半导体物理 课后习题答案

1、第一章习题1. 设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量E（k）和价带极大值附近c能量E（k）分别为：Vh2k2h2（kk）2h2k23h2k2E=+i,E（k）二1c3mmV6mm0000_兀m为电子惯性质量，k=,a=0.314nm。试求：01a（1）禁带宽度;2）导带底电子有效质量;3）价带顶电子有效质量;（4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化解：（1）导带：2h2k2h2(kk)由+上=03m0得：k=k41又因为:丝dk22h22h2=+3mm008h2=>03m003所以：在k=-k处，Ec取极小值4价带：dEVdkm0又因为丝dk26h2<0,所以k=0处，E

2、取极大值mV03因此：E=E(-k)E(0)=41Vh2k2亠=0.64eV12m(2)m*=nCd2ECdk2k=4ki(3)m*nV力2d2EVdk2k=0(4)准动量的定义：p=力k所以：Ap=(力k)k=:林-(hk)=力3k-0=7.95x10-25N/sk=0412. 晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加QV/m,。V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。解：根据：f=|qE|=h石hAk-qEAt1h(0-)a-1.6x10-19x102=8.27x10-8sAt2h(0-)a-1.6x10-19x107=8.27x10-13s第三章习题和答案1.计算能

3、量在E=E到E=E+100-cC2m*L23nV(2m*)2丄解g(E)=-严2(E-E)22-2h3CdZ=g(E)dE单位体积内的量子态数Z=dZ0V之间单位体积中的量子态数。100h2100,2ECmn12(2m*)n2-2h3丄(E-E)2dECEC3S*)%-e3'=n2-2h3厂100h2E+一c8m*L23L31000-2.试证明实际硅、锗中导带底附近状态密度公式为式(3-6)。2.证明：si、G半导体的E(IC)K关系为.e在EE+dE空间的状态数等于k空间所包含的E(k)=E+竺(kX+ky+竺)状态数。CC2mmltm*、im*、im.7令k'=()-2k,

4、k'=()J2k,k'=()J2kmlymyzth2+c2m*xya在k'系中，等能面仍为球形等能面xmt则:E(k')=Ec(k'2+k'2+k'2z!在k'系中的态密度g(k')=(mmt1、m*3a12即d=g(k')*VVk'=g(k')4兀k'2dkz.g'(e)=dz=4kdE2(mm+mttlh2(E-E)12Vck'=-v2m*(E-E)八-c3.当EEf为1.5kT,4kT,F0010kT时,0计算电子占据各该能级的概率。对于si导带底在100个方向，有六个

5、对称的旋转椭球,锗在(111)方向有四个,2m*/g(E)=sg'(E)=4k(护)32(E-E)12Vh2c2Lm*=s3m2m3ntl分别用费米分布函数和玻耳兹曼分布函数)32=2(i费米能级费米函数玻尔兹曼分布函数E-EF1f(E)=E-E1+efkT0f(E)=e-廿1.5kT00.1820.2234kT00.0180.018310kT04.54x10-54.54x10-54. 画出-78oC、室温(27oC)、500oC三个温度下的费米分布函数曲线，并进行比较。5. 利用表3-2中的m*，m*数值，计算硅、锗、砷化镓在室温下的NN以及本npC,V征载流子的浓度。2kkoTm*

6、2KkoTm*j5Nv=2(r-)32=(NN)12e-2koTcv6. 计算硅在-78oC,27°f,300oC时的本征费米能级，彳假定它在禁带中间合理吗?Si的本征费米能级,bi:m*=1.08m,m*=0.59mn0p0厂厂E-E3kT、m*E=E=c4+InpFi24m*n3kT0.59m当T=195K时，kT=0.016eV,In-o=-0.0072eV1 141.0803kT0.59当T=300K时，kT=0.026eV,In=-0.012eV2 241.083kT0.59当T=573K时，kT=0.0497eV,一In=-0.022eV2341.08所以假设本征费米能级

