AET-01-半导体器件..

1、Analog Electronic Technology包宋建包宋建重庆文理学院重庆文理学院 电子电气工程学院电子电气工程学院第一章第一章 半导体器件半导体器件 1.1 半导体的基本知识半导体的基本知识 1.2 半导体二极管半导体二极管 1.3 半导体三极管半导体三极管 1.4 场效应晶体管场效应晶体管1-21.1.1 导体、半导体和绝缘体导体、半导体和绝缘体导体：导体：自然界中很容易导电的物质称为自然界中很容易导电的物质称为导体导体，金属，金属一般都是导体。一般都是导体。绝缘体：绝缘体：有的物质几乎不导电，称为有的物质几乎不导电，称为绝缘体绝缘体，如橡，如橡皮、陶瓷、塑料和石英。皮、陶瓷、塑

2、料和石英。半导体：半导体：另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为体之间，称为半导体半导体，如锗、硅、砷化镓，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。和一些硫化物、氧化物等。1.1 半导体的基本知识半导体的基本知识1-3半导体半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：不同于其它物质的特点。例如： 当受外界光的作用时，它的导电能力明显当受外界光的作用时，它的导电能力明显变化变化光敏效应。光敏效应。 往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变的

3、导电能力明显改变掺杂效应。掺杂效应。1-4 当受外界热的作用时，它的导电能力明显当受外界热的作用时，它的导电能力明显变化变化热敏效应。热敏效应。1.1.2 本征半导体本征半导体一、本征半导体的结构特点一、本征半导体的结构特点GeSi通过一定的工艺过程，可以将半导体制成通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体晶体。 现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。它们的最外层电子（价电子）都是四个。1-5本征半导体：本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。完全纯净的、结构完整的半导体晶体。在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组

4、成在硅和锗晶体中，原子按四角形系统组成晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，晶体点阵，每个原子都处在正四面体的中心，而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子而四个其它原子位于四面体的顶点，每个原子与其相临的原子之间形成与其相临的原子之间形成共价键共价键，共用一对价，共用一对价电子。电子。硅和锗的晶硅和锗的晶体结构：体结构：1-6硅和锗的共价键结构硅和锗的共价键结构共价键共共价键共用电子对用电子对+4+4+4+4+4+4表示除表示除去价电子去价电子后的原子后的原子1-7 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为称为束缚电子束缚电子，常温下束缚电子很难

5、脱离共价键成，常温下束缚电子很难脱离共价键成为为自由电子自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。所以本征半导体的导电能力很弱。形成共价键后，每个原子的最外层电子是形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。八个，构成稳定结构。共价键有很强的结合力，使原子规共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。则排列，形成晶体。+4+4+4+41-8二、本征半导体的导电机理二、本征半导体的导电机理在绝对在绝对0度度（T=0K）和没有外界激发时和没有外界激发时, ,价价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有电子完全被共价键束缚

6、着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即可以运动的带电粒子（即载流子载流子），它的导电），它的导电能力为能力为 0，相当于绝缘体。，相当于绝缘体。在常温下，由于热激发，使一些价电子获在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由自由电子电子，同时共价键上留下一个空位，称为，同时共价键上留下一个空位，称为空穴空穴。1.1.载流子、自由电子和空穴载流子、自由电子和空穴1-9+4+4+4+4自由电子自由电子空穴空穴束缚电子束缚电子1-102.本征半导体的导电机理本征半导体的导电机理+4+4+4+4在其它力的作用下，在其它力的作用下，

7、空穴吸引附近的电子空穴吸引附近的电子来填补，这样的结果来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流可以认为空穴是载流子。子。本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子自由电子和和空穴空穴。1-11 温度越高，载流子的浓度越高。因此本温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。的一大特点。本征半导体的

8、导电能力取决于载流子的浓度。本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。本征半导体中电流由两部分组成：本征半导体中电流由两部分组成： 1. 自由电子移动产生的电流。自由电子移动产生的电流。 2. 空穴移动产生的电流。空穴移动产生的电流。1-121.1.3 杂质半导体杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。杂半导体的某种载流子浓度大大增加。P 型半导体：型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半

9、导体）。称为（空穴半导体）。N 型半导体：型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。也称为（电子半导体）。1-13一、一、N 型半导体型半导体在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被（或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电

