图形转移原理

1、图形转移原理 技术中心 李雷图形转移PCB制造工艺（Technology）中，无论是单、双面板及多层板（MLB），最基本、最关键的工序之一是图形转移，即将照相底版即将照相底版（Art-work）图形转移到敷铜箔基材上图形转移到敷铜箔基材上。图形转移是生产中的关键控制点，也是技术难点所在。其工艺方法有很多，如丝网印刷丝网印刷（Screen Printing）图形转移工艺、干膜图形转移工艺、干膜（Dry Film）图形转移工艺、液态光致抗蚀图形转移工艺、液态光致抗蚀剂（剂（Liquid Photoresist）图形转移工艺、图形转移工艺、电沉积光致抗蚀剂（电沉积光致抗蚀剂（ED膜）制作工艺以及激膜

2、）制作工艺以及激光直接成像技术（光直接成像技术（Laser Drect Image）。电子装联成品线路板底片绘制方法图形转移主要光致抗蚀剂形式图形转移主要光致抗蚀剂形式1：干膜（干膜（Dry Film）图形转移工艺：图形转移工艺： 构造：聚酯膜（PET FILM)，聚乙烯膜（PE FILM）及干的感光树脂膜组成的三明治结构。2：液态光致抗蚀剂（液态光致抗蚀剂（Liquid Photoresist）图图形转移工艺形转移工艺： 液态光致抗蚀剂，有光分解型的正性膜和光聚合型的负性膜，以负性膜使用较广泛。3：电沉积光致抗蚀剂（电沉积光致抗蚀剂（ED膜）制作工艺：膜）制作工艺： 将感光性物质做成胶体，再

3、以电泳法析出在电路板上。胶体特性可以为正性或负性，有较好的均匀覆盖性，对不平整或弯曲的表面有良好的覆盖性，主要用于细线路制程和通孔封孔制程。图形转移流程基基 板板壓膜壓膜/ /涂布涂布後後曝曝 光光顯顯 影影蝕蝕 銅銅去去 膜膜壓壓 膜膜 / /涂布涂布前处理方法机械方式处理：机械方式处理：磨板：酸洗磨板烘干特点特点：用尼龙软刷和着氧化铝粉在板面磨刷形成粗化表面，会形成方向性纹路，刷磨表面不均匀，对细线路制作不利。板面易残留磨料和铜粉，板面清洁度较差。表面粗糙度较好。喷砂：酸洗喷砂烘干特点特点：用高压将磨料（氧化铝或炭化硅）高速喷向板面，形成粗化表面，同磨板一样存在板面残留磨料和铜粉的问题。表

4、面粗度小而且密。但喷管更换频繁，成本较高。化学方式处理化学方式处理：除油微蚀酸洗烘干特点特点：用化学微蚀的办法获得表面粗糙度，对不同板厚无需调整磨痕，不存在磨板的卷板问题，处理后表面较干净。但表面粗糙度较差。湿膜用该种方式进行前处理。不同前处理的效果图磨料磨刷处理的表面化学微蚀处理的表面（微蚀量0.5um） 前处理异常处理注意事项项项目目12345检查项目检查项目水膜试验水膜试验氧化氧化杂质杂质板边屑板边屑板面磨料板面磨料异常项目异常项目 3030秒以秒以下下 烘干后仍烘干后仍有有氧化氧化现现象象烘干烘干 后后板面有杂板面有杂质质板边切割板边切割不佳、板不佳、板边边毛刺过毛刺过多多板面、烘板面

5、、烘干段，水干段，水洗槽有磨洗槽有磨料料检查方法检查方法目视目视目视目视目视目视目视目视目视目视处理对策处理对策 检查各药检查各药液浓度是液浓度是否在范围否在范围内内，板面，板面是否有油是否有油污污染污污染检查滚轮检查滚轮清洁度及清洁度及吸吸水滚轮水滚轮是否异常是否异常。水洗是否水洗是否打开等打开等检查水洗检查水洗或烘干是或烘干是否异常否异常，压辊有无压辊有无掉渣。掉渣。通知通知主任主任领班，严领班，严重的由下重的由下料返工处料返工处理理通知主任通知主任领班，检领班，检查磨料分查磨料分离器是否离器是否正常，高正常，高压水洗冲压水洗冲洗不足洗不足感光抗蚀膜涂布（压膜）干膜贴膜：湿膜滚涂：贴膜、滚

6、涂异常处理项目项目湿膜涂布湿膜涂布干膜贴膜干膜贴膜检查项目检查项目膜厚膜厚杂质杂质贴膜气泡贴膜气泡膜下脏物膜下脏物氧化氧化异常项目异常项目膜厚是否膜厚是否在在1010 2 2umum之间之间涂布品质涂布品质异常或前异常或前处理板面处理板面有杂质有杂质贴膜后检贴膜后检查板面有查板面有气泡气泡割膜碎膜割膜碎膜或前处理或前处理板面有杂板面有杂质质烘干后仍烘干后仍有有氧化氧化现现象象检查方式检查方式膜厚计测膜厚计测量量目视目视目视，首目视，首件件目视目视目视目视处理对策处理对策重新调整重新调整滚轮间距滚轮间距或检查油或检查油墨粘度墨粘度检查前处检查前处理，理，烘箱烘箱内部卫生内部卫生更换胶辊更换胶辊或

7、补硅胶或补硅胶检查前处检查前处理理传送压传送压辊烘干段辊烘干段卫生，割卫生，割膜刀片等膜刀片等检查滚轮检查滚轮清洁度及清洁度及吸吸水滚轮水滚轮是否异常是否异常。水洗是否水洗是否打开等打开等膜下脏物曝光干膜、湿膜UV光光UV光光底片曝光反应原理 ITX (sensitizer) ITX * h ITX * + PI (photoinitiator) ITX + PI * + PI * Polymers Monomers & Oligomers + PI曝光示意图未聚合之干/湿膜曝光聚合之干/湿膜平行光与非平行光它是放于板边与正常板一样曝光，停置及显影后，其21格上之干膜残留有 顏色渐淡，至完全露銅的变化，最重要视其已显影及仍留存板面之交界是在第几格。1.能量的設定 曝光机中有光能量之累积计算器，光能量子 (以焦耳或毫焦耳為單位)是指 光強度（瓦特或毫瓦特）與時間的乘積，即 mili - Joule = mili Watt Sec. 焦耳瓦特秒 曝光机上有可以调