功能金属材料功能薄膜材料

1、会计学1功能金属材料功能薄膜材料功能金属材料功能薄膜材料第1页/共30页第一节第一节 薄膜材料制备薄膜材料制备方法简介方法简介功能薄膜材料1 1、物理气相沉积、物理气相沉积（PVDPVD） 采用物理方法使物质的原子或分子逸采用物理方法使物质的原子或分子逸出，然后沉积在基片上形成薄膜的工艺出，然后沉积在基片上形成薄膜的工艺 根据使物质的逸出方法不同，可分为根据使物质的逸出方法不同，可分为蒸镀、溅射蒸镀、溅射和和离子镀离子镀（1 1）真空蒸）真空蒸镀镀 把待镀的基片置于真空室内，通过加把待镀的基片置于真空室内，通过加热使蒸发材料气化（或升华）而沉积到热使蒸发材料气化（或升华）而沉积到某一温度基片的

2、表面上，从而形成一层某一温度基片的表面上，从而形成一层薄膜，这一工艺称为真空蒸镀法薄膜，这一工艺称为真空蒸镀法蒸发源可分为：电阻加热、电子束加热蒸发源可分为：电阻加热、电子束加热和激光加热等和激光加热等第1页/共30页第2页/共30页第2页/共30页第3页/共30页功能薄膜材料（2 2）溅射（）溅射（SputteringSputtering） 当具有一定能量的粒子轰击固体当具有一定能量的粒子轰击固体表面时，固体表面的原子就会得到表面时，固体表面的原子就会得到粒子的一部分能量，当获得能量足粒子的一部分能量，当获得能量足以克服周围原子得束缚时，就会从以克服周围原子得束缚时，就会从表面逸出，这种现象

3、成为表面逸出，这种现象成为“溅射溅射” 它可分为它可分为离子束溅射离子束溅射和和磁控溅射磁控溅射第一节第一节 薄膜材料制备薄膜材料制备方法简介方法简介第3页/共30页第4页/共30页离子束溅射离子束溅射功能薄膜材料它由离子源、离子它由离子源、离子引出极和沉积室引出极和沉积室3大部分组成，在高大部分组成，在高真空或超高真空中真空或超高真空中溅射镀膜法。利用溅射镀膜法。利用直流或高频电场使直流或高频电场使惰性气体（通常为惰性气体（通常为氩）发生电离，产氩）发生电离，产生辉光放电等离子生辉光放电等离子体，电离产生的正体，电离产生的正离子和电子高速轰离子和电子高速轰击靶材，使靶材上击靶材，使靶材上的原

4、子或分子溅射的原子或分子溅射出来，然后沉积到出来，然后沉积到基板上形成薄膜。基板上形成薄膜。 第一节第一节 薄膜材料制备薄膜材料制备方法简介方法简介图图6.1 离子束溅离子束溅射工作原理图射工作原理图第4页/共30页第5页/共30页功能薄膜材料磁控溅射磁控溅射第一节第一节 薄膜材料制备薄膜材料制备方法简介方法简介图图6.2 磁控溅射磁控溅射SiO2装置图装置图第5页/共30页第6页/共30页在被溅射的靶极（阳极）与阴极之间加一个在被溅射的靶极（阳极）与阴极之间加一个正交磁场和电场，电场和磁场方向相互垂直正交磁场和电场，电场和磁场方向相互垂直。当镀膜室真空抽到设定值时，充入适量的。当镀膜室真空抽