10、子，这样磷原子很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子，称为子给出一个电子，称为施主原子施主原子。1-14+4+4+5+4多余多余电子电子磷原子磷原子N 型半导体中型半导体中的载流子是什的载流子是什么？么？1.1.由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。2.2.本征半导体中成对产生的电子和空穴。本征半导体中成对产生的电子和空穴。掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为由电子浓

11、度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流多数载流子子（多子多子），空穴称为），空穴称为少数载流子少数载流子（少子少子）。）。1-15二、二、P 型半导体型半导体在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的半导体原子形成共价键时，半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补，可能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动使得硼原子成为不能移动的带负电的离子

12、。由于硼的带负电的离子。由于硼原子接受电子，所以称为原子接受电子，所以称为受主原子受主原子。+4+4+3+4空穴空穴硼原子硼原子P 型半导体中空穴是多子，电子是少子型半导体中空穴是多子，电子是少子。1-16三、杂质半导体的示意表示法三、杂质半导体的示意表示法P 型半导体型半导体+N 型半导体型半导体 杂质杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系，起导电作用的主要是多流。但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子子。近似认为多子与杂质浓度相等。近似认为多子与杂质浓度相等。1-17一一 、PN 结的形成结的形成在同一片半导体基片上，分别制造在同一片

13、半导体基片上，分别制造P 型半型半导体和导体和N 型半导体，经过载流子的扩散，在它型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了们的交界面处就形成了PN 结。结。1.1.4 PN结及其单向导电性结及其单向导电性1-18P型半导体型半导体N型半导体型半导体+扩散运动扩散运动内电场内电场E漂移运动漂移运动扩散的结果是使空间电扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。荷区越宽。内电场越强，就使漂移内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。间电荷区变薄。空间电荷区，空间电荷区，也称耗尽层。也称耗尽层。1-19漂移运动漂移运动P型半导体型

14、半导体N型半导体型半导体+扩散运动扩散运动内电场内电场E所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。度固定不变。1-20+空间空间电荷电荷区区N型区型区P型区型区电位电位VV01-211.1.空间电荷区中没有载流子。空间电荷区中没有载流子。2.2.空间电荷区中内电场阻碍空间电荷区中内电场阻碍P P中的空穴中的空穴. .N区区 中的电子（中的电子（都是多子都是多子）向对方运动（）向对方运动（扩散扩散运动运动）。）。3.3.P 区中的电子和区中的电子和 N

15、区中的空穴（区中的空穴（都是少都是少），），数量有限，因此由它们形成的电流很小。数量有限，因此由它们形成的电流很小。注意注意: :1-22二、二、 PN结的单向导电性结的单向导电性 PN 结结加上正向电压加上正向电压、正向偏置正向偏置的意思都是的意思都是： P 区加正、区加正、N 区加负电压。区加负电压。 PN 结结加上反向电压加上反向电压、反向偏置反向偏置的意思都是：的意思都是： P区加负、区加负、N 区加正电压。区加正电压。1-23+RE1 1、PN 结正向偏置结正向偏置内电场内电场外电场外电场变薄变薄PN+_内电场被削弱，多子内电场被削弱，多子的扩散加强能够形成的扩散加强能够形成较大的扩

16、散电流。较大的扩散电流。1-242 2、PN 结反向偏置结反向偏置+内电场内电场外电场外电场变厚变厚NP+_内电场被加强，多子的内电场被加强，多子的扩散受抑制。少子漂移扩散受抑制。少子漂移加强，但少子数量有限，加强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电只能形成较小的反向电流。流。RE1-251.2.1 基本结构基本结构PN 结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。结加上管壳和引线，就成为半导体二极管。引线引线外壳线外壳线触丝线触丝线基片基片点接触型点接触型1-261.2 半导体二极管半导体二极管PN二极管的电路符号：二极管的电路符号：1-27PN结结面接触型面接触型 1.2.2 伏安特性伏安特性

17、UI死区电压死区电压 硅管硅管0.5V,锗管锗管0.2V。导通压降导通压降: : 硅硅管管0.50.7V,锗锗管管0.20.3V。反向击穿反向击穿电压电压UBR1-281.2.3 主要参数主要参数1. 最大整流电流最大整流电流 IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。大正向平均电流。2. 反向击穿电压反向击穿电压UBR 二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向二极管反向击穿时的电压值。击穿时反向电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至电流剧增，二极管的单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。手册上给出的最高反向工作电压过热而烧坏。手册上给出的最高反

