用于有机发光器件的新材料实施实例

1、用于有机发光器件的新材料实施实例实施例；除另外指出.在保护性气氛下进行下列合成°原料从ALDRICH或ABCR购买.如JournalofOrganicChemistry2000,65(13),3952-3960所述地合成1,4-荼二硼酸口实施例】：4J0四甲基-4H-10H-®并4,3,2阖蕙和5&四甲基5启二氢苯并Rt戊芬的合成a) 4双(2甲氧基拨基苯基)蔡将1.55g(OJmmol)Pd(PPh3)4加到21.6g(7.1mmol)2滇苯甲酸甲醴*10g(28mmol)1,4荼二硼酸和18.9g(6.6mmo!)偷酸三钾在350ml水与350mlTHF的混合物

2、中的剧烈搅拌、脱气的悬浮液中，回流该混合物60h°冷却后，分离去有机相.用200ml水洗涤三次，用200ml饱和氯化衲溶液洗涤一次，随后用硫酸钱干燥.在旋转蒸发器中在减压下蒸发该有机相至干燥.用二噁垸重结晶以这种方式得到的灰色残余物"抽吸滤去沉积的扁体，用50ml乙醇洗涤，随后在减压下干燥。产量：13g，理论值的82%,b) 1,4-双(2-甲醇七,*二甲基苯基)蔡起初在氮气下将30g(75mmol)1,4.双(2-甲氧基拨基苯基)蔡引入在2000mlTHF中，冷却至78*C,逐滴加入175ml(378mmol)2.2M甲基锂港液口随后在下搅拌该混合物16乩使该混合物达到室

3、温过夜。在使用125ml饱和NH4CI溶液水解之后，抽吸滤去沉淀物，用乙酸乙酯洗涤。滤液用水萃取两次，用Na2SO4干燥有机相。用色谱法（甲苯/乙酸乙酯6:4）提纯蒸发溶剂后的残余物.产量：27g,理论值的93%。c) 4,10.四甲基4H10H茹并4,3,2de蔥和5,8四甲S-5.8-二氢苯起初引入200g多磷酸。随后加入25g（63.05mmol）1,4双（2甲醇a,a二甲基）苯基）荼。在室温下搅拌该混合物20h。然后将冰水慢慢加到该混合物中。抽吸滤去沉淀的固体，在干燥箱中千燥，用乙酸乙酯重结晶。收率：4,10-四甲基4H10H费并4,3,2de蕙:90.9g（理论值的45%）5,8四甲

4、基5,8二氢苯并心戊芬（2）：6.6g（理论值的30%）实施例2：5,8四（对叔丁基苯基）5,8二氢苯并rst戊芬和4,10四（对叔丁基苯基）4H10H场并4,3,2心蔥的合成a）1,4双2甲醇qa二（对叔丁基苯基）苯基庚起初在氮气下将&5g（40mmol）1澳4叔丁基苯引入在50mlTHF中，冷却至逐滴加入25ml（40mmol）1.6M正丁基锂溶液，在该温度下按拌该混合物2h。随后以使得温度不超过的速率逐滴加入溶解在50mlTHF中的3.56g（9mmol）1,4双（2甲氧基按基苯基）蔡（如实施例la中所述合成）。使该混合物达到室温过夜.在使用200ml水水解之后，抽吸滤去沉淀物。

5、用乙醇漂洗，用乙酸乙酯重结晶。收率：15.8g,理论值的85%。b）5&四（对叔丁基苯基）5&二氢苯并rst戊芬和40四（对叔起初将9.7g（11.2mmol）1,4-双2甲醇鸽*二（对叔丁基苯基）苯基萊引入120ml冰乙酸中，搅拌该混合物10分钟.随后加入0.5mlHCI（浓），将该混合物回流Ih°然后将冰水慢慢加到混合物中。抽吸滤去沉淀的固体，在千燥箱中干燥，用甲苯重结晶。收率：5,8四(对叔丁基苯基)5,8二氢苯并rst戊芬(3)：5.8g,理论值的50%4,10四(对叔丁基苯基)4HIOH茹并4,3,2de蔥(4)：2.8g,理论值的30%实施例3,胺D1的合

6、成起初在避光下将9.0g(25mmol)4J0-四甲基4H10H茹并4,3,2-de®引入300ml二氯甲烷中，冷却至5*C.用15分钟的时间逐滴加入25ml二氯甲烷中的2.7ml(50mmol)溟，再在5下搅拌该混合物7h°当转化完成时，加入15ml乙醇终止该反应，在抽吸下滤去产物，用乙醇洗涤多次，随后用NMP重结晶两次，给出11.2g(理论值的86%)浅黃色固体，根据HPLC,具有>99.7%的纯度.将11.2g<22mmol)来自实施例3a的澳化合物和9.7g(58mmol)二苯胺悬浮在250ml无水甲苯中。随后加入190mg(0.9mmol)三叔丁基麟和

7、107mg(0.5mmol)Pd(OAc)2和6.3g(66mmol)NaO:Bu,将该反应混合物回流4h。当反应完成时，加入150ml水，抽吸滤去固体.用乙醇洗涤并干燥。用NMP重结晶5次.用沸腾的乙醇萃取2次,随后升华2次(33O°C,2XI05mbar),给出11.8g(77%)浅黄色固体，根据HPLC,具有99.9%的纯度实厠例46：胺D2.D3和D4的合成类似实施例3.通过澡化和Hartwig-Buchwald偶合,由化合物(2)、(3)和(4)(如实施例1和2中所述地合成)合成相应的双(二苯基胺)衍实施例7：OLED的制备如W004/058911中所述的通用过程生产OLE

8、D,在个体情况下针对特定情形进行适应性调整（例如，为了获得最佳的效率或颜色而改变层厚度）。各种OLED的结果表示在下列实施例中。为了更好的可比性，除了发光层和空穴注射层，使用的基本结构、材料和层厚度相同.类似上面提及的通用过程生产具有下列结构的OLED：空穴注射层（HIL）空穴传输层（HTL）Onm或20nmHILI,见表140nm或20nmNPB（气相沉积：N-蔡基N苯基4,"二氮基联苯）发光层（EML）电子导体（ETL）LiF/Al（阴极）材料、浓度和层厚度见表】20nmA1Q,（从SynTec购买；三座啾酸铝（III）InmLiF,顶端150nmAl用标准方法表征这些OLED。

9、为了该目的，确定电致发光光谱、效率（以cd/A测定）、由电流/电压/亮度特征线（IUL特征线）计算的作为亮度函数的功率效率（以Im/W测定）和寿命。寿命定义为1000cd/n?的初始亮度降至一半后的时间。表1表示一些OLED（实施例811）的结果，每种情况中也表示7EML和HTL的组成，包括层厚度。这里OLED包含根据本发明的化合物作为空穴注射材料（D3在实施例9和11中的应用）、作为发光层中的基质材料（3）在实施例8和9中的应用）和/或作为发光层中掺杂剂（D3在实施例10和11中的应用）。基质材料H1和掺朵剂D5的结构显示如下:H1D5实滝例HILHTL2EML圮大效率(cd/A)1000cd/m1下的U(v)CIEa(h)b8NPB(40nm)(3):D5(5%)(30nm)3.868x=0.l5y=0.117009D3(20nm)NPB(20nm)(3):D5(5%)(30nm)4.06.0x-0.15y-0.11220010NPB(40nm)H1:D3(5%)(30nm)9.05.6x=0.1«y=024550011D3(20nm)NPB(20nm)H1:D3(5%)(30nm)U.O5.8xO.18y=0.248000a：C1E坐标：theC