模电3电子技术基础精品课程模拟

1、2.12.22.32.42.5半导体的基本知识PN结的形成及特性二极管二极管基本电路及其分析方法特殊二极管基本要求：1 了解半导体材料的基本结构及PN结的形成2 了解PN结的单向导电工作原理3 掌握二极管(包括稳压管)的V-I特性及其建模4 掌握二极管基本电路的分析方法上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.1半导体的基本知识2.1半导体的基本知识2.1.1半导体材料2.1.2半导体的共价键结构2.1.3本征半导体、空穴及其导电作用2.1.4杂质半导体上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础半导体器件是近代电子学的重要组成部分。体积小、重量轻、使用长、输入功率小、功率转换效率高等优

2、点而得到广泛的应用。上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.1半导体的基本知识2.1.1半导体材料导电能力(电阻率)导体自然界中很容易导电的物质称为导体，金属一般都是导体。绝缘体有的物质几乎不导电，称为绝缘体，如橡皮、陶瓷、英。和石半导体另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之间，称为半导体， 如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.1半导体的基本知识和内部结构有关：导体一般为铁、铝、铜等低价金属元素，其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。绝缘体如惰性气体、橡胶等，其原子最外层电子受原子核只有在外电场强到一定程度时才可能

3、导电。力强，半导体如硅、锗等，均为四价元素，原子最外层受原子核的 介于导体和绝缘体之间。力上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.1半导体的基本知识2.1.1半导体材料半导体的导电性能在不同条件下有着显著的差异Þ 热敏电阻Þ 光电二极管和光电三极管及光敏电阻Þ 二极管、三极管、场效应管热敏性光敏性掺杂性主要特性典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.1半导体的基本知识2.1.2 半导体的共价键结构硅和锗的原子结构及简化模型价电子+4+4正离子在+4，外轨道上4个电子称为价电子。半导体的导电性取决于价

4、电子上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.1半导体的基本知识硅和锗的晶体结构邻近原子之间以共价键相连，每个原子最外层形成拥有8个共有电子的稳定结构。共价键中的电子由于受两个原子的，很难脱离原子形成自由电子，所以导电性能较弱。上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.1半导体的基本知识2.1.3 本征半导体、空穴及其导电作用本征半导体化学成分纯净的、结构完整的半导体晶体。共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。共价键中的两个电子被紧紧在共价键中，称为电子，常温下电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以半导体的导电能力很弱。上页下页电子技术基础精

5、品课程模拟电子技术基础2.1半导体的基本知识本征半导体导电机理当本征半导体受热或光照时会？由于热激发共价键中的电子获得能量挣脱成为自由电子后，在共价键中留下的空位。Þ电子空穴对空穴是半导体区别于导体的重要特点称征激发本征半导体中电子空穴数量相等，室温下数量少。外加电场Þ 电子空穴的移动电子技术基础精品课程模拟电子技术基础上页下页2.1半导体的基本知识半导体中有2种载流子电子和空穴，空穴可视为带正电的离子，所带电量与电子相等，符号相反； 空穴的移动方向与电子的相反，表示了电流的方向空穴的移动空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的，是虚拟的。本征半导体中任何时候

6、空穴浓度等于自由电子浓度。载流子的产生与复合率在一定温度下是相等的，即达到一种动态平衡。上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础自由运动的带电粒子2.1半导体的基本知识上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.1半导体的基本知识2.1.4 杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。其是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。掺入的杂质主要是三价或五价元素。杂质半导体掺入杂质的本征半导体。N型半导体掺入五价杂质元素（如磷），使自由电子浓度大大增加的杂质半导体。也称为电子半导体。P型半导体掺入三价杂质元素（如

7、硼），使空穴浓度大大增加的杂质半导体。也称为空穴半导体。上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础1) N型半导体在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷或锑，晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代。磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础1) N型半导体五价杂质原子中多余的一个价电子无共价键易形成自由电子。而很容提供自由电子的五价杂质原子(施主杂质)因带正电荷而成为正离子ND：施浓度；n：总自由电子的浓度；p：少子空穴的浓

