联芯科技产品简介pptdeflate

1、联芯科技联芯科技TD-LTE/TD-SCDMA产品简介产品简介 联芯科技公司简介 联芯科技TD-LTE/TD-SCDMA产品路标联芯科技LTE产品研发进展及计划目录大唐集团及联芯科技总体介绍联联芯芯科科技技有有限限公公司司联芯科技成立时间：2008年3月在上海设立主营业务：终端芯片与解决方案提供商单位性质：国有控股有限责任公司 人员构成： 公司现有员工超过1000人 具有博士学位的员工约2% 具有硕士学位的员工约48%联芯科技企业文化联芯科技 版权所有核心价值观创新价值 成就客户 诚信正直 注重结果企业精神乐业 求精 勇担当敢战 善战 战必胜愿景成为全球领先的移动互联网芯片及解决方案提供商使命

2、联接信息世界 用心丰富生活联芯科技发展历程1998年2002年2005年成立大唐移动,主营GSM系统设备开发及产业化2007年2008年2009年2010年进入TD领域，从事无线子系统及终端技术研发与ADI合作，发布全球首个支持自动切换的商用TD/GSM双模终端解决方案发布全球首个TD-HSDPA/GGE双模终端解决方案3月，联芯科技成立5月，发布全球首各个TD-MBMS终端解决方案4月，发布全球首个TD-HSPA/GGE终端解决方案4月， 发布全球首个TD-Ophone智能手机解决方案10月，联芯L系列芯片LC1708/1808成功商用量产 3月，联芯科技与MTK合作共同发布世界首个TD-H

3、SPA终端解决方案 4月，联芯科技推出千元TD智能手机解决方案10月，入驻大唐电信集团上海产业园国家重点实验室：无线移动通信国家重点实验室分中心 国家工程实验室：新一代移动通信无线网络与芯片技术 分中心上海市高新技术企业上海市小巨人企业2008年 TD-SCDMA终端解决方案荣获国家信息产业重大技术发明2009年 联芯科技TD-SCDMA/GSM终端高层协议栈软件V4.0 荣获中国创新软件产品2009年 被授予 国家重点实验室-无线移动通信国家重点实验室分中心 2009年 被授予 国家工程实验室-新一代移动通信无线网络与芯片技术2009年 上海市集成电路设计行业销售前10名2009年 被国家知

4、识产权局授予 中国专利优秀奖2010年 联芯科技被授予“国家高技术产业化示范工程 ”2010年 联芯科技被TD联盟授予“TD终端创新发展贡献奖”2010年 上海市创新型企业2010年 上海市小巨人企业2010年 度上海市集成电路设计业销售前十名2011年上海市高新技术成果转化项目联芯科技荣誉联芯科技内部资料 ConfidentialTD-SCDMA/TD-LTE核心技术核心技术INNOPOWER核心套片核心套片OMS/Android/LARENA软件平台软件平台TD-SCDMA/TD-LTE终端解决方案OMS/Android/WM智能手机解决方案智能手机解决方案LARENA Phone解决方案

5、解决方案TD-SCDMA/TD-LTE测试终端提供商测试终端提供商TD-SCDMA/TD-LTE 融合终端解决方案融合终端解决方案TD-SCDMA/TD-LTE终端套片与解决方案提供商核心业务联芯科技发展战略及业务综述 联芯科技公司简介 联芯科技TD-LTE/TD-SCDMA产品路标联芯科技LTE产品研发进展及计划目录联芯科技技术演进路线图 通信制式 芯片技术 软件平台 20112012201320142015 联芯科技TD-SCDMA功能手机解决方案201120122013 TD-HSPA/EDGE 2 x ARM9 390MHz HVGA display Camera: 5M MP: NO

