电子线路期末试卷及答案

1、判断题(答案填在表格中，对的打，错的打X)(2'X10)12345678910(1)在半导体内部，只有电子是载流子(2)在N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子(3)一般来说，硅晶体二极管的死区电压(门槛电压)小子错晶体二极管的死区电压。(4)在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。(5)晶体三极管出现饱和失真是由于静态电流Icq选得偏低。(6)用万用表测某晶体二极管的正向电阻时，插在万用表标有“十”号插孔中的测试棒(通常是红色棒)所连接的二极管的管脚是二极管的正极，另一电极是负极。(7)三极管放大电路工作时，电路中同时存在直流分量和交流分量；直流分量表示静态

2、工作点，交流分量表示信号的变化情况。(8)在单管放大电路中，若VG不变，只要改变集电极电阻Rc的值就可改变集电极电流Ic的值。(9)两个放大器单独使用时，电压放大倍数分别为Ai、A2,这两个放大器连成两级放大器后，总的放大倍数为A,A=Avi+A2。(10)晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小；当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。.选择题(2'X10)12345678910(1)当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是()A.少数载流子B.多数载流子C.既有少数载流子又有多数载流子(2)在共发射极单管低频电压放大电路中，输出电压应视为()。A.vo=ic

3、RB.vo=-RcicC.v。=-IcRc(3)用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拔到()。A.RX100Q或RX1000Q挡B.RX1QC.RX10KQ挡(4)当晶体二极管工作在伏安特性曲线的正向特性区，而且所受正向电压大于其门槛电压时，则晶体二极管相当于()。A.大电阻B.断开的开关C.接通的开关(5)晶体三极管工作在饱和状态时，它的此将()。A.随Ib增加而增加B.随Ib增加而减小C.与Ib无关，只决定于R和Vg(6)共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是()。A.同相位B.相位差90°C.相位差180°(7)NPN型三极管放大电路中

4、，当集电极电流增大时，则晶体三极管()。A.基极电流不变；B.集电极对发射极电压Vce下降；C.集电极对发射极电压Vce上升(8)当晶体三极管发射结反偏时，则晶体三极管的集电极电流将()。A.增大B.反向C.中断(9)在基本放大电路中，基极电阻RB的作用是()。A.放大电流B.调节偏置电流IbqC.把放大了的电流转换成电压；D.防止输入信导被短路。(10)三极管的两个PN结都反偏时，则三极管所处的状态是()。A.放大状态B.饱和状态C.截止状态三.填充题(2'义10)(1)晶体三极管Ie、Ib、Ic之间的关系式是,AIc/AIb的比值叫o(2)PN结具有性能，即：力口电压时PN结导通；

5、力口电压时PN结截止(3)当晶体二极管导通后，则硅二极管的正向压降为V,错二极管的正向压降为Vo(4)NPN型晶体三极管的发射区是型半导体，集电区是型半导体，基区是型半导体。(5)晶体二极管因所加电压过大而,并且出现的现象，称为热击穿。(6)某固定偏置放大器中，实测彳#三极管集电极电位VC-Vg,则该放大器的三极管处于工作状态。(7)晶体三极管的穿透电流ICEO随温度的升高而增大，由于错三极管的穿透电流比硅三极管，所以热稳定性三极管较好。(8)一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而(9)放大器的静态是指时的工作状态(10)共发射极电路的输出电压与输入电压有的相位关系，所以该电路有时

6、被称为。四.问答题(2X10)(1)两个稳压二极管，稳压值分别为7V和9V,将它们组成图所示两种电路，设输入端电压V值是20V,求各电路输出电压V2的值是多少？(2)图所示出各三极管的每个电极对地的电位。试判别各三极管处于何种工作状态(NPN管为硅管，PNP管为错管)o五计算题(20)如图所示单管放大电路中，设晶体管的B=40,rbe=1.4kQ。估算电路的静态工作点IBQ、ICQ、VCEQ；估算放大倍数。.判断题（答案填在表格中，对的因，错的因X)(2' X 10)1 .IE=Ib+IC,交流电流放大系数B2 .单向导电性，正偏，反偏3 .0.7V,0.3V4 .N,N,P5 .反向，击穿，烧毁6 .饱和7 .大得多，硅8 .增大9 .没有输入信号10 .倒向，反相器四.问答题(2X10)(1)(a)7V(b)16V放大状态(b)截止状态(c)截止状态(d)饱和状态五.计算题(20)解：IBQ=(Vg-Vbeq)/Rb=(