8、度； n=p+ ND ，所有呈电中性。N型半导体中自由电子是多数载流子，它主要由杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发产生。上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础1) N型半导体总结上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2) P型半导体上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2) P型半导体三价杂质原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。空穴很容易俘获电子(受主杂质)，使杂质原子成为负离子。NA：受浓度；n：少子自由电子的浓度；p：总空穴的浓度；p=n+ NA ，所有呈电中性。P型半导体中空穴是多数载流子，它主要由杂质提供；自由电子是少数载流子， 由热激发

9、产生。上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础总结3、杂质半导体主要靠多子导电，掺入杂质越多，多子浓度越高，导电性越强，实现导电性可控。上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.2PN结的形成及特性2.2PN结的形成及特性2.2.12.2.22.2.32.2.42.2.5载流子的漂移与扩散PN结的形成PN结的单向导电性PN结的反向击穿PN结的电容效应上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.2PN结的形成及特性2.2.1载流子的漂移与扩散 漂移载流子在电场作用下的定向运动。 空穴的移动方向与电场方向一致；自由电子的移动方向与电场方向相

10、反。运动速度与电场强度E成一定比例。 扩散在半导体内，由于制造工艺和运制等，导致载流子浓度差的出现。因载流子的浓度差而引起的载流子运动。载流子从浓度高的区域向浓度低的区域的运动。上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.2PN结的形成及特性2.2.2PN结的形成浓度差 ®多子的扩散并复合上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础扩散运动N区自由电子浓度远高于P区。P区空穴浓度远高于N区。2.2PN结的形成及特性2.2.2PN结的形成由杂质离子形成空间电荷区¯空间电荷区形成内电场¯多子扩散¯内电场促使少子漂移(漂移导致内电场变窄)内电场(扩散导致内

11、电场变宽)多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.2PN结的形成及特性PN结在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处由离子薄层形成的空间电荷区就称为PN结。其中由于缺少多子又称耗尽层；还称势垒区。动态平衡：空间电荷区的厚度固定不变;P区电子和N区空穴(少子)数量有限,因此由它们形成的电流很小。上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.2PN结的形成及特性2.2.3PN结的单向导电性上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.2PN结的形成及特性2.2.3PN结的单向导电性通过对PN结外加电压来

12、讨论(1) 外加正向电压P区的电位高于N区的正偏外电场的方向与内电场方向相反。外电场削弱内电场耗尽层变窄扩散运动漂移运动多子扩散形成大的正向电流I F（低电阻），P区流向N区。）PN结导通PN结正偏时的导电情况电子技术基础精品课程模拟电子技术基础上页下页2.2PN结的形成及特性2.2.3PN结的单向导电性(1)外加正向电压mA特性： 低电阻 大的正向扩散电流0.0.0./VPN结的伏安特性上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.2PN结的形成及特性(2)外加反向电压时P区的电位低于N区的电位反偏外电场加强内电场耗尽层变宽漂移运动扩散运动少子漂移形成很小的反向电流IR（高电阻），区流向P

13、区。PN结截止NPN结反偏时的导电情况上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础在一定的温度下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无 关，这个电流也称为反向饱和电流。但IR与温度有关。2.2PN结的形成及特性(2)外加反向电压时特性： 高电阻 很小的反向漂移电流上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础iD/mA1.00.5iD= IS1.00.500.51.0uD/V2.2PN结的形成及特性上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础综上所述PN结正偏时，呈现低电阻，PN结导通，具有较大的正向扩散电流；PN结反偏时，呈现高电阻，PN

14、结截止，具有很小的反向漂移电流。结论：PN结具有单向导电性。：耗尽层的存在，且其宽度随外加电压而变化。2.2PN结的形成及特性前面讨论PN结的单向导电性是从PN结内部载流子的运动来讨论的，下面从外部特性来讨论，即伏安特性。上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.2PN结的形成及特性(3) PN结V- I 特性表达式定义：在PN结的两端加上电压后， 通过管子的电流I随管子两端电压V 变化的曲线。iD = IS ( e Dv其中- 1 )/ VTIS 反向饱和电流VT 温度的电压当量且在常温下（T=300K）k为玻尔兹曼常熟；= kT= 0.026V = 26mVVq为电子电荷。上页Tq下

