数字电子技术-第7章半导体存储器

1、第第7章章 半导体存储器半导体存储器 7.1 概述概述 7.2只读存储器（只读存储器（ROM） 7.3 随机存取存储器（随机存取存储器（RAM）第第7章章 半导体存储器半导体存储器 2 存储器存储器是用来存放数据和程序等二进是用来存放数据和程序等二进制数或代码的。制数或代码的。 根据存储介质的不同分为：根据存储介质的不同分为：7.1 概概 述述2、半导体介质存储器半导体介质存储器（只读存储器（只读存储器ROM、随随机存取存储器机存取存储器RAM等）等）3、光介质存储器光介质存储器(CD-ROM、VCD-ROM、DVD-ROM、DVD+RW、BD)1、磁介质存储器磁介质存储器（通常有硬盘、磁带、

2、（通常有硬盘、磁带、DV带带等）等）7.1 概概 述述第第7章章 半导体存储器半导体存储器 3触发器触发器存储存储1位位二进制信息二进制信息寄存器寄存器存储存储1组组二进制信息二进制信息存储器存储器存储信息量比寄存器存储信息量比寄存器大的多大的多 把成千上万个存储单元按一定规则组合把成千上万个存储单元按一定规则组合起来，并辅以必要的控制电路，形成一个存起来，并辅以必要的控制电路，形成一个存储阵列，这就是储阵列，这就是半导体存储器半导体存储器。 半导体存储器的特点半导体存储器的特点：集成度高、体积：集成度高、体积小、可靠性高、价格低、外围电路简单且易小、可靠性高、价格低、外围电路简单且易于接口、

3、便于批量生产等。于接口、便于批量生产等。7.1.1半导体存储器的特点半导体存储器的特点7.1 概概 述述第第7章章 半导体存储器半导体存储器 47.1.2 半导体存储器的分类半导体存储器的分类 按制造工艺分：按制造工艺分：双极型双极型和和MOS型型。速度快、功耗大、价格速度快、功耗大、价格高，主要用于对速度要高，主要用于对速度要求较高的场合（高速缓求较高的场合（高速缓存用）存用）集成度高、功耗低、集成度高、功耗低、价格低，大容量存储价格低，大容量存储器都是用器都是用MOS工艺制工艺制作的（内存）作的（内存）7.1 概概 述述第第7章章 半导体存储器半导体存储器 5 随机存取存储器随机存取存储器

4、(RAM- Random Access Memory ) ：可在任何时刻随机地对任一个存可在任何时刻随机地对任一个存储单元直接存取信息。储单元直接存取信息。 只读存储器只读存储器(ROM-Read Only Memory )：只读存储器所存储的信息是事先被固化在存储器只读存储器所存储的信息是事先被固化在存储器中的，其信息可以长期保存，断电也不丢失。中的，其信息可以长期保存，断电也不丢失。 按存取功能分：按存取功能分： 随机存取存储器和只读存储器随机存取存储器和只读存储器。7.1 概概 述述第第7章章 半导体存储器半导体存储器 6 随机随机存取存取存储器存储器RAM(Random Access

5、RAM(Random Access Memory)Memory)也称为读写存储器。也称为读写存储器。 它可以随时从任何一个指定地址的存储单它可以随时从任何一个指定地址的存储单元中取出（元中取出（读出读出）数据，也可随时将数据存入）数据，也可随时将数据存入（写入写入）任何一个指定地址的存储单元中。）任何一个指定地址的存储单元中。 RAMRAM的最大优点是读写方便，但有信息容的最大优点是读写方便，但有信息容易丢失的缺点，一旦断电，所存储的信息就会易丢失的缺点，一旦断电，所存储的信息就会随之消失，不利于数据的长期保存。随之消失，不利于数据的长期保存。7.3 随机存取存储器（随机存取存储器（RAM）

6、7.3 随机存取存储器（随机存取存储器（RAM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 7 RAM主要由存储矩阵，地址译码器及主要由存储矩阵，地址译码器及读读/写控制电路三部分组成，如图所示。写控制电路三部分组成，如图所示。存储矩阵存储矩阵读写控制电路读写控制电路I/OCSR/W行地址译码器行地址译码器A0Ai+1Ai列地址译码器列地址译码器An17.3.1 RAMRAM的结构与工作原理的结构与工作原理7.3 随机存取存储器（随机存取存储器（RAM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 8RAM是以字来组织内部结构的。是以字来组织内部结构的。字：字：若干个二进制存储单元构成一个字。若干个二进

