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文档简介

1、+-VHEHeFmFbIdBABZXY+-VHEHFmFeBbIdABdIBRVHHIBKVHH或HRHK 称为霍尔系数霍尔系数 称为霍尔元件的灵敏度霍尔元件的灵敏度，单位为mv / (mAT) 产生霍尔效应的原因是电流作定向运动，带电粒子即载流子产生霍尔效应的原因是电流作定向运动，带电粒子即载流子（N型半导体中的载流子是带负电荷的电子，型半导体中的载流子是带负电荷的电子，P型半导体中的型半导体中的载流子是带正电荷的空穴）在磁场中所受到的洛仑兹力作用载流子是带正电荷的空穴）在磁场中所受到的洛仑兹力作用而产生的而产生的。 jeVBBVeBVqFm式中V为电子的漂移运动速度，其方向沿X轴的负方向。

2、e为电子的电荷量。指向Y轴的负方向。 +-VHEHeFmFbIdBABZXY+-VHEHFmFeBbIdABjbVejeEEeEqFHHHHe0emFF0jbVejeVBHbVeeVBH即VBbVHnebdIV IBKdIBRIBnedVHHH1所以neRH1称为霍尔系数霍尔系数 nedKH1称为霍尔元件的灵敏度霍尔元件的灵敏度 HHVBIKIBdVRHH电导率电导率 的测量的测量按图按图1所示，设所示，设A、C之间的距离为之间的距离为L，样品的横截面积为，样品的横截面积为S=bd，流经样品的电流为流经样品的电流为IS，在零磁场下，若测得，在零磁场下，若测得A、C间的电位差为间的电位差为VAC

3、，可由下式求得。，可由下式求得。 SVLIACS电导率电导率与载流子浓度与载流子浓度n以及迁移率以及迁移率 之间有之间有如下关系如下关系ne即即 ，测出值，测出值 即可求即可求 。|R|H严格地说，在半导体中载流子的漂移运动速度并不完全相同，考虑到载流子速度的统计分布，并认为多数载流子的浓度与迁移率之积远大于少数载流子的浓度与迁移率之积，可得半导体霍尔系数的公式中还应引入一个霍尔因子，即)(pernerRHHH或xyzI12I43BHINV1234abceHI RLV HV1（4）不等电势差 不等电势差是由于霍尔元件的材料本身不均匀，以及电压输入端引线在制作时不可能绝对对称地焊接在霍尔片的两侧，如图所示。因此，当电流 流过霍尔元件时，在电极3、4间也具有电势

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