国科会 高屏地区奈米核心共同实验室

1、國科會高屏地區奈米核心設施共同實驗室 一、簡介 奈米科技為國內研究重點項目，高屏地區在此方面亦有極多的研究小組投入其中，而中山大學(以下稱為本校)一直以來即為高屏地區奈米相關研究之中心，亦於2001年成立奈米中心，於中心內設置許多基本量測儀器，服務奈米相關研究；依據高屏地區各研究單位及生產單位的特色，統整研發方向，結合中山現有之貴重儀器，於2004年在本校內成立高屏地區奈米共用實驗室(以下稱為本實驗室)，購置相關製程儀器，引進高級人力，提升奈米相關研究。 本實驗室於2004年起陸續建構奈米科技研究所需之各項儀器及設備，更於本校理學院理1012及1013室成立等級Class10000之無塵室。該

2、無塵室佔地約80坪、廠務端約佔地20坪。各製程儀器及分析儀器分部位置如Fig.1-1。各項儀器如Table1-11-3。目前在製程儀器方面已建構完整半導體元件製程所需之各項儀器及分析儀器，不足之部分則結合本校奈米中心及貴儀中心，方便校內外使用者使用。Normal Clean room理1013室Normal Clean room理1012室Yellow room NFig 1-1.Clean room mapTable 1-1. Process SystemsNo.Facilities機台特色優勢採購日期/開放時間/位置/負責教授1Mask Aligner and Exposure Syste

3、m(光學微影系統)儀器廠牌、型號： 聚昌，Psur-100HB儀器規格：single side ligner Deep UV(power = 500W) 1.Resolutio 0.6 m 2.解析度 0.4 m之實測報告 3.Camera CCD 4.Maskholder ”x5” and 4”x4” 5.Chuckfragments up to 2” x 2” and 4” x 4” 6.自動操作程序儲存及控制系統（ 50組程序） 7.最小破片處理能 5x 5m m（非僅限於中心點） 8. 光學顯微鏡最大倍率 500倍最小倍率 50倍 9. 平均移動解析度 0.1m 需求性：黃光製程機台不

4、管在業界或者學術界向來皆是非常重要與實用的機器，在學術研究上，不只可以增進實驗的研究精度，更可利用光罩做出實際所需的樣品元件，而且可與核心設施內的製程機台達到互補的作用，方便實驗的進行特色：l 有近紫外(Near UV)光與深紫外(Deep UV)光兩種燈源可選擇使用l 最小線寬解析度可達0.6m以下l 可放置3”x3”、 4”x 4”或5”x 5”的光罩l 樣品放置載台有2” x 2”與4” x 4”兩種尺寸優勢：l 機台使用便利、操作簡單，且整合在核心設施中的無塵室，方便樣品前置作業或者後續的處理製程l 24小時不打烊，只需上網登記即可使用，實驗效率大大提升l 可視樣品所需線寬來選擇不同燈

5、源與光阻劑，並可調整光源功率大小(最大為500 W)，以達到最佳效果預期成效：目前主要的使用者是以校內為主，橫跨眾多系所，而校外如嘉義大學也有學生參與訓練，說明了儀器的實用性與便利性，而光罩對準機目前也是核心設施中經認證人數最多的機台，預期未來使用人數與時數也會相對上升。93.12.3195.05.01理1013室周雄教授2Multi-Target Sputter(多靶磁控濺鍍系統)儀器廠牌、型號： 聚昌，Psur-100HB  設備規格及適用基板： non-uniformity： < 10%靶材規格 : 4”。2”、  3”、 4”、 

6、 6” 基板及破片。機台之重要性：在半導體製程中，薄膜沉積一向是很重要的一個環節，而本機台藉由濺鍍法能沉積金屬薄膜與介電質薄膜。此兩種薄膜更是元件中不可或缺的一部分，如何能夠快速的沉積元件的薄膜並擁有良好的均勻度與品質是很重要的。機台之特色：本機台為多靶磁控濺鍍系統，共計三支Gun，分別配有一組DC電源供應器及兩組RF電源供應器，適用於同時多靶共鍍，沉積各種不同混合材料的薄膜，也能於製程中依序一次完成半導體薄膜、介電質薄膜以及金屬薄膜的沉積。另外，本機台也配置了基板加熱器，可於高溫下沉積薄膜，最高溫可達四百度。機台之優勢： 本機台具有高抽氣率的真空幫浦，抽氣20分鐘後真空度即可達2.4E-5