5、到设定值时，充入适量的氩气，在阴极氩气，在阴极(柱状靶或平面靶柱状靶或平面靶)和阳极和阳极(镀膜镀膜室壁室壁)之间施加几百伏电压，便在镀膜室内产之间施加几百伏电压，便在镀膜室内产生磁控型异常辉光放电，氩气被电离。在正生磁控型异常辉光放电，氩气被电离。在正交的电磁场的作用下，电子以摆线的方式沿交的电磁场的作用下，电子以摆线的方式沿着靶表面前进，电子的运动被限制在一定空着靶表面前进，电子的运动被限制在一定空间内，增加了同工作气体分子的碰撞几率，间内，增加了同工作气体分子的碰撞几率，提高了电子的电离效率。电子经过多次碰撞提高了电子的电离效率。电子经过多次碰撞后，丧失了能量成为后，丧失了能量成为 “最

6、终电子最终电子”进入弱电进入弱电场区，最后到达阳极时已经是低能电子，不场区，最后到达阳极时已经是低能电子，不再会使基片过热。同时高密度等离子体被束再会使基片过热。同时高密度等离子体被束缚在靶面附近，又不与基片接触，将靶材表缚在靶面附近，又不与基片接触，将靶材表面原子溅射出来沉积在工件表面上形成薄膜面原子溅射出来沉积在工件表面上形成薄膜。而基片又可免受等离子体的轰击，因而基。而基片又可免受等离子体的轰击，因而基片温度又可降低。更换不同材质的靶和控制片温度又可降低。更换不同材质的靶和控制不同的溅射时间，便可以获得不同材质和不不同的溅射时间，便可以获得不同材质和不同厚度的薄膜。同厚度的薄膜。 功能薄

7、膜材料第一节第一节 薄膜材料制备薄膜材料制备方法简介方法简介第6页/共30页第7页/共30页（3 3）离）离子镀子镀 离子镀是在真空蒸镀得基础上，离子镀是在真空蒸镀得基础上，在热蒸发源与基片之间加一电场（在热蒸发源与基片之间加一电场（基片为负极），在真空中基片与蒸基片为负极），在真空中基片与蒸发源之间将产生辉光放电，使气体发源之间将产生辉光放电，使气体和蒸发物质部分电离，并在电场中和蒸发物质部分电离，并在电场中加速，从而将蒸发的物质或与气体加速，从而将蒸发的物质或与气体反应后生成的物质沉积到基片上。反应后生成的物质沉积到基片上。功能薄膜材料第一节第一节 薄膜材料制备薄膜材料制备方法简介方法简介

8、第7页/共30页第8页/共30页功能薄膜材料2 2、化学气相沉积、化学气相沉积（CVDCVD） 化学气相沉积是使含有构成薄膜元素化学气相沉积是使含有构成薄膜元素的一种或几种化合物（或单质）气体在的一种或几种化合物（或单质）气体在一定温度下通过化学反应生成固态物质一定温度下通过化学反应生成固态物质并沉积在基片上而生成所需薄膜的方法并沉积在基片上而生成所需薄膜的方法。 特点：特点：设备可以比较简单，沉积速率设备可以比较简单，沉积速率高，沉积薄膜范围广，覆盖性好，适于高，沉积薄膜范围广，覆盖性好，适于形状比较复杂的基片，膜较致密，无离形状比较复杂的基片，膜较致密，无离子轰击等优点。特别是在半导体集成

9、电子轰击等优点。特别是在半导体集成电路上得到广泛应用路上得到广泛应用 常用的气态物质有各种卤化物、氢化常用的气态物质有各种卤化物、氢化物及金属有机化合物等，化学反应种类物及金属有机化合物等，化学反应种类很多，如热解、还原、与水反应、与氨很多，如热解、还原、与水反应、与氨反应等反应等第一节第一节 薄膜材料制备薄膜材料制备方法简介方法简介第8页/共30页第9页/共30页功能薄膜材料金属有机化学气相沉积（金属有机化学气相沉积（MOCVD）原料主要是金属（非金属）烷基化原料主要是金属（非金属）烷基化合物。合物。优点是可以精确控制很薄的薄膜生优点是可以精确控制很薄的薄膜生长，适于制备多层膜，并可进行外长