7、制存储单元构成一个字。字长：字长：一个字中所含二进制数的位数称为字长。一个字中所含二进制数的位数称为字长。容量：容量：存储容量等于字数乘以字长。存储容量等于字数乘以字长。204820488 8表示这个表示这个RAMRAM芯片有芯片有20482048个字个字每个字的字长是每个字的字长是8 8位位则它的容量为则它的容量为1638416384位存储单元位存储单元 存储器的字数常以存储器的字数常以10241024的倍数来表示，的倍数来表示，并把并把10241024称为称为1 1K K,1024K,1024K称为称为1M1M, , 1024M称为称为1G, 1024G称为称为1T 。7.3 随机存取存储

8、器（随机存取存储器（RAM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 9 有一个有一个2M8的的RAM，有多少有多少个基本存储单元？个基本存储单元？2 1024 10248 有一个有一个2K 4的的RAM，有多少有多少个基本存储单元？个基本存储单元？2 10244Byte:字节字节 KB,MB,GB, TB7.3 随机存取存储器（随机存取存储器（RAM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 10256 1位位RAM结构示意图结构示意图7.3 随机存取存储器（随机存取存储器（RAM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 111024 4位位RAM（2114）结构示意图结构示意图7.3 随机存取

9、存储器（随机存取存储器（RAM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 127.3.2 RAM的存储单元的存储单元1.静态存储单元静态存储单元VV8T7T6T5TT线4位据（列选择线）D3线1TiY（行选择线）jB数TXTD DG2D线位B数线据存储存储单元单元11000101107.3 随机存取存储器（随机存取存储器（RAM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 13Static RAM SRAM MOS管数目多，集成度较低，管数目多，集成度较低，功耗大、不需要刷新。功耗大、不需要刷新。6116（2K 8 8位），位），626264 64 （8K 8 8位），位）， 6262256256（

10、32K 8 8位）。位）。7.3 随机存取存储器（随机存取存储器（RAM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 14A=1TGVDTPTNC RgBCP=1CgCP=0放+2.动态存储单元动态存储单元刷新刷新7.3 随机存取存储器（随机存取存储器（RAM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 15Dynamic RAM DRAM 动态存储单元的电路结构比静态存储动态存储单元的电路结构比静态存储单元的电路结构简单。单元的电路结构简单。 动态动态RAM集成度高、功耗小，集成度高、功耗小，但不但不如静态如静态RAM使用方便，存取速度比静态使用方便，存取速度比静态RAM慢。慢。 一般情况下，大容量

11、存储器使用动态一般情况下，大容量存储器使用动态RAM，小容量存储器使用静态小容量存储器使用静态RAM。7.3 随机存取存储器（随机存取存储器（RAM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 16A A0 0A A1 1A A3 3A A5 5A A6 6GNDGNDCSCS1 12 23 34 45 56 67 78 89 91818 1717 1616 1515 1414 1313 1212 1111 1010RAM2114RAM2114A A7 7A A2 2A A4 4A A8 8A A9 9U UCCCCI/OI/O0 0I/OI/O1 1I/OI/O2 2I/OI/O3 3R/WR/

12、W21142114静态静态RAM RAM 它的容量是它的容量是4 4K K（10241024字字 4 4位）；有位）；有1010条输条输入地址线入地址线A A0 0 A A9 9（2 21 01 0=1024=1024），），4 4条数据线条数据线I I/ /O O3 3 I I/ /O O0 0，数据线都是经三态门输出的。一个数据线都是经三态门输出的。一个片选端片选端CSCS，一个读写控制端一个读写控制端R/WR/W，电源为电源为+5+5V V。7.3 随机存取存储器（随机存取存储器（RAM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 17 当一片当一片RAM不能满足存储容量需要时，不能满足存储

13、容量需要时，就得将若干片就得将若干片RAM组合起来，扩展成满足存组合起来，扩展成满足存储容量要求的存储器。储容量要求的存储器。RAM的扩展分为字扩的扩展分为字扩展和位扩展。展和位扩展。用用1K4 RAM扩展成扩展成1K8位存储器位存储器用用1K4 RAM扩展成扩展成2K4位存储器位存储器用用1K4 RAM扩展成扩展成2K8位存储器位存储器7.3.3 RAM存储容量的扩展存储容量的扩展7.3 随机存取存储器（随机存取存储器（RAM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 18用用1K4 RAM扩展成扩展成1K8位存储器位存储器1. 位扩展（字长扩展）位扩展（字长扩展）若只需扩展位数不需扩展字数时