7、torr，大幅縮減不必要的等待時間，提升了整體製程的速率。此外，軟體介面操作簡單，可自動化製程，藉由三支Gun(一組DC，兩組RF)搭配不同氣體: Ar、O2、N2、NH3、H2等五種氣體去沉積各種合成半導體、金屬以及介電層薄膜，大幅增加成長薄膜材料的多元性，且透過高溫製程下的薄膜可提高薄膜品質穩定性及均勻度。另外，本機台也配置了一組膜厚偵測器，能於製程的同時精確監控薄膜的沉積厚度。機台之預期成效：以本機台之優越性能及高製程穩定度，相信必能成為學界或業界的研究利器，而且本中心之使用開放程度極高，相信於前述幾項之優點搭配下，必能有極高之成效。96.07.1996.08.01理1012室張鼎張教授

8、3High Density Plasma Chemical Vapor Deposition(HDP-CVD)(高密度電漿化學氣相沈積系統)儀器廠牌、型號： 聚昌，Ciede-200設備規格及適用基板：non-uniformity:< 10%。2''、 3''、 4''、 6''基板一片及破片。機台之重要性： 在製作半導體元件如TFT或MOS結構時，介電層（絕緣層）扮演很重要的角色，介電層（絕緣層）越是具有低漏電流、高介電常數的特性，其元件特性就會表現的越好，因此製作品質良好且特性優良的介電層（絕緣層）薄膜是製作元件中重要的

9、一個要素。 該機台之特色： 本機台（HDP-CVD）可在高真空（5E-6 torr）下連續或個別沉積高品質介電層（絕緣層）如SiO2、Si3N4、SiGeO、SiGeN，及可作為元件主動層用的amorphous-Si、 Ge及SiGe薄膜，是自行製作元件的重要設備。機台之優勢： 由於高密度電的輔助，因此可沉積比一般CVD或PECVD品質更好的薄膜，電漿可提供1200W的最大功率，基板偏壓功率最高可至600W。此機台亦具備Load-Lock傳送試片，可使腔體內維持高真空狀態大幅減少抽真空的等待時間並提升製程穩定度。基板提供升溫功能，基板變溫範圍可由室溫至300OC，提供更廣的製程範圍。此機台具備

10、自動製程控制軟體，使用者只需將參數設定完成後，機台就可依照所設定的參數自動完成製程，增加製程效率。機台之預期成效： 藉由此HDPCVD機台我們可自行沉積品質優良的介電層薄膜(如SiO2、Si3N4、SiGeO、SiGeN)，進而利用連續沉積方法可製作ONO薄膜，製作SONOS記憶體元件，沉積amorphous-Si、Ge及SiGe則可作為元件主動層使用，擴大我們可自行製作元件的範圍。94.10.3196.08.01理1012室張鼎張教授4Inductive Couple Plasma Etcher (ICP-Etcher)(感應耦合式電漿蝕刻系統)儀器廠牌、型號： 聚昌，Cirie-200&#

11、160;   設備規格及適用基板：non-uniformity： < 10%。2”、 3”、 4”、 6”基板一片及破片。機台之重要性：感應偶合電漿蝕刻機最主要的功能，就是對許多種材料進行乾式蝕刻的製程。機台之特色：(1)製程時間短：因為本機台配有一加大抽氣量的turbo pump，所以可以在短時間內迅速的抽到我們想要的製成壓力。再加上配有高功率的功率產生器，可以再短時間內產生大量的反應電漿，使製程時間大大縮短。(2)多種反應氣體：本機台可通入的氣體種類有Cl、N2O、CF4、O2、Ar、N2、H2等，可產生多種組合的反應氣體，可做許多種蝕刻參數的改變。(3