15、页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.2PN结的形成及特性表达式分析：iD/mAi= I- 1 )( ev/ VDT1.0DS正偏时：vD>0且>>VTiD与vD成指数关系反偏时：vD<0且绝对值>>VTiD=-IS温度一定时，反向饱和电流是个常数0.5iD= IS1.0uD/V1.00.500.5PN结的伏安特性上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.2.4PN结的反向击穿击穿前反向电压小，很小的反向饱和电流。反向击穿当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加的现象发生击穿所需反向电压UBR称为反向击穿电压iDVBRuDO热击穿P

16、N结烧毁，不可逆（应避免）电击穿PN 结未损坏，断电即恢复（可利用）击穿反向电场太强， 将电子强行拉出共价键雪崩击穿反向电场使电子加速，动能增大，撞击使自由电子数突增。上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.2PN结的形成及特性2.2.5PN结的电容效应上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.2PN结的形成及特性(1) 势垒电容CB势垒区的空间电荷随外加电压变化而产生的电容效应势垒电容示意图当外加反向电压时，随着外加电压的变化，势垒电位发生变换，势垒区宽窄发生变化，势垒区的变化导致正、负离子电荷数的增减。上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.2PN结的形成及特性(2)

17、扩散电容CD外加正向电压的作用下扩散到P区或N区的少子在扩散过程中的积累高频时PN结等效为：结电容包括CB和CD； 正偏时r小C大(CD)；反偏时，r大C小(CB)结面积小结电容小，工作频率高CrP区多子空穴在外电场的作用下扩散到N区，在N边缘处有很高的空穴密度。由于与N区电子的复合，导致离结越远，空穴密度越小。反之N区电子在外电场作用下扩散到P区，形成密度差。扩散电容示意图上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础N区中的少子空穴2.2PN结的形成及特性当外加正向电压不同时，扩散电流大小也就不同，所以PN结两侧堆积的载流子的浓度梯度分布也不同，相当于电容充放电。势垒电容和扩散电容均是非线性

18、电容。上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.3二极管2.3二极管2.3.1半导体二极管的结构2.3.22.3.3二极管的伏安特性二极管的参数上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.3二极管2.3.1： 符号：分类：按材料分半导体二极管的结构Þ 二极管PN 结 + 引线+ 管壳阳极a阴极k点接触型面接触型平面型硅二极管锗二极管按结构分(1)点接触型二极管特点：PN结面积小，结电容小，用于高频检波、变频和小电流整流二极管的结构示意图(1)点接触型上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.3二极管(2)面接触型二极管(3)

19、平面型二极管正极引线负极引线(2)面接触型(3)集成电路中平面型特点：在集成电路制造艺中采用，PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路特点：PN结面积大，用于低频大电流整流上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础P NP 型支持衬底iDR2.3.2二极管的伏安特性+二极管的电流与其端电压的关系称为伏安特性。vD处于第一象限的是正向伏安特性曲线，处于第三象限的是反向伏安特性曲线。-= I ( evD- 1 )/ VTi实质同PN结特性DSiD/mA201510iD/mA201510正向特性反向特性50V0.5VBR- 206405- 40uD/V0.20.4 0.6- 30 - 20 -

20、 10 0- 10uD/VV0.2 0 4 0.6 0.8- 10- 20- 30- 40iD/m ABRVth死区- 20- 30- 40 0.1V 门坎电压(死区电压)i /m AD反向击穿特性锗二极管2AP15的V-I 特性硅二极管2CP10的V-I 特性上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.3二极管2.3.2二极管的伏安特性iD/mAiD/mA201510201510正向特性反向特性50V0.5VBR- 206405- 40uD/V0.20.4 0.6- 30 - 20 - 10 0- 10uD/V0.2 0 4 0.60.8V- 10- 20BRVth死区- 20- 30-

21、 40- 30 0.1V - 40iD/m A门坎电压(死区电压)i /m AD反向击穿特性锗二极管2AP15的V-I 特性硅二极管2CP10的V-I 特性门坎电压：正向特性的起始部分，正向电压较小，外电场不足以克服PN结的内电场=>正向电流0，R很大，像门坎。硅管0.5V，锗管0.1V。正向导通压降：管子正向导通时，压降基本恒定。硅管0.7V，锗管0.2V。反向电流：少子在反向电压作用下形成，很小。T => 少子 =>反向电流二极管的反向击穿：既是PN结的反向击穿。上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.3二极管2.3.3二极管的参数(1) 最大整流电流IF二极管长