10、，适于制备多层膜，并可进行外延生长。延生长。第一节第一节 薄膜材料制备薄膜材料制备方法简介方法简介第9页/共30页第10页/共30页第二节第二节 金属薄膜的形成金属薄膜的形成及其结构及其结构功能薄膜材料一、薄膜的形成过一、薄膜的形成过程程A 生成三维的生成三维的核型核型原子在基片上先凝聚，然后生成核原子在基片上先凝聚，然后生成核，进一步再将蒸发原子凝聚起来生，进一步再将蒸发原子凝聚起来生成三维的核。通常大部分金属薄膜成三维的核。通常大部分金属薄膜都是以这样的一个过程形成的。都是以这样的一个过程形成的。B 单层生单层生长型长型是基片和薄膜原子之间，以及薄膜是基片和薄膜原子之间，以及薄膜原子之间相

11、互作用很强时容易出现原子之间相互作用很强时容易出现的形式。它是先形成两维的层，然的形式。它是先形成两维的层，然后再一层一层地逐渐形成金属薄膜后再一层一层地逐渐形成金属薄膜。第10页/共30页第11页/共30页功能薄膜材料C 单层上再生长单层上再生长核型核型是基片和薄膜原子间相互作用非常强时是基片和薄膜原子间相互作用非常强时的形成形式。这种方式只有非常有限的的形成形式。这种方式只有非常有限的基片材料和金属薄膜材料的组合才能形基片材料和金属薄膜材料的组合才能形成。成。第二节金属薄膜的形成第二节金属薄膜的形成及其结构及其结构图图6.3 蒸法膜蒸法膜形成过程的三形成过程的三种模型种模型第11页/共30

12、页第12页/共30页功能薄膜材料薄膜的形成过程大致都可薄膜的形成过程大致都可分为分为 4个阶段，图（个阶段，图（a）在最初阶段，外来原子在在最初阶段，外来原子在基底表面相遇结合在一起基底表面相遇结合在一起成为原子团，只有当原子成为原子团，只有当原子团达到一定数量形成团达到一定数量形成“核核”后，才能不断吸收新加后，才能不断吸收新加入的原子而稳定地长大形入的原子而稳定地长大形成成“岛岛”；图（；图（b）随着）随着外来原子的增加，岛不断外来原子的增加，岛不断长大，进一步发生岛的接长大，进一步发生岛的接合；图（合；图（c）很多岛接合）很多岛接合起来形成通道网络结构；起来形成通道网络结构；图（图（d）

13、后续的原子将填）后续的原子将填补网络通道间的空洞，成补网络通道间的空洞，成为连续薄膜为连续薄膜第二节金属薄膜的形成第二节金属薄膜的形成及其结构及其结构图图6.4 薄膜形成与生长的薄膜形成与生长的物理过程物理过程第12页/共30页第13页/共30页功能薄膜材料决定金属薄膜材料的两个重决定金属薄膜材料的两个重要因素：要因素：（1）蒸发时的基片）蒸发时的基片温度温度一般来说，基片温度越高，则吸附原子的动一般来说，基片温度越高，则吸附原子的动能也越大，跨越表面势垒的几率增多，则需能也越大，跨越表面势垒的几率增多，则需要形成核的临界尺寸增大，越易引起薄膜内要形成核的临界尺寸增大，越易引起薄膜内部的凝聚，

14、每个小岛的形状就越接近球形，部的凝聚，每个小岛的形状就越接近球形，容易结晶化，高温沉积的薄膜易形成粗大的容易结晶化，高温沉积的薄膜易形成粗大的岛状组织。而在低温时，形成核的数目增加岛状组织。而在低温时，形成核的数目增加，这将有利于形成晶粒小而连续的薄膜组织，这将有利于形成晶粒小而连续的薄膜组织，而且还增强了薄膜的附着力，而且还增强了薄膜的附着力 （2）蒸发速）蒸发速率率蒸发速率越快，岛状密度越蒸发速率越快，岛状密度越大，大，第二节第二节 金属薄膜的形成金属薄膜的形成及其结构及其结构第13页/共30页第14页/共30页功能薄膜材料二、金属薄膜的结二、金属薄膜的结构特点构特点1 1、二维材料的特、