12、)蝕刻終點偵測器：本機台配有一台蝕刻終點偵測器，此偵測氣可藉由蝕刻過程中產生的光譜，來判斷目前樣本蝕刻的情形，使我們得知，是否已蝕刻完我們要蝕刻的薄膜，進而得知蝕刻終點的目的。(4)本機台在反應腔體的下方，額外配有一功率產生器，可在機板下方額外提供一功率，使基板產生自我偏壓。機台之優勢：(1)本機台配有一高功率的電漿產生器，所以可以再短時間內，產生大量的高密度電將來進行蝕刻。(2)因為本機台可通入許多種的反應蝕刻性氣體(Cl、N2O、CF4、O2、Ar、N2、H2)，再這些反應蝕刻性氣體的搭配組合下，可蝕刻各式各樣的金屬、介電值、半導體薄膜。(3)由於本機台在基板下方額外配有一功率產生器，可以

13、使得電漿產生時，造成自我偏壓，進而產生向下轟擊的效果。而向下轟擊的效果可以產生很好的非等向性蝕刻。(4)藉由蝕刻終點偵測器，我們可以很精準的得知蝕刻終止的時間。機台之預期成效： 由於本機台有很優異的非等向性蝕刻特性，因此在製作元件的過程中，只要需要有蝕刻或挖洞的製程時，本機台都能有不錯的表現，因此在任何一個元件的製造過程中，感應偶合電漿蝕刻機是很重要的機台。94.10.3196.08.01理1012室張鼎張教授5Dual E-Beam Evaporator(雙電子槍蒸鍍機)儀器廠牌、型號：聚昌，Peva-600E  設備規格及適用基板：1.non-uniformity： < 1

14、02.可同時放2”、 3”、 4”、 6” 基板六片及破片。3.可放坩堝數目：Dual-gun共12顆。機台之重要性：在半導體製程中，薄膜沉積一向是很重要的一個環節，而本機台能夠同時提供金屬薄膜與介電質薄膜的沉積方式。而金屬電極更是元件中不可或缺的一部分，如何能夠快速的沉積大量元件的金屬電極是一項很重要的步驟。機台之特色：本機台擁有雙電子槍系統，每支電子槍均配備6個坩鍋，不但能夠同時開啟雙電子槍來共鍍，也能同時在不同的坩鍋中放置多種鍍料，可在一次的製程中沉積多層薄膜。機台之優勢：本機台可一次容納6片6吋晶圓，故腔體的容量非常大，但本系統配備高抽氣率的真空幫浦，因此將真空度抽至10-6torr只

15、需20分鐘左右，對作實驗的學生來說能有效地減少不必要的等待時間，也能在一次的製程中完成大量的元件。另外，本機台也配置膜厚偵測計，只要機台負責人將材料設定並調整好，未來需要鍍膜的同學只要將材料和厚度設定好，便可直接開始鍍膜程序，過程皆為自動化，如此能有效避免人為操作的錯誤發生。機台之預期成效：藉由雙電子槍蒸鍍系統，我們一次完成許多的元件的鍍膜製程，例如元件的金屬電極，可蒸鍍鋁、銅、銦或鉬。在介電質部份，也可快速的沉積超厚的阻絕氧化層(blocking oxide)。在共鍍方面，也可藉由分別調整雙電子槍的功率比例來蒸鍍合金，如矽鍺合金(Si1-xGex)。95.10.3096.08.01理1012

16、室張鼎張教授6Rapid Thermal Annealing System System (RTA)(快速退火系統)儀器廠牌、型號： 聚昌，FA04設備規格及適用基板：2''、 3''、 4''、 6'' 基板及破片。(小於6'' 樣品需自行準備 6''矽晶圓 基板做為載盤。若有需要購買者請洽本實驗室陳書香小姐；分機3746)機台之重要性：多項製程都需要高溫進行回火，例如用於離子佈值（ion implantation）後熱退火處理、矽酸鹽化（silicidation）、之後，使晶格重排並消除應力，硼

17、磷矽酸鹽玻璃（Borophospho-silicate Glass （BPSG）的回火，以及Silicide (W, Co) 的形成等等。機台之特色：一般RTA或是爐管只有通入氮氣或是氧氣。而本中心可額外提供氫氣和氨氣。可在高溫回火過程中提供更多的變化。機台之優勢：較一般的常壓爐管省電、快速。以及可額外提供上述的氣體，可在高溫回火過程中提供更多的變化。機台之預期成效：可協助附近的學校進行高溫回火過程。例如離子佈值（ion implantation）大部分TFT或MOSFET都會需要矽酸鹽化（silicidation） Silicide (W, Co) 的形成，可用於奈米點的形成。95.10.3

