第六章 TMS320C6000 DSP外部存储器接口

1、第六章 TMS320C6000 EMIF及其程序设计6.1 基本存储器v异步存储器（SRAM、ROM）v同步动态存储器(SDRAM)v同步突发静态存储器（SBSRAM）异步存储器vSRAM：读写速度快，掉电丢失，容量小。vROM： 掩膜式ROM 用定作掩膜对存储器进行编程，一旦制造完毕，内容固定不能改变。 可编程式的ROM（PROM）， PROM允许用户一次性写入，再也不可更改。 可擦除式的ROM（EPROM） EPROM允许用户多次写入信息，写入操作由专用的写入设备完成。写入之前应先擦除原来写入的信息。一种擦除方式为紫外光擦除，用紫外光照射15分钟左右，这类EPROM又叫UV EPROM。另

2、一种擦除方式为电擦除，即用特定的电信号对其进行擦除，可在线操作，因此很方便。这类EPROM又叫E2PROM或EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM）。它的特点是写入时电压要求较高（一般为20V25V），写入速度较慢而不能像RAM那样作随机存取存储器使用。异步存储器vFLASH 存储器v非易失性存储器，读取速度快，但写入速度慢，且写入之前需要整个扇区擦除，若需改写某个字节的内容，需要将扇区其他内容暂存到其他地方，待扇区擦除后再搬移回来。SDRAMv读写速度快，容量大，成本低。但需要动态刷新，读写控制时序复杂。目前有些处理器如DSP等集成了专用S

3、DRAM控制器接口，使用亦很方便。v课外资料查阅：SDRAM原理（作业）6.2 EMIF 概述vDSPs访问片外存储器时必须通过外部存储器接（External Memory Interface，EMIF）。C6000 系列 DSPs 的 EMIF 具有很强的接口能力，不仅具有很高的数据吞吐率（最高达 1 200 MB/s），而且可以与目前几乎所有类型的存储器直接接口。存储器包括： v pipeline 结构的同步突发静态 RAM（SBSRAM） v 同步动态 RAM（SDRAM）v 异步器件，包括 SRAM、ROM 和 FIFO 等v 外部共享存储空间的设备 不同芯片的 EMIF 接口6.3

4、接口信号与控制寄存器EMIF寄存器6.3 EMIF 程序设计v#define EMIF_GCTL 0 x01800000v#define EMIF_CE1 0 x01800004v#define EMIF_CE0 0 x01800008v#define EMIF_CE2 0 x01800010v#define EMIF_CE3 0 x01800014v#define EMIF_SDRAMCTL 0 x01800018v#define EMIF_SDRAMTIM 0 x0180001Cv#define EMIF_SDRAMEXT 0 x01800020v#define EMIF_CCFG 0 x

5、01840000 /* Cache configuration register */vvvoid user_EMIF_init(void)vv*(unsigned int *)EMIF_GCTL = 0 x000030f8;v*(unsigned int *)EMIF_CE0 = 0 x2272c993; /* CE0 SDRAM 16-bit */v*(unsigned int *)EMIF_CE1 = 0 xFFFFFF03; /* CE1 Flash 8-bit /实际为16bit,按8bit操作 */v*(unsigned int *)EMIF_CE2 = 0 x2272c993;

6、/* CE2 16-bit sdram */v*(unsigned int *)EMIF_CE3 = 0 x2620C612; /* CE3 16-bit async */v/*WRSETUP=0 WRSTRB=24 WRHLD=2 */v/*RDSETUP=0 RDSTRB=24 RDHLD=2 */v/*TA=3 MTYPE=2 */vv*(unsigned int *)EMIF_SDRAMCTL = 0 x6B227000;/0 x6B48F000; /* SDRAM control (128 Mb): 8M*16bit*4banks */v*(unsigned int *)EMIF_S

7、DRAMTIM = 0 x00000350; /* SDRAM timing (refresh) 64ms,8192rows refresh, 7.8125us/row */v*(unsigned int *)EMIF_SDRAMEXT = 0 x00018F5E;/0 x0017DF3F; /* SDRAM Extension register */v*(unsigned int *)EMIF_SDRAMCTL = 0 x6B227000;/0 x6B48F000; /* SDRAM control (128 Mb): 8M*16bit*4banks */vUint32 SDRAM_test(void)Uint16 i;Uint16 *ptr;Uint32 result;ptr=(Uint16 *)0 x80000000;for(i=0;i0 x0100;i+)*ptr = i;ptr+;ptr=