热蒸发镀膜-8-2012(1)

1、 热蒸发原理热蒸发原理 蒸发源的蒸发特性及膜厚分布蒸发源的蒸发特性及膜厚分布 蒸发源的类型蒸发源的类型 真空热蒸发镀膜是在真空室中，加热蒸发器真空热蒸发镀膜是在真空室中，加热蒸发器中待形成薄膜的源，使其原子或分子从表面气化中待形成薄膜的源，使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸气流，入射到衬底或基片表面，凝逸出，形成蒸气流，入射到衬底或基片表面，凝固形成固态薄膜的方法。固形成固态薄膜的方法。 几十年的历史。几十年的历史。 光学真空镀膜机大多数是热蒸发真空镀膜设光学真空镀膜机大多数是热蒸发真空镀膜设备，主要由三大部分组成：真空系统、热蒸发系备，主要由三大部分组成：真空系统、热蒸发系统、膜厚厚度监控

2、系统。统、膜厚厚度监控系统。 全自动精密光学镀膜机全自动精密光学镀膜机 镜片悬挂 机构APS1104真空室内情况真空蒸发原理真空蒸发原理真空蒸发原理真空蒸发原理 设备比较简单、操作容易；设备比较简单、操作容易； 薄膜纯度高、质量好，厚度可较准确控制；薄膜纯度高、质量好，厚度可较准确控制； 成膜速度快、效率高，采用掩模可以获得清晰成膜速度快、效率高，采用掩模可以获得清晰的图形；的图形； 薄膜生长机理比较单纯。薄膜生长机理比较单纯。缺点：不容易获得结晶结构的薄膜，薄膜附着力较小，工缺点：不容易获得结晶结构的薄膜，薄膜附着力较小，工艺重复性差。艺重复性差。特点：特点：真空蒸发原理真空蒸发原理蒸发度膜

3、的三个基本过程：蒸发度膜的三个基本过程： 加热蒸发过程加热蒸发过程 气相原子或分子的输运过程（源气相原子或分子的输运过程（源-基距）基距） 蒸发原子或分子在基片表面的淀积过程蒸发原子或分子在基片表面的淀积过程 饱和蒸气压的概念：饱和蒸气压的概念：在一定温度下，真空室中蒸发在一定温度下，真空室中蒸发材料的蒸汽在与固体或液体平衡过程中所表现的压力材料的蒸汽在与固体或液体平衡过程中所表现的压力称为该温度下的饱和蒸汽压。称为该温度下的饱和蒸汽压。 蒸发温度：蒸发温度：物质在饱和蒸气压为物质在饱和蒸气压为10-2 Torr时的温度，时的温度，称为该物质的蒸发温度。称为该物质的蒸发温度。真空蒸发原理真空蒸

4、发原理克拉伯龙克拉伯龙-克劳修斯（克劳修斯（Clapeylon-Clausius）方程：方程：()vglHdPdTT VV 为摩尔汽化热或蒸发热（为摩尔汽化热或蒸发热（J/mol）；）； 和和 分别为气分别为气相和固相的摩尔体积（相和固相的摩尔体积（cm3）；）； 为绝对温度（为绝对温度（K）。）。vHgVlVTgRTVPglgVVV 因为因为 ，假设低压气体符合理想气体状态方程，假设低压气体符合理想气体状态方程，则有则有glVV(ln)(1)vHdPdTR 2vvvggHPHPHdPdTTVTPVRT真空蒸发原理真空蒸发原理lnHPCRTlnBPAT真空蒸发原理真空蒸发原理饱和蒸气压与温度的

5、关系曲线对于薄膜制作技术有重要意饱和蒸气压与温度的关系曲线对于薄膜制作技术有重要意义，它可以帮助我们合理选择蒸发材料和确定蒸发条件。义，它可以帮助我们合理选择蒸发材料和确定蒸发条件。1.达到正常薄膜蒸发速率所需要的温度；2.蒸发速率随温度变化的敏感性；3.蒸发形式，即蒸发状态是熔化的还是升华的。真空蒸发原理真空蒸发原理q 蒸发速率蒸发速率根据气体分子运动论，在气体压力为P时，单位时间内碰撞单位面积器壁上的分子数量，即碰撞分子流量碰撞分子流量（通量或蒸发速率）J：142aPnmkT 冷凝系数冷凝系数2cPJmkT2222423.51 10 (/cms Torr)2.64 10 (/cms Pa)