15、二维材料的特点点与一般常用的三维块体材料相比，在性与一般常用的三维块体材料相比，在性能和结构上具有很多特点。能和结构上具有很多特点。最大的特点是最大的特点是功能膜的某些性能可以在制备时通过特殊功能膜的某些性能可以在制备时通过特殊的薄膜制备方法实现的薄膜制备方法实现。 作为二维材料，薄膜材料作为二维材料，薄膜材料最主要是特点是所谓尺寸特点最主要是特点是所谓尺寸特点,利用这个特点可以实现把各种元器件的微型化、集成化。利用这个特点可以实现把各种元器件的微型化、集成化。 由于尺寸小，薄膜材料中表面和界面所占由于尺寸小，薄膜材料中表面和界面所占的相对比例子较大，表面所表现的有关性质的相对比例子较大，表面

16、所表现的有关性质极为突出，存在一系列与表面界面有关的物极为突出，存在一系列与表面界面有关的物理效应：理效应： 第二节金属薄膜的形成第二节金属薄膜的形成及其结构及其结构第14页/共30页第15页/共30页功能薄膜材料(1)光干涉效应引起的选择性透射和反光干涉效应引起的选择性透射和反射；射；(2) 电子与表碰撞发生非弹性散射，使电子与表碰撞发生非弹性散射，使电导率、霍耳系数、电流磁场效应电导率、霍耳系数、电流磁场效应等发生变化；等发生变化；(3) 因薄膜厚度比电子的平均自由程小因薄膜厚度比电子的平均自由程小得多，且与电子的德布罗意波长相得多，且与电子的德布罗意波长相近时，在膜的两个表面之间往返运近

17、时，在膜的两个表面之间往返运动的电子就会发生干涉，与表面垂动的电子就会发生干涉，与表面垂直运动相关的能量将取分立值，由直运动相关的能量将取分立值，由此会对电子输运产生影响；此会对电子输运产生影响；第二节金属薄膜的形成第二节金属薄膜的形成及其结构及其结构第15页/共30页第16页/共30页功能薄膜材料第二节金属薄膜的形成第二节金属薄膜的形成及其结构及其结构(4) 在表面，原子周期性中断，产生在表面，原子周期性中断，产生的表面能级、表面态数目与表面原子的表面能级、表面态数目与表面原子数有同一量级，对于半导体等载流子数有同一量级，对于半导体等载流子少的物质将产生较大影响；少的物质将产生较大影响；(5

18、) 表面磁性原子的近邻原子数减少表面磁性原子的近邻原子数减少，引起表面原子磁矩增大；，引起表面原子磁矩增大；(6) 薄膜材料各向异性等等。薄膜材料各向异性等等。第16页/共30页第17页/共30页功能薄膜材料2 2、薄膜制备过程决定、薄膜制备过程决定的特点的特点（1 1）非平衡态相结构）非平衡态相结构薄膜的制备方法多数为非平衡状态的制取过薄膜的制备方法多数为非平衡状态的制取过程，在薄膜形成过程中，基片温度一般不很程，在薄膜形成过程中，基片温度一般不很高，扩散较慢，因而制成的薄膜常常是非平高，扩散较慢，因而制成的薄膜常常是非平衡相的结构。衡相的结构。 （2 2）膜常常是非化学计量比成分）膜常常是