6、W 65nm CMOS5chips TD-HSPA/EDGE ARM9 450MHz CMMB H.264 QVGA WQVGA display Camera: 3M MP: NOW 55nm LP CMOS TD-HSPA+/EDGE, 4.2Mbps DL ARM9 520MHz CMMB/PMU/Codec Integrated Camera: 8M(ISP) WVGA display LPDDR1/LPDDR2 ES: 4Q, 2012 MP: 2Q, 2013 40nm LP CMOS5chips TD-HSPA+/EDGE ARM9 450MHz PMU/Codec Integra

7、ted LPDDR1/LPDDR2 ES: 4Q, 2012 MP: 2Q, 2013 40nm LP CMOS2chips2chips2chips TD-HSPA/EDGE ARM9 450MHz PMU/Codec Integrated ES: Jan, 2012 MP: Mar, 2012 55nm LP CMOS高集成度多媒体平台系列高集成度超低端平台系列LC1808BLC1806LC1716 TD-HSPA/EDGE ARM9 600MHz GPU：8M /s, 160Mpix/s Multi-format, H.264 D130fps WVGA display LPDDR1150M

8、hz ES: Jan, 2012 MP: Mar, 2012 55nm LP CMOS2chipsLC1710LC1712LC1805 联芯科技TD-SCDMA智能手机解决方案20112012 TD-HSPA/EDGE 2 x ARM9 600MHz HVGA displayAndroid 2.2 MP: NOW 65nm LP CMOSLC1809LC1809G TD-HSPA/EDGE 2 x ARM9 600MHzWVGA,display,GPU:2D/3DAndroid 2.3 ES: 4Q, 2011, MP: 1Q, 201255nm LP CMOS s TD-HSPA/EDGE

9、ARM9 390MHz MP: NOW 55nm LP CMOSLC1711 TD-HSPA/EDGE PMU Integrated ES: 1Q, 2012, MP: 1Q, 2012 55nm LP CMOSLC1713 TD-HSPA+/EDGE, 4.2Mbps, DC-HSPA, 5.6Mbps 2 x Cortex A9 1.2GHz 1080p, WXGA display, up to 20Mp camera HDMI, USB2.0 OTG/HS Android2.3/4.0 ES: 1Q, 2012, MP: 3Q, 2012 40nm LP CMOS TD-HSPA+/ED

10、GE, 4.2Mbps , DC-HSPA 5.6Mbps Single Cortex A9 1GHz720p, WVGA, up to 8Mp cameraAndroid 2.3/4.0 ES: 1Q, 2012, MP: 3Q, 2012 40nm, LP CMOSLC1810LC18112013 TD-HSPA+/EDGE, 4.2Mbps DC-HSPA+, 8.4Mbps PMU Integrated ES: 4Q, 2012, MP: 2Q, 2013 40nm LP CMOSLC1715 联芯科技TD-LTE终端解决方案201120122013 LTE R9, 150Mbps D

11、L/50Mbps UL DC-HSPA+/TD-HSPA+/EDGE 2x Dual Cortex A9 1.5GHz1080P LPDDR2/LPDDR3533MHz POP WXGA LCD, up to 20Mp ES: 2Q, 2013, MP: 4Q, 2013 28nm LP CMOS LTE/TD-HSPA+/EDGE DC-HSPA+/MIMO Quad Cortex A15 2GHz DDR2/DDR3533MHz POP WXGA LCD, up to 20Mp ES: 2Q, 2013, MP: 4Q, 201328nm LP CMOSLC1815LC1820 TD-LT

12、E R8/TD-HSPA ARM11 600MHzMP: 4Q, 2011 65nm LP CMOSLC1760 LTE R9, 150Mbps DL/100Mbps UL TD-HSPA+/DC-HSPA/EDGE ARM11 600MHz ES: 2Q, 2012, MP: 1Q, 2013 40nm LP CMOSLC1761 LTE-A R 10 DC-HSPA+/MIMO ES: 2Q, 2014 , MP: 2H, 2015 28nm LP CMOSLC1762LC1761LC1761通用AP +通用AP + 联芯科技LTE测试终端产品路标 201120122013LC5160双模