18、096.08.01理1012室張鼎張教授7Rapid Thermal Annealing System System (RTA(H2O)(快速退火系統(水氣)儀器廠牌、型號：聚昌，FA12設備規格及適用基板：  1. 2''、 3''、 4''、 6'' 基板及破片。 (小於6'' 樣品需自行準備 6''矽晶圓 基板做為載盤。若有需要購買者請洽本實驗室 陳書香小姐；分機3746)2.Chamber(H=25, W=2643.Gas inlet system4.手動/自動

19、pump (GHP-340)5.  加熱系統  6.  水氣產生裝置 機台之重要性：多項製程都需要高溫進行回火，例如用於離子佈值（ion implantation）後熱退火處理、矽酸鹽化（silicidation）、之後，使晶格重排並消除應力，硼磷矽酸鹽玻璃（Borophospho-silicate Glass （BPSG）的回火，以及Silicide (W, Co) 的形成等等。機台之特色：一般RTA或是爐管只有通入氮氣或是氧氣。而本中心可額外提供氫氣、氨氣和水氣產生裝置  。可在高溫回火過程中提供更多的變化。機

20、台之優勢：較一般的常壓爐管省電、快速。以及可額外提供上述的氣體，可在高溫回火過程中提供更多的變化。機台之預期成效：可協助附近的學校進行高溫回火過程。例如離子佈值（ion implantation）大部分TFT或MOSFET都會需要矽酸鹽化（silicidation） Silicide (W, Co) 的形成，可用於奈米點的形成。98.03.0198.11.20理1012室張鼎張教授8Laser Annealing System(雷射退火系統)儀器廠牌、型號：       聚昌，WA12設備規格：1.雷射頻率為50Hz，能量為450mJ

21、。2.6''及以下之樣品或破片。3.小於6''之樣品，需黏著在一6''矽晶圓基版上，且其黏著劑必須不影響真空。4.除了放入基板，腔體需隨時關閉。需求性：l 無基板限制：傳統退火方式只能局限用少數耐熱的基板長膜，而Laser Annealing 並無此限制，任何的基板都適用，且精準又快速，以利學術研究的進行。特色：l 高效能退火且均勻。l 全程真空也可以通入氣體，能有多樣性的數據。l 基板可以加熱，以利退火的高品質。l 只使用單能量雷射光源。優勢：l 快速的退火，節省時間。l 基板限制小。預期成效：Laser Annealing的高效能已在業界被大

22、量使用，因此學術界更有更需要此機台以利學術研究的發展，相信日後能吸引更多人來使用。94.10.3197.02.15(預計)理1013室周雄教授9Laser Ablation System(雷射濺鍍系統)儀器廠牌、型號：聚昌， WA11設備規格：1.雷射頻率為150Hz，能量為650mJ。2.可放 6”基板一片破片需黏著在一6”基版上，且其黏著劑必須不影響真空。3.可放靶材尺寸：1”。4.可放靶材數目：5。需求性：l 薄膜的質與量兼具：跟一般的蒸鍍和濺鍍系統最大的不同在於其在薄膜的成份的比例、厚度上的控管都較其他系統來得容易量化及掌控；此外，快速的成長程序更可節省許多時間。成長過程中，RHEED

23、更使此機台在製程中可即時觀察成長情形。特色：l 精確的成長所需薄膜。l 機台上附有RHEED使其在鍍膜過程中可監測成長情形。l 可供調整的軸度眾多，更容易成長出高品質薄膜。l 雷射光源的能量和頻率可調變。優勢：l 快速的成長薄膜，節省時間。l 薄膜的高品質。預期成效：由於此機台在薄膜成長上擁有高品質、高速率的優勢，相信日後定能夠吸引更多人來使用。94.10.3197.02.15(預計)理1013室周雄教授Table 1-2. Analysis SystemsNO.Facilities機台特色優勢採購日期/服務時間/位置負責教授1Focused Ion Beam (FIB)(雙束型聚焦離子束)儀