19、非化学计量比成分在蒸镀法中，各种元素的蒸气压不同，溅射在蒸镀法中，各种元素的蒸气压不同，溅射过程中各元素溅射速率不同，所以一般较难过程中各元素溅射速率不同，所以一般较难精确控制薄膜的成分，制成的膜往往是非化精确控制薄膜的成分，制成的膜往往是非化学计量比的成分。学计量比的成分。 （3 3）薄膜内存在大量的缺陷）薄膜内存在大量的缺陷第二节金属薄膜的形成第二节金属薄膜的形成及其结构及其结构第17页/共30页第18页/共30页功能薄膜材料第二节金属薄膜的形成第二节金属薄膜的形成及其结构及其结构（4）沉积冷却过程中常会产生较大的内应力）沉积冷却过程中常会产生较大的内应力由沉积生长过程所决定，薄膜内一般存

20、在由沉积生长过程所决定，薄膜内一般存在大量的缺陷，如位错、空位等，其密度常大量的缺陷，如位错、空位等，其密度常与大变形冷加工的金属中的缺陷密度相当与大变形冷加工的金属中的缺陷密度相当，基片的温度越低，沉积的薄膜中缺陷密，基片的温度越低，沉积的薄膜中缺陷密度越大，其中用离子镀和溅射方法制备的度越大，其中用离子镀和溅射方法制备的薄膜缺陷密度最大。另外，在薄膜沉积过薄膜缺陷密度最大。另外，在薄膜沉积过程中的工作气体也常常混入薄膜。很多薄程中的工作气体也常常混入薄膜。很多薄膜材料都不宜进行高温热处理，所以缺陷膜材料都不宜进行高温热处理，所以缺陷不易消除。这些缺陷对材料的电学、磁学不易消除。这些缺陷对材

21、料的电学、磁学等很多性能都有影响，等很多性能都有影响， 薄膜材料一般都沉积在不同材料的基片，薄膜材料一般都沉积在不同材料的基片，由于热膨胀系数不同，沉积后冷却过程中由于热膨胀系数不同，沉积后冷却过程中常会产生较大的内应力，应力的存在对很常会产生较大的内应力，应力的存在对很多性能都有影响。多性能都有影响。第18页/共30页第19页/共30页3 3、薄膜制备方法能够实、薄膜制备方法能够实现的特点现的特点功能薄膜材料第二节第二节 金属薄膜的形成金属薄膜的形成及其结构及其结构由于薄膜材料性能受制备过程的由于薄膜材料性能受制备过程的影响，在制备过程中多数处于非影响，在制备过程中多数处于非平衡状态，因而平

22、衡状态，因而可以在很大范围可以在很大范围内改变薄膜材料的成分、结构，内改变薄膜材料的成分、结构，不受平衡状态时限制不受平衡状态时限制，所以人们，所以人们可以制备出秀多块体难以实现的可以制备出秀多块体难以实现的材料，得到新的性能。这是薄膜材料，得到新的性能。这是薄膜材料的重要特点，也是薄膜材料材料的重要特点，也是薄膜材料引人注目的重要原因。无论采用引人注目的重要原因。无论采用化学法还是物理法都可以得到设化学法还是物理法都可以得到设计的薄膜，例如：计的薄膜，例如：第19页/共30页第20页/共30页功能薄膜材料第二节第二节 金属薄膜的形成金属薄膜的形成及其结构及其结构（1 1）薄膜材料在制备过程中

23、可以在）薄膜材料在制备过程中可以在很大范围内将几种材料掺杂在一起得很大范围内将几种材料掺杂在一起得到均匀膜，而无需考虑是否会形成均到均匀膜，而无需考虑是否会形成均匀相，这样就能较自由地改变薄膜的匀相，这样就能较自由地改变薄膜的性能。性能。（2）可以根据需要得到单晶、多晶可以根据需要得到单晶、多晶及至非晶的各种结构薄膜。及至非晶的各种结构薄膜。沉积的薄膜常为垂直于表面的柱状晶沉积的薄膜常为垂直于表面的柱状晶，基片温度越低，晶粒越细小。如果，基片温度越低，晶粒越细小。如果基片温度足够低，很多材料都可得到基片温度足够低，很多材料都可得到非晶态结构，另一方面通过选择适当非晶态结构，另一方面通过选择适当

