顿定理将除动态元件以杂电路，利用戴维南定理或诺顿定理将除动态元件以外的电路用戴维南等效电路或诺顿等效电路替代，由外的电路用戴维南等效电路或诺顿等效电路替代，由此可以确定此可以确定R为戴维南等效电阻或诺顿等效电阻。为戴维南等效电阻或诺顿等效电阻。RCL R4-1 正弦稳态信号基本概念正弦稳态信号基本概念 1、正弦信号的、正弦信号的有效值有效值 2、正弦信号的、正弦信号的相位差相位差4-2 正弦信号的相量表示法正弦信号的相量表示法 1、正弦信号的相量表示、正弦信号的相量表示第四章第四章 正弦稳态电路的分析正弦稳态电路的分析4

16、-3 正弦电路的相量分析法正弦电路的相量分析法 1、相量形式的、相量形式的KCL、KVL 2、电阻、电感、电容元件的相量模型、电阻、电感、电容元件的相量模型 3、相量欧姆定理的一般形式、阻抗和导纳、相量欧姆定理的一般形式、阻抗和导纳4-4 正弦电路的功率正弦电路的功率 1、瞬时功率、瞬时功率 2、平均功率（有功功率）和无功功率平均功率（有功功率）和无功功率 3、视在功率与功率因数、视在功率与功率因数4-7 RLC电路的谐振电路的谐振 1、RLC串联谐振串联谐振 2、RLC并联谐振并联谐振第四章第四章 正弦稳态电路的分析正弦稳态电路的分析4-6 传输函数与滤波的基本知识传输函数与滤波的基本知识正

17、弦信号的有效值正弦信号的有效值201 ( )dTFfttT 周期性电流周期性电流 的有效值等于周期性电流瞬时值的平的有效值等于周期性电流瞬时值的平方在一个周期内的平均值再取平方根，即方在一个周期内的平均值再取平方根，即方均根值方均根值。( )f tmm70702III.)cos()(utUtu m)cos()(itIti mmm0.7072UUU正弦电流信号正弦电流信号 的有效值的有效值( )i t正弦电压信号正弦电压信号 的有效值的有效值( )u t任一正弦信号的有效值总为其振幅的任一正弦信号的有效值总为其振幅的0.707倍。倍。电路中的量电路中的量符号表示示例符号表示示例符号说明符号说明纯

18、直流量纯直流量 ， 变量名与角标都大写变量名与角标都大写纯交流量纯交流量 ， 变量名与角标都小写变量名与角标都小写正弦信号的振幅正弦信号的振幅 , , 或者或者 , ,变量名大写，角标是变量名大写，角标是m m有效值有效值 ， 或者或者 ， 变量名大写，或变量名大变量名大写，或变量名大写角标小写写角标小写有效值有效值/ /振幅相量振幅相量 ， 或者或者 , ,变量名大写，头部带点变量名大写，头部带点带直流分量的交带直流分量的交流总量流总量 ， 变量名小写，角标大写变量名小写，角标大写BIBUbibuIUbIbUI&U&BiBu常用电路变量符号表示常用电路变量符号表示mI&

19、;mU&mImUbmIbmU两个两个同频率同频率的正弦量：的正弦量：定义定义相位差相位差 ：121212()()tt120 120 12 122 二者同相二者同相二者反相二者反相正弦信号的相位差正弦信号的相位差) cos()(2m22tFtf) cos()(1m11tFtf二者正交二者正交120 1( )f t12超前超前 相位相位2( )ft1( )f t12滞后滞后 相位相位2( )ftm 0 0，II相量形式的相量形式的KCL：m0 0UU，相量形式的相量形式的KVL：电阻元件的复数欧姆定律（相量形式）：电阻元件的复数欧姆定律（相量形式）： RmRmURI RRURI RmRUU