22、期连续工作， 大正向平均电流（正偏)(2) 反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM=VBR / 2（反偏)(3) 反向电流IR越小单向导电性越好通过的最硅：纳；锗：微(4) 正向压降VF 在规定的正向电流下，二极管的正向压降。硅：0.6-0.8V; 锗：0.2-0.3V(5) 最高工作频率fM超过单向导电性变差(6) 极间电容CB势垒电容CB 扩散电容CD电子技术基础精品课程模拟电子技术基础正偏时r小C 大(CD)；反偏时，r大C 小(CB)上页下页2.3二极管半导体二极管图片上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.3二极管上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.3二极管整

23、流二极管上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.4 二极管基本电路及其分析方法2.4 二极管基本电路及其分析方法2.4.1简单二极管的图解分析方法2.4.2二极管的简化模型分析方法上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.4 二极管基本电路及其分析方法2.4.1简单二极管的图解分析方法二极管是一种非线性器件，因而其电路一般要采用非线性电路的分析方法，相对来说比较复杂，而图解分析法则较简单，但前提条件是已知二极管的V特性曲线。-I上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.4 二极管基本电路及其分析方法当已知非线性器件的V-I特性曲线

24、时，图解法是简单易行的。例2.4.1 二极管电路如下图a所示，设二极管的V-I特性曲线如图b所示，已知VDD和R，求vD和iDiD解：由电路的KVL方程可得：vD- vD= VDDiaDR直流负载线可写为iD / mA1211斜率- 1/Ri= -+vVDDDDRR静态工作点QI8 直流负载方程。但是在二极管的实际应用中，图解法并不实用。D40.V60.3b1.20.90vD / VD上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.4 二极管基本电路及其分析方法2.4.2二极管的简化模型分析方法1） 二极管V- I 特性的建模（1）理想模型正偏导通vD=0；反偏截止iD=0（a）V-I特性（b

25、）代表符号（c）正向偏置时的电路模型（d）反向偏置时的电路模型上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础适用于电源大2.4 二极管基本电路及其分析方法2.4.2二极管的简化模型分析方法1） 二极管V- I 特性的建模恒压降模型vD=0.7V/0.2V上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础适用于电源较小2.4 二极管基本电路及其分析方法2.4.2二极管的简化模型分析方法1） 二极管V- I 特性的建模折线模型所谓折线模型，是指认为二极管的管压降不是恒定的，而是随着通过二极管电流的增加而增加，所以在模型中用一个电池和一个电阻来作进一步的近似。vD=0.5/0.1+iDrdVth=0.5/0

26、.1V（硅/锗）上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础适用于电源较小2.4 二极管基本电路及其分析方法小信号模型i= - 1 v1 (V+ v )DDDDsRRvs =0 时, Q点称为静态工作点，反映直流时的工作状态。vs =Vmsinwt 时（Vm<<VDD）, 将Q点附近小范围内的V-I 特性线性化，得到小信号模型，即以Q点为切点的一条直线。上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.4 二极管基本电路及其分析方法小信号模型二极管工作在正向特性的某一小范围内时，其正向特性可以等效成一个微变电阻DvDrd =根据即iD = IS (e DT- 1)v/VDiDQ点处v

27、 V =26mV，得Q点处的微变电导DTiDISevD/VTIDIS» i DdiD=g=ev/VDTQQdQVdvVVTTTD= VT1则r= VT= 26(mV )dIgrDddII (mA)DD常温下（T=300K）特别注意：§ 小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。§ 该模型用于二极管处于正向偏置条件下，且vD>>VT 。上页下页2.4 二极管基本电路及其分析方法2) 模型分析法应用举例 整流例2.4.2：半波整流（P78例3.4.2）二极管基本电路如图，已知vs为正弦波，试利用二极管理想模型，定性地绘出vo的波形。（b）vs和vo的波

28、形（a）电路图上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.4 二极管基本电路及其分析方法 静态工作情况分析例2.4.3（P78例3.4.3）当VDD=10V 时，（R=10kW）设 rD = 0.2 kW理想模型求ID和VDVD = 0 V恒压模型ID = VDD / R = 1 mA= 0.7 V（硅二极管典型值）VDID = (VDD -VD )/ R = 0.93 mA折线模型= 0.5 V（硅二极管典型值）Vth- Vth= VDD= 0.931 mAIDR + rDVD = Vth + IDrD = 0.69 V电子技术基础精品课程模拟电子技术基础上页下页2.4 二极管基本电路及

