离子注入和快速退火工艺

1、离子注入和快速退火工艺离子注入是一种将带电的且具有能量的粒子注入衬底硅的过程。注入能量介于1keV到1Me之间，注入深度平均可达10nm10um离子剂量变动围从用于阈值 电压调整的1012/cm3到形成绝缘层的1018/cm3。相对于扩散工艺，离子注入的主 要好处在于能更准确地控制杂质掺杂、可重复性和较低的工艺温度。高能的离子由于与衬底中电子和原子核的碰撞而失去能量，最后停在晶格某一深度。平均深度由于调整加速能量来控制。 杂质剂量可由注入时监控离子电流 来控制。主要副作用是离子碰撞引起的半导体晶格断裂或损伤。因此，后续的退化处理用来去除这些损伤。设齐地mi0 U f 弟蚩在曲片工艺輕屮館丛片和

2、嗣抿 申准聚利舅干 n車阀控路桎耀和率陶一5H脾光粛r 40 kV阳7 2中筍能凤周于注人机班理圏1 离子分布3）离子肘程兄及投彩対程外的示意图一个离子在停止前所经过的总距离，称为射程 R。此距离在入射轴方向上的 投影称为投影射程Rp投影射程的统计涨落称为投影偏差c p。沿着入射轴的垂 直的方向上亦有一统计涨落，称为横向偏差c丄。下图显示了离子分布，沿着入射轴所注入的杂质分布可以用一个高斯分布函 数来近似：S为单位面积的离子注入剂量，此式等同于恒定掺杂总量扩散关系式。沿x轴移动了一个Rp。回忆公式：对于扩散，最大浓度为x = 0;对于离子注入，位于Rp处。在(x Rp)= (T p处，离子浓度

3、比其峰值降低了 40%在土 2 c p处则将为10%在土 3 c p处为1% 在土 4 c p处将为0.001%沿着垂直于入射轴的方向上，其分布亦为高斯分布，可 用： 劭P(一丁飞)4 表示。因为这种形式的分布也会参数某些横向注入。2 离子中止使荷能离子进入半导体衬底后静止有两种机制。一是离子能量传给衬底原子核，是入射离子偏转，也使原子核从格点移出。设E是离子位于其运动路径上某点x处的能量，定义核原子中止能力：dEctx二是入射离子与衬底原子的电子云相互作用， 通过库仑作用，离子与电子碰 撞失去能量，电子则被激发至高能级或脱离原子。定义电子中止能力：dx离子能量随距离的平均损耗可由上述两种阻止

4、机制的叠加而得：A S3+ 5)ax如果一个离子在停下来之前，所经过的总距离为R,则(IE山 S； + 5；()E0为初始离子能量，R为射程。核阻止过程可以看成是一个入射离子硬球与衬底核硬球之间的弹性碰撞 M1其中系数ke是原子质量和原子序数的弱相关函数。 硅的ke值107(eV)1/2/cm 砷化傢的ke值为3X 107(eV)1/2/cm离子中止两种机制：疋离子能量传给衬底原子核，疋入射离子偏转，也使原子核从格点移出。二是入射离子与衬底原子的电子云相互作用， 通过库仑作用, 离子与电子碰撞失去能量，电子则被激发至高能级或脱离原子。电孑式堪撞/硅晶体爲捨X射线 厂子允觎捷 打祓置拯的味原子丁

5、用=5*.3*于的14中止曜打3；(引，电亍中|卜训力5(由*曲竣的丸虑財应返葫特止龍力相春IM的潴硅中电子中止能力如虚线所示，交叉能量点是Sn(E)=Se(E)。一旦Sn(E)和Se(E)已知，可计算处射程围。可以用下述近似方程式来求得投影射程与投影偏 差：R七XI +3M- nSiF/*_/z/AF”-r%Asr ill ihllli i 1 iidl1 t 1 1 Mil11F:翼:环i冠GaM;H= 22j 1 ill. ii1 4 -1 Ii 11 ii人射1子能昨V)入时离子堆昼W1V, PtlArt中F的股峯卅程、(町H、Ze和天在辟L專中的Htlfctt投匿18逆和損向厲蛙程、

