微机接口原理第5章

1、第五章第五章1第五章第五章 存储器存储器教学目的教学目的：了解半导体存储器的分类了解半导体存储器的分类掌握地址译码的方法掌握地址译码的方法掌握存储器的应用掌握存储器的应用掌握存储器的容量扩充掌握存储器的容量扩充了解存储器扩展技术了解存储器扩展技术25.1 5.1 存储器概述存储器概述 微型计算机系统中的存储器包括内存储器和外存储器两大微型计算机系统中的存储器包括内存储器和外存储器两大类。任何程序和数据必须进驻内存储器后才能执行，因此，内类。任何程序和数据必须进驻内存储器后才能执行，因此，内存储器也称为主存储器。它比外存储器存取速度快，存储容量存储器也称为主存储器。它比外存储器存取速度快，存储容

2、量小；外存储器也称辅助存储器，属于计算机的外部设备，常用小；外存储器也称辅助存储器，属于计算机的外部设备，常用的有磁盘、光盘和的有磁盘、光盘和U U盘等，存储容量大，存取速度慢。盘等，存储容量大，存取速度慢。 31.1.半导体存储器的分类半导体存储器的分类 内存储器主要由半导体材料构成，也称半导体存储器。内存储器主要由半导体材料构成，也称半导体存储器。按制造工艺，半导体存储器可以分为按制造工艺，半导体存储器可以分为双极型半导体存储器双极型半导体存储器和和金属氧化物型半导体存储器金属氧化物型半导体存储器两类。两类。 半导体存储器按照工作方式，可分为半导体存储器按照工作方式，可分为随机读写存储器随

3、机读写存储器RAM和只读存储器和只读存储器ROM两大类。两大类。 4 制造工艺制造工艺: MOS RAM（1 1）、随机存取存储器（）、随机存取存储器（RAMRAM）5（2 2）、）、只读存储器（只读存储器（ROMROM）只读存储器62.2.存储器的性能指标存储器的性能指标（1 1）存储容量存储容量 存储容量是指存储器所能容纳二进制信息的总量。存储容量是指存储器所能容纳二进制信息的总量。 能存储能存储1 1位二进制信息的物理器件称为位二进制信息的物理器件称为存储元存储元，多个存储元构成，多个存储元构成存储单元存储单元，存储芯片就是由若干个存储单元构成。，存储芯片就是由若干个存储单元构成。 存储

4、容量表示为存储容量表示为“存储单元个数存储单元个数每个存储单元位数每个存储单元位数” 如：如：SRAMSRAM芯片芯片62646264，它的容量为，它的容量为8K8K8 8，每个存储单元存储，每个存储单元存储8 8位位二进制信息、它有二进制信息、它有8K8K个存储单元；个存储单元； 再如：再如：DRAMDRAM芯片芯片NMC41257NMC41257的容量为的容量为256K256K1 1，即它有，即它有256K256K个单元，个单元，每个单元存储每个单元存储1 1位二进制数据位二进制数据; ;7（2 2）存取速度存取速度 存取速度通常用存取时间来衡量。存取时间又称为访问时间或存取速度通常用存取

5、时间来衡量。存取时间又称为访问时间或读读/ /写时间，它是指从启动一次存储器操作（读或写）到完成该操作写时间，它是指从启动一次存储器操作（读或写）到完成该操作所需要的时间。所需要的时间。SRAMSRAM：60nS60nS，DRAMDRAM：120-250nS120-250nS。 连续两次独立的存储器读连续两次独立的存储器读/ /写操作所需的最小时间间隔称为存储写操作所需的最小时间间隔称为存储周期。周期。 （3 3）可靠性可靠性 可靠性是指在规定的时间内，存储器无故障读可靠性是指在规定的时间内，存储器无故障读/ /写的概率。通常写的概率。通常用平均无故障时间用平均无故障时间MTBFMTBF（me

6、an time between failuresmean time between failures）来衡量可）来衡量可靠性。靠性。MTBFMTBF可以理解为两次故障之间的平均时间间隔，越长说明存储可以理解为两次故障之间的平均时间间隔，越长说明存储器的性能越好。器的性能越好。 目前平均目前平均MTBFMTBF：5 510106 6-1-110108 8小时。小时。8（4 4）功耗功耗 功耗反映存储器件耗电的多少，同时也反映了其发热的程度。功耗反映存储器件耗电的多少，同时也反映了其发热的程度。功耗越小，存储器件的工作稳定性越好。大多数半导体存储器的维功耗越小，存储器件的工作稳定性越好。大多数半导