6、mPJTMPTM 个个最大蒸发速率：最大蒸发速率：真空蒸发原理真空蒸发原理22-224-23.51 10 (/cms Torr)2.64 10 (/cms Pa)PTMPTM 个个对基片的碰撞率：对基片的碰撞率：222021821222.331 10()3.107 10()kTn dPdTPdTPd托帕蒸发分子平均自由程：蒸发分子平均自由程：真空蒸发原理真空蒸发原理 一般薄膜的淀积速率为每秒一个原子层，当残余气体压强为10-5Torr时，气体分子和蒸发物质原子几乎按1：1的比例到达基板表面。真空蒸发原理真空蒸发原理碰撞几率：碰撞几率：未受到残余气体碰撞的数目：未受到残余气体碰撞的数目：0exp

7、()llNN受到残余气体碰撞的几率：受到残余气体碰撞的几率：011 exp()xNlfN 真空蒸发原理真空蒸发原理在上述条件下，有在上述条件下，有lf1 .5 0flP 为保证镀膜质量，在要求为保证镀膜质量，在要求 时，源时，源-基距基距 时，必须时，必须 。0.1f 25lcm33 10PPa 0.667P)(cm由此可见，只有当由此可见，只有当 时，即平均自由程较源时，即平均自由程较源-基距大得多基距大得多的情况下，才能有效减少蒸发分子在输运过程中的碰撞。的情况下，才能有效减少蒸发分子在输运过程中的碰撞。l真空蒸发原理真空蒸发原理 能量损失的种类能量损失的种类 蒸发材料蒸发时所需的热量 蒸

8、发源因辐射所损失的能量 蒸发源因热传导而损失的能量1Q2Q3Q123QQQQ 蒸发材料蒸发时所需的热量蒸发材料蒸发时所需的热量01mvmTTsmLvTTWQC dTLC dTLM真空蒸发原理真空蒸发原理 不同物质在相同压强下所需的蒸发热是不同的；不同物质在相同压强下所需的蒸发热是不同的； 蒸发热量蒸发热量 值的值的80%以上是蒸发热以上是蒸发热 而消耗掉的。而消耗掉的。QvL真空蒸发原理真空蒸发原理 热辐射损失的热量估计热辐射损失的热量估计 热辐射损失与蒸发源形状、结构和材料有关。热辐射损失与蒸发源形状、结构和材料有关。42sQT 式中，式中， 斯迪芬斯迪芬-玻尔兹曼常数，玻尔兹曼常数， 为热

9、辐系数，为热辐系数， 为为蒸发温度。蒸发温度。sT 热传导损失的热量热传导损失的热量123()F TTQS蒸发源的蒸发特性及薄厚分布蒸发源的蒸发特性及薄厚分布均匀膜层厚度是薄膜技术中的关键问题。取决于如下因素：均匀膜层厚度是薄膜技术中的关键问题。取决于如下因素： 蒸发源的蒸发特性蒸发源的蒸发特性 基板与蒸发源的几何形状基板与蒸发源的几何形状 基板与蒸发源的相对位置基板与蒸发源的相对位置 蒸发物质的蒸发量蒸发物质的蒸发量 1. 蒸发原子或分子与残余气体分子之间不发生碰撞；蒸发原子或分子与残余气体分子之间不发生碰撞； 2. 蒸发源附近的原子或分子之间不发生碰撞；蒸发源附近的原子或分子之间不发生碰撞

10、； 3. 淀积到基片上的原子不发生再蒸发现象。淀积到基片上的原子不发生再蒸发现象。基本假设：基本假设：蒸发源的蒸发特性及薄厚分布蒸发源的蒸发特性及薄厚分布 点蒸发源点蒸发源224cos4mdmdmdSr2dmt dS 能够从各个方向蒸能够从各个方向蒸发等量材料的微小球状发等量材料的微小球状蒸发源称为点蒸发源蒸发源称为点蒸发源（点源）。（点源）。为计算膜层厚度t，设 为密度蒸发源的蒸发特性及薄厚分布蒸发源的蒸发特性及薄厚分布2322 3 2cos444()mmhmhtrrhx当当 在点源正上方，即在点源正上方，即 时，膜层厚度时，膜层厚度 为：为：2dS00t024mth在基板平面内薄膜厚度分布

11、：在基板平面内薄膜厚度分布：3 22011 ()ttx h蒸发源的蒸发特性及薄厚分布蒸发源的蒸发特性及薄厚分布 小平面蒸发源小平面蒸发源 这种蒸发源的发射这种蒸发源的发射特性具有方向性，使得特性具有方向性，使得在在 角方向蒸发的材料角方向蒸发的材料质量和质量和 成正比。成正比。cos22coscoscosmdmdmdSr22222coscos()mmhtrhx蒸发源的蒸发特性及薄厚分布蒸发源的蒸发特性及薄厚分布当当 在点源正上方，即在点源正上方，即 时，膜层厚度时，膜层厚度 为：为：2dS00t02mth在基板平面内薄膜厚度分布：在基板平面内薄膜厚度分布：22011 ()ttx h蒸发源的蒸发