20、（） RRmRII（ ）RmURmIiuo+1+j电容元件的复数欧姆定律（相量形式）：电容元件的复数欧姆定律（相量形式）： CmCmIjCU CCIjCU Cj1()CmCUU()CmCIICmUCmIu90O+1+j()LmLUU ()LmLIILj LmLmUjLI LLUjLI 电感元件的复数欧姆定律（相量形式）：电感元件的复数欧姆定律（相量形式）：LmULmIi90o+1+j UZI 支路的阻抗：支路的阻抗： （单位：欧姆）（单位：欧姆）一个无源线性支路，在关联参考方向下：一个无源线性支路，在关联参考方向下：串联阻抗：串联阻抗：并联导纳：并联导纳：nkkZZ1nkkYY11 YZ 支路

21、的导纳：支路的导纳：（单位：西门子）（单位：西门子） IU 根据根据KCL、KVL、欧姆定律及电路元件、欧姆定律及电路元件VCR的相量形的相量形式，运用相量并引用阻抗和导纳，则正弦稳态电路的式，运用相量并引用阻抗和导纳，则正弦稳态电路的计算可以仿照电阻电路的处理方法进行。这种利用相计算可以仿照电阻电路的处理方法进行。这种利用相量对正弦稳态电路进行分析的方法称为相量法。量对正弦稳态电路进行分析的方法称为相量法。相量分析方法相量分析方法时域模型时域模型 相量模型相量模型m()UUm( )IICj 1Lj R)(tu)(tiRLC 相量法解题步骤相量法解题步骤(1) 写出已知正弦量的相量。写出已知正

22、弦量的相量。(2) 作出原电路的相量模型，求出电路中各相量作出原电路的相量模型，求出电路中各相量间的关系。间的关系。(3) 根据所求得的根据所求得的相量，写出相应的正弦量。相量，写出相应的正弦量。相量分析方法相量分析方法相量图法相量图法相量图法：相量图法：先定性地画出相量图，然后根据图形先定性地画出相量图，然后根据图形特征解决问题的一种方法。特征解决问题的一种方法。有时只需计算有时只需计算有效值有效值和和相位差相位差，对这类问题，更，对这类问题，更适合于用相量图法求解。适合于用相量图法求解。(1)串联电路通常以电流作为参考串联电路通常以电流作为参考相量，并联电路通相量，并联电路通常以电压作为参

23、考相量，参考相量初相为零。常以电压作为参考相量，参考相量初相为零。(2) 测量仪表的读数为有效值。测量仪表的读数为有效值。(3) 根据电路元件的根据电路元件的VCR确定各相量间的相位关系确定各相量间的相位关系。(4) 根据实部、虚部的正负确定相量所在的象限，从根据实部、虚部的正负确定相量所在的象限，从 而确定相位角而确定相位角。功率功率( )( ) ( )p tu t i t 瞬时功率瞬时功率，关联参考方向时：，关联参考方向时：平均功率平均功率:单位：单位：W W（瓦特）（瓦特）支路的平均功率实际上是描述电阻成分所消耗的功率。支路的平均功率实际上是描述电阻成分所消耗的功率。无功功率：无功功率：

24、sinuiQUI 单位：单位：VARVAR（乏）（乏）无功功率仅与支路中的等效电抗成分有关无功功率仅与支路中的等效电抗成分有关，反映了，反映了支支路电抗成分与外电路交换能量的最大速度。路电抗成分与外电路交换能量的最大速度。视在功率：视在功率：单位：伏安单位：伏安(VA)(VA)UIIUSmm21cosuiPS电路电路的功率因数的功率因数： cosuiPUI 5-1 半导体基本理论半导体基本理论 1、P型半导体和型半导体和N型半导体型半导体 2、PN结结5-3 晶体三极管晶体三极管 1、工作原理、工作原理 2、特性曲线、特性曲线 3、低频小信号电路模型、低频小信号电路模型第五章第五章 基本半导体