14、注意事项若只需扩展位数不需扩展字数时注意事项:1) 把若干片位数相同的把若干片位数相同的RAM芯片地址线共用芯片地址线共用;WR /2）线共用线共用;CS3）每个每个RAM片的片的I/O端并行输出。端并行输出。一片存储容量总存储容量N7.3 随机存取存储器（随机存取存储器（RAM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 19一片存储容量总存储容量N如：如：N=1024 8/1024 4=2用用1K4 RAM扩展成扩展成1K8位存储器位存储器7.3 随机存取存储器（随机存取存储器（RAM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 202.字扩展字扩展(地址扩展地址扩展)1) 把原地址线共用把原地址

15、线共用, I/O端共用；端共用；2）WR/线共用；线共用；CS3）根据需要再增加适当的地址线去控制根据需要再增加适当的地址线去控制 。一片存储容量总存储容量N例如例如: 1K 4 RAM扩展成扩展成4K 4N=4K 41K 4= 4片片7.3 随机存取存储器（随机存取存储器（RAM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 21I/O3I/O2I/O1I/O0A9A0CSR/WRAM2114（1）2-4线译线译码码器器A0A9R/WA10A11I/O3I/O2I/O1I/O0I/O3I/O2I/O1I/O0A9A0CSR/WRAM2114（2）I/O3I/O2I/O1I/O0A9A0CSR/WR

16、AM2114（3）I/O3I/O2I/O1I/O0A9A0CSR/WRAM2114（4）Y0Y3第第1片的地址范围片的地址范围:000000000000- 001111111111 第第2片的地址范围片的地址范围:010000000000- 011111111111 第第3片的地址范围片的地址范围:100000000000- 101111111111 第第4片的地址范围片的地址范围:110000000000- 111111111111 7.3 随机存取存储器（随机存取存储器（RAM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 223. RAM的字与位同时扩展的字与位同时扩展 字与位同时扩展，根据上

17、述字和位扩展原字与位同时扩展，根据上述字和位扩展原理，将两种扩展方法结合起来便可实现。一般理，将两种扩展方法结合起来便可实现。一般最好先进行位扩展然后再进行字扩展。最好先进行位扩展然后再进行字扩展。 用用642 RAM扩展成扩展成2564位存储器位存储器7.3 随机存取存储器（随机存取存储器（RAM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 237.3 随机存取存储器（随机存取存储器（RAM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 247.2 只读存储器（只读存储器（ROM） 只读存储器只读存储器ROMROM（Read Only Memory Read Only Memory ）在在存入数据后一

18、般不能用简单的方法将其更改，存入数据后一般不能用简单的方法将其更改，并且具有并且具有掉电后信息不丢失掉电后信息不丢失的特点。的特点。7.2.1 ROM的逻辑结构与工作原理的逻辑结构与工作原理7.2 只读存储器（只读存储器（ROM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 25O0O2I2m0m1m2m3m4m5m6m7I1I0 O1 地址译码器地址译码器7.2 只读存储器（只读存储器（ROM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 26I2I1I0O2O0O1m0m1m2m3m4m5m6m7I0I1I2阵阵列列逻逻辑辑图图存储容量存储容量=2337.2 只读存储器（只读存储器（ROM） 第第7章

19、章 半导体存储器半导体存储器 27AABBF1CCF2F3F4W0W1W2W3W4W5W6W7例例1 已经编程的已经编程的ROM如图所示：如图所示：(1)该该ROM的容量为多少？的容量为多少？(2)地址地址001，010，101，111存储的数据是什么？存储的数据是什么？存储容量存储容量=23400100101100000017.2 只读存储器（只读存储器（ROM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 287.2.2 ROM的分类的分类1.固定固定ROM:厂家把数据写入存储器中，用户厂家把数据写入存储器中，用户无法进行任何修改。无法进行任何修改。2.一次性可编程一次性可编程ROM（PROM）

