数字电子技术 第七章_半导体存储器_第1页
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文档简介

1、！单元数庞大！输入/输出引脚数目有限EPROMROMROM可擦除的可编程可编程掩模RAMRAM动态静态A0An-1W0W(2n-1)D0Dm写是一次性编程，不能改！编程时将不用的熔断有出厂时，每个结点上都熔丝由易熔合金制成写入时，要使用编程器)(管浮栅隧道氧化层采用点擦除慢，操作不便的缺为克服MOSFLOTOXUVEPROM“隧道效应”电子会穿越隧道）当场强达到一定大小（厚度之间有小的隧道区，与,/cmVmSiODGf78210102（隧道区）区有极小的重叠区与）更薄（与衬底间SGnmOSGfif15102的正脉冲，加接），加正压（，充电利用雪崩注入方式向工作原理：usVGVVSDGcssf1

2、01206*上电荷经隧道区放电的正脉冲加放电，利用隧道效应fsscfGnsVVGG100120,SCWRAAOIOI片选信号：写信号：读地址线：数据线：/70701024 x 8RAM70OIOI.9870AAAA,.WRWRAAAAOIOI写信号：读地址线：数据线：/987070,):(110025625670A个地址个字，需要每一片提供SCYYAAAA分别接四片的译成即将两位代码区分四片用,308989102376876751251125625501110010007070707,AAAAAAAA四片的地址分配就是：89AA4321SCSCSCSCA0An-1W0W(2n-1)ABCDDCBAYDCBADABCYBCDADBCDCBAYCBABCAYROM4321产生：用),(),(

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