7、体存储器的维持功耗小于工作功耗。持功耗小于工作功耗。95.2 5.2 随机存取存储器（随机存取存储器（RAMRAM） MOS型随机存取存储器型随机存取存储器RAM按工作原理分为静态按工作原理分为静态RAM（SRAM）和动态）和动态RAM（DRAM）。）。 静态静态RAM以触发器为基本存储电路，保存的数据不需要刷新。以触发器为基本存储电路，保存的数据不需要刷新。与动态与动态RAM比较，它的存取速度快，集成度低，功耗大。比较，它的存取速度快，集成度低，功耗大。 动态动态RAM以电容作为基本存储电路，每隔一段时间需要刷新一以电容作为基本存储电路，每隔一段时间需要刷新一次。它的集成度高，成本低。次。它

8、的集成度高，成本低。 105.2.1 MOS5.2.1 MOS型静态随机存取存储器（型静态随机存取存储器（SRAMSRAM） 1.基本存储元电路基本存储元电路 MOS型静态型静态RAM基于基于双稳态触发器双稳态触发器的工作原理保存的工作原理保存信息。它的一个基本存储元的电路结构如图信息。它的一个基本存储元的电路结构如图5-1所示。所示。 11图图5-1 静态静态RAM的基本存储元电路的基本存储元电路122. MOS2. MOS型静态型静态RAMRAM芯片的组成结构芯片的组成结构 MOS型静态型静态RAM芯片由存储体和外围电路（地址译码器、芯片由存储体和外围电路（地址译码器、I/O缓冲器和读写控

9、制电路等）组成。存储体由许多个存储元组缓冲器和读写控制电路等）组成。存储体由许多个存储元组成，这些存储元通常以矩阵的形式排列。成，这些存储元通常以矩阵的形式排列。 如下图如下图5-2所示，存储体是由所示，存储体是由6464个六管静态存储元电个六管静态存储元电路组成的存储矩阵，采用行列地址单独译码的双译码方式，路组成的存储矩阵，采用行列地址单独译码的双译码方式，X地地址译码器输出址译码器输出X0X63共共64条行选线，每一行选线选择一行，条行选线，每一行选线选择一行，一行有一行有64个存储元电路；个存储元电路；Y地址译码器输出地址译码器输出Y0Y63共共64条列条列选线，每一列选线选择一列，一列

10、有选线，每一列选线选择一列，一列有64个存储元电路。同一列个存储元电路。同一列的的64个存储元电路共用一条位线，由列选线控制与个存储元电路共用一条位线，由列选线控制与I/O端的连通。端的连通。只有行、列均被选中的存储元电路，才能进行读或写的操作。只有行、列均被选中的存储元电路，才能进行读或写的操作。13图图5-2 静态静态RAM的结构的结构143.3.静态静态RAMRAM芯片举例芯片举例 常用的常用的SRAM芯片有芯片有6116（2K8）、）、6232（4K8）、）、6264（8K8）、）、62128（16KX8）和）和62256（32K8）等。）等。 下面以典型的下面以典型的SRAM芯片芯片

11、6264为例，说明它的外部特性及为例，说明它的外部特性及工作过程。工作过程。15（1 1）外部引脚）外部引脚地址线：地址线：A0A12数据线：数据线：D0D7输出允许信号：输出允许信号：OE写允许信号：写允许信号：WE选片信号：选片信号：CS1，CS2WECS1CS2OED0D700 1X写入1010读出读出X00X三态（高阻）X11XX10X1617（2）6264的工作过程的工作过程图5-5 SRAM 6264读操作时序图18 存储器芯片的应用就是将芯片正确地接入计算机系统。根存储器芯片的应用就是将芯片正确地接入计算机系统。根据据CPU要求的地址范围，将芯片上的各种信号与计算机系统的地要求的

12、地址范围，将芯片上的各种信号与计算机系统的地址线、数据线和控制线，连接在一起，存储器芯片就接入了计算址线、数据线和控制线，连接在一起，存储器芯片就接入了计算机系统。机系统。l 地址线的连接：地址线的连接：和系统和系统CPUCPU的低位相连。的低位相连。 l 数据线的连接：数据线的连接：和系统数据线相连和系统数据线相连。 l 控制信号线的连接控制信号线的连接 ：读读/ /写，片选写，片选。5.2.2 5.2.2 静态静态RAMRAM芯片应用芯片应用 6264D0D7A0A12WEOECS1CS2A0A12MEMWMEMR译码译码电路电路高位地高位地址信号址信号D0D719RAMRAM芯片应用芯片