24、器型號：SMI 3050設備規格：1. 樣品載台大小： 50mm*50mm*12mm2. 樣品載台移動範圍：X: 0 to 55mm, Y: 0 to 50mm, Z: 0 to 10mm, : 0 to 360°, T: -3 to 60°3. 加速電壓：5 to 30kV (5kV steps)4.解析度：4nm at 30kV需求性：l TEM試片製作方面：傳統手磨方式不僅耗時且無法精確定點切割，若是有了FIB將可大大節省材料分析時間，減低製作試片困難度，以利學術研究的進行。l patterning方面：FIB可以蝕刻小線寬的線(50nm)、小直徑的洞，甚至一些特殊圖

25、形；同時也可以在小區域裏沉積金屬和非金屬薄膜，對微小電子元件的加工非常有幫助。特色：l 精確的在定點製作TEM試片l 因為是雙束形聚焦離子束，所以在蝕刻或沉積過程中可以看到即時的SEM影像l 顯微圖樣製作：只要輸入*.bmp檔案的任何圖形都可以蝕刻(核心設施的網頁上有中山大學Logo，即是用FIB蝕刻出來)優勢：l 因為TEM試片製作的時間縮短許多，有快速分析樣品的優勢l 快速的在微小區域蝕刻圖形(例如光子晶體)l 當天送件當天即可完成實驗預期成效：FIB目前在學術界已越來越普及，就中山大學而言，不僅校內使用者眾多，校外例如成大、清大還有南部的廠商也都會來使用。從95年開始，奈米核心設施這個名

26、詞已經出現在碩博班的畢業論文裡面，現在幾乎大家都知道中山的FIB服務好且成果豐富，相信日後定能夠吸引更多人來使用。94.04.0594.11.15理1009室(奈米中心)張鼎張教授24 point probe(四點探針) 廠牌：德技股份有限公司 型號：5601Y SHEET RESISTIVITY METER設備規格及適用基板：設備規格：量測電阻範圍：1.電阻：10u33M               2.片電阻：150K/1500m/

27、3.取樣速度：每秒10次4.顯示位數：6位5.溢位指示：00000閃爍自動換檔和手動換檔選擇6.超載保護：AC 330Vrms7.工作電壓：AC90V264V 50/60Hz8.工作溫度範圍：050°C(32122°F)9.適用基板：金屬與半導體薄膜機台之重要性：本四點探針的主要功能即為量測任何薄膜的電阻值大小，與任何薄膜的片電阻值大小。機台之特色：(1)可量測的電阻範圍很廣：電阻：10u33M片電阻：150K/ 1500m/(2)取樣的速度快：每秒10次。(3)控制介面很人性化，可自動切換適當的檔位，操作簡單易上手。機台之優勢：本四點探針的主要功能，就是量測任何薄膜的電阻

28、與片電阻值的大小，因此當我們改變不同製程參數時，可以額外提供一個電阻與片電阻的參數，有利於我們分析這些由不同的特殊製程所生成的薄膜之間的差異性。另一方面，當我們使用特別的或未知的材料來沉積薄膜時，我們亦可使用四點探針來取得這未知薄膜的電阻與片電阻資料，可使得在分析一未知薄膜時，增加一個可供參考的電阻資訊。機台之預期成效：協助分析未知的薄膜，並利用四點探針的電阻分析，來找出最適當電阻特性的薄膜製程。96.11.1596.12.17理1012室張鼎張教授3n&k analyzer(薄膜特性分析儀)儀器廠牌、型號：廠牌: n&k Technology, Inc.型號: n&k

29、 Analyzer 1280設備規格及適用基板：1.波長範圍: 190nm1000nm2.適用基板 : 不透光與透光基板皆可3.基板大小 :  2”、3”、4”、6”大小或破片。4.可量測的薄膜材料:   -semiconductor-dielectric-transparent conductors-photoresist (最厚可高到達120m) -polymer-color filter-very thin metal film (500Å以下) 機台之重要性：PVD、HDPCVD機台沉積薄膜後，藉由n & k量測膜層厚度，可知該製程條件下

30、的沉積速率；若將沉積後的薄膜進入Etcher蝕刻，也能得知該蝕刻條件下的蝕刻速率。如此才能掌握我們所希望的薄膜厚度。機台之特色：(1) 利用波長範圍190 nm - 1000 nm量測該膜層的反射光譜與透射光譜，來得到薄膜特性；可量測薄膜特性除厚度(d)外，也可決定薄膜在不同波長的折射率(n)、消光係數(k)、能帶(Eg)、介面粗操度()。(2) 絕大部份半導體產業所使用的材料皆可量測其薄膜特性。如semiconductor、dielectric、transparent conductors、photoresist (最厚可高到達120m)、color filter、polymer、very