20、:出厂时，存出厂时，存储内容全为储内容全为1（或全为（或全为0），用户可根据自己），用户可根据自己的需要编程，但只能编程一次。的需要编程，但只能编程一次。 按照数据写入方式特点不同，按照数据写入方式特点不同，ROM可可分为以下几种：分为以下几种：7.2 只读存储器（只读存储器（ROM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 293.光可擦除可编程光可擦除可编程ROM（EPROM） 这类这类ROM利用特殊结利用特殊结构的浮栅构的浮栅MOS管进行编管进行编程程,ROM中存储的数据可以中存储的数据可以进行多次擦除和改写。进行多次擦除和改写。其内容可通过紫外线照射而其内容可通过紫外线照射而被擦除，可多

21、次编程。被擦除，可多次编程。7.2 只读存储器（只读存储器（ROM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 304.电可擦除可编程电可擦除可编程ROM（E2PROM） 用电擦除，并且擦除的用电擦除，并且擦除的速度要快的多（一般为毫秒速度要快的多（一般为毫秒数量级）。数量级）。E2PROM的电擦的电擦除过程就是改写过程，它具除过程就是改写过程，它具有有ROM的非易失性，又具的非易失性，又具备类似备类似RAM的功能，可以的功能，可以随时改写（可重复擦写随时改写（可重复擦写1万万次以上）。次以上）。7.2 只读存储器（只读存储器（ROM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 315.快闪存储器（快

22、闪存储器（Flash Memory）:闪存闪存 存储器中数据的擦除和写入是分开进行的，存储器中数据的擦除和写入是分开进行的，数据写入方式与数据写入方式与EPROM相同，一般一只芯片相同，一般一只芯片可以擦除可以擦除/写入写入100万次以上。万次以上。7.2 只读存储器（只读存储器（ROM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 326. 6. 串行总线扩展技术串行总线扩展技术 采用串行总线扩展技术可以使系统的硬件设采用串行总线扩展技术可以使系统的硬件设计简化，系统的体积减小，同时，系统的更改和计简化，系统的体积减小，同时，系统的更改和扩充更为容易。串行扩展总线的应用是单片机目扩充更为容易。串行

23、扩展总线的应用是单片机目前发展的一种趋势前发展的一种趋势 常用的串行扩展总线有：常用的串行扩展总线有：I2C（Inter IC BUS）总线、）总线、SPI（Serial Peripheral Interface）总线、总线、Microwire 总线及总线及单总线单总线（1-Wire BUS）。）。 如果单片机没有串行总线接口，利用其自身如果单片机没有串行总线接口，利用其自身的通用并行线可以模拟多种串行总线时序信号，的通用并行线可以模拟多种串行总线时序信号，因此可以充分利用各种串行接口芯片资源。因此可以充分利用各种串行接口芯片资源。 7.2 只读存储器（只读存储器（ROM） 第第7章章 半导体

24、存储器半导体存储器 33（1 1） I I2 2C C总线扩展技术总线扩展技术 I2C总线是总线是Philips公司开发的一种双向两公司开发的一种双向两线串行总线，以实现集成电路之间的有效控制，线串行总线，以实现集成电路之间的有效控制，这种总线也称为这种总线也称为Inter IC 总线。目前，总线。目前，Philips及及其它半导体厂商提供了大量的含有其它半导体厂商提供了大量的含有I2C总线的外总线的外围接口芯片，围接口芯片， I2C总线已成为广泛应用的工业标总线已成为广泛应用的工业标准之一。准之一。 标准模式下，基本的标准模式下，基本的I2C总线规范的规定总线规范的规定的数据传输速率为的数据

25、传输速率为100kb/s。快速模式下，数据传输速率为快速模式下，数据传输速率为400KB/s。高速模式下，数据传输速率为高速模式下，数据传输速率为3.4Mb/s。 I2C总线始终和先进技术保持同步，并保总线始终和先进技术保持同步，并保持其向下兼容性。持其向下兼容性。7.2 只读存储器（只读存储器（ROM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 34 I2C总线采用二线制传输，一根是数据线总线采用二线制传输，一根是数据线SDA（Serial Data Line），另一根是时钟线），另一根是时钟线SCL（serial clock line），所有），所有I2C器件都连接在器件都连接在SDA和和SC