25、器件基本半导体器件5-2 晶体二极管晶体二极管 1、工作原理及伏安特性、工作原理及伏安特性 2、稳压二极管、稳压二极管 N N型半导体型半导体：在本征半导体中掺入五价元素（如磷、锑）在本征半导体中掺入五价元素（如磷、锑）后会出现多余电子，从而形成以后会出现多余电子，从而形成以自由电子为主的载流子，自由电子为主的载流子，空穴为少数载流子，空穴为少数载流子，这种半导体叫做这种半导体叫做N N型半导体。型半导体。 P P型半导体型半导体：在本征半导体中掺入三价元素（如硼、铟在本征半导体中掺入三价元素（如硼、铟等），形成多余空穴，从而形成以等），形成多余空穴，从而形成以空穴为主的载流子，电空穴为主的载

26、流子，电子为少数载流子子为少数载流子，这种半导体叫做，这种半导体叫做P P型半导体。型半导体。三价杂质三价杂质原子的空原子的空穴被填补穴被填补后变成负后变成负离子离子五价杂质五价杂质原子缺少原子缺少自由电子自由电子后变成正后变成正离子离子PNPN结结 由于浓度差，由于浓度差，N N区的多子（电子）向区的多子（电子）向P P区扩散区扩散，从而形成带正电，从而形成带正电的区域。同样，的区域。同样，P P区的多子（空穴）向区的多子（空穴）向N N区扩散区扩散，使得，使得P P区有多区有多余的电子，从而形成带负电荷的区域。最终在余的电子，从而形成带负电荷的区域。最终在PNPN结处形成结处形成空间空间电

27、荷区（电荷区（N N正正P P负）负），该电荷区形成内电场，方向由，该电荷区形成内电场，方向由N N区指向区指向P P区，区，正好阻止扩散的继续。正好阻止扩散的继续。随着扩散的继续，内电随着扩散的继续，内电场也逐渐加强，最终达场也逐渐加强，最终达到扩散与阻止扩散的平到扩散与阻止扩散的平衡状态，于是空间电荷衡状态，于是空间电荷区的宽度稳定下来，可区的宽度稳定下来，可以认为载流子被耗尽，以认为载流子被耗尽，因此空间电荷区也称为因此空间电荷区也称为耗尽层耗尽层。PNPN结加正向电压结加正向电压正向导通正向导通 如果在如果在PNPN结的两端外加电压，结的两端外加电压，将破坏原来的平衡状态，半导将破坏原

28、来的平衡状态，半导体器件上施加的外电压称为偏体器件上施加的外电压称为偏置电压。置电压。 当电源正极接到当电源正极接到PNPN结的结的P P端，负端，负极接到极接到PNPN结的结的N N端，称为正向偏端，称为正向偏置电压。此时外加电场与内电置电压。此时外加电场与内电场方向相反，将多数载流子推场方向相反，将多数载流子推向空间电荷区，外加电场削弱向空间电荷区，外加电场削弱了内电场（耗尽层变窄），引了内电场（耗尽层变窄），引起载流子的扩散运动持续进行，起载流子的扩散运动持续进行，从而形成正向电流，从而形成正向电流，PNPN结导通。结导通。PNPN结加反向电压结加反向电压反向截止反向截止 当电源正极接到

29、当电源正极接到PNPN结结的的N N端，负极接到端，负极接到PNPN结结的的P P端，称为反向偏置端，称为反向偏置电压。此时外加电场电压。此时外加电场与内电场方向相同，与内电场方向相同，使内电场加强（耗尽使内电场加强（耗尽层变宽），进一步阻层变宽），进一步阻止载流子的扩散，阻止载流子的扩散，阻止电流的形成，止电流的形成，PNPN结结处于截止状态。处于截止状态。2.2.二极管的伏安特性二极管的伏安特性( (正向特性正向特性) ) 当正向电压很小，不足以克服当正向电压很小，不足以克服PNPN结内电场结内电场的影响是，二极管呈现很高的电阻特性，的影响是，二极管呈现很高的电阻特性，其正向特性的起始电流