18、向工作电压UWRM一般是一般是UBR的一半。的一半。1-293. 反向电流反向电流 IR 指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。指二极管加反向峰值工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流要比硅管大几十到几百倍。的反向电流要比硅管大几十到几百倍。以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是以上均是二极管的直流参数，二极管的应用是主要利用它的单向导电性，主要应

19、用于整流、限幅、主要利用它的单向导电性，主要应用于整流、限幅、保护等等。下面介绍两个交流参数。保护等等。下面介绍两个交流参数。1-304. 微变电阻微变电阻 rDiDuDIDUDQ iD uDrD 是二极管特性曲线上工是二极管特性曲线上工作点作点Q 附近电压的变化与附近电压的变化与电流的变化之比：电流的变化之比：DDDiur显然，显然，rD是对是对Q附近的微小附近的微小变化区域内的电阻。变化区域内的电阻。1-315. 二极管的极间电容二极管的极间电容二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：二极管的两极之间有电容，此电容由两部分组成：势垒电容势垒电容CB和和扩散电容扩散电容CD。势垒电容：势

20、垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是的电容是势垒电容势垒电容。扩散电容：扩散电容：为了形成正向电流为了形成正向电流（扩散电流），注入（扩散电流），注入P 区的少子区的少子（电子）在（电子）在P 区有浓度差，越靠区有浓度差，越靠近近PN结浓度越大，即在结浓度越大，即在P 区有电区有电子的积累。同理，在子的积累。同理，在N区有空穴的区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷积累。正向电流大，积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散多。这样所产

21、生的电容就是扩散电容电容CD。P+-N1-32CB在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置在正向和反向偏置时均不能忽略。而反向偏置时，由于载流子数目很少，扩散电容时，由于载流子数目很少，扩散电容CD可忽略。可忽略。PN结高频小信号时的等效电路：结高频小信号时的等效电路：势垒电容和扩散电势垒电容和扩散电容的综合效应容的综合效应rd1-33实际二极管：实际二极管： 硅二极管：硅二极管：死区电压死区电压 0 .5V，正向压降，正向压降 0.7V 锗二极管：锗二极管：死区电压死区电压 0 .2V，正向压降，正向压降 0.3V1-34 理想二极管：理想二极管： 死区电压死区电压 0 ，正向压降，正向压降

22、 0 二极管的简化模型二极管的简化模型RLuiuouiuott二极管的应用举例二极管的应用举例1：二极管半波整流电路二极管半波整流电路1-35二极管的应用举例二极管的应用举例2：二极管充放电电路二极管充放电电路tttuiuRuoRRLuiuRuo1-36一、稳压二极管一、稳压二极管UIIZIZmax UZ IZ稳压稳压误差误差曲线越陡，电曲线越陡，电压越稳定。压越稳定。+-UZ动态电阻：动态电阻：ZZIUZrrz越小，稳压越小，稳压性能越好。性能越好。1.2.4 特殊二极管特殊二极管1-37（4）稳定电流稳定电流IZ、最大、最小稳定电流最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。（5）最大允许功

23、耗）最大允许功耗maxZZZMIUP稳压二极管的参数稳压二极管的参数:（1）稳定电压稳定电压 UZ（2）电压温度系数电压温度系数 U（%/） 稳压值受温度变化影响的的系数。稳压值受温度变化影响的的系数。（3）动态电阻）动态电阻ZZIUZr1-38负载电阻：负载电阻：要求：要求：当输入电压由正常值发生当输入电压由正常值发生 20%波动时，负波动时，负载电压基本不变。载电压基本不变。稳压二极管的应用举例稳压二极管的应用举例uoiZDZRiLiuiRLmaxmin10V, 20mA, 5mAzWzzUII稳压管的技术参数稳压管的技术参数: k2LR求：求：电阻电阻R和输入电压和输入电压 ui 的正常

24、值。的正常值。1-39uoiZDZRiLiuiRL解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电解：令输入电压达到上限时，流过稳压管的电流为流为Izmax 。mA25maxLZWzRUIi102521RUiRu.zWi方程方程1 11-40令输入电压降到下限令输入电压降到下限时，流过稳压管的电时，流过稳压管的电流为流为Izmin 。mA10minLZWzRUIi101080RUiRu.zWi方程方程2 2uoiZDZRiLiuiRL联立方程联立方程1、2，可解得：，可解得：k50V7518.R,.ui1-41二、光电二极管二、光电二极管反向电流随光照强度的增加而上升。反向电流随光照强度的增加而上升。