13、应用将系统中剩余的地址信号通过一组电路转换为一个输出信号，将系统中剩余的地址信号通过一组电路转换为一个输出信号，与芯片的片选信号连接在一起，称为与芯片的片选信号连接在一起，称为地址译码地址译码。 地址译码是存储器芯片应用的核心和关键。地址译码是存储器芯片应用的核心和关键。 地址译码的方法有：地址译码的方法有：全地址译码全地址译码和和部分地址译码部分地址译码。20地址译码地址译码1.1.全地址译码全地址译码 全地址译码就是把系统中全部地址线与芯片连接，其中高位地全地址译码就是把系统中全部地址线与芯片连接，其中高位地址线经过译码电路译码后作为芯片的片选信号；低位地址线与系统址线经过译码电路译码后作

14、为芯片的片选信号；低位地址线与系统中的相应地址线一对一连接。中的相应地址线一对一连接。 【例例5-1】 6264芯片的地址范围为芯片的地址范围为F8000HF9FFFH，要求以全，要求以全地址译码方式将地址译码方式将6264芯片接入计算机系统。芯片接入计算机系统。 将芯片的地址范围以二进制形式表示，如下图将芯片的地址范围以二进制形式表示，如下图5-65-6所示所示。 图图5-6 地址译码设计地址译码设计21译码电路的设计有两种方法：一种是利用基本的逻辑门电路搭建译译码电路的设计有两种方法：一种是利用基本的逻辑门电路搭建译码器，另一种是利用专用的译码器芯片译码。码器，另一种是利用专用的译码器芯片

15、译码。 见见 图图5-7 6264 全地址译码方案全地址译码方案1图图5-7 6264全地址译码方案全地址译码方案122与非门：输出端为低电平（与非门：输出端为低电平（0）时，输入端均为）时，输入端均为高电平（高电平（1） 见见 图图5-8 6264 全地址译码方案全地址译码方案2图图5-7 6264全地址译码方案全地址译码方案223或门：输出端为低电平（或门：输出端为低电平（0）时，输入端均为低电平（）时，输入端均为低电平（0） 利用基本的逻辑门电路搭建利用基本的逻辑门电路搭建译码器的缺点是有多少片存储芯译码器的缺点是有多少片存储芯片就要设计多少套译码电路器，片就要设计多少套译码电路器，从整

16、体上看，设计复杂，不易修从整体上看，设计复杂，不易修改。而利用专用的译码器芯片译改。而利用专用的译码器芯片译码，方法简单，使用方便。码，方法简单，使用方便。图图5-9是利用译码器芯片是利用译码器芯片74LS138实现实现【例例5-1】的电路的电路原理图。原理图。图图5-9 6264全地址全地址138译码方案译码方案3242.2.部分地址译码部分地址译码部分地址译码就是只使用系统部分地址译码就是只使用系统地址总线中的一部分与芯片中的地址总线中的一部分与芯片中的地址线相连。地址线相连。图图5-10中，地址译码电路只使中，地址译码电路只使用了用了A13A17共共5根线，根线，A18和和A19未用。未

17、用。 图图5-10 6264部分地址译码部分地址译码25除此以外，还有一种地址译码方式：线性译码。如图除此以外，还有一种地址译码方式：线性译码。如图5-125-12所示。所示。 只使用一根地只使用一根地址线址线A19作为片选作为片选信号，为低电平时信号，为低电平时选中一片，高电平选中一片，高电平选中另一片。选中另一片。CPU整个的地址空间分整个的地址空间分为两部分，两个芯为两部分，两个芯片各占一部分。片各占一部分。图图5-12 6264线性地址译码线性地址译码26【例例5-2】 用用SRAM6116芯片设计一个芯片设计一个4KB的存储器，地址范围为的存储器，地址范围为32000H32FFFH，