13、测试数据卡双模测试数据卡TD-S/TD-LTEUSB2.0BB:LC1760ES:4Q 2011,MP:Q1 2012三模测试手机三模测试手机GSM/TD-S/TD-LTEBB:LC1810+LC1761ES:Q4 2012,MP:1Q 2013LC6161 V1.0三模测试模块三模测试模块GSM/TD-S/TD-LTEUSB2.0BB:LC1761ES: 4Q2012,MP:2Q 2013LC8161 V1.0LC5161 V1.0三模测试数据卡三模测试数据卡GSM/TD-S/TD-LTEUSB2.0BB:LC1761ES:4Q2012,MP:2Q 2013.LC8161 V2.0四模测试手

14、机四模测试手机GSM/TD-S/TD-LTE/FD-LTEBB:LC1810+LC1761ES:2Q2013.7,MP:4Q2013LC6161 V2.0四模测试模块四模测试模块GSM/TD-S/TD-LTE/FD-LTE BB:LC1761ES:2Q2013 MP:Q4 2013LC5161 V2.0四模测试数据卡四模测试数据卡GSM/TD-S/TD-LTE/FD-LTEBB:LC1761ES:2Q2013,MP:4Q2013 联芯科技公司简介 联芯科技TD-LTE/TD-SCDMA产品路标联芯科技LTE产品研发进展及计划目录DTivy L1760 TD-LTE/TD-SCDMA双模解决方案

15、12.30 LC1760样片2010.10 9.30完成单模Mtnet2x2测试小批量试产101112123456789101112123456789101112122011年2012年DTivy L17602013年2010年10.30双模重选11.30 双模切换pTD-LTE与TD-SCDMA两个模式可分别正常工作；p与大唐移动MTnet内场测试情况如下：协议基本功能：共103个用例（95个必选，8个可选），通过94个（90个必选，4个可选），N/A 5个；业务能力测试：共9个用例，通过8个，N/A 1个；基本性能：共17个必选用例，通过11个；p射频测试：共27个必选用例，累计通过27个

16、p与大唐移动的外场预测试进行中，可在外场正常开展业务并进行切换；p与上海贝尔的室内IOT测试完成75%的测试用例Mtnet 2x2测试进展：测试进展： 计划9月底完成Mtnet 2x2测试主要特性：主要特性：支持TDD Band： Band38和Band40频段支持PS业务，支持传输分集、空间复用和单流波束赋形，支持下行2*2 MIMO和下行4*2 MIMO支持LTELTE Category 3Category 3，下行100Mbps，上行50Mbps支持TD-SCDMA HSDPA Category 15, TD-SCDMA HSUPA Category 610111212345678910

17、1112123456789101112122011年2012年DTivy L17612013年2010年2012.12.30 2012.5.30 2013.1.30TD-LTE多模版本发布LC1761样片TD-LTE/FDD LTE多模版本发布2011.5LC1761 CDCP2011.11LC1761 PDCPProcess40nmPackageLFBGA 10mm x 10mmArch.ARMARM11 ZSPZSP840 RadioTD-LTE：150Mbps DL/50Mbps ULDC TD-HSPA/TD-HSPA+/GGEConn.USBUSB 2.0 High Speed de

18、viceUART3 UART portsDTivy L1761 LTE/TDS/GGE多模解决方案主要特性：主要特性：支持TDS Band：Band34（2010-2015）/Band39（1880-1920）支持TDL Band：Band38（2570-2620）/Band40（2300-2400）支持FDL Band: Band 1（1920-1980）/Band7（2500-2570）/Band17 （704-716）支持LTELTE Category 4Category 4，下行150Mbps，上行50Mbps支持双流波束赋形，支持CSFB语音回落到TD-SCDMA/GSM系统；支持FDD/TD-LTE 、DC TD-HSPA、TD-HSPA+、GGE四模测量、重选和切换功能集成FDD LTE/TD-LTE/TD-HSPA+/GGE物理层加速器 支持双SIM卡，ISIM/USIM/SIM应用TD-LTE与与TD-SCDMA协调发协调发展：展：建议第二阶段规模技术试验