6、找燃情咤和1向恒苑投母射程，投議対爹和様向煌直比独3 离子注入的沟道效应前述高斯分布的投影射程及投影的标准偏差能很好地说明非晶硅或小晶粒多晶硅衬底的注入离子分布。只要离子束方向偏离低指数晶向111，硅和砷化傢中的分布状态就如在非晶半导体中一样。 在此情况下，靠近峰值处的实际杂质 分布，可用“高斯分布函数”来表示，即使延伸到低于峰值一至两个数量级处也 一样，这表示在下图中。然而即使只偏离111晶向7度，仍会有一个随距离而成 指数级exp(-x/入)变化的尾区，其中入的典型的数量级为 O.lum。衬底定位时有意偏离晶向情况下的杂质分布。离子束从111轴偏离7度入2描敷分布的凰区& fceV|0rT

7、L111_100.20.4U.6D.8探度&1 7-7KJ崔位时有驗倔离乐向悄况下的杂质券布图中南子車人时方向 MM柚 7 *指数型尾区与离子注入沟道效应有关，当入射离子对准一个主要的晶向 并被导向在各排列晶体原子之间时，沟道效应就会发生。图为沿方向观测金刚石晶格的示意图。离子沿方向入射，因为它与靶原子较远，使它在和 核碰撞时不会损伤大量能量。对沟道离子来说，唯一的能量损伤机制是电子阻止， 因此沟道离子的射程可以比在非晶硅靶得多。4 离子进入的角度及通道 沟道效应降低的技巧1、覆盖一层非晶体的表面层、将硅芯片转向或在硅芯片表面制造一个损伤的表层。常用的覆盖层非晶体材料只是一层薄的氧化层图(a)

8、，此层可使离子束的方向随机化，使离子以不同角度进入硅芯片而不直接进入硅晶体沟道。2、 将硅芯片偏离主平面5-10度，也能有防止离子进入沟道的效果图(b) 此方法大部分的注入机器将硅芯片倾斜 7度并从平边扭转22度以防止沟道效应。3、先注入大量硅或锗原子以破坏硅芯片表面，可在硅芯片表面产生一个随 机层图(c),这种方法需使用昂贵的离子注入机。离子注入离于注入离子注入OOo o OO-5 注入损伤与退火离子注入中，与原子核碰撞后转移足够的能量给晶格， 使基质原子离开晶格 位置而造成注入损伤（晶格无序）。这些离位的在也许获得入射能量的大部分， 接着如骨牌效应导致邻近原子的相继移位而形成一个沿着离子路

9、径的树枝状的 无序区。当单位体积移位的原子数接近半导体的原子密度时，单晶材料便成为非 晶材料。轻离子的树枝状的无序区不同于重离子。 轻离子（11B+）大多数的能量损伤 起因于电子碰撞，这并不导致晶格损伤。离子的能量会减低至交叉点能量， 而在 那里核阻止会成为主导。因此，晶格无序发生在离子最终的位置附近。如下图（a） 所示。重离子的能量损失主要是原子核碰撞，因此预期有大量的损伤。如下图（b） 所示。要估计将单晶转变为非晶材料所需的能量，可以利用一个判据，即认为注入量应该与融化材料所需的能量密度 （1021keV/cm3）在数量级上相同。对于100keV 的砷离子来说，形成非晶硅所需的剂量为生6

10、退火由于离子注入所造成的损伤区及畸形团，使迁移率和寿命等半导体参数受到 影响。此外，大部分的离子在被注入时并不位于置换位置。 为激活被注入的离子 并恢复迁移率与其它材料参数，必须在适当的时间与温度下将半导体退火。传统退火炉使用类似热氧化的整批式开放炉管系统。需要长时间和高温来消 除注入损伤。但会造成大量杂质扩散而无法符合浅结及窄杂质分布的需求。快速热退火（RTA是一种采用各种能源、退火时间围很宽（100s到纳秒） 的退火工艺。RT柯以在最小的杂质再分布情况下完全激活杂质。退火：将注入离子的硅片在一定温度和真空或氮、 氩等高纯气体的保护下， 经过适当时间的热处理，部分或全部消除硅片中的损伤，少数