7、在禁带中间合理，特别是温度不太高的情况下。7. 在室温下，锗的有效态密度N=1.05xl0i9cm-3，N=3.9xl0i8cm-3，试求锗的cV载流子有效质量m*m*。计算77K时的N和N。已知300K时，E=0.67eV。77knpCVg时E=0.76eV。求这两个温度时锗的本征载流子浓度。77K时，锗的电子浓度g为10i7cm-3，假定受主浓度为零，而E-E=0.01eV，求锗中施主浓度E为多少？CyD丁.D7（.1）根据kTmN=2（0c2兀力2kTm*2(2兀力2”)32得kT00.56=5.1x10-31kgkT0N2v-2=0.29m=2.6X10-31kg(2) 77K时的N、

8、NCVN'(77K)亍N(300K)TC'77X(300)3=1.37X1018/Cm3)3=1.05X1019'77N'=N(cc300rr|rrN'=N()3=3.9x1018x()3=5.08x1017/cm3VV300300n=(NN)12e-盏icv、:_0.67室温：n=(1.05x1019x3.9x10i8)12e2k0x3oo=1.7xIO13/cm3i_0.7677K时，n=(1.37x1018x5.08x1017)12e2k0x77=1.98x10_7/cm3iNNNn=n+=d=d=d0DEEEE+EE-n._-cC1丄CQ_Do1

9、+2expkT1+2ekT1十2e-唧ncAEn0.011017N=n(1+2ed亠)=1017(1+2e)=1.17x1017/cm3d0koTN0.0671.37x1018C8. 利用题7所给的N和N数值及E=0.67eV,求温度为300K和500K时，cVg含施主浓度N=5xl0i5cm-3，受主浓度N=2x109cm-3的锗中电子及空穴浓度为多DA少？8.300K时:gn=(NN)0x1013/cm3icV0500K时：n=(N'N')iCVeg2k0T'=6.9x1015/cm3根据电中性条件：InpN+NJ00DAInp=n200iNNn=dA+02=0Tn

10、2n(NN)n2=000DAi（竹A)2+n22i,In5x1015/cm3T=300K时:0Ip=8x1010/cm30t=500K时:=9.84x1015/cm3=4.84x1015/cm39.计算施主杂质浓度分别为10i6cm3,10i8cm-3,10i9cm-3的硅在室温下的费米能级，并假定杂质是全部电离，再用算出的的费米能级核对一下，上述假定是否在每一种情况下都成立。计算时,取施主能级在导带底下的面的0.05eV。9解假设杂质全部由强电离区的EFN,N=2.8x1019/cm3E=E+kTInD,T=300K时,cFc0NIn=1.5x1010/cm3CiND,Ni或E=E+kTln

11、Fi0N=1016/cm3;EDF=E+0.0261n=Ec2.8x1019-0.21eVN=1018/cm3;EDF=E+0.026In=Ec2.8x1019-0.087eVN=1019/nm3;END=1016:4=卫（2）EC=E1+0.026ln1019c=2.8x1019-0.0.27eV=E-=0.42%成立-ND=(105女?施主杂质全部电离标准为90%,10%占据施主22'n1才=亍是否10%N1E-ED1+eDf1N=10182D=工一DN01或:D=1J+牙咚90%N1E-ED1切eD1f十亠、N=1019:2=47=80%10%不成立DN01-0023D1+e0.

12、02622）'求出硅中施主在室温下全部电离的上限=30%不成立0037DD=（竺）e里d（未电离施主占总电离杂质数的百分比）-NkoTC2N0.05“0.1N严10%=De,N=ce0.026=2.5x1017/cm3N0.026D2C=1016小于2.5x1017cm3全部电离=1016,10182.5x1017cm3没有全部电离”也可比较E与E,E-EkT全电离DFDF0N=1016/cm3;E-E=-0.05+0.21=0.160.026成立，全电离DDFN=1018/cm3;E-E=0.0370.26E在E之下，但没有全电离DDFFDN=1019/cm3;E-E=-0.023(

13、0.026,E在E之上，大部分没有电离DDFFD10. 以施主杂质电离90%作为强电离的标准，求掺砷的n型锗在300K时，以杂质电离为主的饱和区掺杂质的浓度范围。10.解A的电离能AE=0.0127eV,N=1.05x1019/cm3sDC室温300K以下，A杂质全部电离的掺杂上限小2NAE、D=Dexp(D)-NkTC010%=2N+0.0127DexpN0.026C0.1N00127/.N=ce-0.026D上限20.1x1.05x1019e2001270.026=3.22x1017/cm3A掺杂浓度超过N的部分，在室温下不能电离sD上限G的本征浓度n=2.4x1013/cm3eiA的掺杂

