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文档简介

1、半导体SiC材料发展历史简介基本制备方法 -体单晶生长 -薄膜生长SiC半导体的优势SiC的发展历史1824-瑞典科学家Berzelius在人工合成金刚石的过程中观察到SiC1885-Acheson第一次生长出SiC 晶体1907-英国电子工程师Round制造出了第一支SiC 的电致发光二极管1959-荷兰Lely 发明了一种采用升华法生长高质量单晶体的新方法1978- 俄罗斯科学家Tairov 和Tsvetkov 发明了改良的Lely 法1979-SiC蓝色发光二极管1981- Matsunami 发明了Si 衬底上生长单晶SiC 的工艺技术1991-Cree Research Inc 用改

2、进的Lely法生产出6H-SiC1994-获得4H-SiC 晶片美国Cree公司，1997年实现2英寸6H-SiC单晶的市场化，2000年实现4英寸6H-SiC单晶的市场化2007 年 5 月 23 日 ，Cree 展示 100 毫米零微管碳化硅基底2007 年 10 月 15 日 ，Cree 发布商业化生产版的 100 毫米零微管碳化硅基底2010 年 8 月 30 日 ，Cree 展示高品质的 150 毫米碳化硅基片SiC的基本制备工艺体单晶生长体单晶生长Acheson法（石英砂+C）尺寸很小的多晶SiCLely 法（热升华，无籽晶）尺寸小的 较高质量单晶 210021002100莫式硬度

3、莫式硬度76.25999SiC半导体的优势(1)SiC 是一种宽带隙半导体是一种宽带隙半导体,不同的结晶状态有不同的带隙不同的结晶状态有不同的带隙,可以用作不可以用作不同颜色的发光材料同颜色的发光材料。如六角晶体SiC 的带隙约为3eV,可以用作蓝光LED 的发光材料;立方晶体SiC 的带隙为2.2eV,可以用作绿色LED 的发光材料。由于带隙不同,它们呈现出不同的体色,立方晶系透射和反射出黄色,六角晶系呈无色;(2)SiC材料不同的结晶形态决定其禁带宽度的不同材料不同的结晶形态决定其禁带宽度的不同,但均大于Si 和GaAs 的禁带宽度,大大降低了SiC 器件的泄漏电流,加上SiC 的耐高温特性,使得SiC 器件在高温电子工作方面具有独特的优势;(3)SiC 三倍于三倍于Si 的热导率的热导率使它具有优良的散热性,有助于提高器件的功率密度和集成度;SiC 具有很高的临界击穿电场具有很高的临界击穿电场,它大约是Si材料的十倍,用它作成的器件可以很大的提高耐压容量、工作频率和电流密度, 也大大降低了器件的导通损耗;(4)SiC 两倍于两倍于Si 的电子饱和漂移速度的电子饱和漂移速度使SiC 器件具有优良的微波特性,可以很大的改善通信、雷达系统的性能,而且SiC 器件的高温高功率特性使它能够满足在航空航天、国防安全等特殊环境

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