12、特性及薄厚分布蒸发源的蒸发特性及薄厚分布02mth024mth点源：小平面源：蒸发源的蒸发特性及薄厚分布蒸发源的蒸发特性及薄厚分布 实际蒸发源的发射特性实际蒸发源的发射特性 实际蒸发源的发射特性可根据熔融后的形态，选取实际蒸发源的发射特性可根据熔融后的形态，选取不同的膜厚蒸发公式进行理论分析和近似计算。不同的膜厚蒸发公式进行理论分析和近似计算。 蒸发源与基板的相对位置配置蒸发源与基板的相对位置配置 点源与基板相对位置点源与基板相对位置为获得均匀的膜厚，点源必须为获得均匀的膜厚，点源必须配置在基板围成的球面中心。配置在基板围成的球面中心。蒸发源的蒸发特性及薄厚分布蒸发源的蒸发特性及薄厚分布 小平

13、面源与基板相对位置小平面源与基板相对位置 当小平面源为球形工作架当小平面源为球形工作架的一部分时，在内球体表面上的一部分时，在内球体表面上的膜厚分布是均匀的。的膜厚分布是均匀的。当 时，2cosrR22coscos4mmtrR 厚度与厚度与 角无关，对于一定半角无关，对于一定半径径 的球形工作架，其内表面膜厚的球形工作架，其内表面膜厚取决于材料性质、取决于材料性质、 的大小及蒸发的大小及蒸发量。量。RR蒸发源的蒸发特性及薄厚分布蒸发源的蒸发特性及薄厚分布Evaporation Scheme to achieve Uniform Deposition蒸发源的蒸发特性及薄厚分布蒸发源的蒸发特性及薄

14、厚分布 小面积基板时蒸发源的位置配置小面积基板时蒸发源的位置配置 如果被蒸镀的面积比较如果被蒸镀的面积比较小，可以将蒸发源直接配置小，可以将蒸发源直接配置于基板的中心线上，源于基板的中心线上，源-基距基距H取取11.5D。蒸发源的蒸发特性及薄厚分布蒸发源的蒸发特性及薄厚分布 大面积基板和蒸发源的配置大面积基板和蒸发源的配置v 基板公转加自转基板公转加自转v 多点源或小平面蒸发源多点源或小平面蒸发源蒸发源的类型蒸发源的类型 蒸发源是蒸发装置的关键部件。最常用的有：电阻法、蒸发源是蒸发装置的关键部件。最常用的有：电阻法、电子束法、高频法等。电子束法、高频法等。 电阻蒸发源电阻蒸发源直接加热法（直接

15、加热法（W、Mo、Ta）间接加热法（间接加热法（Al2O3、BeO等坩埚）等坩埚） 对蒸发源材料的要求：对蒸发源材料的要求：1. 高熔点高熔点2. 饱和蒸气压低饱和蒸气压低3. 化学性能稳定，高温下不与蒸发材料反应化学性能稳定，高温下不与蒸发材料反应4. 良好的耐热性良好的耐热性5. 原料丰富、经济耐用原料丰富、经济耐用蒸发源的类型蒸发源的类型 常用电阻加热蒸发源形状常用电阻加热蒸发源形状蒸发源的类型蒸发源的类型各种蒸发皿结构各种蒸发皿结构蒸发源的类型蒸发源的类型 蒸镀材料对蒸发源材料的蒸镀材料对蒸发源材料的“湿润性湿润性” 选择蒸发源材料时，必须考虑蒸镀材料与蒸发材料选择蒸发源材料时，必须考

16、虑蒸镀材料与蒸发材料的的“湿润性湿润性”问题。问题。蒸发源的类型蒸发源的类型 湿润良好：蒸发面积大、稳定，可以认为是面蒸发源蒸发。湿润良好：蒸发面积大、稳定，可以认为是面蒸发源蒸发。 湿润小：可以认为是点源蒸发，稳定性差。湿润小：可以认为是点源蒸发，稳定性差。 电子束蒸发源电子束蒸发源 电阻加热蒸发源已不能满足蒸镀某些高熔点金属和氧电阻加热蒸发源已不能满足蒸镀某些高熔点金属和氧化物材料的需要，特别是制备高纯薄膜。电子束加热蒸发化物材料的需要，特别是制备高纯薄膜。电子束加热蒸发法克服了电阻加热蒸发的许多缺点，得到广泛应用。法克服了电阻加热蒸发的许多缺点，得到广泛应用。蒸发源的类型蒸发源的类型 电