14、浓度范围5nN，即有效掺杂浓度为2.4x10143.22x1017/cm3siD上限11. 若锗中施主杂质电离能AE=0.01eV，施主杂质浓度分别为N=10】4cm-3j及DD10i7cm-3。计算99%电离；90%电离；50%电离时温度各为多少？12. 若硅中施主杂质电离能AE=0.04eV,施主杂质浓度分别为10必皿-3，1018cm-3。D计算99%电离；90%电离；50%电离时温度各为多少？13. 有一块掺磷的n型硅，N=1015cm-3,分别计算温度为77K；300K；500K；D800K时导带中电子浓度（本征载流子浓度数值査图3-7）13.(2)300K时，n=1010/cm3&

15、lt;<N=1015/cm3强电离区iDn沁N=1015/cm30D(3) 500K时，n=4x1014/cm3N过度区iDN+、：N+4n2n=DD1.14x1015/cm302(4) 8000K时，n=1017/cm3inan=1017/cm30i14. 计算含有施主杂质浓度为N=9x10i5cm-3,及受主杂质浓度为1.1xlOmms，的D硅在33K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。解：T=300K时,Si的本征载流子浓度n=1.5x10iocm-3,i掺杂浓度远大于本征载流子浓度，处于强电离饱和区p=N一N=2x1015cm-30ADn2n=i-=1.125x105cm-30

16、p0p2x1015E-E=-kTIn厶=0.0261n=0.224eVFV0N1.1x1019v或：E-E=-kTInp=-0.026ln2X1015=0.336eVFi0n1.5x1010i15掺有浓度为每立方米为1022硼原子的硅材料，分别计算300K:600K时费米能级的位置及多子和少子浓度（本征载流子浓度数值查图3-7）。T=300K时,n=1.5x1010/cm3,杂质全部电离aip=1016/cm30n=2.25x104/cm30p0EE=-kTInp=-0.026m106=-0.359eVEi0n1010i或EE=-kTIn耳=-0.184eVEV0Nv(2) T=600K时，n

17、=1x1016/cm3i处于过渡区：p=n+N00Anp=n200ip=1.62x1016/cm30n=6.17x1015/cm30E-E=-kTIn厶=-0.052ln1.62x1016=-0.025eVFi0n1x1016i16.掺有浓度为每立方米为1.5x1023砷原子和立方米5x1022铟的锗材料，分别计算300K；600K时费米能级的位置及多子和少子浓度（本征载流子浓度数值查图3-7）。解：N=1.5x1017cm-3,N=5x1016cm-3DA300K:n=2x1013cm-3i杂质在300K能够全部电离，杂质浓度远大于本征载流子浓度，所以处于强电离饱和区n=N-N=1x1017

18、cm-30DAn24x1026p=109cm-30n1x10170n1x1017E-E=kTInf=0.0261n=0.22eVFi0n2x1013i600K:n=2x1017cm-3i本征载流子浓度与掺杂浓度接近，处于过度区n+N=p+N0A0Dnp=n200iN-N+、;'(NN)2+4n2n=DADA=2.6x101702p=1.6x10170n0E-E=kTIn你=0.072In2.6X1017=0.01eVFi0n2x1017i17.施主浓度为10】3cm3的n型硅，计算400K时本征载流子浓度、多子浓度、少子浓度和费米能级的位置。17.si:N=10Dfn-p-ND13/c

19、m3,400K时，n=1x1013/cm3(查表)i1.62x1013np=n2in2inop06.17x1012/cm3kTIn0ni0.035xInx10131x1013=0.017eV18掺磷的n型硅，已知磷的电离能为0.044eV，求室温下杂质一半电离时费米能级的位置和浓度。“+叮B羸.61。協680Q0HSMtfgss磁躱gstez、(甲S書埋SSQQgwo、6IX2x2SHN.N%纟Hu。Eulo801X寸g.eH9ZO.I°9X601X8&HAdNH二33f74SB寸伙.OHBb二soA9e90.0bhooaooa从euseoo寸寸0.0hHu上呀4boa从eu