24、基片并控制沉积速率、基片温度等因基片并控制沉积速率、基片温度等因素可以制备出单晶薄膜，即所谓外延素可以制备出单晶薄膜，即所谓外延生长。生长。 第20页/共30页第21页/共30页功能薄膜材料（3 3）可以容易地将不同材料结合）可以容易地将不同材料结合在一起制成多层结构的薄膜在一起制成多层结构的薄膜薄膜材料一般都是用几层不同功能薄膜材料一般都是用几层不同功能的膜组合在一起构成器件，如薄膜的膜组合在一起构成器件，如薄膜太阳能电池、多层防反射膜等，或太阳能电池、多层防反射膜等，或利用层间的界面效应，如制作光导利用层间的界面效应，如制作光导材料、薄膜激光器等。但通常所谓材料、薄膜激光器等。但通常所谓多

25、层膜是特指人为制作的具有周期多层膜是特指人为制作的具有周期性结构的薄膜材料。性结构的薄膜材料。（4 4）通过沉积速率的控制可以容通过沉积速率的控制可以容易得到成分不均匀分布的薄膜易得到成分不均匀分布的薄膜第二节第二节 金属薄膜的形成金属薄膜的形成及其结构及其结构第21页/共30页第22页/共30页第三节、主要薄膜功能金第三节、主要薄膜功能金属材料属材料功能薄膜材料1 1、电学、电学薄膜薄膜半导体集成电路和混合半导体集成电路和混合集成电路集成电路（1 1）集成电路（）集成电路（ICIC）中中的布线的布线（2 2）透明导）透明导电膜电膜集成电路中的电极布线都是用导电膜做成集成电路中的电极布线都是用

26、导电膜做成，通常集成电路中都采用铝作为布线材料，通常集成电路中都采用铝作为布线材料。在集成电路工艺中主要采用溅射技术制。在集成电路工艺中主要采用溅射技术制备铝膜。此外还有备铝膜。此外还有Au膜和膜和Ag膜。膜。透明导电膜是一类既具有高的导电性，在透明导电膜是一类既具有高的导电性，在可见光范围内又有很高的透光性，并在红可见光范围内又有很高的透光性，并在红外光范围有很高的反射性的薄膜。常见的外光范围有很高的反射性的薄膜。常见的金属透明导电膜有金、银、铜、铝、铬等金属透明导电膜有金、银、铜、铝、铬等，这些薄膜可以很容易的用，这些薄膜可以很容易的用PVD方法来制方法来制备。备。第22页/共30页第23

27、页/共30页3 3、信息记录用、信息记录用薄膜薄膜第三节、主要薄膜功能金第三节、主要薄膜功能金属材料属材料功能薄膜材料只读式光只读式光盘：盘：一次写入式光一次写入式光盘：盘：可擦除光可擦除光盘：盘：第23页/共30页第24页/共30页第一节第一节 薄膜材料制备薄膜材料制备方法简介方法简介功能薄膜材料1 1、物理气相沉积、物理气相沉积（PVDPVD） 采用物理方法使物质的原子或分子逸采用物理方法使物质的原子或分子逸出，然后沉积在基片上形成薄膜的工艺出，然后沉积在基片上形成薄膜的工艺 根据使物质的逸出方法不同，可分为根据使物质的逸出方法不同，可分为蒸镀、溅射蒸镀、溅射和和离子镀离子镀（1 1）真空