17、子束加热原理电子束加热原理 可聚焦的电子束，能局部加温元素源，因不加热其它部可聚焦的电子束，能局部加温元素源，因不加热其它部分而避免污染分而避免污染 高能量电子束能使高熔点元素达到足够高温以产生适量高能量电子束能使高熔点元素达到足够高温以产生适量的蒸气压的蒸气压212me U 电子的动能和电功率：电子的动能和电功率：289.1 10mg191.6 10eC55.93 10 (m/s)U0.24QWtWneUIU电子束功率：产生的热量：蒸发源的类型蒸发源的类型电子束蒸发源的优点电子束蒸发源的优点： 电子束的束流密度高，能获得远比电阻加热源更大的能电子束的束流密度高，能获得远比电阻加热源更大的能量

18、密度。量密度。电子束蒸发源的缺点电子束蒸发源的缺点： 可使蒸发气体和残余气体电离，有时会影响膜层质量；可使蒸发气体和残余气体电离，有时会影响膜层质量；被蒸发材料置于水冷坩埚内，避免了容器材料的蒸发，被蒸发材料置于水冷坩埚内，避免了容器材料的蒸发，以及容器材料与蒸发材料的反应，提高了薄膜的纯度。以及容器材料与蒸发材料的反应，提高了薄膜的纯度。 热量直接加到蒸镀材料表面，热效率高，热传导和热辐热量直接加到蒸镀材料表面，热效率高，热传导和热辐射损失小。射损失小。 电子束蒸镀装置结构复杂，价格昂贵；电子束蒸镀装置结构复杂，价格昂贵； 产生的软产生的软X射线对人体有一定的伤害。射线对人体有一定的伤害。蒸

19、发源的类型蒸发源的类型 电子束蒸发源的结构电子束蒸发源的结构 环型枪环型枪 直型枪直型枪 e 型枪型枪蒸发源的类型蒸发源的类型蒸发源的类型蒸发源的类型蒸发源的类型蒸发源的类型1-发射体，2-阳极，3-电磁线圈，4-水冷坩埚，5-收集极，6-吸收极，7-电子轨迹，8-正离子轨迹，9-散射电子轨迹，10-等离子体吸 收 反 射吸 收 反 射电 子 、 背电 子 、 背散射电子、散射电子、二次电子二次电子吸 收 电 子吸 收 电 子束 与 蒸 发束 与 蒸 发的 中 性 离的 中 性 离子 碰 撞 产子 碰 撞 产生 的 正 离生 的 正 离子子蒸发源的类型蒸发源的类型 高频感应蒸发源高频感应蒸发源

20、 蒸发速率大，比电阻蒸发源蒸发速率大，比电阻蒸发源大大10倍左右；倍左右； 蒸发源温度均匀稳定，不易蒸发源温度均匀稳定，不易产生飞溅；产生飞溅； 蒸发材料是金属时，从内部蒸发材料是金属时，从内部加热；加热； 蒸发源一次加料，无需送料蒸发源一次加料，无需送料机构，控温容易，热惰性小，机构，控温容易，热惰性小，操作简单。操作简单。高频感应蒸发源的特点高频感应蒸发源的特点：热蒸发镀膜技术的优缺点：热蒸发镀膜技术的优缺点：优点：设备简单，大多数材料都可以作为膜层材优点：设备简单，大多数材料都可以作为膜层材料蒸发。料蒸发。缺点：膜层不能重复再现块状材料的性能。缺点：膜层不能重复再现块状材料的性能。改进措

21、施：改中性粒子沉积为带电离子在电场辅助作改进措施：改中性粒子沉积为带电离子在电场辅助作用下的电沉积。用下的电沉积。改进蒸发工艺、改善膜层的微观结构基本的思路：附加一定的能量到被镀的表面上去，利用这些能量移开弱束缚的粒子，使达到基板的材料粒子有高的迁移率。由于附加了能量，膜料粒子可以穿透比较远的距离，去找到一个有比较强束缚的位置。从而使膜层的结构得到改善。具体实施办法：在膜层沉积的同时，利用电子、光子、离子将能量附加到基底上去，这不仅有利于清洁被镀表面，也增加了膜层的致密度。 近十几年的趋势是利用荷能的离子完成基片清洁和改善膜层结构的任务高能工艺：光学薄膜的微观结构与大块材料不同，是“柱状+空穴”形式的，从而引起光学薄膜的种种缺陷及不稳定。并证明光学薄膜的结构特征是由于蒸汽分子的能量不够，使得蒸汽分子在基片表面的迁移力不够所引起的。制备性能优良的光学薄膜必须消除薄膜的柱状结构，这就涉及到高能工艺，高能工艺涉及远比热蒸发大得多的能量，这里大致可以分为两种情况，一种是离子辅助沉积，另一种是沉积粒子本身具有较大的能量，比如溅射沉积等等。离子辅