30、几乎为零，该段区其正向特性的起始电流几乎为零，该段区域称为死区；域称为死区； 随着外加正向偏置电压的升高，当电压足随着外加正向偏置电压的升高，当电压足以克服内电场的影响时，正向电流开始上以克服内电场的影响时，正向电流开始上升，二极管开始导通；正向导通电压：升，二极管开始导通；正向导通电压： 一一般按照硅管般按照硅管0.7V0.7V。 外加正向偏置电压超过死区电压后，二极管内电场被大大削弱，外加正向偏置电压超过死区电压后，二极管内电场被大大削弱，正向电流增长很快，与正向偏置电压近似成正比，伏安特性曲正向电流增长很快，与正向偏置电压近似成正比，伏安特性曲线近似成一条直线，该段区域称为线性区；线近似

31、成一条直线，该段区域称为线性区； 反向截止；反向截止； 反向击穿；反向击穿； 稳压二极管稳压二极管 稳压二极管工作在击穿区。由于齐纳击穿效应，在维稳压二极管工作在击穿区。由于齐纳击穿效应，在维持一定的电流条件下，二极管的反向偏置电压会稳定在一持一定的电流条件下，二极管的反向偏置电压会稳定在一个固定数值，当反向偏置电压撤销后，能恢复原来状态个固定数值，当反向偏置电压撤销后，能恢复原来状态 。主要用于电压限制和调整，也可作为电路的过电压保护。主要用于电压限制和调整，也可作为电路的过电压保护器件。器件。稳压二极管的电路符号：稳压二极管的电路符号：三极管的工作原理三极管的工作原理对发射结（对发射结（b

32、 be e结）施加正结）施加正向偏置电压，向偏置电压，b be e结导通，结导通，大量自由电子因扩散运动越大量自由电子因扩散运动越过发射结到达基区，产生由过发射结到达基区，产生由e e向向b b的电子流。发射区不断从的电子流。发射区不断从电源得到补充电子，持续扩电源得到补充电子，持续扩散运动形成发射极电散运动形成发射极电 。EI对集电结（对集电结（b bc c结）施加反向偏置电压，结）施加反向偏置电压，集电极就具有很强的集电极就具有很强的a a电子吸收能力。电子吸收能力。由于基区很薄，由发射区到达基区的电子小部由于基区很薄，由发射区到达基区的电子小部分被基极空穴复合，由于基区接电源正极，电分被

33、基极空穴复合，由于基区接电源正极，电源将电子吸收，相当于电源向基区持续提供空源将电子吸收，相当于电源向基区持续提供空穴，形成基极电流穴，形成基极电流 。BI 发射极发射极 集电极集电极三极管的工作原理三极管的工作原理在一定范围内，集电极电流与基极电流保持了比较固定的比在一定范围内，集电极电流与基极电流保持了比较固定的比例关系，在此范围内，基极电流越大，集电极电流就越大，表例关系，在此范围内，基极电流越大，集电极电流就越大，表现出三极管的放大特性。现出三极管的放大特性。自由电子从发射区到达基区，自由电子从发射区到达基区，基区很薄，又由于集电极具有很基区很薄，又由于集电极具有很强的电子吸收能力，因

34、此到达基强的电子吸收能力，因此到达基区的大部分电子在外电场的作用区的大部分电子在外电场的作用下越过集电结到达集电区，漂移下越过集电结到达集电区，漂移运动形成集电极电流运动形成集电极电流 。CI由于集电极所收集的电子数大于进入基极由于集电极所收集的电子数大于进入基极的电子数，因此集电极电流大于基极电流。的电子数，因此集电极电流大于基极电流。 发射极发射极 集电极集电极(2) (2) 当当U UCECE变大，使集电极反偏后，变大，使集电极反偏后，集电结内电场很大，能将从发射区集电结内电场很大，能将从发射区扩散到基区的自由电子中的绝大部扩散到基区的自由电子中的绝大部分拉到集电区，从而形成了集电极分拉

35、到集电区，从而形成了集电极电流电流I IC C。基区复合减少，同样的。基区复合减少，同样的U UBEBE下下I IB B减小，特性曲线右移。减小，特性曲线右移。(1) (1) 当当U UCECE=0V=0V时，发射极与集电极时，发射极与集电极短路，相当于并联的两个二极管正短路，相当于并联的两个二极管正向特性曲线。向特性曲线。UCE = 0VUCE 1V(3) (3) 当当U UCECE1V1V时，集电极已经反偏，若再增大时，集电极已经反偏，若再增大U UCECE，只要只要U UBEBE不不变则变则I IB B基本不变。基本不变。输出特性曲线输出特性曲线IC = f (UCE ) | IB =