28、蒸）真空蒸镀镀 把待镀的基片置于真空室内，通过加把待镀的基片置于真空室内，通过加热使蒸发材料气化（或升华）而沉积到热使蒸发材料气化（或升华）而沉积到某一温度基片的表面上，从而形成一层某一温度基片的表面上，从而形成一层薄膜，这一工艺称为真空蒸镀法薄膜，这一工艺称为真空蒸镀法蒸发源可分为：电阻加热、电子束加热蒸发源可分为：电阻加热、电子束加热和激光加热等和激光加热等第24页/共30页第25页/共30页第一节第一节 薄膜材料制备薄膜材料制备方法简介方法简介功能薄膜材料1 1、物理气相沉积、物理气相沉积（PVDPVD） 采用物理方法使物质的原子或分子逸采用物理方法使物质的原子或分子逸出，然后沉积在基片

29、上形成薄膜的工艺出，然后沉积在基片上形成薄膜的工艺 根据使物质的逸出方法不同，可分为根据使物质的逸出方法不同，可分为蒸镀、溅射蒸镀、溅射和和离子镀离子镀（1 1）真空蒸）真空蒸镀镀 把待镀的基片置于真空室内，通过加把待镀的基片置于真空室内，通过加热使蒸发材料气化（或升华）而沉积到热使蒸发材料气化（或升华）而沉积到某一温度基片的表面上，从而形成一层某一温度基片的表面上，从而形成一层薄膜，这一工艺称为真空蒸镀法薄膜，这一工艺称为真空蒸镀法蒸发源可分为：电阻加热、电子束加热蒸发源可分为：电阻加热、电子束加热和激光加热等和激光加热等第25页/共30页第26页/共30页在被溅射的靶极（阳极）与阴极之间加

30、一个在被溅射的靶极（阳极）与阴极之间加一个正交磁场和电场，电场和磁场方向相互垂直正交磁场和电场，电场和磁场方向相互垂直。当镀膜室真空抽到设定值时，充入适量的。当镀膜室真空抽到设定值时，充入适量的氩气，在阴极氩气，在阴极(柱状靶或平面靶柱状靶或平面靶)和阳极和阳极(镀膜镀膜室壁室壁)之间施加几百伏电压，便在镀膜室内产之间施加几百伏电压，便在镀膜室内产生磁控型异常辉光放电，氩气被电离。在正生磁控型异常辉光放电，氩气被电离。在正交的电磁场的作用下，电子以摆线的方式沿交的电磁场的作用下，电子以摆线的方式沿着靶表面前进，电子的运动被限制在一定空着靶表面前进，电子的运动被限制在一定空间内，增加了同工作气体

31、分子的碰撞几率，间内，增加了同工作气体分子的碰撞几率，提高了电子的电离效率。电子经过多次碰撞提高了电子的电离效率。电子经过多次碰撞后，丧失了能量成为后，丧失了能量成为 “最终电子最终电子”进入弱电进入弱电场区，最后到达阳极时已经是低能电子，不场区，最后到达阳极时已经是低能电子，不再会使基片过热。同时高密度等离子体被束再会使基片过热。同时高密度等离子体被束缚在靶面附近，又不与基片接触，将靶材表缚在靶面附近，又不与基片接触，将靶材表面原子溅射出来沉积在工件表面上形成薄膜面原子溅射出来沉积在工件表面上形成薄膜。而基片又可免受等离子体的轰击，因而基。而基片又可免受等离子体的轰击，因而基片温度又可降低。更换不同材质的靶和控制片温度又可降低。更换不同材质的靶和控制不同的溅射时间，便可以获得不同材质和不不同的溅射时间，便可以获得不同材质和不同厚度的薄膜。同厚度的薄膜。 功能薄膜材料第一节第一节 薄膜材料制备薄膜材料制备方法简介方法简介第26页/共30页第27页/共30页3 3、薄膜制备方法能够实、薄膜制备方法能够实现的特点现的特点功能薄膜材料第二节第二节 金属薄膜的形成金属薄膜的形成及其结构及其结构由于薄膜材料性能受制备过程的由于薄膜材料性能受制备过程的影响，在制备过程中多数处于非影响，在制备过程中多数处于非平衡状态，因而平衡状态，因而可以在很大范围可以在很大范围内改