20、l4bhb<77、a7"飞/必昌NXHytdtd“04Q3+IHBIQQ:IsodIN2Soo二0忘0、8-0IX8寸6H(dxoe+D610.00H上(aj)dg+D工工9eold6O.O014ohL0H上a14)dxoe+IHHaHNT!£>CQCQHIN4U4NbQ0+丈"丈：旺長、8-01X8寸6HEoXX6-01X87HTu_>o(Eo)工nhTu'vJ0N"ueeeeo从。dy6I00HHaoHaooHaoHHH.6E0.0BHBBB+B20.制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩

21、散硼、磷而成的。（1）设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，300K时的E位F于导带下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。（2）设n型外延层杂质均匀分布，杂质浓度为4.6xl0i5cm-3，计算300K时EF的位置及电子和空穴浓度。（3）在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼浓度为5.2xl0i5cm-3,计算300K时E的位置及电子和空穴浓度。F（4）如温度升到500K，计算中电子和空穴的浓度（本征载流子浓度数值查图3-7）。20.(1)E-E=0.026=kT,发生弱减并CF0n=算F(-1)=2x'M019x0.3=9.

22、48x1018/cm305丄<3.142Nn=n+=d0DE-E、1+2exp(fD)kT0E-E0-0N=n(1+2exp(fD)=n(1+2e0.026)=4.07x1019/cm3D0kT00(2)300K时杂质全部电离NE=E+kTInD=E-0.223eVFc0NCCn=N=4.6x1015/cm30Dn2(1.5x1010)2p=4.89x104/cm30n4.6x101503)p=N-N=5.2x1015-4.6x1015=6x1014/cm30AD=3.75x105/cm3n2(1.5x1010)2n=0p6x10140E-E=-kTIn耳=0.0261m6x1014-=

23、-0.276eVFi0n1.5x1010i(4)500K时:n=4x1014cm-3,处于过度区in+N=p+N0A0Dnp=n200ip=8.83x10140n=1.9x10140E-E=-kTIn耳=0.0245eVEi0ni21.试计算掺磷的硅、锗在室温下开始发生弱简并时的杂质浓度为多少？2N21.CF兀丄2E-EFCkT0NDEe1+2exp(fD)kT0发生弱减并EN=2NDsi-E=2kTCF0-0.0080.026鼻CF(-2)1+2eP兀丄2L2x28X1019-0008x0.1x(1+2e0.026)=7.81x1018/cm3(Si)NDGe2x1.05x10i9厂/c、j

24、宀-F(-2)1+2e丄2-003940.026=1.7x1018/cm3(Ge)<3.1422.利用上题结果，计算掺磷的硅、锗的室温下开始发生弱简并时有多少施主发生电离？导带中电子浓度为多少？Nn=n+=d0DE一E、1+2exp(fD)kT0Si:n=n+D=7.81x1018=3.1x10=3.1x1018cm-300081+2e一0.026Ge:n01.7x1018=1.18x1018cm-3003941+2e一0.026第四章习题及答案1. 300K时，Ge的本征电阻率为47Qcm，如电子和空穴迁移率分别为3900cm2/(V.S)和1900cm2/(V.S)。试求Ge的载流子

25、浓度。解：在本征情况下，nqu+pqunp1nq(u+u)inp1pq(u+u)np47x1.602x10-19x(3900+1900)一空"3cm32. 试计算本征Si在室温时的电导率，设电子和空穴迁移率分别为1350cm2/(V.S)和500cm2/(V.S)。当掺入百万分之一的As后，设杂质全部电离,试计算其电导率。比本征Si的电导率增大了多少倍?解：300K时，u=1350cm2/(V-S),u=500cm2/(V-S)，查表3-2或图3-7可np知，室温下Si的本征载流子浓度约为n=1.0x1010cm-3。i本征情况下，q=nqu+pqu=nq(u+u)=1x1010x1