36、常数常数I IB B与与I IC C密切相关，密切相关，I IB B不同对应不同不同对应不同的曲线。的曲线。对于某一曲线，当对于某一曲线，当U UCECE从零逐渐增大，从零逐渐增大，集电结电场随之增强，收集基区自集电结电场随之增强，收集基区自由电子的能力也逐渐增大，因此由电子的能力也逐渐增大，因此I IC C也就逐渐增大。也就逐渐增大。当当U UCECE增大到一定数值时，集电结电场足以将基区的绝大部分增大到一定数值时，集电结电场足以将基区的绝大部分自由电子都收集到集电极，自由电子都收集到集电极，U UCECE再增大，收集能力也不能明显再增大，收集能力也不能明显提高为表现为曲线几乎平行与横轴。提

37、高为表现为曲线几乎平行与横轴。输出特性曲线输出特性曲线输出特性曲线的三个区域输出特性曲线的三个区域:1、截止区：截止区：IC接近零的区域，接近零的区域，相当相当IB=0的曲线的下方。的曲线的下方。其特征是发射极电压小于其特征是发射极电压小于死区电压，集电结反向偏死区电压，集电结反向偏置。此时置。此时IB=0 ， ICICEO 。其中其中ICEO称为穿透电流，称为穿透电流，即基极开路（即基极开路（ IB=0 ）时，）时，在集电极电源作用下的集在集电极电源作用下的集电极和发射极之间形成的电极和发射极之间形成的电流，电流，ICEO值很小，通常值很小，通常忽略不计。忽略不计。输出特性曲线输出特性曲线输

38、出特性曲线的三个区域输出特性曲线的三个区域:2、放大区（线性区）：放大区（线性区）：IC平行平行于于UCE轴的区域，曲线基本轴的区域，曲线基本平行等距。其特征是发射结平行等距。其特征是发射结正向偏置，集电结反向偏置。正向偏置，集电结反向偏置。此时此时IC几乎仅仅决定于几乎仅仅决定于IB，而与而与UCE无关，集电极电流无关，集电极电流IC与基极电流与基极电流IB成比例：成比例： CBII 输出特性曲线输出特性曲线输出特性曲线的三个区域输出特性曲线的三个区域:3、饱和区：饱和区：曲线上升和弯曲部曲线上升和弯曲部分的区域。其特征是发射结分的区域。其特征是发射结与集电结均处于正向偏置。与集电结均处于正

39、向偏置。 临界饱和：临界饱和：UCE = UBE，即，即UCB =0，集电区收集扩散到，集电区收集扩散到基区自由电子的能力大大减基区自由电子的能力大大减弱，弱，IB对对IC的控制作用不复存的控制作用不复存在，三极管的放大作用消失；在，三极管的放大作用消失； 过饱和状态：过饱和状态： UCE UBE， IC不仅与不仅与IB有关，而且明显随有关，而且明显随UCE的增大而增大，三极管的的增大而增大，三极管的放大作用消失。放大作用消失。6-1基本共射放大电路基本共射放大电路 1、静态分析，包括估算法和图解法、静态分析，包括估算法和图解法 2、动态分析，包括图解法和微变等效电路法、动态分析，包括图解法和微变等效电路法 3、失真的种类、原因、改善、失真的种类、原因、改善 4、分压偏置放大电路的静态分析、分压偏置放大电路的静态分析6-2其他放大电路其他放大电路 1、射极输出器的静态分析和动态分析、特点、射极输出器的静态分析和动态分析、特点6-4多级放大电路与频率特性多级放大电路与频率特性 1、多级放大电路的组成、多级放大电路的组成 2、频率特性，特别是高频区和低频区的特性和原因、频率特性，特别是高频区和低频区的特性和原因 6-5差分放大电路差分放大电路 1、静态分析、特点、静态分