26、L上，每一个器件具有一个唯一的地址。上，每一个器件具有一个唯一的地址。 I2C总线是一个多主机总线，总线上可以有一总线是一个多主机总线，总线上可以有一个或多个主机（或称主控制器件），总线运行由主个或多个主机（或称主控制器件），总线运行由主机控制。机控制。 主机是指启动数据的传送（发起始信号）、发主机是指启动数据的传送（发起始信号）、发出时钟信号、发出终止信号的器件。通常，主机由出时钟信号、发出终止信号的器件。通常，主机由单片机或其它微处理器担任。单片机或其它微处理器担任。 被主机访问的器件叫从机（或称从器件），被主机访问的器件叫从机（或称从器件），它可以是其它单片机，或者其他外围芯片，如：它可

27、以是其它单片机，或者其他外围芯片，如：A/D、D/A、LED或或LCD驱动、串行存储器芯片。驱动、串行存储器芯片。 7.2 只读存储器（只读存储器（ROM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 35 I2C总线支持多主（总线支持多主（multi-mastering）和主从）和主从（master-slave）两种工作方式。）两种工作方式。 多主方式下，多主方式下，I2C总线上可以有多个主机。总线上可以有多个主机。I2C总线需通过硬件和软件仲裁来确定主机对总线总线需通过硬件和软件仲裁来确定主机对总线的控制权。的控制权。 主从工作方式时，系统中只有一个主机，总主从工作方式时，系统中只有一个主机，总

28、线上的其它器件均为从机（具有线上的其它器件均为从机（具有I2C总线接口），总线接口），只有主机能对从机进行读写访问，因此，不存在只有主机能对从机进行读写访问，因此，不存在总线的竞争等问题。在主从方式下，总线的竞争等问题。在主从方式下，I2C总线的时总线的时序可以模拟序可以模拟 ，I2C总线的使用不受主机是否具有总线的使用不受主机是否具有I2C总线接口的制约。总线接口的制约。7.2 只读存储器（只读存储器（ROM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 367.2 只读存储器（只读存储器（ROM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 37（2 2） SPISPI总线扩展技术总线扩展技术 SPI

29、（Serial Peripheral Interface）总线）总线是是Motorola公司提出的一种同步串行外设接口，公司提出的一种同步串行外设接口， 它可以使微控制器（它可以使微控制器（MCU）与各种外围设备以）与各种外围设备以串行方式进行通信以交换信息。外围设备包括串行方式进行通信以交换信息。外围设备包括FLASHRAM、网络控制器、网络控制器、LCD显示驱动器、显示驱动器、A/ D 转换器和微控制器等。转换器和微控制器等。 SPI总线使用同步协议传送数据，接收或发总线使用同步协议传送数据，接收或发送数据时由主机产生的时钟信号控制。送数据时由主机产生的时钟信号控制。SPI接口接口可以连接

30、多个可以连接多个SPI芯片或装置，主机通过选择它芯片或装置，主机通过选择它们的片选来分时访问不同的芯片。们的片选来分时访问不同的芯片。 7.2 只读存储器（只读存储器（ROM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 38（一）（一）SPI总线构成总线构成MOSI（Master Out Slave In）：主机发送从机接收。）：主机发送从机接收。 MISO（Master In Slave Out）：主机接收从机发送）：主机接收从机发送 SCLK或或SCK（Serial Clock）：串行时钟）：串行时钟 (Chip Select for the peripheral)：外围：外围器件的片选。有的

31、微控制器设有专用的器件的片选。有的微控制器设有专用的SPI接接口的片许，称为从机选择（口的片许，称为从机选择（ ）。）。 CSSSMOSI (SI或或SDI)信号由主机产生，接收者为信号由主机产生，接收者为从机；从机；ISO (SO或或SDO)信号由从机发出；信号由从机发出；CLK或或SCK由主机发出，用来同步数据传送；片选信号由主机发出，用来同步数据传送；片选信号也由主机产生，用来选择从机芯片或装置。也由主机产生，用来选择从机芯片或装置。 7.2 只读存储器（只读存储器（ROM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 39（二）（二）SPI总线信号线基本连接关系：总线信号线基本连接关系： S

32、PI 总线系统有以下几种形式：总线系统有以下几种形式：1个个主机和多个从机、多个从机相互连接构成主机和多个从机、多个从机相互连接构成多主机系统多主机系统(分布式系统分布式系统) 、1个主机与个主机与1个个或几个或几个I/ O设备构成的系统等。设备构成的系统等。7.2 只读存储器（只读存储器（ROM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 40（三）主从方式（三）主从方式SPI总线接口系统的典型结构总线接口系统的典型结构 在大多数应用场合，可使用在大多数应用场合，可使用1个微控制器作为个微控制器作为主控机来控制数据传送，并向主控机来控制数据传送，并向1个或几个外围器件个或几个外围器件传送数据。从