26、.602x10-19x(1350+500)=30x10-6S/cmnpinpSi的晶格常数为0.543102nm，则其原子密度为8(0.543102x10-7)3=5x1022cm-3。金钢石结构一个原胞内的等效原子个数为8x8+662+4=8个,查看附录B知掺入百万分之一的As，杂质的浓度为N=5x1022x=5x1016cm-3，杂D1000000质全部电离后，N>>n，这种情况下，查图4-14(a)可知其多子的迁移率为Di800cm2/(V.S)q'沁Nqu'=5x1016x1.602x10-19x800=64S/cmDn比本征情况下增大了三=64=2.1x1

27、06倍Q3x10-63. 电阻率为10Q.m的p型Si样品，试计算室温时多数载流子和少数载流子浓度。解：查表4-15(b)可知，室温下，10Q.m的p型Si样品的掺杂浓度N约为A1.5x1015cm-3，查表3-2或图3-7可知，室温下Si的本征载流子浓度约为n=1.0x1010cm-3，N>>niAip沁N-15x1015cm-3An2n-i-p(10x10io)21.5X1015-67x104cm-34.0.1kg的Ge单晶，掺有3.2xl0-9kg的Sb，设杂质全部电离，试求该材料的电阻率卩=0.38m2/(V.S),Ge的单晶密度为5.32g/cm3,Sb原子量为121.8

28、。n解：该Ge单晶的体积为：V-0.1X1000-188cm3;532Sb掺杂的浓度为：N-32営1000x6025x1023/188-842x1014cm3查图3-7可知，室温下Ge的本征载流子浓度n-2x1013cm-3，属于过渡区in-p+N-2x1013+84x1014-8.6x1014cm-30Dnqun186x1014x1.602x10-19x0,38x104-190cm5.500g的Si单晶，掺有4.5x10-5g的B，设杂质全部电离，试求该材料的电阻率卩=500cm2/(V.S),硅单晶密度为2.33g/cm3,B原子量为10.8。p解：该Si单晶的体积为：V-型-2146cm

29、3;233B掺杂的浓度为：“广常x鼻02551023/叫-1-17x1016cm3查表3-2或图3-7可知，室温下Si的本征载流子浓度约为n-10x1010cm-3。i因为N>>n，属于强电离区，puN-112x1016cm-3AiAp-1/qupqup-110cm117x1016x1602x10-19x50010.试求本征Si在473K时的电阻率。解：查看图3-7，可知，在473K时，Si的本征载流子浓度n-50x1014cm-3，在i这个浓度下，查图4-13可知道u600cm2/(V-s)，uu400cm2/(V-s)npp-1/qii1_1nq(u+u)5x1014x1.60

30、2x10-19x(400+600)inp-12.50cm16.分别计算掺有下列杂质的Si，在室温时的载流子浓度、迁移率和电阻率: 硼原子3xl0】5cm-3； 硼原子1.3x1016cm-3+磷原子1.0x1016cm-3 磷原子1.3x1016cm-3+硼原子1.0x1016cm-1017cm-3 磷原子3x1015cm-3+镓原子1x1017cm-3+砷原子1x1017cm-3o解:室温下,Si的本征载流子浓度nl0x1010/cm3，硅的杂质浓度在10i范围内，室温下全部电离，属强电离区。硼原子3x1015cm-3p沁N=3xIO15/cm3An豊1x102033x104/cm3p3x1

31、015查图4-14(a)知,卩=480cm2/V-s1PuqN1.602x10-19x3x1015x480pA=430cm硼原子1.3x1016cm-3+磷原子1.0x1016cm-3p沁N-N(13-10)x1016/cm33x1015/cm3ADn豎1x102033x104/cm3p3x1015NN+N23x1016/cm3，查图4-14(a)知,iAD卩=350cm2/V-spP沁590cmuqp1.602x10-19x3x1015x350p磷原子1.3x1016cm-3+硼原子1.0x1016cmn沁N-N(131.0)x10i6/cm3=3xIO15/cm3DAp-叱-3.3x104

32、/cm3n3x1015NN+N23x1016/cm3，查图4-14(a)知,iAD卩1000cm2/V-sn1P«210cmuqp1.602x10-19x3x1015x1000n磷原子3xl0i5cm-3+镓原子lxl0i7cm-3+砷原子lxl0i7cm-3n21x1020n沁N一N+N=3x1015/cm3p=33x104/cm3D1AD2n3x1015N=N+N+N=2.03x1017/cm3，查图4-14(a)知，r=500cm2/VsiAD1D2n=4.2uqp1.602x10-19x3x1015x50017.n证明当uHu且电子浓度n二n-u:u,p=n：u.u时，材料的

