常关型量子阱结构设计_第1页
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1、常关型量子阱结构设计    一般常关型SEED器件的量子阱数目都取50个左右，图1和图2分别是常关型器件量子阱结构和计算的反射谱。要获得高的对比度必须使低态反射率基本为零，这样就要利用ASFP腔的调制作用。非对称FP腔的模式波长在100kV/cm电场作用下向短波移动，如图2所示，同时由于模式波长与激子吸收峰靠得很近，重空穴激子峰被掩盖了。由于模式向短波移动，导致852nm附近随电场的增加，反射率增大，显然这是一种常关型的电场调制过程。同时，作为SEED器一般常关型SEED器件的量子阱数目都取50个左右，图1和图2分别是常关型器件量子阱结构和计算的反射谱。

2、要 获得高的对比度必须使低态反射率基本为零，这样就要利用ASFP腔的调制作用。非对称FP腔的模式波长在100 kV/cm电场作用下向短波移动，如图2所示，同时由于模式波长与激子吸收峰靠得很近，重空穴激子峰被掩盖了。 由于模式向短波移动，导致852 nm附近随电场的增加，反射率增大，显然这是一种常关型的电场调制过程。 同时，作为SEED器件，在这一波长范围随电场的增加，光吸收减小，出现负阻特性，可以实现双稳工作。所以当 零场中的腔膜位于激子吸收峰附近时，器件即可实现双稳工作，又可作为常关型光调制器。图1 常关型器件量子阱结构图2 理论计算的常夫型器件反射谱热门词条APL5156-33DI-Tcwp06nc475kcM29W160EB-70N6ncp12074100BTMS320VC5509PGEIDT23

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