18、要求使用全地址译码方式。，要求使用全地址译码方式。图5-13 6116引线图SRAM6116是是2KX8的存储器芯片，的存储器芯片，具有具有11根地址线根地址线A0A10，8根数据线根数据线D0D7，写控制信号，写控制信号WE，输出允，输出允许信号许信号OE，片选信号，片选信号CS。外部引。外部引线如图线如图5-13所示。所示。270 0 1 1 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 327FFH地址总线A19A18A17A16A15A14A13A12 A11A10 .A8 A7 .A4 A3 . A00 0 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1

19、 1 1 132000H32800H32FFFH0 0 1 1 0 0 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 00 0 1 1 0 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 16116译码分析如下：译码分析如下：6116存储器设计系统连接图如下：存储器设计系统连接图如下：285.2.3 MOS5.2.3 MOS型动态随机存取存储器（型动态随机存取存储器（DRAMDRAM）1.单管基本存储元电路单管基本存储元电路单管动态存储元电路如图单管动态存储元电路如图5-16所示，它由一个所示，它由一个MOS管管T1和一个电容和一个电容C构成。构成。 T T1 1字选线字选线（地

20、址选择线地址选择线）存储电容存储电容C C位线位线D D( (数据线数据线) )分布电容分布电容C CD D图5-16 单管动态存储元的电路292.DRAM芯片芯片21642164含有含有64K个存储单元，每个单元存储个存储单元，每个单元存储1位信息。位信息。 A0A7：地址输入线，分时复用。：地址输入线，分时复用。 DIN：数据输入：数据输入 DOUT：数据输出：数据输出 RAS：行地址锁存信号，将行地址锁存在芯：行地址锁存信号，将行地址锁存在芯片内部的行地址锁存器中。片内部的行地址锁存器中。 CAS：列地址锁存信号，将列地址锁存在芯：列地址锁存信号，将列地址锁存在芯片内部的列地址锁存器中。

21、片内部的列地址锁存器中。 WE：写允许信号。当它为低电平时，允许：写允许信号。当它为低电平时，允许将数据写入。当它为高电平时，允许读出数将数据写入。当它为高电平时，允许读出数据。据。 图5-17 2164A外部引脚图305.2.4 5.2.4 存储器扩展存储器扩展存储器扩展包括位扩展、字扩展和字位扩展三种方式。存储器扩展包括位扩展、字扩展和字位扩展三种方式。 1. 1. 位扩展位扩展 如果系统构成存储字长不足，需要进行位扩展。如果系统构成存储字长不足，需要进行位扩展。 位扩展之前，首先将两片或多片存储芯片组合位扩展之前，首先将两片或多片存储芯片组合。 组合的方法是将每个存储芯片的地址线和控制线

22、（包括片选信号组合的方法是将每个存储芯片的地址线和控制线（包括片选信号线、读线、读/写信号线等）全部一对一地接在一起，将它们的数据线分别写信号线等）全部一对一地接在一起，将它们的数据线分别引出作为字节的不同位。引出作为字节的不同位。 将这个组合当做一片字长满足需要的芯片，运用将这个组合当做一片字长满足需要的芯片，运用5.2.2节讲到的节讲到的存储器芯片存储器芯片(假设某假设某SRAM的存储容量为：的存储容量为：4KX4)接入计算机系统的方接入计算机系统的方法，将其接入系统。如下图法，将其接入系统。如下图5-20所示。所示。 31A11A0D3D04K 4SRAMA11A0D3D04K 4SRA

23、MA11A0A11A0D3D0D7D4地址总线AB数据总线DBR/WCS读/写信号选片信号4KB存储模块图5-20 用4K4位的SRAM芯片进行位扩展32地址总线地址总线ABA7A0A15A8A7A0A15A8A7A0A15A8A7A064KbD7WERASCASA7A064KbD6WERASCASA7A064KbD0WERASCASWERASCASD5D1数据总线数据总线DB64KBMEMW行选行选列选列选用8个2164构成容量为64KB的存储器34 位扩展连接方法归纳如下：( (1 1) )芯片的地址线全部并联且与地址总线相应连接芯片的地址线全部并联且与地址总线相应连接( (2 2) )片