11、载流子的寿命及迁移率也会不同程度 的得到恢复， 电激活掺入的杂质分为普通热退火、硼的退火特性、磷的退火特性、扩散效应、快速退火普通热退火：退火时间通常为15-30min，使用通常的扩散炉，在真空或 氮、氩等气体的保护下对衬底作退火处理。缺点：清除缺陷不完全，注入 杂质激活不高，退火温度高、时间长，导致杂质再分布。7硼与磷的传统退火退火的特性与掺杂种类及所含剂量有关sinI沪W10*|0LS10*圉7 190筑的创籾瞬样于熬加弘I壽莊退火爲鹿即注人他矣赢硼的退火特性1 区单调上升：点缺陷、陷井缺陷消除、自由载流子增加2 区出现反退火特性：代位硼减少，淀积在位错上3 区单调上升剂量越大，所需退火温

12、度越高。痛的暹火特H国中绐出酌是珊禽子lUlSOkeVfif能量和 三个不同剂量注入睚中的退火特性=如阴所示可以把退火温產分为三个医域.10D 1n-Ts-25C .nx mz nuz 恤=虻仙QIJ01 对于注/.区的殘底 即使在btlh的ifiJ F杂财r 散也是菲勇显署的-这是色I対?壬人离于所喳感罰晶陪蠢坛“ 桧堆内的至伍牴度E热半葡町晶俸中旳空应罄虚要丸禅罢. 另外，由于詔子生入也便品作内存世大塑的间阴原子砂 帕陪，这些都总便扩散離毅増犬，H散娩笙埠强.因此 疽則也称*嗨火过程屮的岁議为増强H散-H谍退火晶片満足半尢国天条件则注心盛经叫 后在靶问附片布仍色是高剔圍埜，徂抵惟喘差雯右曲

13、倍止分布函数的表达式为；S屮影严T-怎-尺刘应4加P貳中的扩敵系数！）比權可臨下时中的扩敢擂煖 丈几倍甚至几十倍I诃且-不同衽人区旳箭衍不同 备班 的扩散貳数D也有彳辰大的差克.8快速热退火一个具有瞬间光加热的快速热退火系统表为传统炉管与RTAJ术的比较。为获得较短的工艺时间，需在温度和工艺 的不均匀性、温度测量与控制、硅芯片的应力与产率间作取舍。快速退火侠速遏火可以势为：除光過火、电孑束退火r醐子束退火、非相干光退火等等-苴退火时间在ltT11-! 0备之间*亦称瞬态恳火.忧点！先熔化再结品，时闾快，杂质東不站散.KHr设备采用清华大学豔电子所发明的红外光快連热处理技术.蔬技术采用 高頻感应

14、加辱英腔内的高钝席石駅作討红外辐射热遞使晶片在石墨腔内迅速 井温通當约三秒可达侦庁而在加熱区外迅速際獄 该设备具有升温怏，加 热均匀 热牡理后晶片不喪形等忧点.表7-1 技术比较决姬因網制规退火炉技术快谨热迫虫技术加工形式分扯式草片式炉况煎壁加祐速率低猎环周期短温厘监测炉片热戲计用低尘埃问题存在用小化均匀性和重臭性低主产城率高低9注入相关工艺多次注入及掩蔽在许多应用中，除了简单的高斯分布外其它的杂质分布也是需要的。例如硅 预先注入惰性离子，使表面变成非晶。此方法使杂质分布能准确地控制， 且近乎 百分百的杂质在低温下激活。在此情况下，深层的非晶体层是必须，为了得到这 种区域，必须要做一系列不同能