31、thin metal film (500Å以下)等。該機台之優勢：(1)量測時間23秒即可完成。(2)可辨別材料的組成(Ex.Si-to-N ratios in SiNx)與結晶度(Ex.a-Si, poly-Si,c-Si)(2)無論在不透明基板、透明基板上所沉積的薄膜，皆可利用N&K量測其特性。(3)可量測單層或多層薄膜厚度(除基板外，最多可量6層薄膜之多)。(4)量測極薄的薄膜厚度(可達到幾10Å之薄)。(5)對於未知的薄膜，利用軟體的Z-film功能，可自行建立該製程條件下該膜層的Data Base，對於往後薄膜的量測提供相當大的便利性。(6)N&K

32、軟體內部的2R功能，使薄膜量測的準確性大幅提升。(7)非破壞性量測。機台之預期成效：(1) 製作奈米點記憶體或SONOS，可藉由N&K機台正確的得知每層厚度，進而更改製程條件，來對每層厚度加以控制。(2) 製作透明導電膜(ITO)，可藉由N&K機台量測ITO的消光係數(k)，用來分辨ITO透明度的高低。(3) 薄膜經蝕刻機台(Etcher)蝕刻後，利用N&K量測，來計算蝕刻速率。建立所有材料的Data Base，來分辨所沉積薄膜的材料組成與結晶度。96.11.1596.12.17理1012室張鼎張教授43D Alpha-Step Profilometer(三維輪廓儀)廠

33、牌： Veeco 型號：Dektak 150 Stylus Profiler設備規格及適用基板:1.2”、 3”、 4”、 6” 基板及破片2.試片最大高低差不可超過524m3.可掃描長度範圍：50m到 50mm機台之重要性：本機台主要功能為測量膜厚，為PVD、CVD等製程薄膜機台之眼睛，故不可或缺。機台之特色：本機台除了基本的薄膜量測以外；最大特色為具有3-D掃描功能，可描繪出表面輪廓圖形；也具有Multiple scan功能，可自動產生report,包含平均值、最大值、最小值以及標準差。機台之優勢：本機台對於量測結果有自動取水平之功能，且可同時將量測結果自動計算出來，本機台具有30種之量測

34、分析參數可同時勾選。機台之預期成效：求取薄膜厚度、表面粗糙度，進而也可求取各機台不同條件的鍍率。96.11.1596.12.17理1013室張鼎張教授Table 1-3.Other SystemsNO. Facilities位置1Spin Coater& Hot Plate(旋轉塗佈機&加熱板)理1013室2Ultrasonic wave clean system(超音波洗淨系統)理1013室3Wet Bench(濕式蝕刻台)理1013室理1013室 Fig 1-2. 各項儀器運用於元件製作分類二、共用設備及工安環保 為確保使用者能在安全的環境下進行實驗，本實驗室除不定時開設安

35、全講習外並由專人負責每天進行廠務端的安全維護。由建造初期至今已投入近千萬在安全防護及廠務設備方面。目前已完成建置完成包含：24hr線上監視系統、氣體洩漏偵測警報系統、特殊氣瓶放置櫃、各式化學防護器具、警急洩漏處理防護衣(A級防護衣)、空污防制設備(Scrubber)及污水處理設備等設備。除此之外並建立不斷電系統(UPS)及自給發電系統(柴油發電機)，以確保在停電或無預警停電時，仍可維持基本的安全防護，以確保使用者安全。為達到良好的製程品質，本實驗室除投入無塵室建造之外，並比照業界，建立超純水製造系統(18 MEG-OHM)，該系統每小時產水量達1500 L足以運用在各項實驗使用上面。Fig 2

36、-1.特殊氣體存放櫃三、成員介紹 本實驗室結合高屏地區奈米相關研究專家學者共同組成研究團隊，提供高屏地區奈米研究、人才培育等研究及諮詢資源。以下為本實驗室主要成員。Table 3-1.主要成員姓名職稱單位簡歷及專長主持人羅奕凱教授國立中山大學 物理系1. 美國紐約州立大學水牛城分校物理博士2. 國立中山大學物理系 教授3. 財團法人高等教育評鑑中心評鑑委員4. 國科會自然處物理學門諮議委員專長：半導體物理、凝體物理、磁物理共同主持人張鼎張教授國立中山大學 物理系1. 國立交通大學電子所博士2. 國立中山大學物理系 教授3. 國立中山大學光電所 合聘教授專長：TFT-LCD、積體電路、光電半導體