25、IU照度增加照度增加1-42三、发光二极管三、发光二极管有正向电流流过时，发有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似。电特性与一般二极管类似。1-43四、其他特殊二极管四、其他特殊二极管常见的特殊二极管除了前面介绍的常见的特殊二极管除了前面介绍的稳压二极稳压二极管、整流二极管、光电二极管、发光二极管管、整流二极管、光电二极管、发光二极管以以外，利用二极管的某些参数随电压的变化还可外，利用二极管的某些参数随电压的变化还可以制成以制成变容二极管、变阻二极管、激光二极

26、管、变容二极管、变阻二极管、激光二极管、开关二极管开关二极管等。等。1-441.3.1 基本结构基本结构BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极NPN型型PNP集电极集电极基极基极发射极发射极BCEPNP型型1.3 半导体三极管半导体三极管1-45BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极基区：较薄，基区：较薄，掺杂浓度低掺杂浓度低集电区：面集电区：面积较大积较大发射区：掺发射区：掺杂浓度较高杂浓度较高1-46BECNNP基极基极发射极发射极集电极集电极发射结发射结集电结集电结1-471.3.2 电流放大原理电流放大原理BECNNPEBRBECIE基区空穴基区空穴向发射区向发射区的扩散可

27、的扩散可忽略。忽略。IBE进入进入P区的电子区的电子少部分与基区的少部分与基区的空穴复合，形成空穴复合，形成电流电流IBE ，多数，多数扩散到集电结。扩散到集电结。发射结正偏，发射结正偏，发射区电子不发射区电子不断向基区扩散，断向基区扩散，形成发射极电形成发射极电流流IE。1-48BECNNPEBRBECIE集电结反偏，有少集电结反偏，有少子形成的反向电流子形成的反向电流ICBO。ICBOIC=ICE+ICBO ICEIBEICE从基区扩散来从基区扩散来的电子作为集的电子作为集电结的少子，电结的少子，漂移进入集电漂移进入集电结而被收集，结而被收集，形成形成ICE。1-49IB=IBE-ICBO

28、 IBEIBBECNNPEBRBECIEICBOICEIC=ICE+ICBO ICEIBE1-50IE=IB+IC=IBE+ICEICE与与IBE之比称为之比称为电流放大倍数电流放大倍数注意：注意：要使三极管能放大电流，必须使发要使三极管能放大电流，必须使发射结正偏，集电结反偏。射结正偏，集电结反偏。CECCBOCBEBCBOBIIIIIIII1-51BECIBIEICNPN型三极管型三极管BECIBIEICPNP型三极管型三极管1-521.3.3 特性曲线特性曲线ICmA AVVUCEUBERBIBECEB 实验线路实验线路1-53一、一、输入特性曲线输入特性曲线UCE 1VIB( A)UB

29、E(V)204060800.40.8工作压降：工作压降： 硅管硅管UBE 0.60.7V,锗锗管管UBE 0.20.3V。UCE=0VUCE =0.5V 死区电压，死区电压，硅管硅管0.5V，锗管锗管0.2V。1-54二、二、输出特性曲线输出特性曲线IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域满足此区域满足IC= IB称为称为线性区（放线性区（放大区）。大区）。当当UCE大于一定的大于一定的数值时，数值时，IC只与只与IB有关，有关，IC= IB。1-55IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A

30、100 A此区域中此区域中UCE UBE,集电结集电结正偏，正偏， IBIC，UCE 0.3V称为饱和区。称为饱和区。1-56IC(mA )1234UCE(V)36912IB=020 A40 A60 A80 A100 A此区域中此区域中 : IB=0, IC=ICEO, UBEIC，UCE 0.3V (3) 截止区：截止区： UBE 死区电压，死区电压， IB=0 ， IC=ICEO 0 1-58注意：注意：输出特性曲线上表明有三极管的工作三个区，输出特性曲线上表明有三极管的工作三个区，但三极管的状态却有放大、饱和、截止和但三极管的状态却有放大、饱和、截止和倒倒置置四个。四个。例例1： =50