24、选信号线并联，连接到地址译码器的输出端片选信号线并联，连接到地址译码器的输出端( (3 3) )读写控制信号并联，连接到控制总线的存储器读写控制信号并联，连接到控制总线的存储器 读读/ /写控制线上写控制线上; ;( (4 4) )不同芯片的数据线连接到数据总线不同位上。不同芯片的数据线连接到数据总线不同位上。2.2.字扩展字扩展 字扩展是对存储空间的扩展，就是要增加存储单元的个数。字扩展是对存储空间的扩展，就是要增加存储单元的个数。 字扩展的方法是：将每个芯片的地址信号、数据信号和读字扩展的方法是：将每个芯片的地址信号、数据信号和读/ /写写控制信号等一对一地与系统总线中的相应信号线相连，将

25、各芯片的控制信号等一对一地与系统总线中的相应信号线相连，将各芯片的片选信号与地址译码器的输出信号相连，如图片选信号与地址译码器的输出信号相连，如图5-215-21所示。所示。A10A0D7D02K 8SRAMA10A0D7D02K 8SRAMA10A0A10A0D7D0D7D0地址总线AB数据总线DBR/WCS读/写信号4KB存储模块译码电路Y0Y1R/WCS图图5-21字扩展连接示意图字扩展连接示意图 353.3.字位扩展字位扩展 在构成存储器时，常常是既要进行位扩展又要进行字扩展才能满在构成存储器时，常常是既要进行位扩展又要进行字扩展才能满足存储容量的要求。扩展需要的芯片数量可以利用公式计

26、算。足存储容量的要求。扩展需要的芯片数量可以利用公式计算。 假如要构成一个容量为假如要构成一个容量为MN位的存储器，若使用位的存储器，若使用Bb位的芯片位的芯片（BM，bN），则构成这个存储器需要：（），则构成这个存储器需要：（M / B）（N / b）个存储器芯片。个存储器芯片。例如：用例如：用Intel 2164构成容量为构成容量为128KB的内存，需要（的内存，需要（128/64）（8/1）=16片片。 365.3 只读存储器（ROM） 只读存储器只读存储器ROMROM一般用于存放固定的程序，如一般用于存放固定的程序，如BIOSBIOS。常。常用的只读存储器类型有：掩膜式用的只读存储器类

27、型有：掩膜式ROMROM、可编程、可编程ROMROM（PROMPROM）、）、可擦除可编程可擦除可编程ROMROM（EPROMEPROM）、电可擦除可编程）、电可擦除可编程ROM ROM （E E2 2PROMPROM）和闪存（和闪存（Flash MemoryFlash Memory）。）。371.掩膜式掩膜式ROM 掩膜掩膜ROM存储的信息是由生产厂家采用掩膜工艺（即光刻存储的信息是由生产厂家采用掩膜工艺（即光刻图形技术）直接写入的。掩膜图形技术）直接写入的。掩膜ROM一旦制成其内容不能改写，一旦制成其内容不能改写，它适合存储永久保存的程序和数据。它适合存储永久保存的程序和数据。 根据制造技

28、术，掩膜型根据制造技术，掩膜型ROM又可分为又可分为MOS型和双极性两种。型和双极性两种。MOS型功耗小，但速度比较慢，微型机系统中用的型功耗小，但速度比较慢，微型机系统中用的ROM主要是主要是这种类型。双极性速度比这种类型。双极性速度比MOS型快，但功耗大，用在速度较高的型快，但功耗大，用在速度较高的系统中。系统中。382.可编程可编程ROM（PROM） 可编程可编程ROM是用户可以是用户可以将程序和数据写入将程序和数据写入ROM的只读的只读存储器芯片，又称为存储器芯片，又称为PROM。可编程只读存储器出厂时各单可编程只读存储器出厂时各单元内容全为元内容全为0，用户可用专门，用户可用专门的的

29、PROM写入器将信息写入。写入器将信息写入。 根据芯片的构造，可编程根据芯片的构造，可编程PROM可分为两类：结破坏型可分为两类：结破坏型和熔丝型。图和熔丝型。图5-22是熔丝型是熔丝型PROM的一个存储元示意图。的一个存储元示意图。字线字线位线位线DiDiVCC图图5-22 熔丝型熔丝型EPROM存储电路示意图存储电路示意图 393.3.可擦除可编程可擦除可编程ROM ROM （EPROMEPROM） EPROMEPROM（erasable programmable ROMerasable programmable ROM）是一种紫外线可擦除）是一种紫外线可擦除可编程只读存储器，可以多次擦除