37、共同主持人陳英忠教授國立中山大學 電機系1. 國立成功大學電機所博士2. 國立中山大學電機系 教授3. 國立中山大學電機系 系主任專長：材料科學、電子陶瓷、薄膜工程共同主持人曾百亨教授國立中山大學 材料系1. 美國伊利諾大學材料博士2. 國立中山大學材料系 教授專長：半導體材料、IC製程、太陽能電池、薄膜成長分析技術共同主持人黃吉川教授國立成功大學工程科學學系1. 國立成功大學機械博士2. 國立成功大學工程科學學系 教授3. 國立成功大學教務處教師發展中心主任4. 財團法人原子能科技基金會董事5. 公共工程評審委員(應用力學組)6. 台南縣工業發展投資策進會委員7. 國家高速電腦中心兼任研究員

38、8. 台南縣政府顧問專長：非線性混沌理論、微觀力學 、 薄膜工程、半導體製程、生物奈米、 生物資訊、生醫工程、腦神經科學、 量子資訊、量子系統控制論 、知識 經濟、極限科技、光電工程 Table 3-1.主要成員(續)姓名職稱單位簡歷及專長專家楊弘敦教授國立中山大學物理系1. 美國愛荷華州立大學物理博士2. 國立中山大學物理系 教授3. 中央研究院物理所合聘研究員4. 行政院國家科學委員會副主任委員專長：超導體物理、磁物理、材料科學、 奈米科技專家周雄教授國立中山大學物理系1. 美國哥倫比亞大學博士2. 國立中山大學物理系 教授專長：超導體物理、磁性薄膜物理專家蔡秀芬教授國立中山大學物理系1.

39、 國立清華大學物理博士2. 國立中山大學物理系 教授專長：超導物理、計算物理、凝態理論專家周明奇副教授國立中山大學材光系1. University of Central Florida, 2000.博士2. 國立中山大學材光系 助理教授專長：晶體生長 (Single Crystal Growth) 光電材料 (Electro-Optic Materials)專家杜立偉教授國立中山大學物理系1. 美國西北大學物理博士2. 國立中山大學物理系 教授專長：半導體物理及半導體雷射專家郭建成助理教授國立中山大學物理系1. 台灣大學物理博士2. 國立中山大學物理系 助理教授專長：超高真空鍍膜及分析技術、磁

40、性奈 米結構、掃描式探針顯微術、表面 及介面物理、同步輻射專家潘正堂教授國立中山大學機電系1. 國立清華大學動力機械系博士2. 國立中山大學機電系 教授專長：奈米科技、微機電系統(MEMS) 專家何扭今教授國立中山大學材料系1. 美國伊利諾大學材料博士2. 國立中山大學材料系 教授3. 國立中山大學奈米科技研發中心主任專長：高能量材料處理、金屬疲勞和破壞Table 3-2. 主要成員聯絡方式姓名電話E-mail主持人羅奕凱07-5252000 轉3734.tw共同主持人張鼎張07-5252000轉3708tcchangmail.phys.nsy

41、.tw共同主持人陳英忠07-5252000轉3734.tw共同主持人曾百亨07-5252000轉4121.tw共同主持人黃吉川06-2757575轉63301.tw專家楊弘敦07-5252000 轉3732.tw專家周雄07-5252000 轉3722.tw專家蔡秀芬07-5252000 轉3728.tw專家周明奇07-5252000

42、 轉4078.tw專家杜立偉07-5252000 轉3736.tw專家郭建成07-5252000 轉3735.tw專家潘正堂07-5252000 轉4239.tw專家何扭今07-5252000 轉4067.tw四、服務及實績 本實驗室目前提供的服務方面主要有三類，分別是半導體製程方面、奈米量測方面及教學參觀方面。各項服務及收費方式如Table 4-14-4所示。 在半導體製程方面及奈米量測方面本實驗室雖位