31、， USC =12V， RB =70k ， RC =6k ， 当当USB = -2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点时，晶体管的静态工作点Q位于位于哪个区？哪个区？ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBE1-59解：由于解：由于 =50， USC =12V， RB =70k ， RC =6k （1）当）当USB =-2V时：时：ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEmA2612maxCSCCRUIIB=0 ， IC=0首先计算首先计算最大饱和电流最大饱和电流IC ：Q位于截止区位于截止区 1-60即即IC ICmax (=2mA) ， Q位于放大区位于放大区。ICUCEIBUS

32、CRBUSBCBERCUBE（2）当）当USB =2V时：时：20.7700.019mASBBEBBUUIRmax500.019mA0.95mABCmaxII2mACCmaxII1-62三、主要参数三、主要参数 前面的电路中，三极管的发射极是输入输出前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。共集接法。共射共射直流电流放大倍数直流电流放大倍数：BCII_ 工作于动态的三极管，真正的信号是叠加工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为在直流上的交流信号。基极电流的变化量为 IB，相

33、应的集电极电流变化为相应的集电极电流变化为 IC，则则交流交流电流放大倍数电流放大倍数为：为：BCII1. 电流放大倍数电流放大倍数 和和 _1-63例如：例如：UCE=6V时时：IB = 40 A, IC =1.5 mA； IB = 60 A, IC =2.3 mA。5 .3704. 05 . 1_BCII4004. 006. 05 . 13 . 2BCII在以后的计算中，一般作近似处理：在以后的计算中，一般作近似处理： =1-642.集集- -基极反向截止电流基极反向截止电流ICBO AICBOICBO是集是集电结反偏电结反偏由少子的由少子的漂移形成漂移形成的反向电的反向电流，受温流，受温

34、度的变化度的变化影响。影响。1-65BECNNPICBOICEO= IBE+ICBO IBE IBEICBO进入进入N区，形成区，形成IBE。根据放大关系，由根据放大关系，由于于IBE的存在，必有的存在，必有电流电流 IBE。集电结反集电结反偏有偏有ICBO3. 集集- -射极反向截止电流射极反向截止电流ICEOICEO受温度影响很受温度影响很大，当温度上升时，大，当温度上升时，ICEO增加很快，所增加很快，所以以IC也相应增加。也相应增加。三极管的温度特性三极管的温度特性较差较差。1-664.集电极最大电流集电极最大电流ICM 集电极电流集电极电流IC上升会导致三极管的上升会导致三极管的 值

35、的值的下降，当下降，当 值下降到正常值的三分之二时的集值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为电极电流即为ICM。5.集集-射极反向击穿电压射极反向击穿电压 当集当集-射极之间的电压射极之间的电压UCE超过一定的超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是值是25 C、基极开路时的击穿电压基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。1-676. 集电极最大允许功耗集电极最大允许功耗PCM 集电极电流集电极电流IC 流过三极管，流过三极管， 所发出的焦耳所发出的焦耳 热为：热为：PC =ICUCE 必定导致结温必定导致结温 上升，所以上升，所以PC

36、有限制。有限制。PC PCMICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作区安全工作区1-68 场效应管与双极型晶体管不同，它是多场效应管与双极型晶体管不同，它是多子导电，且输入阻抗高、温度稳定性好。子导电，且输入阻抗高、温度稳定性好。结型场效应管结型场效应管JFET绝缘栅型场效应管绝缘栅型场效应管MOS场效应管有两种场效应管有两种:1.4 场效应晶体管场效应晶体管1-69N基底基底 ：N型半导体型半导体PP两边是两边是P区区G(栅极栅极)S源极源极D漏极漏极一、结构一、结构1.4.1 结型场效应管结型场效应管:导电沟道导电沟道1-70NPPG(栅极栅极)S源极源极D漏极漏极N沟道结型场效应管沟道结型场效应管DGSDGS1-71PNNG(栅极栅极)S源极源极D漏极漏极P沟道结型场效应管沟道结型场效应管DGSDGS1-72二、工作原理（以二、工作原理（以P沟道为例）沟道为例）UDS=0V时时PGSDUDSUGSNNNNIDPN结反偏，结反偏，UGS越大则耗尽区越越大则耗尽区越宽，导电沟道越宽，导电沟道越窄