30、和写入信息。可编程只读存储器，可以多次擦除和写入信息。 其封装方法与一般集成电路不同，有一个能通过紫外线的石其封装方法与一般集成电路不同，有一个能通过紫外线的石英窗口，用紫外灯照射约英窗口，用紫外灯照射约2030分钟，原信息就可以全部擦除。分钟，原信息就可以全部擦除。擦擦除后各单元内容均为除后各单元内容均为FFHFFH，恢复到出厂状态。，恢复到出厂状态。 EPROMEPROM的擦除是对整个芯片进行的，不能只擦除个别单元。擦的擦除是对整个芯片进行的，不能只擦除个别单元。擦除用时较长，而且擦除和写入都需要专用设备，使用不方便。因除用时较长，而且擦除和写入都需要专用设备，使用不方便。因此，能够在线擦

31、写的此，能够在线擦写的E E2 2PROMPROM芯片近年来得到广泛应用。芯片近年来得到广泛应用。 一般情况下，一般情况下，EPROMEPROM中的信息能够保存达几十年之久。下面介中的信息能够保存达几十年之久。下面介绍一种典型的绍一种典型的EPROMEPROM芯片芯片27642764。40下面介绍下面介绍2764各引脚的含义。各引脚的含义。lA0A A1212：1313根地址输入线。用于寻根地址输入线。用于寻址片内址片内8 8K K个存储个存储 单元。单元。lD0D D7 7：8 8根双向数据线。正常工作根双向数据线。正常工作时输出数据，编程时输入数据时输出数据，编程时输入数据。lCE：选片信

32、号。低电平有效选片信号。低电平有效，0表示选中此芯片表示选中此芯片。lOE：输出允许信号。低电平有效输出允许信号。低电平有效， CE0且且OE0时，时，芯片中的数据芯片中的数据可由可由D0D7端输出。端输出。lPGM：编程脉冲输入端。对编程脉冲输入端。对EPROMEPROM编程时，在该端加上编程负脉冲。编程时，在该端加上编程负脉冲。读操作时读操作时1 1。lV VPPPP：编程电压输入端。编程时应在编程电压输入端。编程时应在该端加上编程高电压，不同的芯片该端加上编程高电压，不同的芯片对对 V VP PP P的 值 要 求 不 同 ， 常 见 是的 值 要 求 不 同 ， 常 见 是 +12.5

33、+12.5V V。 41EPROM:2764（2）2764的工作过程的工作过程 2764有三种工作方式：读出、编程写入和擦除。有三种工作方式：读出、编程写入和擦除。擦除后各单元内容均为擦除后各单元内容均为FFHFFH。4.电可擦除可编程电可擦除可编程ROM （E2PROM） EEPROM也称也称E2PROM（electrically erasable programmable ROM），是），是“电可擦除可编程只读存储器电可擦除可编程只读存储器”的的英文缩写。它是一种在线可擦除可编程只读存储器。它能像英文缩写。它是一种在线可擦除可编程只读存储器。它能像RAM那样随机地读写，又能像那样随机地读写

34、，又能像ROM那样掉电后信息不丢失。它的改写那样掉电后信息不丢失。它的改写不需要专用编程设备，不需要编程高压，不需要专用编程设备，不需要编程高压，5V电压即可进行在线电压即可进行在线擦除和改写，使用很方便。擦除和改写，使用很方便。NMC98C64A是一个典型的是一个典型的EEPROM芯片。芯片。425. Flash 闪速存储器（闪速存储器（flash memory），简称），简称FlashFlash或闪存。它与或闪存。它与E E2 2PROMPROM类似，也是一种电擦写型类似，也是一种电擦写型ROMROM。与。与E E2 2PROMPROM 的主要区别是：的主要区别是： E E2 2PROMP

35、ROM 按按字节字节擦写，速度慢；闪存按擦写，速度慢；闪存按块块擦写，速度快，一般在擦写，速度快，一般在6565170ns170ns之间。之间。 FlashFlash芯片从结构上分为串行传输和并行传输两大类，串行芯片从结构上分为串行传输和并行传输两大类，串行FlashFlash能节约空间和成本，但存储容量小，速度慢；并行能节约空间和成本，但存储容量小，速度慢；并行FlashFlash存存储容量大，速度快。储容量大，速度快。 目前，目前，FlashFlash被广泛应用在微机系统、嵌入式系统和智能仪器被广泛应用在微机系统、嵌入式系统和智能仪器仪表等领域。仪表等领域。 435.4 5.4 高速缓冲存储器高速缓冲存