33、机只有在主机发命令时才能接收或发传送数据。从机只有在主机发命令时才能接收或发送数据送数据 。 当一个主机通过当一个主机通过SPI与多个芯片相连时，必须与多个芯片相连时，必须使用每个芯片的片选，这可通过使用每个芯片的片选，这可通过MCU的的I/O端口输端口输出线来实现。出线来实现。 MCUIC1IC2IC3SCKSISOCSCSCSSCKMOSIMISOSCKSISOSCKSISOIO1IO2IO37.2 只读存储器（只读存储器（ROM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 41（1）字长的扩展（位扩展）字长的扩展（位扩展） 现有型号的现有型号的EPROM，输出多为，输出多为8位。下图位。下图

34、是将两片是将两片2764扩展成扩展成8k16位位EPROM的连线图。的连线图。. .AAOO OCSOE00127.AAOO OCSOE00127CSOEA0A1270DD815DD13131388地址总线数据总线8kB88kB827642764UU127.2.3 ROM容量的扩展容量的扩展7.2 只读存储器（只读存储器（ROM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 42（2）字数扩展（地址码扩展）字数扩展（地址码扩展）. .AAOO OCSOE00127OE0AA12DD70O.0.120A7OOEACSOO.0.120A7OOEACSO.AAYYGG00A12G17.Y127642764

35、276474LS138U1U2U8+5VAAA1314152A2B131313138888地址总线数据总线例：例：用用8片片2764扩展成扩展成64k8位的位的EPROM：7.2 只读存储器（只读存储器（ROM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 437.2.4 ROM的应用的应用1、存储各种程序代码；、存储各种程序代码；2、实现多输入、多输出逻辑函数真值表；、实现多输入、多输出逻辑函数真值表；3、代码的变换、符号和数字显示等有关数、代码的变换、符号和数字显示等有关数字电路及存储各种函数等。字电路及存储各种函数等。7.2 只读存储器（只读存储器（ROM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储

36、器 44 【解解】 （1）分析要求、设定变量）分析要求、设定变量 自变量自变量x的取值范围为的取值范围为015的正整数，对应的的正整数，对应的4位二进制正整数，用位二进制正整数，用B=B3B2B1B0表示。根据表示。根据y=x2的运算关系，可求出的运算关系，可求出y的最大值是的最大值是152225，可以，可以用用8位二进制数位二进制数Y=Y7Y6Y5Y4Y3Y2Y1Y0表示。表示。（2）列真值表）列真值表1.作函数运算表电路作函数运算表电路【例例1】试用试用ROM构成能实现函数构成能实现函数y=x2的运算表电的运算表电路，路，x的取值范围为的取值范围为015的正整数。的正整数。7.2 只读存储

37、器（只读存储器（ROM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 450 0 0 0 0 0 0 00 0 0 0 0 0 0 10 0 0 0 0 1 0 00 0 0 0 1 0 0 10 0 0 1 0 0 0 00 0 0 1 1 0 0 10 0 1 0 0 1 0 00 0 1 1 0 0 0 10 1 0 0 0 0 0 00 1 0 1 0 0 0 10 1 1 0 0 1 0 00 1 1 1 1 0 0 11 0 0 1 0 0 0 01 0 0 1 1 0 0 11 1 0 0 0 1 0 01 1 1 0 0 0 0 1Y7 Y6 Y5 Y4 Y3 Y2 Y1 Y0 输输

38、 出出0149162536496481100121144169196225对应对应十进制数十进制数0 0 0 00 0 0 10 0 1 00 0 1 10 1 0 00 1 0 10 1 1 00 1 1 11 0 0 01 0 0 11 0 1 01 0 1 11 1 0 01 1 0 11 1 1 01 1 1 1B3 B2 B1 B0 输输 入入例例1真值表真值表7.2 只读存储器（只读存储器（ROM） 第第7章章 半导体存储器半导体存储器 46（3）写标准与或表达式）写标准与或表达式Y4=m4+m5+m7+m9+m11+m12Y6=m8+m9+m10+m11+m14+m15Y5=m6+m7+m10+m11+m13+m15Y3=m3+