15、量与剂量的注入（多次注入）。多次注入如下图所示，用于形成一平坦的杂质分布。为了要在半导体衬底中预先选择的区域里形成 p-n结，注入时需要一层合适 的掩蔽层。此层要阻止一定比例的入射离子其最小厚度可从离子的射程参数来求 得。在某一深度d之后的注入量对回忆式积分可得：tSfg1凤回忆式穿越深度d的剂量的百分比可由穿透系数 T求得:一旦得到了 T,对任一恒定的Rp和c p来说，都可以求得掩蔽层厚度d,对SiO2、 Si3N4与抗蚀剂来说，要阻挡99.99%的入射离子（T= 10-4）所需的d值如下图所 示。图中插图显示了在掩蔽材料的注入物的分布。Q.Q1 to1001000E (keV)图卜M 掩蟆

16、救率为舲 朋轴时,碍（一J.SiaNa和光致抗1*剧f）的小厚度10倾斜角度离子注入当器件缩小到亚微米尺寸时，将杂质分布垂直方向也缩写是很重要的。 现代 器件结构如轻掺杂漏极（LDD ，需要在纵向和横向上精确控制杂质分布。垂直 于表面的离子速度决定注入分布的投影射程。如果硅芯片相对于离子束倾斜了一 个很大的角度，则等效离子能量将大为减少。在倾斜角度离子注入时，需考虑硅芯片上掩蔽图案的阴影效应。较小的倾斜 角度导致一个小阴影区。女口高为0.5um的掩蔽层，离子束的入射角为7度,将导致 一个61nm勺阴影区。可能是器件产生一个预想不到的串联电阻。60keV砷入射到硅中，相对浓度分布为离子束倾斜角度

17、的函数，插图所示是 倾斜角度离子注入的阴影区J-15 C01*fV的呻需子注人砒中时与愉斜虧虑的帝敕黄毎葬申懂图竄冠ttl鶯高干注人弟成的蔽伍境11高能量与大电流注入注入机能量可高达1.5-5MeV,且已用作多种新型用途。主要利用其能将杂质 掺入半导体深达好几个微米的能力而不需要借助高温下长时间的扩散。 也可用于 制作低电阻埋层。例如，CMO器件中距离表面深达1.5到3um勺埋层。大电流注入机（10-20mA工作在25-30keV围下，通常用于扩散技术中的预 置处理。因为其总量能够精确控制。在预置后，掺杂剂可以用高温扩散步骤再分 布，同时顺便将表面区的注入损伤修补。另一用途就是M0器件的阈值电

18、压调整， 精确控制的杂质量经栅极氧化层注入沟道区。目前，已有能量围介于150-200keV的大电流离子注入。主要用途是制作高品 质硅层，通过向硅层中注入氧来生成二氧化硅从而使该硅层与衬底绝缘。 这种氧 注入隔离（SIMOX是一种绝缘层上硅（SOI）的关键技术。2.8离子注入主要参数：离子注入的几何说明：a :离子束注入面 刀：表面B :模拟的平面9 :离子束方向与y轴方向的夹角 :离子束与模拟平面之间的夹角 参数说明：Species:注入的杂质种类Energy：注入能量（KeVDose：注入剂量，单位 cm-2Tilt :离子束注入的纵向角度，默认值是 7oRotation :离子束与模拟平面之间的夹角，默认值是 30o12离子注入系统离子源：用于离化杂质的容器。常用的杂质源气体有 BF3 AsH3和PH3等。 质量分析器：不同离子具有不同的电荷质量比，因而在分析器磁场中偏转的 角度不同，由此可分离出所需的杂质离子，且离子束很纯。加速器：为高压静电场，用来对离子束加速。该加速能量是决定离子注入深 度的一个重要参量。中性束偏移器：利用偏移电极和偏移角度分离中性原子。聚焦系统：用来将加速后的离子聚集成直径为数毫米的离子束。偏转扫描系统：用来实现离