43、於南台灣但服務客戶群已廣及全台，實驗室草創時期購買儀器FIB除服務本校各系所實驗之需求外，更深受全台各大專院校好評，如台大、陽明、清華、交大、成大等大學皆為本實驗室客戶群之一。業界部分如台灣知名企業奇美光電、飛信半導體等。 為提高奈米科技研究品質及擴大產業服務，本實驗室於20042007年陸陸續續建構半導體製程相關儀器，更於2007年8月正式對外開放無塵室提供相關服務，除繼續服務舊有客戶之外，由於設備的更新更吸引如：聚昌科技、科毅科技、旭明光電、光鋐光電及國家奈米元件實驗室到本校進行儀器操作服務。 除儀器製程及量測方面的服務外，本實驗室更不定時舉辦相關學術演講及提供無塵室教學及參觀服務，提供校

44、內外學員對於半導體製程乃至於無塵室方面相關的知識，並輔助相關課程教學。針對業界需求本實驗室也提供最專業的諮詢及最貼切需求之合作方式。Fig 4-1.邁向頂尖大學五年五百億審查委員蒞臨本實驗室參觀(本實驗室周雄教授左一；現任中央研究院物理研究所所長吳茂昆教授左三)Fig 4-2.奈米核心設施共同實驗室無塵室製程儀器使用說明會(計畫主持人：羅奕凱教授)Fig 4-3.奈米核心設施共同實驗室無塵室製程儀器使用說明會學員蒞臨無塵室參觀Fig 4-4.微奈米結構製程及分析檢測介紹與實測研習營參觀本實驗室Fig 4-5.微奈米結構製程及分析檢測介紹與實測研習營學員參觀無塵室Fig 4-6.華新科技四位主管

45、蒞臨參觀本無塵室Fig 4-7.本實驗室張鼎張教授及陳英忠教授針對來訪廠商需求提供最完善之諮詢講解Table 4-1.各儀器設備使用收費標準製程機台優惠使用(學術界自行操作5折，委託操作7.5折/非學術界操作8.5折/最低收費500元/時)，訓練認證費5折，FIB機台4hr送1hr，工安訓練認證：600元(3.5hr含Wet Bench訓練認證)。  Wet Bench化學溶液調配工本費 500元/杯 (每杯化學溶液最大容量500cc） 表列為原定儀器使用費，若有疑問請洽(07)7525-3708 或(07)525-2000 #3703 陳小姐。機台名稱學術界研究單位營利事業單位包含

46、上課+儀器工程師，(需另外練習操作，依委託操作費率計)陪同練習自行操作委託(校內)委託(校外)自行操作委託操作自行操作委託操作訓練/認證(時數)訓練費認證費高密度電漿化學氣相沉積系統 (HDP-CVD)High Density Plasma Chemical Vapor Deposition 1,5001,800 2,400 2,000 2,400 2,250 2,700 3 / 0.5 3,0001,200 感應耦合式電漿蝕刻系統(ICP-Etcher) Inductive Couple Plasma Etcher 1,5001,800 2,400 2,000 2,400 2,250 2,7

47、00 3 / 0.53,0001,200 多靶磁控濺鍍系統(Sputter) Multi-Target Sputter1,0001,200 1,5001,250 1,5001,5001,800 2 / 0.52,000750雙電子束蒸鍍系統(E-Beam) Dual E-Beam Evaporator 1,000 1,2001,500 1,250 1,50015001,800 3 / 0.5 2,000750 雷射退火系統 Laser Annealing system1,0001,3001,5001,2001,5001,6002,0003 / 12,0001,500 雷射濺鍍系統 Laser

48、Ablation system 1,500 2,000 2,200 1,7002,2002,3003,000 3 / 0.75 2,000 1,650 快速退火系統(RTA)Rapid Thermal Annealing System 500600 750 625 750 750 900 2 / 0.5500 500 光學微影系統 Mask Aligner and Exposure System 500 8001,0006251,000 9401,500 3 / 0.5 500 500 薄膜特性分析儀(N & K) N & K analyzer 200/15min 250/15min 300/15min 240/15min 300/15min 320/15min 400/15min1.5 / 0.5 500600三維輪廓儀(Alpha-Step)3D Alpha-Step Profilometer200/15min250/15min300/15min 240/15min30