33、电导率最nPihp;niWn'p小，并求G的表达式。min解：G=pqu+nqu=pnn2iqu+nqunpndGdnn2=q(iu+u),n2pnd2G2n2=qiudn2n3p令互=0n(-叮u+udnn2pn)=0nn=nu/u,p=n：u/ui、pni、upd2gdn2n=n-u/uipn2n2i2uJu=qiu=qn>0n3(u/u)：u/upnuuipnpnipp因此，n=n,up/un为最小点的取值G=q(n.u/uu+n,-u/uu)=2qn,'：uuminiuppi'pnni'up试求300K时Ge和Si样品的最小电导率的数值，并和本征电

34、导率相比较。查表4-1，可知室温下硅和锗较纯样品的迁移率Si:G=2qn；uu=2x1602x10-19x1x1010x1450x500=2.73x10-7S/cmminiupG=qn(u+u)=1.602x10-19x1x1010x(1450+500)=3.12x10-6S/cmiipnGe:g=2qn：uu=2x1602x10-19x1x1010xv3800x1800=838x10-6S/cmminiupG=qn(u+u)=1.602x10-19x1x1010x(3800+1800)=8.97x10-6S/cmiipn20.试证G的电导有效质量也为e12)_+m,1t第五章习题1. 在一个

35、n型半导体样品中，过剩空穴浓度为10i3cm-3，空穴的寿命为lOOus。计算空穴的复合率。已知：Ap=1013/cm-3,t=100ps求：U=？解：根据t=®UAp得：U=曲=1017/cm3sT100X10-62. 用强光照射n型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为,空穴寿命为T。（1）写出光照下过剩载流子所满足的方程；（2）求出光照下达到稳定状态时的过载流子浓度。解：均匀吸收，无浓度梯度，无飘移。dApdtAp+gT方程的通解：Ap（t）=Ae-T+gtL达到稳定状态时，也=0dt+g=0.TLAp=gT3. 有一块n型硅样品，寿命是1us,无光照时电阻率是10

36、Qcm。今用光照射该样品，光被半导体均匀的吸收，电子-空穴对的产生率是1022Cm-3s-1，试计算光照下样品的电阻率，并求电导中少数在流子的贡献占多大比例？光照达到稳定态后.-Ap+g=0TLAp=An=gT=1022X10-6=1016cm-3光照前：p=10Qcm0nqp+pqp0n0p光照后:c'=npp+pqp=nqp+pqp+Anqp+Apqpnp0n0pnp=0.10+1016X1.6X10-19X1350+1016X1.6X10-19X500=0.1+2.96=3.06s/cmp'=丄=0.32Qcm.o'少数载流子对电导的贡献Ap>p.所以少子对

37、电导的贡献,主要是Ap的贡献.0AP9u1016x1.6x10-19x5000.8p=26%oi3.063.064. 一块半导体材料的寿命T=10us，光照在材料中会产生非平衡载流子，试求光照突然停止20us后，其中非平衡载流子将衰减到原来的百分之几？Ap(t)=Ap(0)e-tAp(20)=eAp(0)2010=13.5%有光照:o=nqp+pqpnp=nqp+pqp+Anq(p+p)0n0pnp沁2.16+1014x1.6x10-19x(1350+500)=2.16+0.0296=2.19s/cm(注：掺杂1016cm-13的半导体中电子、空穴的迁移率近似等于本征6.画出p型半导体在光照(小注入)前后的导体带图迁移率，原来的的费米能级和光照停止20ys后，减为原来的13.5%。5. n型硅中，掺杂浓度N=10】6cm-3,光注入的非平衡载流子浓度An=Ap=1014cm-3oD计算无光照和有光照的电导率。设T=300K,n=1.5x1010cm-3.An=Ap=1014/cm3i则n=1016cm-3,p=2.25x104/cm300n=n+An,p=p+Ap00无光照：o=nqp+pqu»nqp00n0p0n=1016x1.6x10-19x1350=2.16s/cm光照时的准费米能级。E