29、其分析方法 静态工作情况分析当VDD=1V 时， 理想模型= 0 V ID = VDD / R = 0.1 mAVD恒压模型= 0.7 V（硅二极管典型值）VD-VD = 1V - 0.7V= VDD= 0.03 mAID10kWR折线模型-Vth= VDD= 0.049 mAI= 0.5 V（硅二极管典型值）VDR + rthDVD = Vth + ID rD = 0.51V结论：电源电压二极管管压降恒压降模型合理；电源电压较低时折线模型合理。电子技术基础精品课程模拟电子技术基础上页下页2.4 二极管基本电路及其分析方法限幅电路例2.4.4 (P80)已知R=1KW，VREF=3V(1)分别

30、求vi=0V、4V、6V时的vo;(2)vi=6sinwtV时，画出vo波形用理想模型分析。解：画出理想模型电路，假设D断开，V+=vi(1) 当vi0V时，D截止，vo=vi=0V当vi4V，V+>V- , D导通 vo3V，V-=VREF当vi6V，V+>V-, D导通 vo3V上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础R+DuIuOVREF-(a)R+DuIuOVREF-(a)2.4 二极管基本电路及其分析方法(2) 当vi6sinwt时R+分析D的导通与截止条件，得到不同条件下vo与vi的关系和一些特殊点的值。uuIOVREFv < V= 3V时，D截止-(a)IR

31、EFvovi6sinwtD反偏截止等效电路³ VREF= 3V时，D导通(b)vIvo=VREF=3V3V上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础vi2.4 二极管基本电路及其分析方法开关电路分析原则：假设D断开，分析D的(+,)极间是正向电压还是负向电压，若是正向，则D导通，反之D截止例2.4.3 P50假设D是理想的，求vi1=0V， vi2=5V的不同组合时，vo的值Vcc 5VD1vo4.7KW4.7KWVi1Þ理想模型Vi1D1Vi2D2Vcc 5VvoVi2D2解：当vi1=0V， vi2=5V时，D1正偏导通，vo=0V，D2反偏截止；同理，可得下表上页下

32、页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.4 二极管基本电路及其分析方法逻辑“与”上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础输入电压理想二极管输出电压Ui1Ui2D1D20 V0 V正偏导通正偏导通0 V0 V5 V正偏导通反偏截止0 V5 V0 V反偏截止正偏导通0 V5 V5 V正偏导通正偏导通5 V2.4 二极管基本电路及其分析方法 低电压稳压电路多只二极管串接用于34V以下稳压利用二极管的恒压模型的正向压降特性，vD0.7V上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.4 二极管基本电路及其分析方法直流通路、交流通路、静态、动态等概念，在放大电路的分析中非常重要。（6）小信号工作情

33、况分析图示电路中，VDD = 5V，R = 5kW，恒压降模型的VD=0.7V，vs = 0.1sinwt V。（1）求输出电压vO的交流量和总量；（2）绘出vO的波形。根据叠，可将VDD和vs的作用虑，得直流通路和交流通路。静态工作点：VD=0.7V，ID=（VDD-VD）/R=0.86mA输出直流分量：Vo=IDR=4.3Vrd=VT/ID=26(mV)/0.86(mV)=0.03k输出交流分量：vo=Rvs/(R+rd)=0.0994sint(V)输出电压总量=VD+vs=4.2+0.0994sint(V)上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础考2.5特殊体二极管2.5特殊体二极管

34、2.5.1稳压二极管2.5.2变容二极管2.5.3光电子器件上页下页电子技术基础精品课程模拟电子技术基础2.5特殊体二极管2.5.1稳压二极管(二极管)1）符号及稳压特性利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。(a)符号电子技术基础精品课程模拟电子技术基础(b) 伏安特性上页下页2.5特殊体二极管2） 稳压二极管主要参数(1) 稳定电压VZ在规定的稳压管反向工作电流IZ下，所对应的反向工作电压。(2) 动态电阻rZrZ =DVZ /DIZ(3) 最大耗散功率PZM(4) 最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流IZmin稳压条件：IZmin< IZ < IZma